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ICS29.045代替GB/T35307—2017流化床法顆粒硅國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)IGB/T35307—2023本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件代替GB/T35307—2017《流化床法顆粒硅》,與GB/T35307—2017相比,除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編a)更改了范圍(見第1章,2017年版的第1章);b)更改了顆粒硅的牌號(hào)表示方法(見第4章,2017年版的4.1);c)更改了顆粒硅的技術(shù)指標(biāo)要求(見5.1,2017年版的4.2);d)更改了特級(jí)品顆粒硅的粒徑要求(見5.2.1,2017年版的4.3.1);e)更改了顆粒硅的表面質(zhì)量要求(見5.3,2017年版的4.4);f)更改了顆粒硅碳含量的測(cè)試方法(見6.3,2017年版的5.3);g)更改了顆粒硅氫含量的測(cè)試方法(見6.4,2017年版的5.4);h)更改了顆粒硅粒徑的測(cè)試方法(見6.6,2017年版的5.6);i)更改了取樣方法(見7.4.1,2017年版的6.4.1)。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本文件于2017年首次發(fā)布,本次為第一次修訂。1流化床法顆粒硅GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T21649.2粒度分析圖像分析法第2部分:動(dòng)態(tài)圖像分析法4牌號(hào)顆粒硅的等級(jí)及相關(guān)的技術(shù)指標(biāo)應(yīng)符合表1的規(guī)定。2GB/T35307—2023特級(jí)品1級(jí)品2級(jí)品3級(jí)品施主雜質(zhì)含量(P、As、Sb,以原子數(shù)計(jì))受主雜質(zhì)含量(B、Al,以原子數(shù)計(jì))碳含量(以原子數(shù)計(jì))氫含量總金屬雜質(zhì)含量5.2.1特級(jí)品顆粒硅中粒徑小于300μm的顆粒硅重量占比應(yīng)小于0.5%,粒徑大于4000μm的顆粒硅重量占比應(yīng)小于5%。a)小于150μm的顆粒硅重量占比應(yīng)小于5%;b)150μm~4000μm的顆粒硅重量占比應(yīng)大于90%;c)大于4000μm的顆粒硅重量占比應(yīng)小于5%。6試驗(yàn)方法6.1顆粒硅進(jìn)行施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、碳含量測(cè)試前應(yīng)按照GB/T35309的方法制成單晶試樣。6.2顆粒硅施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量的測(cè)試按GB/T24581的規(guī)定進(jìn)行。6.3顆粒硅碳含量的測(cè)試按GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。6.4顆粒硅氫含量的測(cè)試按GB/T40566的規(guī)定進(jìn)行。6.5顆粒硅總金屬雜質(zhì)含量的測(cè)試按GB/T31854的規(guī)定進(jìn)行。6.6顆粒硅粒徑的測(cè)試按GB/T21649.2的規(guī)定進(jìn)行。6.7顆粒硅的表面質(zhì)量用目視檢查。3GB/T35307—20237檢驗(yàn)規(guī)則7.1.2需方可對(duì)收到的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)。若檢驗(yàn)結(jié)果與本文件規(guī)定或訂貨單的要求不符時(shí),應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個(gè)月內(nèi)向供方提出,由供需雙方協(xié)商確定。產(chǎn)的顆粒硅組成。行檢驗(yàn)。7.4.1隨機(jī)選取數(shù)量不少于1%的同批次顆粒硅產(chǎn)品包裝件,于潔凈區(qū)內(nèi)分裝兩份,根據(jù)檢驗(yàn)需求確定7.4.2仲裁抽樣方案由供需雙方協(xié)商確定。a)供方名稱;4GB/T35307—2023a)供方名稱;b)產(chǎn)品名稱及牌號(hào)
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