(高清版)GB∕T 29055-2019 太陽能電池用多晶硅片

ICS29.045GB/T29055—2019太陽能電池用多晶硅片國家市場監(jiān)督管理總局中國國家標準化管理委員會IGB/T29055—2019本標準按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草?！斑m用于太陽能電池用鑄造多晶硅片(包括類單晶硅片)”(見第1章，2012年版的第1章)。——刪除了規(guī)范性引用文件GB/T1551和SEMIMF1535,增加了GB/T30860、GB/T30869、年版的第2章)。建議邊長的增減量為1mm的整數(shù)倍(見表1,2012年版的表1)?！獙⑼庑纬叽绶诸惻c要求合并，并修改了邊長、厚度及允許偏差的要求(見4.1,2012年版的第4章、第5章)?！獎h除了表面質(zhì)量中的色斑、邊緣缺陷、晶粒數(shù)量及尺寸規(guī)格中密集型線痕的要求(見2012年版—增加了類單晶硅片的要求(見第4章)?！薷牧税b的要求(見7.2.1,2012年版的8.1.1)。本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC203)與全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本標準起草單位：江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司、鎮(zhèn)江仁德新能源科技有限公司、江西賽維本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：—GB/T29055—2012。1太陽能電池用多晶硅片本標準適用于太陽能電池用鑄造多晶硅片(包括類單晶硅片)。2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T2828.1—2012計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T6616半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6619硅片彎曲度測試方法GB/T29054太陽能級鑄造多晶硅塊GB/T30860太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測試方法GB/T30869太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化測試方法SJ/T11627太陽能電池用硅片電阻率在線測試方法SJ/T11628太陽能電池用硅片尺寸及電學表征在線測試方法SJ/T11631太陽能電池用硅片外觀缺陷測試方法SJ/T11632太陽能電池用硅片微裂紋缺陷的測試方法YS/T28硅片包裝3術(shù)語和定義GB/T14264和GB/T29054界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。24.1外形尺寸硅片的外形尺寸及允許偏差應符合表1的規(guī)定。要求允許偏差156.75×156.75倒角/mm厚度“/μm士20總厚度變化/μm彎曲度/μm—相鄰兩邊的垂直度/()“邊長的增減量建議為1mm的整數(shù)倍。4.2.1硅片的導電類型為P型。4.2.3硅片的載流子壽命應符合GB/T29054的規(guī)定，質(zhì)量由供方保證4.3間隙氧和代位碳含量硅片的間隙氧含量和代位碳含量應符合GB/T29054的規(guī)定，質(zhì)量由供方保證。4.4表面質(zhì)量4.4.2硅片表面不應有“V”型缺口的崩邊缺陷，允許有深度小于0.3mm、長度小于0.5mm的崩邊缺陷，且整片不超過2處。4.4.3硅片表面的單條線痕深度值應不大于15μm。4.5類單晶硅片的最大晶粒面積比例類單晶硅片的最大晶粒面積比例應符合表2的規(guī)定。3要求I類最大晶粒面積比例I類類單晶硅片相對于直拉單晶硅片和區(qū)熔單晶硅片，可能有更大的位錯密度和晶向偏差。I類類單晶硅片最大晶粒面積比例一般要求為100%,如供需雙方協(xié)商一致，可允許最大晶粒面積比例5.1邊長和倒角的檢驗按SJ/T11628或SJ/T11630的規(guī)定進行。仲裁方法按SJ/T11630的規(guī)定5.2厚度和總厚度變化的檢驗按GB/T6618、GB/T30869或SJ/T11628的規(guī)定進行。仲裁方法按GB/T6618的規(guī)定進行。5.3彎曲度的檢驗按GB/T6619的規(guī)定進行，或由供需雙方協(xié)商確定。5.4相鄰兩邊垂直度的檢驗按SJ/T11628或SJ/T11630的規(guī)定進行。仲裁方法按SJ/T11630的規(guī)5.5導電類型的檢驗按GB/T1550的規(guī)定進行。5.6電阻率的檢驗按GB/T6616、SJ/T11627或SJ/T11628的規(guī)定進行。仲裁方法按GB/T6616的5.8表面微裂紋的檢驗按SJ/T11632的規(guī)定進行。5.9表面線痕的檢驗按GB/T30860的規(guī)定進行。50cm的位置垂直于硅片表面目視進行。6檢驗規(guī)則6.1.1產(chǎn)品應由供方進行檢驗，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標準及訂貨單(或合同)的規(guī)定，并填寫質(zhì)量證6.1.2需方應對收到的產(chǎn)品按本標準的規(guī)定進行檢驗，如檢驗結(jié)果與本標準及訂貨單(或合同)的規(guī)定供需雙方協(xié)商確定。硅片應成批提交驗收。每批應由相同工藝生產(chǎn)的同一外形尺寸、導電類型和電阻率范圍的硅片4GB/T29055—2019組成。每批硅片的檢驗項目見表3。序號檢驗項目檢驗水平接收質(zhì)量限(AQL)1邊長2倒角3厚度4總厚度變化5彎曲度6相鄰兩邊的垂直度7導電類型8電阻率9表面質(zhì)量Ⅱ類單晶硅片的最大晶粒面積比例各檢驗項目的取樣按GB/T2828.1—2012中的正常檢驗一次抽樣方案，檢驗水平和接收質(zhì)量限(AQL)應符合表3的規(guī)定。如按其他方案進行取樣，應由供需雙方協(xié)商確定。b)產(chǎn)品技術(shù)要求；d)產(chǎn)品數(shù)量。b)產(chǎn)品名稱；d)產(chǎn)品數(shù)量；7.2.1硅片包裝按YS/T28的規(guī)定進行，也可由供需雙方協(xié)商確定。5GB/T29055—2019d