標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 44558-2024 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試 透射電子顯微鏡法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范使用透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope, TEM）技術(shù)對Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中的位錯進(jìn)行成像的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于以氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）、氮化銦（InN）及其合金為代表的Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料，通過TEM技術(shù)來觀察和分析這些材料內(nèi)部存在的位錯缺陷。

在具體內(nèi)容上，標(biāo)準(zhǔn)首先定義了相關(guān)術(shù)語與定義，包括但不限于位錯、位錯密度等關(guān)鍵概念，為后續(xù)內(nèi)容的理解奠定了基礎(chǔ)。接著，介紹了試驗原理，即利用高能電子束穿透樣品后形成的衍射圖樣或明場/暗場圖像來識別并定位位錯。此外，還詳細(xì)規(guī)定了試樣的制備方法，強調(diào)了合適的厚度對于獲得清晰位錯圖像的重要性，并給出了推薦的制備流程和技術(shù)參數(shù)。

針對實驗操作部分，本標(biāo)準(zhǔn)提供了詳細(xì)的步驟指導(dǎo)，涵蓋了從儀器設(shè)置到數(shù)據(jù)采集的全過程，確保不同實驗室之間能夠得到一致且可重復(fù)的結(jié)果。同時，也指出了可能影響測量精度的因素及相應(yīng)的控制措施，如加速電壓的選擇、探測器類型的影響等。

最后，標(biāo)準(zhǔn)還包括了結(jié)果表達(dá)與報告編寫的要求，明確了如何記錄實驗條件、處理原始數(shù)據(jù)以及呈現(xiàn)最終分析結(jié)論的方式，以便于科研人員之間的交流與分享。通過遵循此標(biāo)準(zhǔn)所設(shè)定的指南，研究者們可以更加準(zhǔn)確地評估Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料的質(zhì)量特性，進(jìn)而促進(jìn)新材料的研發(fā)及應(yīng)用。


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  • 暫未開始實施
  • 2024-09-29 頒布
  • 2025-04-01 實施
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GB/T 44558-2024Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試透射電子顯微鏡法_第1頁
GB/T 44558-2024Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試透射電子顯微鏡法_第2頁
GB/T 44558-2024Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試透射電子顯微鏡法_第3頁
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文檔簡介

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T44558—2024

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試

透射電子顯微鏡法

TestmethodfordislocationimaginginⅢ-nitridesemiconductormaterials—

Transmissionelectronmicroscopy

2024-09-29發(fā)布2025-04-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T44558—2024

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司江蘇第三

:、、

代半導(dǎo)體研究院有限公司蘇州科技大學(xué)北京大學(xué)國家納米科學(xué)中心北京大學(xué)東莞光電研究院

、、、、、

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司環(huán)鑫半導(dǎo)體天津有限公司蘇州大學(xué)山東浪潮華光光電子股

、TCL()、、

份有限公司北京國基科航第三代半導(dǎo)體檢測技術(shù)有限公司

、。

本文件主要起草人曾雄輝董曉鳴蘇旭軍牛牧童王建峰徐科王曉丹徐軍郭延軍陳家凡

:、、、、、、、、、、

王新強顏建鋒敖松泉唐明華閆寶華李艷明

、、、、、。

Ⅰ

GB/T44558—2024

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試

透射電子顯微鏡法

1范圍

本文件描述了用透射電子顯微鏡測試族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的方法

Ⅲ。

本文件適用于六方晶系族氮化物半導(dǎo)體的薄膜或體單晶中位錯成像的測試

Ⅲ。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

伯格斯矢量Burgersvector

b

位錯所致晶格畸變的大小和方向的特征矢量

。

32

.

a型位錯atypedislocation

伯格斯矢量為的位錯

1/3<1120>。

33

.

c型位錯ctypedislocation

伯格斯矢量為的位錯

<0001>。

34

.

ac型位錯actypedislocation

++

伯格斯矢量為的位錯

1/3<1123>。

35

.

衍射矢量diffractionvector

g

衍射譜中由中心斑原點到衍射斑點的坐標(biāo)矢量

0000()(hkil)。

注在雙束成像條件下特指滿足布拉格條件的強反射的衍射矢量

:,。

4方法原理

位錯的衍射襯度像由衍射矢量g和伯格斯矢量b的點乘即g

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