DRAM基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析

DRAM基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析1.DRAM的全稱是（）A.DynamicRandomAccessMemoryB.DigitalRandomAccessMemoryC.DirectRandomAccessMemoryD.DataRandomAccessMemory答案：A解析：DRAM即DynamicRandomAccessMemory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。2.DRAM中的存儲(chǔ)單元通常由（）構(gòu)成。A.電容和晶體管B.電阻和電容C.電阻和晶體管D.電感和電容答案：A解析：DRAM的存儲(chǔ)單元通常由電容和晶體管構(gòu)成。3.DRAM相比SRAM的主要優(yōu)點(diǎn)是（）A.速度快B.集成度高C.功耗低D.價(jià)格便宜答案：B解析：DRAM相比SRAM集成度更高。4.DRAM中的信息需要（）進(jìn)行刷新。A.定期B.不定期C.無(wú)需D.隨機(jī)答案：A解析：DRAM中的信息需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。5.DRAM的刷新操作是為了（）A.增加存儲(chǔ)容量B.提高讀寫速度C.保持?jǐn)?shù)據(jù)D.消除干擾答案：C解析：刷新操作是為了保持存儲(chǔ)在DRAM中的數(shù)據(jù)。6.以下哪種不是DRAM的常見類型（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.EEPROMD.DDR3SDRAM答案：C解析：EEPROM不是DRAM的類型。7.DRAM的讀寫操作是（）A.同時(shí)進(jìn)行B.先讀再寫C.先寫再讀D.分開進(jìn)行答案：D解析：DRAM的讀寫操作是分開進(jìn)行的。8.DRAM的地址線通常分為（）A.行地址和列地址B.高位地址和低位地址C.數(shù)據(jù)地址和控制地址D.存儲(chǔ)地址和緩存地址答案：A解析：DRAM的地址線通常分為行地址和列地址。9.DRAM的存儲(chǔ)容量主要取決于（）A.地址線數(shù)量B.數(shù)據(jù)線數(shù)量C.晶體管數(shù)量D.電容數(shù)量答案：A解析：存儲(chǔ)容量取決于地址線數(shù)量。10.DRAM的工作電壓一般為（）A.5VB.3.3VC.1.8VD.1.2V答案：C解析：DRAM的工作電壓一般為1.8V左右。11.DRAM中的數(shù)據(jù)在斷電后（）A.不會(huì)丟失B.部分丟失C.全部丟失D.不確定答案：C解析：DRAM是易失性存儲(chǔ)器，斷電后數(shù)據(jù)全部丟失。12.提高DRAM速度的方法包括（）A.增加存儲(chǔ)容量B.縮短刷新周期C.采用流水線技術(shù)D.增加地址線數(shù)量答案：C解析：采用流水線技術(shù)可以提高DRAM的速度。13.DRAM的刷新方式不包括（）A.集中式刷新B.分散式刷新C.異步式刷新D.同步式刷新答案：D解析：DRAM的刷新方式包括集中式刷新、分散式刷新和異步式刷新。14.DRAM芯片的引腳數(shù)量主要取決于（）A.存儲(chǔ)容量和接口類型B.工作頻率和封裝形式C.制造工藝和價(jià)格D.品牌和產(chǎn)地答案：A解析：引腳數(shù)量取決于存儲(chǔ)容量和接口類型等因素。15.以下關(guān)于DRAM性能指標(biāo)的描述，錯(cuò)誤的是（）A.存儲(chǔ)容量越大性能越好B.訪問(wèn)時(shí)間越短性能越好C.刷新周期越長(zhǎng)性能越好D.功耗越低性能越好答案：C解析：刷新周期越短性能越好。16.DRAM控制器的主要功能是（）A.產(chǎn)生地址和控制信號(hào)B.進(jìn)行數(shù)據(jù)運(yùn)算C.存儲(chǔ)數(shù)據(jù)D.提高工作電壓答案：A解析：DRAM控制器產(chǎn)生地址和控制信號(hào)來(lái)管理DRAM的操作。17.與DRAM相比，SRAM的特點(diǎn)是（）A.速度慢、價(jià)格低B.速度快、價(jià)格高C.速度慢、價(jià)格高D.速度快、價(jià)格低答案：B解析：SRAM速度快但價(jià)格高。18.DRAM的發(fā)展趨勢(shì)是（）A.容量減小、速度降低B.容量增大、速度提高C.容量不變、速度不變D.容量和速度隨機(jī)變化答案：B解析：DRAM的發(fā)展趨勢(shì)是容量增大、速度提高。19.在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，DRAM通常用于（）A.高速緩存B.主存儲(chǔ)器C.硬盤緩存D.寄存器答案：B解析：DRAM通常用于計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器。20.DRAM存儲(chǔ)單元的電容充電表示（）A.0B.1C.不確定D.以上都不對(duì)答案：B解析：電容充電表示1。21.DRAM存儲(chǔ)單元的電容放電表示（）A.0B.1C.不確定D.以上都不對(duì)答案：A解析：電容放電表示0。22.DRAM的刷新是以（）為單位進(jìn)行的。A.位B.字節(jié)C.存儲(chǔ)單元D.存儲(chǔ)塊答案：D解析：DRAM的刷新通常以存儲(chǔ)塊為單位進(jìn)行。23.下列關(guān)于DRAM與CPU連接的敘述中，錯(cuò)誤的是（）A.需要地址鎖存器B.需要數(shù)據(jù)鎖存器C.需要控制信號(hào)D.不需要時(shí)鐘信號(hào)答案：D解析：DRAM與CPU連接時(shí)通常需要時(shí)鐘信號(hào)。24.DRAM芯片的存儲(chǔ)陣列通常采用（）A.單譯碼方式B.雙譯碼方式C.三譯碼方式D.四譯碼方式答案：B解析：DRAM芯片的存儲(chǔ)陣列通常采用雙譯碼方式。25.DRAM中的預(yù)充電操作是為了（）A.準(zhǔn)備讀取數(shù)據(jù)B.準(zhǔn)備寫入數(shù)據(jù)C.節(jié)省功耗D.提高速度答案：A解析：預(yù)充電操作是為了準(zhǔn)備讀取數(shù)據(jù)。26.以下哪種技術(shù)可以提高DRAM的集成度（）A.減小晶體管尺寸B.增加電容容量C.減少地址線數(shù)量D.降低工作電壓答案：A解析：減小晶體管尺寸可以提高DRAM的集成度。27.DRAM的地址復(fù)用技術(shù)可以（）A.減少地址線數(shù)量B.增加存儲(chǔ)容量C.提高讀寫速度D.降低功耗答案：A解析：地址復(fù)用技術(shù)可以減少地址線數(shù)量。28.當(dāng)DRAM進(jìn)行讀操作時(shí)，數(shù)據(jù)首先出現(xiàn)在（）A.數(shù)據(jù)總線B.地址總線C.控制總線D.以上都不對(duì)答案：A解析：讀操作時(shí)，數(shù)據(jù)首先出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線。29.DRAM的寫操作是將數(shù)據(jù)寫入（）A.存儲(chǔ)單元的電容B.存儲(chǔ)單元的晶體管C.數(shù)據(jù)寄存器D.地址寄存器答案：A解析：寫操作是將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元的電容。30.以下關(guān)于DRAM刷新的描述，正確的是（）A.刷新期間不能進(jìn)行讀寫操作B.刷新操作與讀寫操作可以同時(shí)進(jìn)行C.刷新操作可以隨機(jī)進(jìn)行D.以上都不對(duì)答案：A解析：刷新期間不能進(jìn)行讀寫操作。31.DRAM芯片的容量通常以（）為單位表示。A.位B.字節(jié)C.字D.塊答案：B解析：DRAM芯片的容量通常以字節(jié)為單位表示。32.在DRAM中，行選通信號(hào)和列選通信號(hào)的作用是（）A.選擇存儲(chǔ)單元B.控制讀寫操作C.進(jìn)行刷新D.以上都不對(duì)答案：A解析：行選通信號(hào)和列選通信號(hào)用于選擇存儲(chǔ)單元。33.DRAM的讀寫周期包括（）A.地址建立時(shí)間、讀寫時(shí)間、恢復(fù)時(shí)間B.地址建立時(shí)間、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間、等待時(shí)間C.地址建立時(shí)間、讀寫時(shí)間、等待時(shí)間D.以上都不對(duì)答案：A解析：DRAM的讀寫周期包括地址建立時(shí)間、讀寫時(shí)間、恢復(fù)時(shí)間。34.以下哪種DRAM類型的速度最快（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.DDR2SDRAMD.DDR3SDRAM答案：D解析：在這些選項(xiàng)中，DDR3SDRAM的速度最快。35.DRAM的位擴(kuò)展是指（）A.增加存儲(chǔ)單元的位數(shù)B.增加存儲(chǔ)單元的數(shù)量C.提高存儲(chǔ)單元的速度D.以上都不對(duì)答案：A解析：位擴(kuò)展是增加存儲(chǔ)單元的位數(shù)。36.DRAM的字?jǐn)U展是指（）A.增加存儲(chǔ)單元的位數(shù)B.增加存儲(chǔ)單元的數(shù)量C.提高存儲(chǔ)單元的速度D.以上都不對(duì)答案：B解析：字?jǐn)U展是增加存儲(chǔ)單元的數(shù)量。37.在DRAM中，為了提高讀寫速度，可以采用（）A.增加存儲(chǔ)單元的電容B.縮短地址線的長(zhǎng)度C.增加預(yù)充電時(shí)間D.流水線操作答案：D解析：采用流水線操作可以提高DRAM的讀寫速度。38.DRAM的存儲(chǔ)密度通常以（）來(lái)衡量。A.位/平方毫米B.字節(jié)/平方毫米C.字/平方毫米D.塊/平方毫米答案：A解析：存儲(chǔ)密度通常以位/平方毫米來(lái)衡量。39.以下關(guān)于DRAM可靠性的描述，錯(cuò)誤的是（）A.容易受到干擾B.數(shù)據(jù)保存時(shí)間短C.可靠性較高D.刷新操作可能導(dǎo)致錯(cuò)誤答案：C解析：DRAM容易受到干擾，數(shù)據(jù)保存時(shí)間短，可靠性相對(duì)較低。40.DRAM的接口類型主要影響（）A.數(shù)據(jù)傳輸速度B.存儲(chǔ)容量C.工作電壓D.以上都不對(duì)答案：A解析：接口類型主要影響數(shù)據(jù)傳輸速度。41.為了減少DRAM的功耗，可以采?。ǎ〢.降低工作電壓B.增加刷新頻率C.提高工作頻率D.以上都不對(duì)答案：A解析：降低工作電壓可以減少功耗。42.DRAM中的地址譯碼方式有（）A.直接譯碼和間接譯碼B.硬件譯碼和軟件譯碼C.線性譯碼和非線性譯碼D.以上都不對(duì)答案：C解析：地址譯碼方式有線性譯碼和非線性譯碼。43.在DRAM中，數(shù)據(jù)的讀出是通過(guò)（）實(shí)現(xiàn)的。A.電容的放電B.電容的充電C.晶體管的導(dǎo)通D.晶體管的截止答案：A解析：數(shù)據(jù)的讀出是通過(guò)電容的放電實(shí)現(xiàn)的。44.以下哪種DRAM類型的功耗最低（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.DDR2SDRAMD.DDR3SDRAM答案：A解析：SDRAM的功耗相對(duì)較低。45.DRAM中的數(shù)據(jù)寫入是通過(guò)（）實(shí)現(xiàn)的。A.電容的放電B.電容的充電C.晶體管的導(dǎo)通D.晶體管的截止答案：B解析：數(shù)據(jù)寫入是通過(guò)電容的充電實(shí)現(xiàn)的。46.以下關(guān)于DRAM刷新的頻率，描述正確的是（）A.固定不變B.隨溫度變化C.隨存儲(chǔ)容量變化D.以上都不對(duì)答案：A解析：DRAM刷新的頻率通常是固定不變的。47.DRAM芯片的封裝形式主要有（）A.DIP和SOPB.BGA和QFPC.PGA和PLCCD.以上都是答案：D解析：DRAM芯片的封裝形式有多種，包括DIP、SOP、BGA、QFP、PGA、PLCC等。48.以下哪種因素會(huì)影響DRAM的性能（）A.工作溫度B.存儲(chǔ)容量C.讀寫次數(shù)D.以上都是答案：D解析：工作溫度、存儲(chǔ)容量、讀寫次數(shù)等都會(huì)影響DRAM的性能。49.DRAM的價(jià)格通常取決于（）A.制造工藝B.市場(chǎng)需求C.存儲(chǔ)容量D.以上都是答案：D解析：DRAM的價(jià)格受制造工藝、市場(chǎng)需求、存儲(chǔ)容量等多種因素影響。50.在DRAM中，為了提高可靠性，可以采用（）A.增加糾錯(cuò)碼B.減少存儲(chǔ)單元數(shù)量C.降低工作電壓D.以上都不對(duì)答案：A解析：增加糾錯(cuò)碼可以提高DRAM的可靠性。51.DRAM的發(fā)展受到（）的限制。A.制造工藝B.存儲(chǔ)原理C.市場(chǎng)需求D.以上都是答案：D解析：DRAM的發(fā)展受到制造工藝、存儲(chǔ)原理、市場(chǎng)需求等多方面的限制。52.以下關(guān)于DRAM存儲(chǔ)單元的描述，錯(cuò)誤的是（）A.存儲(chǔ)單元的電容值會(huì)隨時(shí)間變化B.存儲(chǔ)單元的晶體管用于控制讀寫操作C.存儲(chǔ)單元的電容值決定了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)D.以上都不對(duì)答案：C解析：存儲(chǔ)單元中電容的充電和放電狀態(tài)決定了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，而不是電容值。53.DRAM中的地址緩沖器的作用是（）A.放大地址信號(hào)B.暫存地址信號(hào)C.轉(zhuǎn)換地址信號(hào)D.以上都不對(duì)答案：B解析：地址緩沖器暫存地址信號(hào)。54.以下哪種DRAM類型的集成度最高（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.DDR2SDRAMD.DDR3SDRAM答案：D解析：DDR3SDRAM的集成度相對(duì)較高。55.在DRAM中，為了提高數(shù)據(jù)傳輸速度，可以（）A.增加數(shù)據(jù)線數(shù)量B.提高工作頻率C.優(yōu)化接口協(xié)議D.以上都是答案：D解析：增加數(shù)據(jù)線數(shù)量、提高工作頻率、優(yōu)化接口協(xié)議都可以提高數(shù)據(jù)傳輸速度。56.DRAM的刷新電流通常（）讀寫電流。A.大于B.小于C.等于D.不確定答案：A解析：DRAM的刷新電流通常大于讀寫電流。57.以下關(guān)于DRAM控制器的功能，描述錯(cuò)誤的是（）A.生成刷新地址B.進(jìn)行數(shù)據(jù)校驗(yàn)C.控制讀寫操作D.以上都不對(duì)答案：B解析：DRAM控制器一般不進(jìn)行數(shù)據(jù)校驗(yàn)。58.DRAM的字長(zhǎng)通常是（）的整數(shù)倍。A.8位B.16位C.32位D.64位答案：A解析：DRAM的字長(zhǎng)通常是8位的整數(shù)倍。59.以下哪種技術(shù)可以降低DRAM的功耗（）A.動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)B.增加存儲(chǔ)單元數(shù)量C.提高工作頻率D.以上都不對(duì)答案：A解析：動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)可以降低DRAM的功耗。60.DRAM中的數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)單元中是以（）形式存在的。A.電流B.電壓C.電荷D.磁場(chǎng)答案：C解析：數(shù)據(jù)在DRAM存儲(chǔ)單元中是以電荷形式存在的。61.以下關(guān)于DRAM存儲(chǔ)陣列的描述，正確的是（）A.按行存儲(chǔ)B.按列存儲(chǔ)C.按塊存儲(chǔ)D.以上都不對(duì)答案：A解析：DRAM存儲(chǔ)陣列通常按行存儲(chǔ)。62.DRAM的刷新周期取決于（）A.存儲(chǔ)容量B.工作溫度C.電容漏電速度D.以上都是答案：D解析：刷新周期取決于存儲(chǔ)容量、工作溫度、電容漏電速度等因素。63.以下哪種DRAM類型的工作電壓最低（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.DDR2SDRAMD.DDR3SDRAM答案：D解析：DDR3SDRAM的工作電壓相對(duì)較低。64.DRAM中的預(yù)充電時(shí)間主要影響（）A.讀操作速度B.寫操作速度C.刷新速度D.以上都不對(duì)答案：A解析：預(yù)充電時(shí)間主要影響讀操作速度。65.為了提高DRAM的性能，通常采用的技術(shù)有（）A.增加存儲(chǔ)體數(shù)量B.優(yōu)化地址映射C.改進(jìn)刷新策略D.以上都是答案：D解析：增加存儲(chǔ)體數(shù)量、優(yōu)化地址映射、改進(jìn)刷新策略都能提高DRAM性能。66.DRAM存儲(chǔ)單元的電容漏電會(huì)導(dǎo)致（）A.數(shù)據(jù)丟失B.存儲(chǔ)容量減小C.讀寫速度降低D.工作電壓升高答案：A解析：電容漏電會(huì)使存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。67.以下關(guān)于DRAM地址線的說(shuō)法，正確的是（）A.地址線數(shù)量決定存儲(chǔ)容量B.地址線數(shù)量固定不變C.地址線可以復(fù)用D.以上都不對(duì)答案：A解析：地址線數(shù)量決定了DRAM的存儲(chǔ)容量。68.DRAM的讀操作過(guò)程中，首先進(jìn)行的是（）A.行地址選通B.列地址選通C.數(shù)據(jù)輸出D.預(yù)充電答案：A解析：讀操作首先進(jìn)行行地址選通。69.在DRAM芯片中，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的是（）A.地址譯碼器B.存儲(chǔ)矩陣C.數(shù)據(jù)緩沖器D.控制邏輯答案：B解析：存儲(chǔ)矩陣用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。70.以下哪種因素對(duì)DRAM的壽命影響較大（）A.讀寫次數(shù)B.工作溫度C.存儲(chǔ)容量D.以上都是答案：A解析：讀寫次數(shù)對(duì)DRAM的壽命影響較大。71.DRAM的寫操作與讀操作的主要區(qū)別在于（）A.控制信號(hào)不同B.地址順序不同C.數(shù)據(jù)流向不同D.以上都是答案：D解析：寫操作與讀操作在控制信號(hào)、地址順序和數(shù)據(jù)流向等方面都有區(qū)別。72.為了增加DRAM的存儲(chǔ)容量，可以（）A.減小存儲(chǔ)單元面積B.增加存儲(chǔ)單元數(shù)量C.提高存儲(chǔ)單元的密度D.以上都是答案：D解析：減小存儲(chǔ)單元面積、增加存儲(chǔ)單元數(shù)量、提高存儲(chǔ)單元的密度都能增加存儲(chǔ)容量。73.DRAM的接口標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了（）A.電氣特性和時(shí)序B.存儲(chǔ)容量和速度C.工作電壓和功耗D.以上都是答案：A解析：接口標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定電氣特性和時(shí)序。74.以下關(guān)于DRAM數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼f(shuō)法，錯(cuò)誤的是（）A.可以并行傳輸B.可以串行傳輸C.傳輸速度固定不變D.以上都不對(duì)答案：C解析：DRAM數(shù)據(jù)傳輸速度不是固定不變的。75.DRAM中的糾錯(cuò)編碼通常用于（）A.提高存儲(chǔ)容量B.提高讀寫速度C.提高數(shù)據(jù)可靠性D.以上都不對(duì)答案：C解析：糾錯(cuò)編碼用于提高數(shù)據(jù)的可靠性。76.以下哪種情況會(huì)導(dǎo)致DRAM工作異常（）A.電源波動(dòng)B.電磁干擾C.溫度過(guò)高D.以上都是答案：D解析：電源波動(dòng)、電磁干擾、溫度過(guò)高都可能導(dǎo)致DRAM工作異常。77.DRAM的發(fā)展方向包括（）A.更高的集成度B.更低的功耗C.更快的速度D.以上都是答案：D解析：更高的集成度、更低的功耗、更快的速度都是DRAM的發(fā)展方向。78.在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，DRAM與其他存儲(chǔ)器相比，其優(yōu)勢(shì)在于（）A.價(jià)格便宜B.容量大C.速度適中D.以上都是答案：D解析：DRAM在價(jià)格、容量和速度方面具有綜合優(yōu)勢(shì)。79.DRAM的刷新方式中，分散式刷新的特點(diǎn)是（）A.刷新間隔長(zhǎng)B.不存在死時(shí)間C.控制簡(jiǎn)單D.以上都不對(duì)答案：B解析：分散式刷新不存在死時(shí)間。80.以下關(guān)于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，描述正確的是（）A.電容和晶體管串聯(lián)B.電容和晶體管并聯(lián)C.只有電容D.只有晶體管答案：B解析：DRAM存儲(chǔ)單元中電容和晶體管并聯(lián)。81.DRAM中的行地址和列地址是通過(guò)（）來(lái)區(qū)分的。A.不同的地址線B.控制信號(hào)C.時(shí)序D.以上都是答案：D解析：行地址和列地址通過(guò)不同的地址線、控制信號(hào)和時(shí)序來(lái)區(qū)分。82.提高DRAM存儲(chǔ)單元電容的容量可以（）A.減少刷新次數(shù)B.增加存儲(chǔ)容量C.提高讀寫速度D.以上都是答案：A解析：提高電容容量可以減少刷新次數(shù)。83.DRAM芯片在生產(chǎn)過(guò)程中需要進(jìn)行（）測(cè)試。A.功能測(cè)試B.可靠性測(cè)試C.性能測(cè)試D.以上都是答案：D解析：生產(chǎn)過(guò)程中需要進(jìn)行功能、可靠性和性能等多方面的測(cè)試。84.以下關(guān)于DRAM與CPU連接的敘述，正確的是（）A.需要地址譯碼器B.可以直接連接C.不需要控制信號(hào)D.以上都不對(duì)答案：A解析：DRAM與CPU連接時(shí)需要地址譯碼器。85.DRAM的存儲(chǔ)容量與（）有關(guān)。A.芯片的面積B.制造工藝C.地址線和數(shù)據(jù)線的數(shù)量D.以上都是答案：D解析：存儲(chǔ)容量與芯片面積、制造工藝、地址線和數(shù)據(jù)線數(shù)量等都有關(guān)。86.在DRAM中，為了提高數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，可以（）A.增加電容的漏電電阻B.縮短刷新周期C.降低工作電壓D.以上都不對(duì)答案：A解析：增加電容的漏電電阻可以提高數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。87.以下哪種DRAM技術(shù)可以降低功耗和提高性能（）A.低電壓DRAMB.高帶寬DRAMC.三維DRAMD.以上都是答案：D解析：低電壓DRAM、高帶寬DRAM、三維DRAM都可以降低功耗和提高性能。88.DRAM中的控制信號(hào)包括（）A.讀使能信號(hào)B.寫使能信號(hào)C.片選信號(hào)D.以上都是答案：D解析：讀使能信號(hào)、寫使能信號(hào)、片選信號(hào)等都是控制信號(hào)。89.為了提高DRAM的可靠性，可以采用（）A.冗余技術(shù)B.糾錯(cuò)技術(shù)C.備份技術(shù)D.以上都是答案：D解析：冗余技術(shù)、糾錯(cuò)技術(shù)、備份技術(shù)都能提高可靠性。90.DRAM的發(fā)展受到（）的推動(dòng)。A.計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展B.半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步C.市場(chǎng)需求的增加D.以上都是答案：D解析：計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展、半導(dǎo)體工藝進(jìn)步、市場(chǎng)需求增加都推動(dòng)了DRAM的發(fā)展。91.以下關(guān)于DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)的描述，錯(cuò)誤的是（）A.可以由多個(gè)芯片組成B.可以采用多級(jí)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)C.存儲(chǔ)容量是