砷化鎵基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析

砷化鎵基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析1.砷化鎵屬于以下哪種晶體類(lèi)型？（）A.離子晶體B.分子晶體C.原子晶體D.金屬晶體答案：C解析：砷化鎵是由原子通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合形成的晶體，屬于原子晶體。2.砷化鎵的禁帶寬度約為（）A.1.42eVB.0.7eVC.3.4eVD.1.1eV答案：A解析：砷化鎵的禁帶寬度約為1.42eV。3.砷化鎵具有以下哪種特性？（）A.高電阻率B.良好的導(dǎo)電性C.低介電常數(shù)D.差的熱穩(wěn)定性答案：B解析：砷化鎵具有良好的導(dǎo)電性。4.砷化鎵常用于以下哪種器件？（）A.電阻器B.電容器C.晶體管D.電感器答案：C解析：砷化鎵常用于制作晶體管等半導(dǎo)體器件。5.砷化鎵的化學(xué)式為（）A.AsGaB.GaAsC.As2GaD.Ga2As答案：B解析：砷化鎵的化學(xué)式為GaAs。6.砷化鎵的晶體結(jié)構(gòu)為（）A.面心立方B.體心立方C.閃鋅礦型D.氯化鈉型答案：C解析：砷化鎵的晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型。7.砷化鎵的熔點(diǎn)約為（）A.1238℃B.1511℃C.2200℃D.937℃答案：A解析：砷化鎵的熔點(diǎn)約為1238℃。8.以下哪種方法常用于制備砷化鎵？（）A.電解法B.氣相沉積法C.還原法D.置換法答案：B解析：氣相沉積法常用于制備砷化鎵。9.砷化鎵的電子遷移率比硅的（）A.低B.高C.相等D.無(wú)法比較答案：B解析：砷化鎵的電子遷移率比硅的高。10.砷化鎵在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用主要是因?yàn)槠洌ǎ〢.發(fā)光效率高B.成本低C.制備簡(jiǎn)單D.穩(wěn)定性好答案：A解析：砷化鎵在光電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，主要是因?yàn)槠浒l(fā)光效率高。11.砷化鎵的能隙類(lèi)型是（）A.直接能隙B.間接能隙C.半直接能隙D.以上都不是答案：A解析：砷化鎵具有直接能隙。12.砷化鎵的熱導(dǎo)率與硅相比（）A.較高B.較低C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的熱導(dǎo)率比硅低。13.以下哪種雜質(zhì)可以作為砷化鎵的n型摻雜劑？（）A.硼B(yǎng).鋁C.碲D.鎂答案：C解析：碲可以作為砷化鎵的n型摻雜劑。14.砷化鎵的導(dǎo)帶底位于（）A.Γ點(diǎn)B.X點(diǎn)C.L點(diǎn)D.以上都不是答案：A解析：砷化鎵的導(dǎo)帶底位于Γ點(diǎn)。15.砷化鎵的價(jià)帶頂位于（）A.Γ點(diǎn)B.X點(diǎn)C.L點(diǎn)D.以上都不是答案：A解析：砷化鎵的價(jià)帶頂位于Γ點(diǎn)。16.砷化鎵的光學(xué)性質(zhì)主要取決于（）A.能隙寬度B.晶體結(jié)構(gòu)C.雜質(zhì)濃度D.溫度答案：A解析：砷化鎵的光學(xué)性質(zhì)主要取決于能隙寬度。17.砷化鎵的硬度比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的硬度比硅大。18.砷化鎵的介電常數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的介電常數(shù)比硅小。19.砷化鎵的飽和電子漂移速度比硅的（）A.低B.高C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的飽和電子漂移速度比硅高。20.以下哪種因素會(huì)影響砷化鎵的電學(xué)性能？（）A.晶體缺陷B.溫度C.雜質(zhì)D.以上都是答案：D解析：晶體缺陷、溫度和雜質(zhì)都會(huì)影響砷化鎵的電學(xué)性能。21.砷化鎵在常溫下的本征載流子濃度比硅的（）A.低B.高C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵在常溫下的本征載流子濃度比硅低。22.砷化鎵的晶格常數(shù)約為（）A.0.565nmB.0.543nmC.0.356nmD.0.519nm答案：A解析：砷化鎵的晶格常數(shù)約為0.565nm。23.砷化鎵的折射率比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的折射率比硅大。24.砷化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度比硅的（）A.低B.高C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度比硅高。25.以下哪種材料與砷化鎵的晶格匹配較好？（）A.磷化鎵B.氮化鎵C.氧化鋅D.硫化鎘答案：A解析：磷化鎵與砷化鎵的晶格匹配較好。26.砷化鎵的霍爾系數(shù)與硅的相比（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：D解析：霍爾系數(shù)取決于多種因素，不能簡(jiǎn)單比較砷化鎵和硅的大小。27.砷化鎵的熱膨脹系數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的熱膨脹系數(shù)比硅大。28.砷化鎵的態(tài)密度有效質(zhì)量比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的態(tài)密度有效質(zhì)量比硅大。29.砷化鎵的施主能級(jí)比硅的（）A.深B.淺C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的施主能級(jí)比硅淺。30.砷化鎵的受主能級(jí)比硅的（）A.深B.淺C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的受主能級(jí)比硅淺。31.以下哪種工藝可以提高砷化鎵的晶體質(zhì)量？（）A.外延生長(zhǎng)B.離子注入C.化學(xué)蝕刻D.物理氣相沉積答案：A解析：外延生長(zhǎng)可以提高砷化鎵的晶體質(zhì)量。32.砷化鎵在微波領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是（）A.高頻性能好B.功率容量大C.噪聲系數(shù)低D.以上都是答案：D解析：砷化鎵在微波領(lǐng)域應(yīng)用優(yōu)勢(shì)包括高頻性能好、功率容量大、噪聲系數(shù)低等。33.砷化鎵的光吸收系數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的光吸收系數(shù)比硅大。34.砷化鎵的發(fā)光波長(zhǎng)范圍主要在（）A.紅外區(qū)B.可見(jiàn)光區(qū)C.紫外區(qū)D.以上都不是答案：A解析：砷化鎵的發(fā)光波長(zhǎng)范圍主要在紅外區(qū)。35.以下哪種測(cè)試方法常用于測(cè)量砷化鎵的電學(xué)性能？（）A.霍爾測(cè)試B.拉曼光譜C.X射線衍射D.掃描電子顯微鏡答案：A解析：霍爾測(cè)試常用于測(cè)量砷化鎵的電學(xué)性能。36.砷化鎵的熱穩(wěn)定性比磷化鎵的（）A.好B.差C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的熱穩(wěn)定性比磷化鎵差。37.砷化鎵的電子親和能比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的電子親和能比硅小。38.砷化鎵的能隙隨溫度的變化率比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的能隙隨溫度的變化率比硅大。39.以下哪種襯底常用于生長(zhǎng)砷化鎵薄膜？（）A.硅襯底B.藍(lán)寶石襯底C.砷化鎵襯底D.碳化硅襯底答案：C解析：砷化鎵襯底常用于生長(zhǎng)砷化鎵薄膜。40.砷化鎵的壓電常數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的壓電常數(shù)比硅大。41.砷化鎵的介電損耗比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的介電損耗比硅大。42.砷化鎵的光電轉(zhuǎn)換效率比硅的（）A.高B.低C.相等D.不確定答案：A解析：在某些條件下，砷化鎵的光電轉(zhuǎn)換效率比硅高。43.砷化鎵的擴(kuò)散系數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的擴(kuò)散系數(shù)比硅大。44.以下哪種元素可以替代砷在砷化鎵中形成固溶體？（）A.磷B.氮C.碳D.氧答案：A解析：磷可以替代砷在砷化鎵中形成固溶體。45.砷化鎵的德拜溫度比硅的（）A.高B.低C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的德拜溫度比硅低。46.砷化鎵的泊松比比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的泊松比比硅大。47.砷化鎵的比熱容比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的比熱容比硅大。48.砷化鎵的彈性模量比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的彈性模量比硅大。49.砷化鎵的熱擴(kuò)散系數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的熱擴(kuò)散系數(shù)比硅大。50.以下哪種方法可以改善砷化鎵的表面質(zhì)量？（）A.化學(xué)機(jī)械拋光B.熱退火C.等離子體處理D.以上都是答案：D解析：化學(xué)機(jī)械拋光、熱退火和等離子體處理都可以改善砷化鎵的表面質(zhì)量。51.砷化鎵的晶格失配度與磷化銦相比（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的晶格失配度比磷化銦大。52.砷化鎵的電阻率隨溫度的變化趨勢(shì)是（）A.升高B.降低C.先升高后降低D.先降低后升高答案：B解析：砷化鎵的電阻率隨溫度升高而降低。53.砷化鎵的霍爾遷移率比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的霍爾遷移率比硅大。54.砷化鎵的少數(shù)載流子壽命比硅的（）A.長(zhǎng)B.短C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的少數(shù)載流子壽命比硅短。55.以下哪種因素會(huì)導(dǎo)致砷化鎵的電學(xué)性能退化？（）A.表面氧化B.輻射損傷C.靜電放電D.以上都是答案：D解析：表面氧化、輻射損傷和靜電放電都會(huì)導(dǎo)致砷化鎵的電學(xué)性能退化。56.砷化鎵的熱導(dǎo)率隨溫度的變化趨勢(shì)是（）A.升高B.降低C.先升高后降低D.基本不變答案：B解析：砷化鎵的熱導(dǎo)率隨溫度升高而降低。57.砷化鎵的施主雜質(zhì)電離能比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的施主雜質(zhì)電離能比硅小。58.砷化鎵的受主雜質(zhì)電離能比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的受主雜質(zhì)電離能比硅小。59.以下哪種工藝可以在砷化鎵表面形成絕緣層？（）A.氧化B.氮化C.硫化D.以上都是答案：D解析：氧化、氮化和硫化工藝都可以在砷化鎵表面形成絕緣層。60.砷化鎵的擴(kuò)散激活能比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的擴(kuò)散激活能比硅大。61.砷化鎵的功函數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的功函數(shù)比硅大。62.砷化鎵的本征電阻率比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的本征電阻率比硅大。63.以下哪種材料可以與砷化鎵形成異質(zhì)結(jié)？（）A.硅B.鍺C.砷化鋁D.磷化銦答案：D解析：磷化銦可以與砷化鎵形成異質(zhì)結(jié)。64.砷化鎵的晶格振動(dòng)頻率比硅的（）A.高B.低C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的晶格振動(dòng)頻率比硅高。65.砷化鎵的飽和電流密度比硅的（）A.高B.低C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的飽和電流密度比硅高。66.以下哪種條件下砷化鎵的性能更優(yōu)？（）A.高溫B.低溫C.常溫D.都一樣答案：A解析：在高溫條件下，砷化鎵的性能相對(duì)更優(yōu)。67.砷化鎵的量子效率比硅的（）A.高B.低C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的量子效率比硅高。68.砷化鎵的禁帶寬度隨壓力的變化趨勢(shì)是（）A.增大B.減小C.不變D.不確定答案：A解析：砷化鎵的禁帶寬度隨壓力增大而增大。69.砷化鎵的光生伏特效應(yīng)比硅的（）A.強(qiáng)B.弱C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的光生伏特效應(yīng)比硅強(qiáng)。70.以下哪種因素會(huì)影響砷化鎵的發(fā)光效率？（）A.晶體質(zhì)量B.摻雜濃度C.溫度D.以上都是答案：D解析：晶體質(zhì)量、摻雜濃度和溫度都會(huì)影響砷化鎵的發(fā)光效率。71.砷化鎵的內(nèi)建電場(chǎng)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的內(nèi)建電場(chǎng)比硅大。72.砷化鎵的光電導(dǎo)增益比硅的（）A.高B.低C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的光電導(dǎo)增益比硅高。73.砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)比硅的（）A.復(fù)雜B.簡(jiǎn)單C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)比硅復(fù)雜。74.以下哪種應(yīng)用對(duì)砷化鎵的純度要求最高？（）A.集成電路B.發(fā)光二極管C.太陽(yáng)能電池D.微波器件答案：A解析：集成電路對(duì)砷化鎵的純度要求最高。75.砷化鎵的晶格振動(dòng)模式比硅的（）A.多B.少C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的晶格振動(dòng)模式比硅多。76.砷化鎵的電容特性比硅的（）A.好B.差C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的電容特性比硅好。77.砷化鎵的電阻溫度系數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的電阻溫度系數(shù)比硅大。78.以下哪種方法可以提高砷化鎵的發(fā)光強(qiáng)度？（）A.優(yōu)化外延生長(zhǎng)工藝B.增加摻雜濃度C.改善封裝結(jié)構(gòu)D.以上都是答案：D解析：優(yōu)化外延生長(zhǎng)工藝、增加摻雜濃度和改善封裝結(jié)構(gòu)都可以提高砷化鎵的發(fā)光強(qiáng)度。79.砷化鎵的光學(xué)吸收邊比硅的（）A.陡B.緩C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的光學(xué)吸收邊比硅陡。80.砷化鎵的光電探測(cè)器響應(yīng)速度比硅的（）A.快B.慢C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的光電探測(cè)器響應(yīng)速度比硅快。81.砷化鎵的非線性光學(xué)系數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的非線性光學(xué)系數(shù)比硅大。82.以下哪種因素會(huì)限制砷化鎵在大規(guī)模集成電路中的應(yīng)用？（）A.成本B.工藝難度C.材料脆性D.以上都是答案：D解析：成本、工藝難度和材料脆性都會(huì)限制砷化鎵在大規(guī)模集成電路中的應(yīng)用。83.砷化鎵的電子有效質(zhì)量比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的電子有效質(zhì)量比硅小。84.砷化鎵的空穴有效質(zhì)量比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的空穴有效質(zhì)量比硅小。85.砷化鎵的晶格常數(shù)隨溫度的變化趨勢(shì)是（）A.增大B.減小C.不變D.不確定答案：A解析：砷化鎵的晶格常數(shù)隨溫度升高而增大。86.以下哪種測(cè)試方法可以測(cè)量砷化鎵的禁帶寬度？（）A.光致發(fā)光B.電導(dǎo)測(cè)量C.電容-電壓測(cè)量D.以上都是答案：D解析：光致發(fā)光、電導(dǎo)測(cè)量和電容-電壓測(cè)量都可以用于測(cè)量砷化鎵的禁帶寬度。87.砷化鎵的介電弛豫時(shí)間比硅的（）A.長(zhǎng)B.短C.相等D.不確定答案：B解析：砷化鎵的介電弛豫時(shí)間比硅短。88.砷化鎵的熱噪聲比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的熱噪聲比硅大。89.以下哪種工藝可以降低砷化鎵的缺陷密度？（）A.高溫退火B(yǎng).離子注入C.化學(xué)蝕刻D.外延生長(zhǎng)優(yōu)化答案：D解析：外延生長(zhǎng)優(yōu)化可以降低砷化鎵的缺陷密度。90.砷化鎵的電光系數(shù)比硅的（）A.大B.小C.相等D.不確定答案：A解析：砷化鎵的電光系數(shù)比硅大。91.砷化鎵的磁阻效應(yīng)