電力電子技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋沈陽職業(yè)技術(shù)學(xué)院

電力電子技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋沈陽職業(yè)技術(shù)學(xué)院緒論單元測試

在電力電子技術(shù)中，電力變換的分類有（）。

A:直流斬波B:交流變換C:整流D:逆變

答案:直流斬波；交流變換；整流；逆變

模塊一單元測試

晶閘管屬于哪種類型電力電子器件（）。

A:快速恢復(fù)型器件B:不可控器件C:半控型器件D:全控型器件

答案:半控型器件晶閘管的三個極分別為（）。

A:基極、集電極、發(fā)射極B:陽極、陰極、門極C:集電極、柵極、發(fā)射極D:柵極、源極、漏極

答案:陽極、陰極、門極晶閘管的導(dǎo)通條件為（）。

A:門極和陰極間加正向電壓。B:門極和陰極間加反向電壓。C:陽極和陰極之間加正向電壓。D:陽極和陰極之間加反向電壓。

答案:門極和陰極間加正向電壓。；陽極和陰極之間加正向電壓。若使正在導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以采用的方法為（）。

A:將陽極和陰極間加反向電壓。B:將門極和陰極間加反向電壓。C:將陽極電壓減小到零。D:將門極電壓減小到零。

答案:將陽極和陰極間加反向電壓。；將陽極電壓減小到零。型號為ＫＰ１００-８Ｄ的晶閘管，下面描述正確的是（）

A:額定電壓為８００ＶB:管壓降為０.７ＶC:管壓降為０.6ＶD:額定電流為１００Ａ

答案:額定電壓為８００Ｖ；管壓降為０.７Ｖ；額定電流為１００Ａ把輸入的交流電變換成大小可調(diào)的直流電的過程稱為（）。

A:有源逆變B:可控整流C:直流斬波D:交流調(diào)壓

答案:可控整流單相半波可控整流電阻性負載電路中，晶閘管的可控移相范圍（）。

A:0～360°B:0～180°C:0～120°D:0～90°

答案:0～180°對于單相半波可控整流電路，下面描述正確的是（）

A:輸出電壓脈動大，負載電流脈動大。B:只適于小容量、波形要求不高的場合。C:線路簡單，調(diào)整方便。D:整流變壓器次級繞組中存在直流電流分量，使鐵心磁化。

答案:輸出電壓脈動大，負載電流脈動大。；只適于小容量、波形要求不高的場合。；線路簡單，調(diào)整方便。；整流變壓器次級繞組中存在直流電流分量，使鐵心磁化。對于單結(jié)晶體管移相觸發(fā)電路，下面描述正確的是（）

A:具有簡單、可靠、觸發(fā)脈沖前沿陡、抗干擾能力強及溫度補償性能好等優(yōu)點。B:觸發(fā)脈沖寬度窄，觸發(fā)功率也小。C:多用于５０Ａ以下的小功率單相或三相半波晶閘管觸發(fā)裝置中大中功率的變流器。D:多用于對觸發(fā)電路的精度要求較高，對輸出的觸發(fā)功率要求較大的場合。

答案:具有簡單、可靠、觸發(fā)脈沖前沿陡、抗干擾能力強及溫度補償性能好等優(yōu)點。；觸發(fā)脈沖寬度窄，觸發(fā)功率也小。；多用于５０Ａ以下的小功率單相或三相半波晶閘管觸發(fā)裝置中大中功率的變流器。下面公式中，（）為單相半波可控整流電阻性負載電路的輸出直流平均電壓。

A:B:C:D:

答案:

模塊二單元測試

單相全控橋式整流電路中的晶閘管一共有（）。

A:6個B:4個C:2個D:3個

答案:4個單相全控橋式整流電阻性負載電路中，晶閘管的可控移相范圍（）。

A:0～120°B:0～90°C:0～360°D:0～180°

答案:0～180°下面對單相全控橋式整流電阻性負載電路描述正確的是（）。

A:不存在變壓器直流磁化問題，提高了變壓器的利用率。B:變壓器二次繞組在正負半周內(nèi)均有大小相等、方向相反的電流流過。C:電阻性負載上正負半波內(nèi)均有相同方向電流流過。D:直流輸出電壓、電流的脈動程度較單相半波得到了改善。

答案:不存在變壓器直流磁化問題，提高了變壓器的利用率。；變壓器二次繞組在正負半周內(nèi)均有大小相等、方向相反的電流流過。；電阻性負載上正負半波內(nèi)均有相同方向電流流過。；直流輸出電壓、電流的脈動程度較單相半波得到了改善。單相橋式半控整流電路的結(jié)構(gòu)是（）。

A:4個二極管組成B:4個晶閘管組成C:2個晶閘管和2個二極管組成D:3個晶閘管和3個二極管組成

答案:2個晶閘管和2個二極管組成若單相橋式半控整流電感性負載電路中若不接續(xù)流二極管，會出現(xiàn)失控現(xiàn)象。（）

A:對B:錯

答案:對下面對單相橋式半控整流電阻性負載電路描述正確的是（）。

A:晶閘管的可控移相范圍為0∽90°。B:是由2個晶閘管和2個二極管組成。C:相比較于單相全控橋式整流，電路更簡單。D:其輸出直流電壓平均值和單相全控橋式整流電阻性負載一樣。

答案:是由2個晶閘管和2個二極管組成。；相比較于單相全控橋式整流，電路更簡單。；其輸出直流電壓平均值和單相全控橋式整流電阻性負載一樣。有源逆變的過程為直流電→逆變器→交流電→用電器。（）

A:對B:錯

答案:錯實現(xiàn)有源逆變必須滿足下列條件有（）。

A:變流裝置必須工作在α>90°。B:直流側(cè)電源值要稍大于變流裝置直流側(cè)的平均電壓。C:變流裝置必須工作在β<90°。D:變流裝置的直流側(cè)必須外接電壓極性與晶閘管導(dǎo)通方向一致的直流電源。

答案:變流裝置必須工作在α>90°。；直流側(cè)電源值要稍大于變流裝置直流側(cè)的平均電壓。；變流裝置必須工作在β<90°。；變流裝置的直流側(cè)必須外接電壓極性與晶閘管導(dǎo)通方向一致的直流電源。半控橋或接有續(xù)流二極管的電路，不能實現(xiàn)有源逆變。（）

A:錯B:對

答案:對下面公式中，（

）為單相全控橋式整流電阻性負載電路的輸出直流平均電壓。

A:B:C:D:

答案:

模塊三單元測試

雙向晶閘管相當于下列哪種結(jié)構(gòu)。（）

A:2個普通晶閘管反向并聯(lián)。B:2個普通晶閘管正向并聯(lián)。C:2個普通晶閘管反極性串聯(lián)。D:2個普通晶閘管順極性串聯(lián)。

答案:2個普通晶閘管反向并聯(lián)。雙向晶閘管對外引出（）個電極。

A:兩B:五C:三D:四

答案:三雙向晶閘管常選的觸發(fā)方式為（）。

A:Ⅰ+、Ⅰ-B:Ⅰ+、Ⅲ-C:Ⅰ+、Ⅲ+D:Ⅲ+、Ⅲ-

答案:Ⅰ+、Ⅲ-雙向晶閘管有（）種觸發(fā)方式。

A:三B:四C:五D:兩

答案:四雙向晶閘管的額定電流是屬于下面哪種電流值（）。

A:平均值B:有效值C:最大值D:瞬時值

答案:有效值單相交流調(diào)壓器對于電阻性負載，控制角α的移相范圍為（）。

A:0?～360°B:0?～120°C:0?～180°D:0?～90°

答案:0?～180°單相交流調(diào)壓電路電感性負載時，晶閘管能用窄脈沖觸發(fā)。（）

A:錯B:對

答案:錯單相交流調(diào)壓電路電感性負載時，控制角α的移相范圍為（）。

A:φ～90°B:0?～180°C:0?～360°D:φ～180°

答案:φ～180°對于單相交流調(diào)壓電路中兩個晶閘管的觸發(fā)脈沖之間相位相差180°。（）

A:錯B:對

答案:對一個１００Ａ的雙向晶閘管與兩個反并聯(lián)（

）的普通晶閘管電流容量相等

A:100ＡB:4５ＡC:

D:90Ａ

答案:4５Ａ

模塊四單元測試

下列器件哪個管子開關(guān)速度最快。（）

A:IGBTB:GTRC:GTOD:MOSFET

答案:MOSFET絕緣柵雙極型晶體管IGBT是（）的一種復(fù)合型電力電子器件。

A:GTO和MOSFETB:普通晶閘管和GTRC:MOSFET和GTRD:GTO和GTR

答案:MOSFET和GTR下列器件中，（）是電流驅(qū)動型器件。

A:GTOB:IGBTC:GTRD:MOSFET

答案:GTO；GTR下列器件中，（）是電壓驅(qū)動型器件。

A:MOSFETB:GTRC:GTOD:IGBT

答案:MOSFET；IGBT下面對GTO描述正確的是（）。

A:開關(guān)速度最快。B:電流驅(qū)動型器件。C:可用門極正向觸發(fā)信號使其觸發(fā)導(dǎo)通，負向觸發(fā)信號使其關(guān)斷。D:具有耐壓高、電流大、耐浪涌能力強等特點。

答案:電流驅(qū)動型器件。；可用門極正向觸發(fā)信號使其觸發(fā)導(dǎo)通，負向觸發(fā)信號使其關(guān)斷。；具有耐壓高、電流大、耐浪涌能力強等特點。下面對電力MOSFET描述正確的是（）。

A:具有耐壓高、電流大、耐浪涌能力強等特點。B:電壓驅(qū)動型器件。C:一般只適用于小功率電力電子裝置。D:開關(guān)速度最快。

答案:電壓驅(qū)動型器件。；一般只適用于小功率電力電子裝置。；開關(guān)速度最快。下面對IGBT描述正確的是（）。

A:是一種復(fù)合型電力電子器件。B:中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。C:電流驅(qū)動型器件。D:電壓驅(qū)動型器件。

答案:是一種復(fù)合型電力電子器件。；中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。；電壓驅(qū)動型器件。將一種幅值的直流電壓變換成另一幅值固定或大小可調(diào)的直流電壓過程稱為（）。

A:交流調(diào)壓B:直流斬波C:逆變D:整流

答案:直流斬波直流斬波電路的工作方式有（）。

A:脈沖頻率調(diào)制工作方式B:調(diào)頻調(diào)寬混合控制C:脈沖寬度調(diào)制工作方式D:脈沖電壓調(diào)制工作方式

答案:脈沖頻率調(diào)制工作方式；調(diào)頻調(diào)寬混合控制；脈沖寬度調(diào)制工作方式如圖所示，它是（）的電氣圖形符號。

A:GTOB:IGBTC:MOSFETD:GTR

答案:IGBT

模塊五單元測試

三相半波可控整流電路電阻性負載時，電路的移相范圍為（）。

A:0°～150°B:0°～120°C:0°～90°D:0°～180°

答案:0°～150°單相可控整流電路和三相可控整流電路比較，下面描述正確的是（）。

A:當整流負載容量較大，一般負載功率超過４ｋＷ，要求直流電壓脈動較小時，可以采用三相可控整流電路。B:單相可控整流電路輸出的直流電壓脈動大。C:單相可控整流電路線路簡單，價格便宜，制造、調(diào)整、維修都比較容易。D:單相可控整流電路在三相電網(wǎng)的一相上，當容量較大時易造成三相電網(wǎng)的不平衡，因而只用在容量較小的地方。

答案:當整流負載容量較大，一般負載功率超過４ｋＷ，要求直流電壓脈動較小時，可以采用三相可控整流電路。；單相可控整流電路輸出的直流電壓脈動大。；單相可控整流電路線路簡單，價格便宜，制造、調(diào)整、維修都比較容易。；單相可控整流電路在三相電網(wǎng)的一相上，當容量較大時易造成三相電網(wǎng)的不平衡，因而只用在容量較小的地方。三相橋式全控整流電路多用于直流電動機或要求實現(xiàn)有源逆變的負載，為使負載電流連續(xù)平滑，改善直流電動機的機械特性，一般要串入平波電抗器，相當于負載是含有反電動勢的大電感負載。（）

A:錯B:對

答案:對三相橋式全控整流電路中的晶閘管一共有（）。

A:4個B:3個C:2個D:6個

答案:6個對三相橋式全控整流電路的晶閘管進行觸發(fā)時，只有采用雙窄脈沖觸發(fā)，電路才能正常工作。（）

A:對B:錯

答案:錯三相全控橋電阻性負載時，電路的移相范圍（）

A:0°～90°B:0°～180°C:0°～150°D:0°～120°

答案:0°～120°三相橋式全控整流電路是由一組共陰極三只晶閘管和一組共陽極的三只晶閘管串聯(lián)后構(gòu)成的。（）

A:對B:錯

答案:對凡是超過晶閘管正常工作時承受的最大峰值電流都是過電流。（）

A:錯B:對

答案:對將直流電逆變?yōu)槟骋活l率或可變頻率的交流電直接輸出到（）的過程稱為無源逆變。

A:旁路B:電源C:負載D:線路

答案:負載要抑制浪涌過電壓可采用在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。（）

A:對B:錯

答案:錯

模塊六單元測試

逆變電路是一種（）變換電路。

A:DC/DCB:AC/ACC:AC/DCD:DC/AC

答案:DC/AC下面對于變頻器描述正確的是（）。

A:變頻家電成為變頻器的另一個廣闊市場和應(yīng)用趨勢。B:變頻調(diào)速器主要用于交流電動機轉(zhuǎn)速的調(diào)節(jié)。C:變頻器產(chǎn)生的最初用途是速度控制，但目前在國內(nèi)應(yīng)用較多的是節(jié)能。D:變頻調(diào)速很容易實現(xiàn)電動機的正、反轉(zhuǎn)。

答案:變頻家電成為變頻器的另一個廣闊市場和應(yīng)用趨勢。；變頻調(diào)速器主要用于交流電動機轉(zhuǎn)速的調(diào)節(jié)。；變頻器產(chǎn)生的最初用途是速度控制，但目前在國內(nèi)應(yīng)用較多的是節(jié)能。；變頻調(diào)速很容易實現(xiàn)電動機的正、反轉(zhuǎn)。在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中，開關(guān)速度最快的是（）

A:MOSFETB:GTRC:IGBTD:GTO

答案:MOSFET脈沖寬度調(diào)制(ＰＷＭ)是通過控制半導(dǎo)體開關(guān)器件的通斷時間在輸出端獲得幅度相等而寬度可調(diào)的波形，從而實現(xiàn)控制輸出電壓的大小和頻率來改善輸出波形的一種技術(shù)。（）

A:對B:錯

答案:對正弦波脈沖寬度調(diào)制英文縮寫是（）。

A:SPAMB:SPWMC:PAMD:PWM

答案:SPWM變頻電路是一種（）變換電路。

A:AC/ACB:DC/DCC:AC/DCD:DC/AC

答案:AC/AC面積等效原理指的是，沖量相等而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時，其效果基本相同。（）

A:錯B:對

答案: