BT33單結(jié)晶體管(雙基極二極管)原理.doc_第1頁
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1、單結(jié)晶體管(雙基極二極管)原理體管又叫雙基極二極管,它的符號和外形見附圖判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是:把萬用表置于R*100擋或R*1K擋,黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極,紅表筆接另外兩極,當出現(xiàn)兩次低電阻時,黑表筆接的就是單結(jié)晶體管的發(fā)射極。單結(jié)晶體管B1和B2的判斷方法是:把萬用表置于R*100擋或R*1K擋,用黑表筆接發(fā)射極,紅表筆分別接另外兩極,兩次測量中,電阻大的一次,紅表筆接的就是B1極。應 當說明的是,上述判別B1、B2的方法,不一定對所有的單結(jié)晶體管都適用,有個別管子的E-B1間的正向電阻值較小。不過準確地判斷哪極是B1,哪極是 B2在實際使用中并不特別重要。即使B1、B2用顛倒了,也

2、不會使管子損壞,只影響輸出脈沖的幅度(單結(jié)晶體管多作脈沖發(fā)生器使用),當發(fā)現(xiàn)輸出的脈沖幅 度偏小時,只要將原來假定的B1、B2對調(diào)過來就可以了。單結(jié)晶體管工作原理-雙基極二極管伏安特性曲線-單結(jié)管 雙基極二極管(單結(jié)晶體管)的結(jié)構(gòu) 雙基極二極管又稱為單結(jié)晶體管,它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。在一片高電阻率的N型硅片一側(cè)的兩端各引出一個電極,分別稱為第一基極B1和第二基極B2。而在硅片是另一側(cè)較靠近B2處制作一個PN結(jié),在P型硅上引出一個電極,稱為發(fā)射極E。兩個基極之間的電阻為RBB,一般在215kW之間,RBB一般可分為兩段,RBB =RB1+ RB2,RB1是第一基極B1至PN結(jié)的電阻;RB2是第一基

3、極B2至PN結(jié)的電阻。雙基極二極管的符號見圖1的右側(cè)。 圖1 雙基極二極管的結(jié)構(gòu)與符號 等效電路 雙基極二極管的工作原理 將雙基極二極管按圖2(a)接于電路之中,觀察其特性。首先在兩個基極之間加電壓UBB,再在發(fā)射極E和第一基極B1之間加上電壓UE,UE可以用電位器RP進行調(diào)節(jié)。這樣該電路可以改畫成圖2(b)的形式,雙基極二極管可以用一個PN結(jié)和二個電阻RB1、RB2組成的等效電路替代。 (a) (b) 圖2 雙基極二極管的特性測試電路當基極間加電壓UBB時,RB1上分得的電壓為 式中稱為分壓比,與管子結(jié)構(gòu)有關(guān),約在0.50.9之間。 2.當UEUBBUD時,單結(jié)晶體管內(nèi)在PN結(jié)導通,發(fā)射極電

4、流IE突然增大。把這個突變點稱為峰點P。對應的電壓UE和電流IE分別稱為峰點電壓UP和峰點電流IP。顯然,峰點電壓 UpUBBUD 式中UD為單結(jié)晶體管中PN結(jié)的正向壓降,一般取UD0.7V。在單結(jié)晶體管中PN結(jié)導通之后,從發(fā)射區(qū)(P區(qū))向基壓(N區(qū))發(fā)射了大量的空穴型載流子,IE增長很快,E和B1之間變成低阻導通狀態(tài),RB1迅速減小,而E和B1之間的電壓UE也隨著下降。這一段特性曲線的動態(tài)電阻為負值,因此稱為負阻區(qū)。而B2的電位高于E的電位,空穴型載流子不會向B2運動,電阻RB2基本上不變。 當發(fā)射極電流IE增大到某一數(shù)值時,電壓UE下降到最低點。特性由線上的這一點稱為谷點V。與此點相對應的

5、是谷點電壓UV和谷點電流IV。此后,當調(diào)節(jié)RP使發(fā)射極電流繼續(xù)增大時,發(fā)射極電壓略有上升,但變化不大。谷點右邊的這部分特性稱為飽和區(qū)。綜上所述,單結(jié)晶體管具有以下特點:(1)當發(fā)射極電壓等于峰點電壓UP時,單結(jié)晶體管導通。導通之后,當發(fā)射極電壓小于谷點電壓UV時,單結(jié)晶體管就恢復截止。(2)單結(jié)晶體管的峰點電壓UP與外加固定電壓UBB及其分壓比有關(guān)。而分壓比是由管子結(jié)構(gòu)決定的,可以看做常數(shù)。對于分壓比不同的管子,或者外加電壓UBB的數(shù)值不同時,峰值電壓UP也就不同。(3)不同單結(jié)晶體管的谷點電壓UV和谷點電流IV都不一樣。谷點電壓大約在25V之間。在觸發(fā)電路中,常選用稍大一些、UV低一些和IV大一些的單結(jié)管,以增大輸出脈沖幅度和移相范圍。單結(jié)晶體管觸發(fā)電路單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相半控橋式整流電路 圖3 單結(jié)晶體管的伏安特性曲線1調(diào)節(jié)RP,使UE從零逐漸增加。當UE比較小時(UEUBBUD),單結(jié)晶體管內(nèi)的PN結(jié)處于反向偏置,E與B1之間不能導通,呈現(xiàn)很

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