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1、 多腔體等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)技術(shù)指標 一個樣品轉(zhuǎn)換真空PECVD系統(tǒng)包括三個工藝腔體,一個載樣預(yù)抽腔體,多腔體+ a-Si腔。三個工藝腔體分別用于沉積SiO, a-Si, n。2240 mm);工藝腔體直徑為?英寸6英寸方片(載片臺直徑為220 mm 襯底尺寸:6 載樣預(yù)抽真空腔)( 一個 )工藝真空腔 (三個 自動控制傳送機械臂 ( 一套 ) 三套() 模塊主控制單元 (計算機控制自動控制系統(tǒng)) (30-300W)及自動匹配調(diào)節(jié)單元 )(三套射頻電源 抽真空系統(tǒng)及真空測量系統(tǒng) (四套) )( 八套 腐蝕氣體配套氣路接口及氣體流量控制計 八套( )非腐蝕氣體配套氣路接口及氣體流量控制計
2、 號分別表示在滿足其它指標的前提下不B. 系統(tǒng)性能指標(指標中的, 25 nm/min 沉積速率Deposition rate () 10 ) Photoconductivity (光照電導(dǎo) 5% Uniformity (均勻性) 2.5% 10 ) Dark conductivity (暗電導(dǎo) 5% 均勻性Uniformity () 2.5% 1.98 Refractive index (折射率) 5 eV (Deposited on quartz substrate;石英襯底 ) Band gap (帶隙 5 MV/cm) Breakdown voltage (擊穿電壓C)?BFH (7:1) etch rate (氫氟酸腐蝕速率) 100 nm/min (Process at 300 3% Uniformity (均勻性) 2.0% 1.46 Refractive index (折射率) )壓應(yīng)力 7 MV/cm BFH (7:1) etch rate (氫氟酸腐蝕速率) 350 nm/min (Process at 300 ?C) 3% ) U
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