大連半導體器件項目投資計劃書參考范文

1、泓域咨詢/大連半導體器件項目投資計劃書大連半導體器件項目投資計劃書泓域咨詢/規(guī)劃設計/投資分析承諾書申請人鄭重承諾如下：“大連半導體器件項目”已按國家法律和政策的要求辦理相關手續(xù)，報告內容及附件資料準確、真實、有效，不存在虛假申請、分拆、重復申請獲得其他財政資金支持的情況。如有弄虛作假、隱瞞真實情況的行為，將愿意承擔相關法律法規(guī)的處罰以及由此導致的所有后果。公司法人代表簽字：xxx有限公司（蓋章）xxx年xx月xx日項目概要半導體芯片是科技創(chuàng)新的硬件基礎，站在5G+AI這新一輪全球科技創(chuàng)新周期的起點，半導體芯片將是科技創(chuàng)新發(fā)展確定的方向之一，全球的半導體指數(shù)表現(xiàn)優(yōu)異。半導體芯片是指在半導體片材

2、上進行浸蝕、布線、制成的能實現(xiàn)某種功能的半導體器件，通常也可稱為集成電路。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等半導體材料。半導體制造的過程就是“點石成金”的過程，主要是對硅晶圓的一系列處理，簡單來說就是通過外延生長、光刻、刻蝕、摻雜和拋光，在硅片上形成所需要的電路，將硅片變成芯片。該半導體芯片項目計劃總投資6851.63萬元，其中：固定資產投資4983.80萬元，占項目總投資的72.74%；流動資金1867.83萬元，占項目總投資的27.26%。達產年營業(yè)收入12759.00萬元，總成本費用10203.12萬元，稅金及附加110.39萬元，利潤總額2555.88萬元，利稅總額30

3、18.81萬元，稅后凈利潤1916.91萬元，達產年納稅總額1101.90萬元；達產年投資利潤率37.30%，投資利稅率44.06%，投資回報率27.98%，全部投資回收期5.07年，提供就業(yè)職位226個。堅持節(jié)能降耗的原則。努力做到合理利用能源和節(jié)約能源，根據(jù)項目建設地的地理位置、地形、地勢、氣象、交通運輸?shù)葪l件及“保護生態(tài)環(huán)境、節(jié)約土地資源”的原則進行布置，做到工藝流程順暢、物料管線短捷、公用工程設施集中布置，節(jié)約資源提高資源利用率，做好節(jié)能減排；從而實現(xiàn)節(jié)省項目投資和降低經營能耗之目的。報告主要內容：項目承擔單位基本情況、項目技術工藝特點及優(yōu)勢、項目建設主要內容和規(guī)模、項目建設地點、工程

4、方案、產品工藝路線與技術特點、設備選型、總平面布置與運輸、環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防與節(jié)能、項目實施進度、項目投資與資金來源、財務評價等。第一章 項目承辦單位基本情況一、公司概況公司堅持“以人為本，無為而治”的企業(yè)管理理念，以“走正道，負責任，心中有別人”的企業(yè)文化核心思想為指針，實現(xiàn)新的跨越，創(chuàng)造新的輝煌。熱忱歡迎社會各界人士咨詢與合作。公司始終堅持 “服務為先、品質為本、創(chuàng)新為魄、共贏為道”的經營理念，遵循“以客戶需求為中心，堅持高端精品戰(zhàn)略，提高最高的服務價值”的服務理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于為客戶量身定制出完美解決方案，滿足高端市場高品質的需求。公司是一家集研

5、發(fā)、生產、銷售為一體的高新技術企業(yè)，專注于產品，致力于產品的設計與開發(fā)，各種生產流水線工藝的自動化智能化改造，為客戶設計開發(fā)各種產品生產線。公司引進世界領先的技術，匯聚跨國高科技人才以確保公司產業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展和保持長期的競爭優(yōu)勢。公司基于業(yè)務優(yōu)化提升客戶體驗與滿意度，通過關鍵業(yè)務優(yōu)化改善產業(yè)相關流程；并結合大數(shù)據(jù)等技術實現(xiàn)智能化管理，推動業(yè)務體系提升。公司將加強人才的引進和培養(yǎng)，尤其是研發(fā)及業(yè)務方面的高級人才，健全研發(fā)、管理和銷售等各級人員的薪酬考核體系，完善激勵制度，提高公司員工創(chuàng)造力，為公司的持續(xù)快速發(fā)展提供強大保障。公司憑借完整的產品體系、較強的技術研發(fā)創(chuàng)新能力、強大的訂單承接能力、快速高

6、效的資源整合能力，形成了為客戶提供整體解決方案的業(yè)務經營模式。經過多年的發(fā)展，公司產品已覆蓋全國各省市。公司與國內多家知名廠商的良好關系為公司帶來了新的行業(yè)發(fā)展趨勢，使公司研發(fā)產品能夠與時俱進，為公司持續(xù)穩(wěn)定盈利、鞏固市場份額、推廣創(chuàng)新產品奠定了堅實的基礎。二、所屬行業(yè)基本情況半導體已經發(fā)展成為全球經濟增長的支柱性產業(yè)，隨著技術的不斷突破，越來越多的國家開始重視相關技術的發(fā)展。在全球半導體技術發(fā)展和應用里，北美、歐洲和亞太地區(qū)成為全球三大半導體產業(yè)的發(fā)源地和主要消費市場。龐大信息社會的根基是一枚枚小巧的集成電路，通常被人們稱為“芯片”。別看芯片“身材小”，他們“喂養(yǎng)”著現(xiàn)代工業(yè)，手機、電腦、家

7、電、高鐵、電動車、機器人、醫(yī)療儀器等離開他們根本無法運轉。三、公司經濟效益分析上一年度，xxx科技公司實現(xiàn)營業(yè)收入7355.78萬元，同比增長11.92%（783.46萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務半導體芯片生產及銷售收入為6329.21萬元，占營業(yè)總收入的86.04%。上年度主要經濟指標序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入1544.712059.621912.501838.947355.782主營業(yè)務收入1329.131772.181645.591582.306329.212.1半導體芯片(A)438.61584.82543.05522.162088.642.2半導體芯片(B)3

8、05.70407.60378.49363.931455.722.3半導體芯片(C)225.95301.27279.75268.991075.972.4半導體芯片(D)159.50212.66197.47189.88759.512.5半導體芯片(E)106.33141.77131.65126.58506.342.6半導體芯片(F)66.4688.6182.2879.12316.462.7半導體芯片(.)26.5835.4432.9131.65126.583其他業(yè)務收入215.58287.44266.91256.641026.57根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額1531.73萬元，較去年同期相比

9、增長353.59萬元，增長率30.01%；實現(xiàn)凈利潤1148.80萬元，較去年同期相比增長184.89萬元，增長率19.18%。上年度主要經濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元7355.78完成主營業(yè)務收入萬元6329.21主營業(yè)務收入占比86.04%營業(yè)收入增長率（同比）11.92%營業(yè)收入增長量（同比）萬元783.46利潤總額萬元1531.73利潤總額增長率30.01%利潤總額增長量萬元353.59凈利潤萬元1148.80凈利潤增長率19.18%凈利潤增長量萬元184.89投資利潤率41.03%投資回報率30.78%財務內部收益率23.75%企業(yè)總資產萬元12317.05流動資產總額占比萬元

10、26.58%流動資產總額萬元3274.44資產負債率43.21%第二章 項目技術工藝特點及優(yōu)勢一、技術方案（一）技術方案選用方向1、對于生產技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統(tǒng)，由計算機統(tǒng)一控制整個生產線的各項工藝參數(shù)，使產品質量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗。嚴格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產經營活動，有效控制產品質量，為廣大顧客提供優(yōu)質的產品和良好的服務。2、遵循“高起點、優(yōu)質量、專業(yè)化、經濟規(guī)模”的建設原則。積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產品質量，制造高附加值的產品，不斷

11、提高企業(yè)的市場競爭能力。3、在工藝設備的配置上，依據(jù)節(jié)能的原則，選用新型節(jié)能型設備，根據(jù)有利于環(huán)境保護的原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護型設備，滿足項目所制訂的產品方案要求，優(yōu)選具有國際先進水平的生產、試驗及配套等設備，充分顯現(xiàn)龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產和物流方式。4、生產工藝設計要滿足規(guī)?；a要求，注重生產工藝的總體設計，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據(jù)該項目的產品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產品制造的要求，同時，加強員工技術培訓，嚴格質量管理，按照工藝流程技術要求進行操作，提高產品合格率，努力追求產品的“零缺陷”，以關鍵生產工序

12、為質量控制點，確保該項目產品質量。6、在項目建設和實施過程中，認真貫徹執(zhí)行環(huán)境保護和安全生產的“三同時”原則，注重環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項措施的貫徹落實。（三）工藝技術方案選用原則1、在基礎設施建設和工業(yè)生產過程中，應全面實施清潔生產，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費，通過物料替代、工藝革新、減少有毒有害物質的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產品和服務過程中，鼓勵利用可再生資源和可重復利用資源。2、遵循“高起點、優(yōu)質量、專業(yè)化、經濟規(guī)?！钡慕ㄔO原則，積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產品質量，制造高附加值的產品，不斷提高企業(yè)的

13、市場競爭力。（四）工藝技術方案要求1、對于生產技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統(tǒng)，控制整個生產線的各項工藝參數(shù)，使產品質量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗；嚴格按照電氣機械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產經營活動，有效控制產品質量，為廣大顧客提供優(yōu)質的產品和良好的服務。2、建立完善柔性生產模式；本期工程項目產品具有客戶需求多樣化、產品個性差異化的特點，因此，產品規(guī)格品種多樣，單批生產數(shù)量較小，多品種、小批量的制造特點直接影響生產效率、生產成本及交付周期；益而益（集團）有限公司將建設先進的柔性制造生產線，并將柔性制

14、造技術廣泛應用到產品制造各個環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個性化要求的同時不犧牲生產規(guī)模優(yōu)勢和質量控制水平，同時，降低故障率、提高性價比，使產品性能和質量達到國內領先、國際先進水平。二、項目工藝技術設計方案（一）技術來源及先進性說明項目技術來源為公司的自有技術，該技術達到國內先進水平。（二）項目技術優(yōu)勢分析本期工程項目采用國內先進的技術，該技術具有資金占用少、生產效率高、資源消耗低、勞動強度小的特點，其技術特性屬于技術密集型，該技術具備以下優(yōu)勢：1、技術含量和自動化水平較高，處于國內先進水平，在產品質量水平上相對其他生產技術性能費用比優(yōu)越，結構合理、占地面積小、功能齊全、運行費用低、使用壽命長；在工藝

15、水平上該技術能夠保證產品質量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據(jù)初步測算，利用該技術生產產品，可提高原料利用率和用電效率，在裝備水平上，該技術使用的設備自動控制程度和性能可靠性相對較高。2、本期工程項目采用的技術與國內資源條件適應，具有良好的技術適應性；該技術工藝路線可以適應國內主要原材料特性，技術工藝路線簡潔，有利于流程控制和設備操作，工藝技術已經被國內生產實踐檢驗，證明技術成熟，技術支援條件良好，具有較強的可靠性。3、技術設備投資和產品生產成本低，具有較強的經濟合理性；本期工程項目采用本技術方案建設其主要設備多數(shù)可按通用標準在國內采購。4、節(jié)能設施先進并可進行多規(guī)格產品轉換，項目運

16、行成本較低，應變市場能力很強。第三章 背景及必要性一、半導體芯片項目背景分析半導體已經發(fā)展成為全球經濟增長的支柱性產業(yè)，隨著技術的不斷突破，越來越多的國家開始重視相關技術的發(fā)展。在全球半導體技術發(fā)展和應用里，北美、歐洲和亞太地區(qū)成為全球三大半導體產業(yè)的發(fā)源地和主要消費市場。美國作為全球半導體技術最發(fā)達的國家，它稱霸這個產業(yè)數(shù)十年，2018年，美國在最先進的芯片制造工藝7nm上首次落后臺積電，但是美國半導體產業(yè)依舊亮點十足。2018年7月，英特爾宣布收購eASIC，加速FPGA，降低對CPU業(yè)務的依賴，eASIC位于英特爾公司總部所在地美國加利福尼亞州圣克拉拉，是一家生產可定制eASIC芯片的無

17、晶圓廠半導體公司（IC設計商），其芯片可用于無線和云環(huán)境。近日，英特爾全球最大的FPGA創(chuàng)新中心落戶重慶，為英特爾的FPGA在中國落地開路。英特爾公司和加州大學伯克利分校的研究者發(fā)表了他們研究的新型半導體器件，適用于邏輯門電路和存儲電路，這是一種具有創(chuàng)新意義的半導體器件，甚至有望取代CMOS成為應用最廣泛的半導體器件。近年來，中國的半導體技術發(fā)展迅速，2018年7月，華為發(fā)布昇騰310芯片，這是一款高能效、靈活可編程的人工智能處理器，突破人工智能芯片設計的功耗、算力等約束，大幅提升了能效比，為自動駕駛、云業(yè)務和智能制造等應用場景提供全新的解決方案。前不久，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝

18、備研制”通過驗收，該光刻機完全由中國自主研制，分辨率達到了22納米，未來還能用于制造10納米級別的芯片，這是中國在芯片生產上的重大突破。高端芯片一直是“中國芯”的痛點，2018年5月，中國科學家不斷努力，終于研制出了一款不遜于大國重器的產品中國“魂芯二號A”芯片。據(jù)OFweek電子工程網編輯了解到，“魂芯二號A”是中國電科38所純自主設計研制的高端電子芯片，該芯片整體水平絕對領先于國際上同類產品很多倍，它可以與高速ADC、DAC直接互連，也能在1秒內完成千億次浮點的操作運算，成功實現(xiàn)P波段射頻直采軟件的無線電處理形態(tài)。二、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展從促進產業(yè)發(fā)展看，民營企業(yè)機制靈活、貼近市場，在優(yōu)化產業(yè)

19、結構、推進技術創(chuàng)新、促進轉型升級等方面力度很大，成效很好。據(jù)統(tǒng)計，我國65%的專利、75%以上的技術創(chuàng)新、80%以上的新產品開發(fā)是由民營企業(yè)完成的。從吸納就業(yè)看，民營經濟作為國民經濟的生力軍是就業(yè)的主要承載主體。全國工商聯(lián)統(tǒng)計，城鎮(zhèn)就業(yè)中，民營經濟的占比超過了80%，而新增就業(yè)貢獻率超過了90%。引導民營企業(yè)建立品牌管理體系，增強以信譽為核心的品牌意識。以民企民資為重點，扶持一批品牌培育和運營專業(yè)服務機構，打造產業(yè)集群區(qū)域品牌和知名品牌示范區(qū)。貫徹落實中小企業(yè)促進法，加快推進中小企業(yè)促進法修訂，圍繞財稅支持、融資促進、創(chuàng)業(yè)扶持、創(chuàng)新支持、市場開拓、社會服務、權益保護等重點領域推動貫徹落實。強化

20、中小企業(yè)促進法實施情況監(jiān)督檢查，切實發(fā)揮法律對中小企業(yè)保障和促進作用。中小企業(yè)發(fā)展，既是改革開放的重要成果，也是改革開放的重要力量。量大面廣、機制靈活的中小企業(yè)參與競爭，形成了充滿活力的市場環(huán)境，為充分發(fā)揮市場在配置資源中的基礎性作用創(chuàng)造了條件。中小企業(yè)貼近市場，活躍在市場競爭最激烈的領域，與市場有著本質的聯(lián)系，是構建市場經濟體制的微觀基礎，它的發(fā)展為社會主義市場經濟創(chuàng)造了多元競爭、充滿活力的環(huán)境。實踐證明，中小企業(yè)發(fā)展好的地區(qū)，往往也是人民生活較為富裕的地區(qū)，也是率先實現(xiàn)小康的地區(qū)。發(fā)展中小企業(yè)，使廣大人民群眾從發(fā)展中得到實惠，過上更加富裕的生活，有利于促進社會的和諧安定。三、宏觀經濟形勢分

21、析2019年是新中國成立70周年，是決勝全面建成小康社會第一個百年奮斗目標的關鍵之年。做好明年經濟工作，統(tǒng)籌推進“五位一體”總體布局，協(xié)調推進“四個全面”戰(zhàn)略布局，堅持穩(wěn)中求進工作總基調，堅持新發(fā)展理念，堅持推進高質量發(fā)展，堅持以供給側結構性改革為主線，堅持深化市場化改革、擴大高水平開放，加快建設現(xiàn)代化經濟體系，繼續(xù)打好三大攻堅戰(zhàn)，著力激發(fā)微觀主體活力，創(chuàng)新和完善宏觀調控，統(tǒng)籌推進穩(wěn)增長、促改革、調結構、惠民生、防風險工作，保持經濟運行在合理區(qū)間，進一步穩(wěn)就業(yè)、穩(wěn)金融、穩(wěn)外貿、穩(wěn)外資、穩(wěn)投資、穩(wěn)預期，提振市場信心，提高人民群眾獲得感、幸福感、安全感，保持經濟持續(xù)健康發(fā)展和社會大局穩(wěn)定，為全面建

22、成小康社會收官打下決定性基礎，以優(yōu)異成績慶祝中華人民共和國成立70周年。四、半導體芯片項目建設必要性分析半導體芯片是科技創(chuàng)新的硬件基礎，站在5G+AI這新一輪全球科技創(chuàng)新周期的起點，半導體芯片將是科技創(chuàng)新發(fā)展確定的方向之一，全球的半導體指數(shù)表現(xiàn)優(yōu)異。2019年12月份全球半導體銷售額為361.0億美金，同比下滑5.5%，同比增速大幅改善。分地區(qū)來看，中國的銷售額恢復較快，2019年12月份銷售額同比已經實現(xiàn)0.8%的正增長，亞太（除中國、日本外）、歐洲、日本和美洲均有所下降，分別降低了7.5%、7.8%、8.4%和10.5%，較前幾個月的同比數(shù)據(jù)來看正處于改善過程中。半導體設備與材料則從上游源

23、頭反射行業(yè)景氣度的變化趨勢。北美半導體設備制造商月度出貨數(shù)據(jù)自2018年11月起同比增速為負，2019年10月份出貨同比增速首度轉正為3.9%，2020年1月份出貨額同比增長23.6%；日本半導體設備制造商月度出貨數(shù)據(jù)自2019年2月開始雙位數(shù)下滑，2020年1月同比增速達到3.1%，行業(yè)先行指標快速恢復增長預示行業(yè)未來景氣度高。當前臺積電最先進的工藝為7nm制程，主要用于生產手機處理器、基帶芯片、高性能運算等對性能及功耗要求均非常高的產品，客戶主要包括華為、蘋果、高通、AMD和MTK。由于蘋果iPhone11系列銷售情況優(yōu)于預期，A13應用處理器委由臺積電以7納米制程量產，而蘋果早就預訂了臺

24、積電大部分7納米產能，目前仍然維持計劃投片，導致華為海思、賽靈思（Xilinx）、超微（AMD）、聯(lián)發(fā)科等大廠都拿不到足夠的7納米產能，目前交期已經超過100天，2019Q4的營收占比達到35%，預期2020Q1高端制程的產能仍然緊張。5G手機芯片、人工智能（AI）、高效能運算（HPC）處理器、網絡處理器、IOT芯片等在內的需求強勁，將拉動半導體行業(yè)快速復蘇。2019年全球半導體營收超過4100億美元，其中中國地區(qū)銷售額占比為35%，是占比最高的國家和地區(qū)。根據(jù)海關數(shù)據(jù)，2019年中國集成電路進口額為3050億美元。功率器件是分立器件的重要組成部分，典型的功率半導體處理功能包括變頻、變壓、變流

25、、功率放大和功率管理等。功率半導體幾乎用于所有的電子制造業(yè)，包括計算機、網絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等一系列電子領域。由于功率半導體在電源或者電能轉換模塊中必不可少，所以稱之為電子產品的必需品。在小功率（幾W至幾千W）領域，從計算機、電視機、洗衣機、冰箱、空調等電器的電源中均有使用；在中等功率范圍（10000W到幾兆瓦），功率器件向機車、工業(yè)驅動、冶煉爐等設備中的電機提供電能；在吉瓦的大功率范圍內，高壓直流輸電系統(tǒng)中需要超高電壓功率半導體器件。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管。它是由BJT和MOSFET組成的復合功率半

26、導體器件，既有MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，是未來應用發(fā)展的主要方向。IGBT芯片經歷了6代升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到6500V以上。IGBT是新能源汽車和高鐵等軌道交通車輛動力系統(tǒng)“核心中的核心”，為業(yè)界公認發(fā)展最為迅速的新型功率器件品種。新能源汽車及其配套設

27、施快速增長將為IGBT等高端功率半導體市場規(guī)模的加速擴張?zhí)峁┯辛Φ谋Ｕ?。預計，電動汽車用IGBT市場到2022年將占整個IGBT市場的40左右。目前國內外IGBT市場仍主要由外國企業(yè)占據(jù)，雖然我國IGBT市場需求增長迅速，但由于國內相關人才缺乏，工藝基礎薄弱，國內企業(yè)產業(yè)化起步較晚。預計2022年全球IGBT市場將超過55億美元，主要增長來自電動汽車IGBT功率模塊；預計2018年國內IGBT市場達到153億元。從市場格局來看，由于國內IGBT產業(yè)鏈基礎薄弱，目前只有少數(shù)企業(yè)能夠參與競爭，國內百億的IGBT市場主要被外資品牌所占據(jù)。從國內IGBT的供需情況來看，2018年國內IGBT產量僅占需

28、求的約14%，即86%左右的需求依賴對外資品牌的采購。隨著國內相關企業(yè)在IGBT領域的持續(xù)突破，IGBT國產化比率逐年提高，從2014年的9%提升至2018年的15%，雖然由于技術差距較大導致整體國產化比率仍然偏低，但是未來國產化趨勢比較明確。一方面，IGBT屬于工業(yè)核心零部件并且具備關鍵技術，在“自主可控”的大背景下，預計有望得到國家層面的持續(xù)重點支持，目前國網、中車等集團也在不斷投入研發(fā)；另一方面，國內企業(yè)具備成本、服務優(yōu)勢，若未來技術差距縮小，存在一定的替代可行性。未來隨著國產化的不斷提升，國內自主品牌所面臨的IGBT行業(yè)需求將保持持續(xù)較快增長。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代

29、半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高，未來在功率半導體領域有很大的應用潛力，這一領域可以說是傳統(tǒng)硅基功率半導體的全方位升級。目前第三代半導體功率器件發(fā)展方向主要有SiC和GaN兩大方向，SiC擁有更高的熱導率和更成熟的技術，而GaN高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點，兩者的不同優(yōu)勢決定了應用范圍上的差異，GaN的市場應用偏向高頻小電力領域，集中在600V以下；而SiC適用于1200V以上的高溫大電力領域。碳化硅器件比硅器件具備更高的電流密度，在功率等級相同的條件下，采用碳化硅器件可將電體積縮小化，滿足功率密度更高、設計更緊湊的需求。未來5-10年在汽車中使用SiC功率器件將推動行業(yè)的快速發(fā)展，

30、SiC在汽車中的應用包括主逆變器、車載充電器及DC/DC轉換器等。據(jù)Yole統(tǒng)計，截至2018年，有超過20家汽車廠商已經準備好將在車載充電器中應用SiC肖特基二極管或者SiCMOSFET。SiC的出現(xiàn)符合未來能源效率提升的趨勢，也是產業(yè)鏈努力的結果，未來市場空間必將越來越大。GaN功率器件的定位為小體積、成本敏感、功率要求低的電源領域，如輕量化的消費電子電源適配器、無人機用超輕電源、無線充電設備等。對于充電器，一個很重要的功能是將220V的市電變?yōu)樵O備可接受的電壓，220V交流電整流后先經過開關管（一個速度很快的開關）然后才到變壓器，由于開關管的高頻開啟和關閉，所以輸入電壓是高頻變動的。如果

31、提高開關的頻率，則意味著每次電磁變化轉換的能量一樣的情況下可以使單位時間內能量轉換的次數(shù)增加，所以導致轉換功率增加。反過來說就是總功率一定時，頻率越高，變壓器的體積可以更小。氮化鎵充電器小的關鍵原因是繼續(xù)提高了開關頻率，對比傳統(tǒng)硅開關，GaN的開關速度可高100倍。GaN固有的較低柵極和輸出電容支持以兆赫茲級的開關頻率運行，同時降低柵極和開關損耗，從而提高效率。不同于硅，GaN不需要體二極管，因而消除了反向恢復損耗，并進一步提高了效率、減少了開關節(jié)點振鈴和EMI。開關損耗會隨著開關管大小的增大而增加，導通損耗會隨著開關管大?。w積V）的增大而減小，兩者曲線的交叉點就是傳統(tǒng)MOSFET的功率損耗

32、，在功率損耗一致的情況下GaN開關的體積要比傳統(tǒng)MOSFET要小。GaN充電器相比傳統(tǒng)快充充電器，其最大的優(yōu)勢便是在同等功率的情況下重量、體積、價格上均有優(yōu)勢，對于消費電子充電器品類有著較強的滲透能力，未來100-200元區(qū)間的GaN充電器將進一步對現(xiàn)有傳統(tǒng)充電器乃至傳統(tǒng)快充充電器進行替代，全面利好產業(yè)鏈。存儲器構筑了智能大時代的數(shù)據(jù)基石。隨著5G技術的逐漸落地，人工智能應用的場景化多點開花，工業(yè)智造+家居智能+社會智理的全面智聯(lián)時代即將拉開帷幕，這其中支撐智能時代的不僅是人工智能的大腦算法&高效能運算芯片，感知器官傳感器，血管筋絡傳輸網絡，還有一切智能產生的根基與開端數(shù)據(jù)&存儲器。存儲器是計

33、算機系統(tǒng)中用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)的記憶設，計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。存儲器主要有SRAM、DRAM和FLASHMEMORY。SRAM的一個存儲單元需要較多的晶體管，價格昂貴，容量不大，多用于制造CPU內部的Cache；DRAM即我們通常所說的內存大小，用于我們通常的數(shù)據(jù)存取；FLASHMEMORY壽命長、體積小、功耗低、抗振性強，并具有在線非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）等優(yōu)點，為嵌入式系統(tǒng)中典型的存儲設備，多用于數(shù)碼相機、手機、平板電腦、MP3等。FLASHMEMORY又分為NORFLASH和NANDFLA

34、SH，NORFLASH的傳輸效率高，容量小，程序可以在芯片內部執(zhí)行，價格較昂貴，因此適合頻繁隨機讀寫的場合；NANDFLASH生產過程簡單，容量大，價格較低，因此主要用來存儲資料。存儲器競爭以海外龍頭為主，三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、鎂光等擁有先發(fā)優(yōu)勢的行業(yè)龍頭掌握了絕大多數(shù)的存儲器市場。未來，隨著半導體產業(yè)鏈的逐步轉移，我國如合肥長鑫、長江存儲等存儲器企業(yè)的技術及產能的不斷推進，疊加國內智能手機、物聯(lián)網、車載系統(tǒng)等需求釋放在即，未來存儲器國產化機遇十分充足。五、半導體芯片行業(yè)分析龐大信息社會的根基是一枚枚小巧的集成電路，通常被人們稱為“芯片”。別看芯片“身材小”，他們“喂養(yǎng)”著現(xiàn)代工業(yè)

35、，手機、電腦、家電、高鐵、電動車、機器人、醫(yī)療儀器等離開他們根本無法運轉。西方發(fā)達國家一直對出口到中國的集成電路制造裝備和材料以及工藝技術嚴格審查和限制。這對我國集成電路產業(yè)發(fā)展構成了嚴重制約，問題日益凸顯。與此同時，隨著我國國民經濟的快速發(fā)展尤其是信息化進程的加快，對集成電路產品的需求持續(xù)快速增長，從2006年開始，集成電路產品超過石油成為我國最大宗進口產品，2013年至今，每年進口額均超過2000億美元，逐年遞增。2008年，我國啟動實施“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項（簡稱集成電路裝備專項）。10年來，集成電路高端制造裝備和材料從無到有填補產業(yè)鏈空白，制造工藝與封裝

36、集成由弱漸強、走向世界參與國際競爭，集成電路產業(yè)開始駛入自主創(chuàng)新發(fā)展的快車道。鑒于下游IC設計業(yè)快速成長帶來晶圓代工剛需，大陸代工廠產能規(guī)模及本地化優(yōu)勢依舊穩(wěn)固，光大證券認為：大陸晶圓代工廠通過把握現(xiàn)有制程市場仍能實現(xiàn)快速成長，預計未來三年大陸晶圓代工業(yè)復合增速在15%以上。俗稱“芯片”行業(yè)的集成電路產業(yè)，其重要性可以用“工業(yè)糧食”來形容。然而，集成電路（芯片）行業(yè)是我國發(fā)展的痛點之一，是我國進口額最大的商品，連續(xù)四年進口額超2000億美元。沒有自己的“中國芯”，也是國家安全的重大隱患。因此，國家多年來在稅收、資金補貼等政策扶持該產業(yè)發(fā)展。盡管當前產業(yè)技術實現(xiàn)多點突破，產業(yè)鏈各方面得到全面提升

37、，但仍然存在整體技術水平不高、核心產品創(chuàng)新不力、嚴重依賴進口等問題。盡管我國是半導體消費大國，但長期以來相關產品嚴重依賴進口，進口額逐年攀升。而比巨額進口費更令人擔憂的是芯片嚴重依賴西方發(fā)達國家?guī)淼膰倚畔踩蛧覒?zhàn)略壓力。作為國家的“工業(yè)糧食”，芯片幾乎是所有設備的“心臟”。如果一味依賴外國的產品，不能在芯片上實現(xiàn)獨立自主，國家信息安全必將時刻處于威脅之下。隨著外部貿易環(huán)境惡化，對于關乎國民經濟和國家安全的戰(zhàn)略型產業(yè)，半導體領域的進口替代迫在眉睫。國內集成電路產業(yè)銷售增長迅速。在設備領域，中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會副秘書長金存忠指出，2018年-2020年國產集成電路設備銷售的年均增長率將

38、超過15%。到2020年銷售額將達到50億元左右。2018年1月中國半導體銷售額增長18.3%，并有持續(xù)增長趨勢。根據(jù)中國制造2025規(guī)劃，到2025年中國集成電路自給率提升到70%。但目前我國上游相關電子材料自給率低，國產化替代空間巨大。這對集成電路產業(yè)來說無疑是利好的，但中國該產業(yè)尚處于起步階段，通過海外并購是實現(xiàn)迭代升級的重要途徑，而愈演愈烈的貿易保護主義限制了相關領域的技術轉讓等，如果這些領域完全靠自主研發(fā)，勢必將使得我國快速突破核心技術的難度成倍增加。因此，此次稅收政策是鼓勵企業(yè)向更高制程與更先進工藝的集成電路產業(yè)投資，重點扶持優(yōu)質半導體產業(yè)資產。通過鼓勵與引導國內集成電路理性投資，

39、進而推動集成電路產業(yè)健康有序發(fā)展。減免稅收政策增厚公司盈利空間，反哺公司資金再投入帶來的技術提升與盈利能力增長，從而縮短我國半導體產業(yè)和國外先進產業(yè)之間的差距。國家集成電路產業(yè)投資基金是由國開金融、中國煙草總公司、中國移動、上海國盛等知名股東共同出資設立，重點投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產業(yè)，實施市場化運作、專業(yè)化管理。截至2017年底，大基金首期募集資金1387億元已基本投資完畢，累計有效決策投資67個項目，涉及上市公司23家。目前大基金的投資覆蓋了集成電路制造、封裝測試、設計、設備、材料、生態(tài)建設以及第三代半導體、傳感器等領域，實現(xiàn)了產業(yè)鏈上的完整布局。六、

40、半導體芯片市場分析預測半導體芯片是指在半導體片材上進行浸蝕、布線、制成的能實現(xiàn)某種功能的半導體器件，通常也可稱為集成電路。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等半導體材料。半導體制造的過程就是“點石成金”的過程，主要是對硅晶圓的一系列處理，簡單來說就是通過外延生長、光刻、刻蝕、摻雜和拋光，在硅片上形成所需要的電路，將硅片變成芯片。從20世紀90年代初開始，國際半導體巨頭紛紛來華創(chuàng)辦獨資或合資企業(yè)，轉移生產能力。跨國公司向我國本土轉移生產線，更貼近中國市場，市場反應更加靈敏和迅速，同時利用國內廉價的原材料和勞動力資源，增強了自身的競爭能力?？鐕驹賾{借其先進的技術、雄厚的資本以及靈

41、活的經營方式，確立了市場領先地位，在競爭中處于較為有利的地位。目前，中國芯片企業(yè)在封裝領域已具備一定的市場與技術核心競爭能力。在中低端芯片器件封裝領域，中國芯片封裝企業(yè)的市場占有率較高;在高端芯片器件封裝領域，部分中國企業(yè)有較大突破，形成了一大批具有一定規(guī)模的封裝企業(yè)，如深圳雷曼光電、廈門華聯(lián)、佛山國星等，這些企業(yè)已打入高端顯示屏、背光源、照明器件等門檻較高領域，避開同低端廠商的價格戰(zhàn)，依靠提供穩(wěn)定可靠、品質更高的產品和服務獲得較高的品牌溢價。2017全年中國集成電路產量達到1564.9億塊，與2016年的1329億塊相比增長17.8%。在一系列政策措施扶持下，中國集成電路行業(yè)保持快速發(fā)展的勢

42、頭，產業(yè)規(guī)模持續(xù)擴大，技術水平顯著提升，預計2018年中國集成電路產量將進一步增長，達到1813.5億塊，同比增長率為15.9%。數(shù)據(jù)顯示，2017年中國集成電路產業(yè)全年產業(yè)規(guī)模達到5430.2億元，同比增長20.2%。預計2018年中國集成電路產業(yè)規(guī)模將超6000億元，達到6489.1億元，同比增長19.5%。近年來，在國家和產業(yè)的大力投入下，我國集成電路制造業(yè)得到了快速發(fā)展，2016年產值首度超過1000億元，達到1126.9億元。2017年我國集成電路制造業(yè)繼續(xù)保持良好成長勢頭，產業(yè)規(guī)模達到1415.4億元。從近幾年的發(fā)展情況來看，我國半導體芯片行業(yè)的發(fā)展整個處于上升態(tài)勢，行業(yè)的毛利率一

43、直維持在20%左右的水平，以華微電子的為例，2014-2017年，華微電子的毛利率一直維持在20%左右的水平，凈利潤則是處于緩慢增長狀態(tài)，并于2017年實現(xiàn)了高速增長。第四章 項目建設主要內容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積17021.84平方米（折合約25.52畝），其中：凈用地面積17021.84平方米（紅線范圍折合約25.52畝）。項目規(guī)劃總建筑面積22128.39平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程17008.59平方米，計容建筑面積22128.39平方米；預計建筑工程投資1623.48萬元。（二）設備購置項目計劃購置設備共計53臺（套），設備購置費2048.57萬元。二、產值規(guī)模項目計

44、劃總投資6851.63萬元；預計年實現(xiàn)營業(yè)收入12759.00萬元。第五章 項目建設地點一、半導體芯片項目建設選址原則為了更好地發(fā)揮其經濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)半導體芯片項目選址的一般原則和半導體芯片項目建設地的實際情況，“半導體芯片項目”選址應遵循以下原則：1、布局相對獨立，便于集中開展科研、生產經營和管理活動。2、與半導體芯片項目建設地的建成區(qū)有較方便的聯(lián)系。3、地理條件較好，并有足夠的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎設施等配套較為完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關系。6、兼顧環(huán)境因素影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、半導體芯片項目選址方案及土地權屬（一）半導體

45、芯片項目選址方案1、半導體芯片項目建設單位通過對半導體芯片項目擬建場地縝密調研，充分考慮了半導體芯片項目生產所需的內部和外部條件：距原料產地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產成本以及擬建區(qū)域產業(yè)配套情況、基礎設施條件及土地成本等。2、通過對可供選擇的建設地區(qū)進行比選，綜合考慮后選定的半導體芯片項目最佳建設地點半導體芯片項目建設地，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為半導體芯片項目建設提供了良好的投資環(huán)境。大連，別稱濱城，是遼寧省副省級市、計劃單列市，國務院批復確定的中國北方沿海重要的中心城市、港口及風景旅游城市。截至2018年，全市下轄7個區(qū)、1個縣、代管2個縣級市，總面積12573.85平方千

46、米，建成區(qū)面積488.6平方千米，戶籍人口595.2萬人，戶籍城鎮(zhèn)人口428.54萬人，城鎮(zhèn)化率72%。大連地處遼東半島南端、黃渤海交界處，與山東半島隔海相望，是重要的港口、貿易、工業(yè)、旅游城市?；镜孛矠橹醒敫?，向東西兩側階梯狀降低；地處北半球的暖溫帶、亞歐大陸的東岸，屬暖溫帶半濕潤大陸性季風氣候。大連歷史悠久，早在6000年前，大連地區(qū)就得到了開發(fā)。全國解放戰(zhàn)爭時期，旅大金地區(qū)為蘇軍軍管和中國共產黨領導下的特殊解放區(qū)，置旅大行政公署。1953年3月，改中央直轄市。1981年2月，改稱大連市。1985年起，實行計劃單列，同年7月國務院賦予大連省級經濟管理權限。2019年，大連市地區(qū)生產總值7

47、001.7億元，按可比價格計算，同比增長6.5%。（二）工程地質條件1、根據(jù)建筑抗震設計規(guī)范（GB50011）標準要求，半導體芯片項目建設地無活動斷裂性通過，無液化土層及可能震陷的土層分布，地層均勻性密實較好，因此，本期工程半導體芯片項目建設區(qū)處于地質構造運動相對良好的地帶，地下水為上層滯水，對混凝土無腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場地目前尚未進行地質勘探，參考臨近建筑物的地質資料，地基土層由第四系全新統(tǒng)（Q4）雜填土、粉質粘土、淤泥質粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設區(qū)域地質抗風化能力較強，地層承載力高，工程地質條件較好，不會受

48、到滑坡及泥石流等次生災害的影響，無不良地質現(xiàn)象，地殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場地地貌簡單適應本期工程半導體芯片項目建設。三、半導體芯片項目用地總體要求（一）半導體芯片項目用地控制指標分析1、“半導體芯片項目”均按照項目建設地建設用地規(guī)劃許可證及建設用地規(guī)劃設計要求進行設計，同時，嚴格按照建設規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。2、建設半導體芯片項目平面布置符合輕工產品制造行業(yè)、重點產品的廠房建設和單位面積產能設計規(guī)定標準，達到工業(yè)半導體芯片項目建設用地控制指標（國土資發(fā)【2008】24號）文件規(guī)定的具體要求。（二）半導體芯片項目建設條件比選方案1、半導體芯片項目建設單

49、位通過對可供選擇的建設地區(qū)進行縝密比選后，充分考慮了半導體芯片項目擬建區(qū)域的交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，半導體芯片項目經營期所需的內外部條件：距原料產地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產成本以及擬建區(qū)域產業(yè)配套情況、基礎設施條件等，通過建設條件比選最終選定的半導體芯片項目最佳建設地點半導體芯片項目建設地，本期工程半導體芯片項目建設區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網絡、施工環(huán)境等條件均較好，可保證半導體芯片項目的建設和正常經營，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為半導體芯片項目建設提供了良好的投資環(huán)境。2、由半導體芯片項目建設單位承辦的“半導體芯片項目”，擬選址在半導體芯

50、片項目建設地，所選區(qū)域土地資源充裕，而且地理位置優(yōu)越、地形平坦、土地平整、交通運輸條件便利、配套設施齊全，符合半導體芯片項目選址要求。（三）半導體芯片項目用地總體規(guī)劃方案本期工程項目建設規(guī)劃建筑系數(shù)79.67%，建筑容積率1.30，建設區(qū)域綠化覆蓋率5.54%，固定資產投資強度195.29萬元/畝。（四）半導體芯片項目節(jié)約用地措施1、土地既是人類賴以生存的物質基礎，也是社會經濟可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，半導體芯片項目建設單位在利用土地資源時，嚴格執(zhí)行國家有關行業(yè)規(guī)定的用地指標，根據(jù)建設內容、規(guī)模和建設方案，按照國家有關節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。2、在半導體芯片項目建設過程中，半導體

51、芯片項目建設單位根據(jù)總體規(guī)劃以及項目建設地期對本期工程半導體芯片項目地塊的控制性指標，本著“經濟適宜、綜合利用”的原則進行科學規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。第六章 工程方案一、工程設計條件半導體芯片項目建設地屬于建設用地，其地形地貌類型簡單，巖土工程地質條件優(yōu)良，水文地質條件良好，適宜本期工程半導體芯片項目建設。二、建筑設計規(guī)范和標準1、砌體結構設計規(guī)范（GB50003-2001）。2、建筑地基基礎設計規(guī)范（GB50007-2002）。3、建筑結構荷載規(guī)范（GB50009-2001）。三、主要材料選用標準要求（一）混凝土要求根據(jù)混凝土結構耐久性設計規(guī)范（GB/T50476）之規(guī)

52、定，確定構筑物結構構件最低混凝土強度等級，基礎混凝土結構的環(huán)境類別為一類，本工程上部主體結構采用C30混凝土，上部結構構造柱、圈梁、過梁、基礎采用C25混凝土，設備基礎混凝土強度等級采用C30級，基礎混凝土墊層為C15級，基礎墊層混凝土為C15級。（二）鋼筋及建筑構件選用標準要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標準熱軋鋼筋：基礎受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要構件為HPB300。2、HPB300級鋼筋選用E43系列焊條，HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。四、土建工程建設指標本期工程項目預計總建筑面積22128.39平方米，其中：計容建筑面積22128.39平方米，計劃建筑工程投資16

53、23.48萬元，占項目總投資的23.69%。第七章 設備選型分析一、設備選型（一）設備選型的原則1、選用的設備必須有較高的生產效率，能降低勞動強度，滿足生產規(guī)模的要求，2、為滿足產品生產的質量要求，關鍵設備為知名廠家生產的品牌產品，3、按經濟規(guī)律辦事，講求投資經濟效益，在充分考慮設備的先進性和適用性的同時，綜合考慮各設備的性價比和壽命年限。（二）設備選型方向1、以“比質、比價、比先進”為原則。選擇設備時，要著眼高起點、高水平、高質量，最大限度地保證產品質量的需要，不斷提高產品生產過程中的自動化程度，降低勞動強度提高勞動生產率，節(jié)約能源降低生產成本和檢測成本。2、主要設備的配置應與產品的生產技術

54、工藝及生產規(guī)模相適應，同時應具備“先進、適用、經濟、配套、平衡”的特性，能夠達到節(jié)能和清潔生產的各項要求。該項目所選設備必須技術先進、性能可靠，達到目前國內外先進水平，經生產廠家使用證明運轉穩(wěn)定可靠，能夠滿足生產高質量產品的要求。3、設備性能價格比合理，使投資方能夠以合理的投資獲得生產高質量產品的生產設備。對生產設備進行合理配置，充分發(fā)揮各類設備的最佳技術水平。在滿足生產工藝要求的前提下，力求經濟合理。充分考慮設備的正常運轉費用，以保證在生產本行業(yè)相同產品時，能夠保持最低的生產成本。4、以甄選優(yōu)質供應商為原則。選擇設備交貨期應滿足工程進度的需要，售后服務好、安裝調試及時、可靠并能及時提供備品備

55、件的設備生產廠家。根據(jù)生產經驗和技術力量，該項目主要工藝設備及儀器基本上采用國產設備，選用生產設備廠家具有國內一流技術裝備，企業(yè)管理科學達到國際認證標準要求。（三）設備配置方案該項目的生產及檢測設備以工藝需要為依據(jù)，滿足工藝要求為原則，并盡量體現(xiàn)其技術先進性、生產安全性和經濟合理性，以及達到或超過國家相關的節(jié)能和環(huán)保要求。先進的生產技術和裝備是保證產品質量的關鍵。因此，關鍵工藝設備必須選擇國內外著名生產廠商的產品，并且在保證產品質量的前提下，優(yōu)先選用國產的名牌節(jié)能環(huán)保型產品。根據(jù)生產規(guī)模和生產工藝的要求，本著“先進、合理、科學、節(jié)能、高效”的原則，該項目對比考察了多個生產設備制造企業(yè)，優(yōu)選了產

56、品生產專用設備和檢測儀器等國內先進的環(huán)保節(jié)能型設備，確保該項目生產及產品檢驗的需要。項目計劃購置設備共計53臺（套），設備購置費2048.57萬元。第八章 節(jié)能分析一、節(jié)能概述近年來，我國企業(yè)把節(jié)能減排作為調整經濟結構的重要抓手，采取強化目標責任、調整產業(yè)結構、實施重點工程、推廣先進技術產品等一系列政策措施，積極開展節(jié)能減排，其競爭力與可持續(xù)發(fā)展能力進一步增強。有調查顯示，隨著企業(yè)對節(jié)能減排問題認識的加深與市場機制作用的顯現(xiàn)，企業(yè)節(jié)能減排的主體地位得到加強，其內生動力不斷提升。90%以上的企業(yè)認可以企業(yè)為主開展節(jié)能減排的模式。實踐證明，著力推進節(jié)能減排，企業(yè)大有可為。二、節(jié)能法規(guī)及標準（一）節(jié)

57、能法律及法規(guī)1、中華人民共和國節(jié)約能源法2、中華人民共和國可再生能源法3、中華人民共和國電力法4、中華人民共和國建筑法5、中華人民共和國清潔生產促進法6、中華人民共和國計量法（二）節(jié)能標準依據(jù)1、工業(yè)企業(yè)能源管理導則（GB/T15587-2008）2、綜合能耗計算通則（GB/T2589-2008）3、評價企業(yè)合理用電技術導則（GB/T3485-1998）4、評價企業(yè)合理用熱技術導則（GB/T3486-1993）5、用能單位能源計量器具配備和管理通則（GB17167-2006）6、企業(yè)能源審計技術通則（GB/T17166-1997）7、企業(yè)節(jié)能量計算方法（GB/T13234-2009）三、項目所在地能源消費及能源供應條件1、供水條件：本期工程項目供水由xx經濟開發(fā)區(qū)自來水管網供應，能夠保證項目用水需要。2、供