集成電路項(xiàng)目商業(yè)計(jì)劃書（范文）

1、泓域咨詢 /集成電路項(xiàng)目商業(yè)計(jì)劃書集成電路項(xiàng)目商業(yè)計(jì)劃書xxx集團(tuán)有限公司目錄第一章 項(xiàng)目概述8一、 項(xiàng)目名稱及投資人8二、 項(xiàng)目建設(shè)背景8三、 結(jié)論分析8第二章 行業(yè)、市場分析12第三章 項(xiàng)目投資主體概況23一、 公司基本信息23二、 公司簡介23三、 公司競爭優(yōu)勢24四、 公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)25五、 核心人員介紹26六、 經(jīng)營宗旨27七、 公司發(fā)展規(guī)劃28第四章 背景及必要性30一、 項(xiàng)目實(shí)施的必要性39第五章 SWOT分析說明41一、 優(yōu)勢分析（S）41二、 劣勢分析（W）42三、 機(jī)會(huì)分析（O）43四、 威脅分析（T）43第六章 法人治理結(jié)構(gòu)51一、 股東權(quán)利及義務(wù)51二、 董事55三、

2、 高級管理人員60四、 監(jiān)事63第七章 創(chuàng)新發(fā)展67一、 創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)環(huán)境分析67二、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析67三、 項(xiàng)目技術(shù)工藝分析70四、 質(zhì)量管理71五、 創(chuàng)新發(fā)展總結(jié)72第八章 運(yùn)營管理模式74一、 公司經(jīng)營宗旨74二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé)74三、 各部門職責(zé)及權(quán)限75四、 財(cái)務(wù)會(huì)計(jì)制度78第九章 發(fā)展規(guī)劃86一、 公司發(fā)展規(guī)劃86二、 保障措施87第十章 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)分析90一、 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)分析90二、 公司競爭劣勢97第十一章 進(jìn)度實(shí)施計(jì)劃98一、 項(xiàng)目進(jìn)度安排98二、 項(xiàng)目實(shí)施保障措施98第十二章 建設(shè)內(nèi)容與產(chǎn)品方案100一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容100二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)100第

3、十三章 建筑工程技術(shù)方案102一、 項(xiàng)目工程設(shè)計(jì)總體要求102二、 建設(shè)方案103三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo)104第十四章 項(xiàng)目投資分析106一、 投資估算的編制說明106二、 建設(shè)投資估算106三、 建設(shè)期利息108四、 流動(dòng)資金109五、 項(xiàng)目總投資110六、 資金籌措與投資計(jì)劃111第十五章 經(jīng)濟(jì)效益評價(jià)113一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取113二、 經(jīng)濟(jì)評價(jià)財(cái)務(wù)測算113三、 項(xiàng)目盈利能力分析117四、 財(cái)務(wù)生存能力分析120五、 償債能力分析120六、 經(jīng)濟(jì)評價(jià)結(jié)論122第十六章 項(xiàng)目總結(jié)分析123第十七章 附表125報(bào)告說明根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資33112.62萬元，其中：建設(shè)投資

4、27096.11萬元，占項(xiàng)目總投資的81.83%；建設(shè)期利息365.76萬元，占項(xiàng)目總投資的1.10%；流動(dòng)資金5650.75萬元，占項(xiàng)目總投資的17.07%。項(xiàng)目正常運(yùn)營每年?duì)I業(yè)收入68700.00萬元，綜合總成本費(fèi)用54695.62萬元，凈利潤10248.71萬元，財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率25.21%，財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值15707.08萬元，全部投資回收期5.13年。本期項(xiàng)目具有較強(qiáng)的財(cái)務(wù)盈利能力，其財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。與全球互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模相比，中國市場的增速更快。根據(jù)中國IDC圈數(shù)據(jù)，2019年中國互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)規(guī)模達(dá)1,562.5億元，同比增長27.24%，市場規(guī)模絕對值較201

5、8年增長超過330億元。另外，2020年以來，隨著新型冠狀病毒疫情爆發(fā)，出于防控需要，政府和企事業(yè)單位大量使用科技防疫，基于云計(jì)算的遠(yuǎn)程辦公、遠(yuǎn)程教育、電子商務(wù)以及各類生活措施刺激了對數(shù)據(jù)中心的需求。2020年3月，中共中央政治局常務(wù)委員會(huì)召開會(huì)議，明確強(qiáng)調(diào)要加快5G網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進(jìn)度。鑒于此，根據(jù)中國IDC圈數(shù)據(jù)顯示，中國互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心等行業(yè)客戶需求規(guī)模將大幅增長，預(yù)計(jì)2022年，中國互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)市場規(guī)模將超過3,200.5億元，同比增長28.8%。本報(bào)告基于可信的公開資料，參考行業(yè)研究模型，旨在對項(xiàng)目進(jìn)行合理的邏輯分析研究。本報(bào)告僅作為投資參考或作為參考范文模板用途

6、。第一章 項(xiàng)目概述一、 項(xiàng)目名稱及投資人（一）項(xiàng)目名稱集成電路項(xiàng)目（二）項(xiàng)目投資人xxx集團(tuán)有限公司（三）建設(shè)地點(diǎn)本期項(xiàng)目選址位于xxx（以選址意見書為準(zhǔn)）。二、 項(xiàng)目建設(shè)背景盡管近幾年集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，我國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的銷售額自2016年超過封裝測試業(yè)后，已成為集成電路行業(yè)銷售額最高的細(xì)分行業(yè)，占全行業(yè)比例約為40%，但在世界范圍內(nèi)，集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的產(chǎn)值占比接近60%，集成電路封裝測試環(huán)節(jié)的份額不到20%，因此，總體而言，中國大陸地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)仍然大量集中于在附加值和技術(shù)含量較低的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，未來將繼續(xù)推進(jìn)向設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)型。三、 結(jié)論分析（一）項(xiàng)目選址本期項(xiàng)目選址位于xxx（以選址

7、意見書為準(zhǔn)），占地面積約91.00畝。（二）建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案項(xiàng)目正常運(yùn)營后，可形成年產(chǎn)344000平方集成電路的生產(chǎn)能力。（三）項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度本期項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個(gè)月。（四）投資估算本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動(dòng)資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資33112.62萬元，其中：建設(shè)投資27096.11萬元，占項(xiàng)目總投資的81.83%；建設(shè)期利息365.76萬元，占項(xiàng)目總投資的1.10%；流動(dòng)資金5650.75萬元，占項(xiàng)目總投資的17.07%。（五）資金籌措項(xiàng)目總投資33112.62萬元，根據(jù)資金籌措方案，xxx集團(tuán)有限公司計(jì)劃自籌資金（資本金）18183.71萬元。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)測

8、算，本期工程項(xiàng)目申請銀行借款總額14928.91萬元。（六）經(jīng)濟(jì)評價(jià)1、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年預(yù)期營業(yè)收入（SP）：68700.00萬元。2、年綜合總成本費(fèi)用（TC）：54695.62萬元。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年凈利潤（NP）：10248.71萬元。4、財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率（FIRR）：25.21%。5、全部投資回收期（Pt）：5.13年（含建設(shè)期12個(gè)月）。6、達(dá)產(chǎn)年盈虧平衡點(diǎn)（BEP）：25066.99萬元（產(chǎn)值）。（七）社會(huì)效益此項(xiàng)目建設(shè)條件良好，可利用當(dāng)?shù)刎S富的水、電資源以及便利的生產(chǎn)、生活輔助設(shè)施，項(xiàng)目投資省、見效快；此項(xiàng)目貫徹“先進(jìn)適用、穩(wěn)妥可靠、經(jīng)濟(jì)合理、低耗優(yōu)質(zhì)”的原則，技術(shù)先進(jìn)，成熟可靠，投產(chǎn)后可保證

9、達(dá)到預(yù)定的設(shè)計(jì)目標(biāo)。本項(xiàng)目實(shí)施后，可滿足國內(nèi)市場需求，增加國家及地方財(cái)政收入，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，為社會(huì)提供更多的就業(yè)機(jī)會(huì)。另外，由于本項(xiàng)目環(huán)保治理手段完善，不會(huì)對周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項(xiàng)目建設(shè)具有良好的社會(huì)效益。（八）主要經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)表格題目主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積60667.00約91.00畝1.1總建筑面積86947.20容積率1.431.2基底面積33973.52建筑系數(shù)56.00%1.3投資強(qiáng)度萬元/畝287.932總投資萬元33112.622.1建設(shè)投資萬元27096.112.1.1工程費(fèi)用萬元23853.362.1.2工程建設(shè)其他費(fèi)用萬元2651.2

10、82.1.3預(yù)備費(fèi)萬元591.472.2建設(shè)期利息萬元365.762.3流動(dòng)資金萬元5650.753資金籌措萬元33112.623.1自籌資金萬元18183.713.2銀行貸款萬元14928.914營業(yè)收入萬元68700.00正常運(yùn)營年份5總成本費(fèi)用萬元54695.626利潤總額萬元13664.957凈利潤萬元10248.718所得稅萬元3416.249增值稅萬元2828.5610稅金及附加萬元339.4311納稅總額萬元6584.2312工業(yè)增加值萬元22217.5313盈虧平衡點(diǎn)萬元25066.99產(chǎn)值14回收期年5.13含建設(shè)期12個(gè)月15財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率25.21%所得稅后16財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值

11、萬元15707.08所得稅后第二章 行業(yè)、市場分析NANDFlash存儲(chǔ)行業(yè)特點(diǎn)及發(fā)展態(tài)勢1、NANDFlash存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)的市場特征（1）NANDFlash存儲(chǔ)原廠情況由于NANDFlash存儲(chǔ)晶圓生產(chǎn)制造具有投資規(guī)模大、技術(shù)水平要求高、投資回報(bào)周期長等特點(diǎn)，通常一條NANDFlash產(chǎn)線的投資規(guī)模超過百億美元，經(jīng)過近幾十年的發(fā)展、競爭及淘汰，全球NANDFlash市場中只有三星電子（SAMSUNG）、海力士（SKHynix）、美光（Micron）和英特爾（Intel）、西部數(shù)據(jù)/閃迪（SandDisk）和鎧俠（KIOXIA）等少數(shù)企業(yè)具備生產(chǎn)能力；此外，我國的長江存儲(chǔ)（YMTC）經(jīng)過多年的

12、研發(fā)和設(shè)備投入，已逐步開始量產(chǎn)并向市場供應(yīng)NANDFlash芯片產(chǎn)品，從根本上打破了NANDFlash芯片長期由境外廠商壟斷的市場格局?？傮w而言，目前全球NANDFlash存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)市場呈現(xiàn)寡頭壟斷的特征。在產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)張等方面，上游各存儲(chǔ)原廠長期處于相對平衡、有序的競合關(guān)系，NANDFlash的市場價(jià)格在行業(yè)內(nèi)較為公開、透明，且整體呈現(xiàn)賣方市場特性，買方議價(jià)空間相對較小。（2）NANDFlash存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)形態(tài)的特殊性存儲(chǔ)原廠供應(yīng)存儲(chǔ)晶圓主要以晶圓Wafer形式存在，一片存儲(chǔ)晶圓Wafer中包含成百上千個(gè)存儲(chǔ)顆粒，存儲(chǔ)顆粒即為存儲(chǔ)介質(zhì)中可執(zhí)行命令并回報(bào)自身狀態(tài)的最小獨(dú)立單元。在存儲(chǔ)

13、原廠生產(chǎn)晶圓Wafer的過程中，一方面由于晶圓Wafer生產(chǎn)工藝特點(diǎn)，導(dǎo)致Wafer中不同區(qū)域的存儲(chǔ)顆粒品質(zhì)存在差異；另一方面隨著NANDFlash的技術(shù)制程及存儲(chǔ)容量等不斷創(chuàng)新及技術(shù)迭代，新的工藝制程或產(chǎn)品型號的投產(chǎn)在產(chǎn)品上會(huì)呈現(xiàn)早期晶圓Wafer生產(chǎn)不穩(wěn)定，低品質(zhì)、壞塊多的存儲(chǔ)顆粒數(shù)量較多，隨著工藝技術(shù)的完善，高品質(zhì)存儲(chǔ)顆粒的占比逐漸提高。因此，總體而言，由于芯片制造工藝固有特點(diǎn)、技術(shù)更新迭代過程中工藝不穩(wěn)定等原因，存儲(chǔ)原廠晶圓Wafer中的存儲(chǔ)顆粒會(huì)存在品質(zhì)差異。由于不同品質(zhì)或存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)顆粒具有不同的經(jīng)濟(jì)價(jià)值，可以在其性能可滿足的范圍內(nèi)生產(chǎn)相應(yīng)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，相對來說，工業(yè)級及系統(tǒng)級產(chǎn)品

14、（如數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機(jī)等）對性能及產(chǎn)品穩(wěn)定性的要求高于移動(dòng)存儲(chǔ)市場，因此，固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品等產(chǎn)品應(yīng)用市場對存儲(chǔ)顆粒性能或存儲(chǔ)容量的需求高于存儲(chǔ)卡、存儲(chǔ)盤等產(chǎn)品。因此，為了達(dá)到經(jīng)濟(jì)效益最大化，存儲(chǔ)原廠對于不同品質(zhì)的存儲(chǔ)顆粒存在分類銷售的情況，由此衍化出存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)中相對特殊的業(yè)態(tài)，即存儲(chǔ)原廠對外銷售的晶圓Wafer一部分是以完整的Wafer形態(tài)對外銷售，通常在行業(yè)內(nèi)被稱之為NormalWafer，還有一部分晶圓Wafer則以晶圓Partial的形式對外銷售，即原始的晶圓Wafer已經(jīng)過切割萃取，高品質(zhì)的存儲(chǔ)顆粒已被篩選銷售給對性能需求較高的客戶，如：智能手機(jī)廠商、主流服務(wù)器廠商以

15、及數(shù)據(jù)中心廠商等；PartialWafer中僅保留了相對低品質(zhì)的存儲(chǔ)顆粒，用于相對性能需求較低的產(chǎn)品生產(chǎn)。近年來，隨著閃存主控技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步與迭代，在全球移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品（以存儲(chǔ)卡和存儲(chǔ)盤為主）市場中，已較多使用PartialWafer作為原材料生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品。2、行業(yè)技術(shù)水平及技術(shù)特點(diǎn)（1）集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)技術(shù)特征集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)作為技術(shù)密集型行業(yè)，對技術(shù)水平的要求極高，同時(shí)技術(shù)以及相應(yīng)產(chǎn)品的更新迭代較快，需要行業(yè)內(nèi)公司投入大量的人力、物力及時(shí)間成本專注于某一具體領(lǐng)域的研發(fā)。其產(chǎn)品往往需要運(yùn)用多種技術(shù)進(jìn)行綜合設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的最優(yōu)化方案，具體主要包括IP核（知識產(chǎn)權(quán)核）和各種專門技術(shù)。其中，I

16、P核是指形式為邏輯單元、數(shù)?；旌蠁卧刃酒O(shè)計(jì)中可重復(fù)使用的功能模塊，具有可重用性、通用性、可移植性等特點(diǎn)。設(shè)計(jì)人員以IP核為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì)，可以有效地縮短設(shè)計(jì)所需的周期，獲得比傳統(tǒng)模塊設(shè)計(jì)方法提高多倍的效率；專門技術(shù)主要包括模擬數(shù)字混合技術(shù)設(shè)計(jì)、軟硬件的協(xié)同設(shè)計(jì)技術(shù)、低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)、SoC驗(yàn)證技術(shù)、工藝設(shè)計(jì)技術(shù)等多種關(guān)鍵技術(shù)。（2）存儲(chǔ)行業(yè)技術(shù)水平及發(fā)展趨勢對于存儲(chǔ)行業(yè)來說，NANDFlash存儲(chǔ)原廠的技術(shù)發(fā)展及存儲(chǔ)晶圓供給情況對存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展有至關(guān)重要的作用，主控芯片設(shè)計(jì)、固件方案開發(fā)及封裝測試生產(chǎn)工藝等需要以適配NANDFlash存儲(chǔ)晶圓的產(chǎn)品架構(gòu)、技術(shù)參數(shù)和工藝水平等為基礎(chǔ)。另外，NAN

17、DFlash存儲(chǔ)晶圓的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展水平?jīng)Q定了存儲(chǔ)模組的底層性能，進(jìn)一步影響存儲(chǔ)模組需求端的可應(yīng)用場景和市場需求?？傮w上看，NANDFlash的工藝發(fā)展方向?yàn)橄蚋呷萘?、高堆疊、低成本等方向發(fā)展，隨著存儲(chǔ)原廠工藝技術(shù)從2D架構(gòu)發(fā)展為3D架構(gòu)，產(chǎn)品堆疊層數(shù)從32層、64層、96層到128層，后續(xù)還將不斷升級；存儲(chǔ)顆粒電子單元密度從SLC型發(fā)展到MLC型、TLC型，再進(jìn)一步發(fā)展為QLC型，單顆存儲(chǔ)顆粒的平均容量快速提升，同時(shí)單位存儲(chǔ)當(dāng)量的成本也在快速下降。同時(shí)，由于NANDFlash制程技術(shù)與應(yīng)用快速演進(jìn)，NANDFlash技術(shù)難度越來越高，存儲(chǔ)顆粒中出現(xiàn)壞塊的概率增加，擦寫壽命也呈降低趨勢，這對主

18、控芯片的設(shè)計(jì)方案和算法適配性等也提出了更高的要求，例如NANDFlash最初SLC型擦寫壽命可達(dá)10萬次，僅需使用1-4bit糾錯(cuò)能力的ECC算法，而20nm工藝MLC擦寫壽命降低到3,000-10,000次，需16-40bit糾錯(cuò)能力的ECC算法，再到TLC擦寫壽命僅500-1,000次，需72bit甚至更強(qiáng)的糾錯(cuò)能力的ECC算法。特別是對于存儲(chǔ)卡、存儲(chǔ)盤等移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品來說，其生產(chǎn)所使用存儲(chǔ)顆粒容量標(biāo)準(zhǔn)及性能要求相對嵌入式存儲(chǔ)（如eMMC、UFS）產(chǎn)品和固態(tài)硬盤（如SSD、PSSD）產(chǎn)品較低，目前主要應(yīng)用于移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品的PartialWafer存儲(chǔ)顆粒中的壞塊相對較多，這些都對主控芯片及固件

19、方案的重要技術(shù)，如：碎片整理技術(shù)、擦寫均衡技術(shù)、壞塊管理技術(shù)、ECC糾錯(cuò)技術(shù)等提出了較高的要求，主控芯片和固件方案的技術(shù)重點(diǎn)更偏重于提高存儲(chǔ)顆粒利用率及足容率、加強(qiáng)產(chǎn)品讀寫信息速度及穩(wěn)定性、提高產(chǎn)品使用壽命等方面。3、行業(yè)利潤水平的變動(dòng)趨勢和變動(dòng)原因存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格主要受上游存儲(chǔ)原廠技術(shù)發(fā)展階段、下游應(yīng)用市場對存儲(chǔ)產(chǎn)品需求變化、主控芯片及固件方案等對原廠存儲(chǔ)技術(shù)的適配情況和對存儲(chǔ)顆粒的利用效率等多種因素影響，且由于庫存消化及生產(chǎn)周期，一般在存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格上升期間，行業(yè)利潤水平相對較高，在存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格下降期間，行業(yè)利潤水平會(huì)有所下降。NANDFlash存儲(chǔ)行業(yè)特點(diǎn)及發(fā)展態(tài)勢1、NANDFlash存儲(chǔ)晶

20、圓供應(yīng)的市場特征（1）NANDFlash存儲(chǔ)原廠情況由于NANDFlash存儲(chǔ)晶圓生產(chǎn)制造具有投資規(guī)模大、技術(shù)水平要求高、投資回報(bào)周期長等特點(diǎn)，通常一條NANDFlash產(chǎn)線的投資規(guī)模超過百億美元，經(jīng)過近幾十年的發(fā)展、競爭及淘汰，全球NANDFlash市場中只有三星電子（SAMSUNG）、海力士（SKHynix）、美光（Micron）和英特爾（Intel）、西部數(shù)據(jù)/閃迪（SandDisk）和鎧俠（KIOXIA）等少數(shù)企業(yè)具備生產(chǎn)能力；此外，我國的長江存儲(chǔ)（YMTC）經(jīng)過多年的研發(fā)和設(shè)備投入，已逐步開始量產(chǎn)并向市場供應(yīng)NANDFlash芯片產(chǎn)品，從根本上打破了NANDFlash芯片長期由境外廠

21、商壟斷的市場格局?？傮w而言，目前全球NANDFlash存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)市場呈現(xiàn)寡頭壟斷的特征。在產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)張等方面，上游各存儲(chǔ)原廠長期處于相對平衡、有序的競合關(guān)系，NANDFlash的市場價(jià)格在行業(yè)內(nèi)較為公開、透明，且整體呈現(xiàn)賣方市場特性，買方議價(jià)空間相對較小。（2）NANDFlash存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)形態(tài)的特殊性存儲(chǔ)原廠供應(yīng)存儲(chǔ)晶圓主要以晶圓Wafer形式存在，一片存儲(chǔ)晶圓Wafer中包含成百上千個(gè)存儲(chǔ)顆粒，存儲(chǔ)顆粒即為存儲(chǔ)介質(zhì)中可執(zhí)行命令并回報(bào)自身狀態(tài)的最小獨(dú)立單元。在存儲(chǔ)原廠生產(chǎn)晶圓Wafer的過程中，一方面由于晶圓Wafer生產(chǎn)工藝特點(diǎn)，導(dǎo)致Wafer中不同區(qū)域的存儲(chǔ)顆粒品質(zhì)存在差異；

22、另一方面隨著NANDFlash的技術(shù)制程及存儲(chǔ)容量等不斷創(chuàng)新及技術(shù)迭代，新的工藝制程或產(chǎn)品型號的投產(chǎn)在產(chǎn)品上會(huì)呈現(xiàn)早期晶圓Wafer生產(chǎn)不穩(wěn)定，低品質(zhì)、壞塊多的存儲(chǔ)顆粒數(shù)量較多，隨著工藝技術(shù)的完善，高品質(zhì)存儲(chǔ)顆粒的占比逐漸提高。因此，總體而言，由于芯片制造工藝固有特點(diǎn)、技術(shù)更新迭代過程中工藝不穩(wěn)定等原因，存儲(chǔ)原廠晶圓Wafer中的存儲(chǔ)顆粒會(huì)存在品質(zhì)差異。由于不同品質(zhì)或存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)顆粒具有不同的經(jīng)濟(jì)價(jià)值，可以在其性能可滿足的范圍內(nèi)生產(chǎn)相應(yīng)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，相對來說，工業(yè)級及系統(tǒng)級產(chǎn)品（如數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機(jī)等）對性能及產(chǎn)品穩(wěn)定性的要求高于移動(dòng)存儲(chǔ)市場，因此，固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品等產(chǎn)品應(yīng)用市

23、場對存儲(chǔ)顆粒性能或存儲(chǔ)容量的需求高于存儲(chǔ)卡、存儲(chǔ)盤等產(chǎn)品。因此，為了達(dá)到經(jīng)濟(jì)效益最大化，存儲(chǔ)原廠對于不同品質(zhì)的存儲(chǔ)顆粒存在分類銷售的情況，由此衍化出存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)中相對特殊的業(yè)態(tài)，即存儲(chǔ)原廠對外銷售的晶圓Wafer一部分是以完整的Wafer形態(tài)對外銷售，通常在行業(yè)內(nèi)被稱之為NormalWafer，還有一部分晶圓Wafer則以晶圓Partial的形式對外銷售，即原始的晶圓Wafer已經(jīng)過切割萃取，高品質(zhì)的存儲(chǔ)顆粒已被篩選銷售給對性能需求較高的客戶，如：智能手機(jī)廠商、主流服務(wù)器廠商以及數(shù)據(jù)中心廠商等；PartialWafer中僅保留了相對低品質(zhì)的存儲(chǔ)顆粒，用于相對性能需求較低的產(chǎn)品生產(chǎn)。近年來，隨著

24、閃存主控技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步與迭代，在全球移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品（以存儲(chǔ)卡和存儲(chǔ)盤為主）市場中，已較多使用PartialWafer作為原材料生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品。2、行業(yè)技術(shù)水平及技術(shù)特點(diǎn)（1）集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)技術(shù)特征集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)作為技術(shù)密集型行業(yè)，對技術(shù)水平的要求極高，同時(shí)技術(shù)以及相應(yīng)產(chǎn)品的更新迭代較快，需要行業(yè)內(nèi)公司投入大量的人力、物力及時(shí)間成本專注于某一具體領(lǐng)域的研發(fā)。其產(chǎn)品往往需要運(yùn)用多種技術(shù)進(jìn)行綜合設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的最優(yōu)化方案，具體主要包括IP核（知識產(chǎn)權(quán)核）和各種專門技術(shù)。其中，IP核是指形式為邏輯單元、數(shù)?；旌蠁卧刃酒O(shè)計(jì)中可重復(fù)使用的功能模塊，具有可重用性、通用性、可移植性等特點(diǎn)。設(shè)計(jì)人員以

25、IP核為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì)，可以有效地縮短設(shè)計(jì)所需的周期，獲得比傳統(tǒng)模塊設(shè)計(jì)方法提高多倍的效率；專門技術(shù)主要包括模擬數(shù)字混合技術(shù)設(shè)計(jì)、軟硬件的協(xié)同設(shè)計(jì)技術(shù)、低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)、SoC驗(yàn)證技術(shù)、工藝設(shè)計(jì)技術(shù)等多種關(guān)鍵技術(shù)。（2）存儲(chǔ)行業(yè)技術(shù)水平及發(fā)展趨勢對于存儲(chǔ)行業(yè)來說，NANDFlash存儲(chǔ)原廠的技術(shù)發(fā)展及存儲(chǔ)晶圓供給情況對存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展有至關(guān)重要的作用，主控芯片設(shè)計(jì)、固件方案開發(fā)及封裝測試生產(chǎn)工藝等需要以適配NANDFlash存儲(chǔ)晶圓的產(chǎn)品架構(gòu)、技術(shù)參數(shù)和工藝水平等為基礎(chǔ)。另外，NANDFlash存儲(chǔ)晶圓的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展水平?jīng)Q定了存儲(chǔ)模組的底層性能，進(jìn)一步影響存儲(chǔ)模組需求端的可應(yīng)用場景和市場需求。總體

26、上看，NANDFlash的工藝發(fā)展方向?yàn)橄蚋呷萘?、高堆疊、低成本等方向發(fā)展，隨著存儲(chǔ)原廠工藝技術(shù)從2D架構(gòu)發(fā)展為3D架構(gòu)，產(chǎn)品堆疊層數(shù)從32層、64層、96層到128層，后續(xù)還將不斷升級；存儲(chǔ)顆粒電子單元密度從SLC型發(fā)展到MLC型、TLC型，再進(jìn)一步發(fā)展為QLC型，單顆存儲(chǔ)顆粒的平均容量快速提升，同時(shí)單位存儲(chǔ)當(dāng)量的成本也在快速下降。同時(shí)，由于NANDFlash制程技術(shù)與應(yīng)用快速演進(jìn)，NANDFlash技術(shù)難度越來越高，存儲(chǔ)顆粒中出現(xiàn)壞塊的概率增加，擦寫壽命也呈降低趨勢，這對主控芯片的設(shè)計(jì)方案和算法適配性等也提出了更高的要求，例如NANDFlash最初SLC型擦寫壽命可達(dá)10萬次，僅需使用1-

27、4bit糾錯(cuò)能力的ECC算法，而20nm工藝MLC擦寫壽命降低到3,000-10,000次，需16-40bit糾錯(cuò)能力的ECC算法，再到TLC擦寫壽命僅500-1,000次，需72bit甚至更強(qiáng)的糾錯(cuò)能力的ECC算法。特別是對于存儲(chǔ)卡、存儲(chǔ)盤等移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品來說，其生產(chǎn)所使用存儲(chǔ)顆粒容量標(biāo)準(zhǔn)及性能要求相對嵌入式存儲(chǔ)（如eMMC、UFS）產(chǎn)品和固態(tài)硬盤（如SSD、PSSD）產(chǎn)品較低，目前主要應(yīng)用于移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品的PartialWafer存儲(chǔ)顆粒中的壞塊相對較多，這些都對主控芯片及固件方案的重要技術(shù)，如：碎片整理技術(shù)、擦寫均衡技術(shù)、壞塊管理技術(shù)、ECC糾錯(cuò)技術(shù)等提出了較高的要求，主控芯片和固件方案的技

28、術(shù)重點(diǎn)更偏重于提高存儲(chǔ)顆粒利用率及足容率、加強(qiáng)產(chǎn)品讀寫信息速度及穩(wěn)定性、提高產(chǎn)品使用壽命等方面。3、行業(yè)利潤水平的變動(dòng)趨勢和變動(dòng)原因存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格主要受上游存儲(chǔ)原廠技術(shù)發(fā)展階段、下游應(yīng)用市場對存儲(chǔ)產(chǎn)品需求變化、主控芯片及固件方案等對原廠存儲(chǔ)技術(shù)的適配情況和對存儲(chǔ)顆粒的利用效率等多種因素影響，且由于庫存消化及生產(chǎn)周期，一般在存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格上升期間，行業(yè)利潤水平相對較高，在存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格下降期間，行業(yè)利潤水平會(huì)有所下降。觸控業(yè)務(wù)市場情況1、隨著“互聯(lián)網(wǎng)+”、人機(jī)交互智能化時(shí)代到來，觸控市場潛力巨大隨著社會(huì)科技的不斷發(fā)展，人機(jī)交互技術(shù)不斷改變著人類的生活，在多種人機(jī)交互技術(shù)中，觸控技術(shù)是目前最為成功的人機(jī)

29、交互技術(shù)之一，其不但在智能手機(jī)、平板電腦、車載電子等產(chǎn)品中廣泛適用，更隨著可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)等概念的落地，使得觸控技術(shù)擁有了更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。尤其是在“互聯(lián)網(wǎng)+”的大潮下，萬物互聯(lián)時(shí)代已經(jīng)到來，人們對智能化操作的需求迅速提升，已有越來越多的顯示終端依賴于觸控屏輸入，涉及零售、醫(yī)療、政府、企業(yè)、教育、交通等眾多行業(yè)，這也催生了觸控顯示巨大的市場潛力。同時(shí)，伴隨著下游產(chǎn)品的急速更新?lián)Q代，觸控顯示也逐漸由小尺寸向大尺寸擴(kuò)散，如電子教室使用的觸控屏顯示器、會(huì)議室使用的觸控顯示器、數(shù)字告示等。此外，隨著近年來智能車載系統(tǒng)的不斷升級，車載系統(tǒng)已逐漸從普通的液晶屏升級至觸控屏，搭載觸控顯示技術(shù)的汽車

30、不斷涌現(xiàn)，在汽車電子化、智能化的進(jìn)程中，也為觸控行業(yè)帶來了廣闊的市場發(fā)展前景。2、觸控產(chǎn)品發(fā)展方向從技術(shù)發(fā)展角度來看，觸控產(chǎn)品的技術(shù)根據(jù)市場需求的變化主要呈現(xiàn)以下幾個(gè)趨勢，一是隨著多點(diǎn)觸摸技術(shù)成為熱點(diǎn)，其影響力和滲透率正在增加，從而帶動(dòng)了投射式電容觸摸屏的需求快速增長；二是為了提供更好的用戶體驗(yàn)，觸控芯片在追求更高靈敏度、更低功耗的過程中，也在努力增加如被動(dòng)手寫筆、手套觸控、懸空識別、防水觸控等越來越多的附加功能；三是隨著觸控屏越來越多采用薄型觸控方案，來自顯示面板以及充電器的干擾問題越來越嚴(yán)重，增強(qiáng)產(chǎn)品的抗干擾能力也成為觸控芯片企業(yè)主要關(guān)注的方向之一。第三章 項(xiàng)目投資主體概況一、 公司基本信

31、息1、公司名稱：xxx集團(tuán)有限公司2、法定代表人：杜xx3、注冊資本：550萬元4、統(tǒng)一社會(huì)信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機(jī)關(guān)：xxx市場監(jiān)督管理局6、成立日期：2016-10-247、營業(yè)期限：2016-10-24至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營范圍：從事集成電路相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項(xiàng)目，開展經(jīng)營活動(dòng)；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營活動(dòng)；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項(xiàng)目的經(jīng)營活動(dòng)。）二、 公司簡介公司不斷推動(dòng)企業(yè)品牌建設(shè)，實(shí)施品牌戰(zhàn)略，增強(qiáng)品牌意識，提升品牌管理能力，實(shí)現(xiàn)從產(chǎn)品服務(wù)經(jīng)營向品牌經(jīng)營轉(zhuǎn)變。公司積極申報(bào)注冊國家

32、及本區(qū)域著名商標(biāo)等，加強(qiáng)品牌策劃與設(shè)計(jì)，豐富品牌內(nèi)涵，不斷提高自主品牌產(chǎn)品和服務(wù)市場份額。推進(jìn)區(qū)域品牌建設(shè)，提高區(qū)域內(nèi)企業(yè)影響力。公司在發(fā)展中始終堅(jiān)持以創(chuàng)新為源動(dòng)力，不斷投入巨資引入先進(jìn)研發(fā)設(shè)備，更新思想觀念，依托優(yōu)秀的人才、完善的信息、現(xiàn)代科技技術(shù)等優(yōu)勢，不斷加大新產(chǎn)品的研發(fā)力度，以實(shí)現(xiàn)公司的永續(xù)經(jīng)營和品牌發(fā)展。三、 公司競爭優(yōu)勢（一）公司具有技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢，創(chuàng)新能力突出公司在研發(fā)方面投入較高，持續(xù)進(jìn)行研究開發(fā)與技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，形成企業(yè)核心的自主知識產(chǎn)權(quán)。公司產(chǎn)品在行業(yè)中的始終保持良好的技術(shù)與質(zhì)量優(yōu)勢。此外，公司目前主要生產(chǎn)線為使用自有技術(shù)開發(fā)而成。（二）公司擁有技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品應(yīng)用與市場開拓并進(jìn)

33、的核心團(tuán)隊(duì)公司的核心團(tuán)隊(duì)由多名具備行業(yè)多年研發(fā)、經(jīng)營管理與市場經(jīng)驗(yàn)的資深人士組成，與公司利益捆綁一致。公司穩(wěn)定的核心團(tuán)隊(duì)促使公司形成了高效務(wù)實(shí)、團(tuán)結(jié)協(xié)作的企業(yè)文化和穩(wěn)定的干部隊(duì)伍，為公司保持持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和不斷擴(kuò)張?zhí)峁┝吮匾娜肆Y源保障。（三）公司具有優(yōu)質(zhì)的行業(yè)頭部客戶群體公司憑借出色的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)，樹立了良好的品牌形象，獲得了較高的客戶認(rèn)可度。公司通過與優(yōu)質(zhì)客戶保持穩(wěn)定的合作關(guān)系，對于行業(yè)的核心需求、產(chǎn)品變化趨勢、最新技術(shù)要求的理解更為深刻，有利于研發(fā)生產(chǎn)更符合市場需求產(chǎn)品，提高公司的核心競爭力。（四）公司在行業(yè)中占據(jù)較為有利的競爭地位公司經(jīng)過多年深耕，已在技術(shù)、品牌、運(yùn)營效率等

34、多方面形成競爭優(yōu)勢；同時(shí)隨著行業(yè)的深度整合，行業(yè)集中度提升，下游客戶為保障其自身原材料供應(yīng)的安全與穩(wěn)定，在現(xiàn)有競爭格局下對于公司產(chǎn)品的需求亦不斷提升。公司較為有利的競爭地位是長期可持續(xù)發(fā)展的有力支撐。四、 公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)表格題目公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)項(xiàng)目2020年12月31日2019年12月31日2018年12月31日2017年12月31日資產(chǎn)總額13136.0310508.829852.029326.58負(fù)債總額4322.653458.123241.993069.08股東權(quán)益合計(jì)8813.387050.706610.036257.50表格題目公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項(xiàng)目2020年度201

35、9年度2018年度2017年度營業(yè)收入44800.7235840.5833600.5431808.51營業(yè)利潤6779.015423.215084.264813.10利潤總額6084.314867.454563.234319.86凈利潤4563.233559.323285.533103.00歸屬于母公司所有者的凈利潤4563.233559.323285.533103.00五、 核心人員介紹1、杜xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學(xué)歷，中級會(huì)計(jì)師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司財(cái)務(wù)經(jīng)理。2017

36、年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財(cái)務(wù)總監(jiān)。2、韋xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1961年出生，本科學(xué)歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任公司獨(dú)立董事。3、毛xx，中國國籍，1976年出生，本科學(xué)歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長、總經(jīng)理。4、郭xx，1957年出生，大專學(xué)歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011

37、年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2018年3月至今任公司董事。5、姚xx，1974年出生，研究生學(xué)歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責(zé)任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責(zé)任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會(huì)主席。6、蔡xx，中國國籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國注冊會(huì)計(jì)師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨(dú)立董事。7、沈xx，中國國籍，1977年出生，本科學(xué)歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司

38、監(jiān)事。8、孫xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1958年出生，本科學(xué)歷，高級經(jīng)濟(jì)師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。六、 經(jīng)營宗旨依據(jù)有關(guān)法律、法規(guī)，自主開展各項(xiàng)業(yè)務(wù)，務(wù)實(shí)創(chuàng)新，開拓進(jìn)取，不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)質(zhì)量，改善經(jīng)營管理，促進(jìn)企業(yè)持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展，努力實(shí)現(xiàn)股東利益的最大化，促進(jìn)行業(yè)的快速發(fā)展。七、 公司發(fā)展規(guī)劃根據(jù)公司的發(fā)展規(guī)劃，未來幾年內(nèi)公司的資產(chǎn)規(guī)模、業(yè)務(wù)規(guī)模、人員規(guī)模、資金運(yùn)用規(guī)模都將有較大幅度的增長。隨著業(yè)務(wù)和規(guī)模

39、的快速發(fā)展，公司的管理水平將面臨較大的考驗(yàn)，尤其在公司迅速擴(kuò)大經(jīng)營規(guī)模后，公司的組織結(jié)構(gòu)和管理體系將進(jìn)一步復(fù)雜化，在戰(zhàn)略規(guī)劃、組織設(shè)計(jì)、資源配置、營銷策略、資金管理和內(nèi)部控制等問題上都將面對新的挑戰(zhàn)。另外，公司未來的迅速擴(kuò)張將對高級管理人才、營銷人才、服務(wù)人才的引進(jìn)和培養(yǎng)提出更高要求，公司需進(jìn)一步提高管理應(yīng)對能力，才能保持持續(xù)發(fā)展，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)。公司將采取多元化的融資方式，來滿足各項(xiàng)發(fā)展規(guī)劃的資金需求。在未來融資方面，公司將根據(jù)資金、市場的具體情況，擇時(shí)通過銀行貸款、配股、增發(fā)和發(fā)行可轉(zhuǎn)換債券等方式合理安排制定融資方案，進(jìn)一步優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)，籌集推動(dòng)公司發(fā)展所需資金。公司將加快對各方面優(yōu)秀人

40、才的引進(jìn)和培養(yǎng)，同時(shí)加大對人才的資金投入并建立有效的激勵(lì)機(jī)制，確保公司發(fā)展規(guī)劃和目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。一方面，公司將繼續(xù)加強(qiáng)員工培訓(xùn)，加快培育一批素質(zhì)高、業(yè)務(wù)強(qiáng)的營銷人才、服務(wù)人才、管理人才；對營銷人員進(jìn)行溝通與營銷技巧方面的培訓(xùn)，對管理人員進(jìn)行現(xiàn)代企業(yè)管理方法的教育。另一方面，不斷引進(jìn)外部人才。對于行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)杰出的高端人才，要加大引進(jìn)力度，保持核心人才的競爭力。其三，逐步建立、完善包括直接物質(zhì)獎(jiǎng)勵(lì)、職業(yè)生涯規(guī)劃、長期股權(quán)激勵(lì)等多層次的激勵(lì)機(jī)制，充分調(diào)動(dòng)員工的積極性、創(chuàng)造性，提升員工對企業(yè)的忠誠度。公司將嚴(yán)格按照公司法等法律法規(guī)對公司的要求規(guī)范運(yùn)作，持續(xù)完善公司的法人治理結(jié)構(gòu)，建立適應(yīng)現(xiàn)代企業(yè)制度要求

41、的決策和用人機(jī)制，充分發(fā)揮董事會(huì)在重大決策、選擇經(jīng)理人員等方面的作用。公司將進(jìn)一步完善內(nèi)部決策程序和內(nèi)部控制制度，強(qiáng)化各項(xiàng)決策的科學(xué)性和透明度，保證財(cái)務(wù)運(yùn)作合理、合法、有效。公司將根據(jù)客觀條件和自身業(yè)務(wù)的變化，及時(shí)調(diào)整組織結(jié)構(gòu)和促進(jìn)公司的機(jī)制創(chuàng)新。第四章 背景及必要性行業(yè)的周期性、區(qū)域性或季節(jié)性特征1、周期性存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展受到集成電路技術(shù)發(fā)展規(guī)律及下游產(chǎn)品科技進(jìn)步影響，呈現(xiàn)一定的周期性。集成電路技術(shù)發(fā)展規(guī)律是指芯片性能每隔一段時(shí)間提升一倍的摩爾定律，因此，在存儲(chǔ)容量的供給方面，由于技術(shù)的不斷進(jìn)步，更先進(jìn)工藝制程、更高堆疊層數(shù)、更高性能和容量的NANDFlash不斷推出，總的存儲(chǔ)當(dāng)量快速增長，每

42、存儲(chǔ)當(dāng)量的單位價(jià)格呈下降趨勢；同時(shí)，在存儲(chǔ)容量的需求方面，隨著社會(huì)科技進(jìn)步，電子產(chǎn)品數(shù)字化、智能化的快速發(fā)展，社會(huì)各行業(yè)對總存儲(chǔ)當(dāng)量的需求亦呈現(xiàn)上升趨勢。因此，存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展主要受上下游技術(shù)進(jìn)步而帶來的供需結(jié)構(gòu)變化，呈現(xiàn)周期性變動(dòng)的趨勢。2、區(qū)域性就國內(nèi)而言，集成電路產(chǎn)業(yè)主要集中在環(huán)渤海、長三角及珠三角等我國經(jīng)濟(jì)相對發(fā)達(dá)地區(qū)。環(huán)渤海地區(qū)聚集了國內(nèi)頂級高校及科研院所，科技人才眾多，產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢在于高端集成電路的研發(fā)；長三角地區(qū)地理位置優(yōu)越，制造業(yè)基礎(chǔ)較好，產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢在于集成電路的制造；珠三角地區(qū)積聚了國內(nèi)最多的電子產(chǎn)品廠商，是我國集成電路的主要消費(fèi)地，產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢在于市場運(yùn)營。同時(shí)，珠三角地區(qū)也是國內(nèi)主要

43、的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)聚集地和渠道集散地，聚集了大量移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品品牌商、渠道商、外協(xié)加工廠商及芯片設(shè)計(jì)企業(yè)等，其中以深圳華強(qiáng)北電子市場為典型代表，作為中國早期發(fā)展起來的電子元器件集散地與采購中心，其集成了電子產(chǎn)品技術(shù)、零組件制造、主機(jī)板集成、軟件開發(fā)等完善的電子產(chǎn)品要素，成為具備完整產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)業(yè)聚集中心，也是全球存儲(chǔ)類電子產(chǎn)品主要集散地之一。3、季節(jié)性移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品銷售存在一定的季節(jié)性特征，主要與下游終端產(chǎn)品的市場需求相關(guān)。通常情況下，國慶、“雙11”、圣誕節(jié)、春節(jié)期間移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品需求相對旺盛，品牌商或渠道商需要提前備貨準(zhǔn)備，導(dǎo)致對移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求增加，從而導(dǎo)致下半年行業(yè)需求較上半年相對旺盛。集成

44、電路產(chǎn)業(yè)鏈情況集成電路行業(yè)作為全球信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，在產(chǎn)業(yè)資本的驅(qū)動(dòng)下，已逐漸成為衡量一個(gè)國家或地區(qū)綜合競爭力的重要標(biāo)志和地區(qū)經(jīng)濟(jì)的晴雨表。集成電路產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用推動(dòng)了電子時(shí)代的來臨，也成為現(xiàn)代日常生活中必不可少的組成部分。集成電路產(chǎn)業(yè)主要包括集成電路設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝和測試等三個(gè)領(lǐng)域。從經(jīng)營模式來看，集成電路企業(yè)經(jīng)營主要分為IDM模式和Fabless模式。IDM模式是指企業(yè)業(yè)務(wù)覆蓋集成電路的設(shè)計(jì)、制造、封裝和測試的所有環(huán)節(jié)，這種模式對企業(yè)的研發(fā)力量、生產(chǎn)管理能力、資金實(shí)力和業(yè)務(wù)規(guī)模都有極高的要求。目前三星電子（SAMSUNG）、英特爾（Intel）、德州儀器（TexasInstruments

45、）等國際巨頭主要采用這一模式。Fabless模式是指無晶圓生產(chǎn)線集成電路設(shè)計(jì)模式，即企業(yè)只進(jìn)行集成電路的設(shè)計(jì)和產(chǎn)品銷售，將制造、封裝和測試等生產(chǎn)環(huán)節(jié)分別外包給專業(yè)的晶圓制造企業(yè)、封裝和測試企業(yè)來完成。由于無需花費(fèi)巨額資金建立晶圓生產(chǎn)線，F(xiàn)abless廠商可以集中資源專注于集成電路的研發(fā)設(shè)計(jì)，具有“資產(chǎn)輕、專業(yè)強(qiáng)”的特點(diǎn)。NANDFlash存儲(chǔ)市場情況存儲(chǔ)行業(yè)是全球集成電路市場中比重最大的應(yīng)用領(lǐng)域之一，根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織數(shù)據(jù)，2017年至2019年，存儲(chǔ)器芯片占全球集成電路銷售額的比例在35%左右，存儲(chǔ)器芯片是應(yīng)用面最廣、市場份額占比最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。根據(jù)中國海關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，截

46、至2019年，中國集成電路進(jìn)口規(guī)模已經(jīng)連續(xù)數(shù)年超過原油，成為中國進(jìn)口規(guī)模最大的產(chǎn)品品類；其中，存儲(chǔ)器芯片進(jìn)口金額占集成電路進(jìn)口總額的比例超過30%，存儲(chǔ)器芯片嚴(yán)重的進(jìn)口依賴已成為直接影響國家產(chǎn)業(yè)安全和信息安全的重要問題。同時(shí)，受益于國家對存儲(chǔ)器芯片的重視度越來越高，在國家產(chǎn)業(yè)資金和政策層面的高度支持下，國內(nèi)逐步成長出如長江存儲(chǔ)（YMTC）、合肥長鑫等國產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)廠商，其中，長江存儲(chǔ)（YMTC）經(jīng)過多年的研發(fā)和設(shè)備投入，已逐步開始量產(chǎn)并向市場供應(yīng)NANDFlash芯片產(chǎn)品，從根本上打破了NANDFlash芯片長期由境外廠商壟斷的市場格局。另外，目前存儲(chǔ)市場的主控芯片主要來自臺(tái)灣或美國等廠商

47、，國外廠商或臺(tái)資廠商如慧榮科技、美滿電子、點(diǎn)序科技、安國科技等在國內(nèi)閃存主控芯片市場占據(jù)了主要份額，大陸存儲(chǔ)主控芯片技術(shù)尚處于快速成長期，國產(chǎn)閃存主控芯片自給率亦有待進(jìn)一步提升。1、存儲(chǔ)產(chǎn)品分類根據(jù)集成電路市場產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分類，集成電路可以分為存儲(chǔ)器芯片、邏輯芯片、微處理器和模擬芯片，根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織數(shù)據(jù)，2019年全球存儲(chǔ)器芯片、邏輯芯片、微處理器和模擬芯片的市場規(guī)模分別為1,059.07億美元、1,046.17億美元、656.74億美元和541.51億美元，存儲(chǔ)器芯片市場規(guī)模占比最高，其中，根據(jù)存儲(chǔ)器芯片的類型進(jìn)一步細(xì)分，存儲(chǔ)器芯片主要分為非易失性存儲(chǔ)芯片和易失性存儲(chǔ)芯片。其中，NA

48、NDFlash芯片是最重要的存儲(chǔ)器芯片之一，根據(jù)中國閃存市場（CFM）統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年度NANDFlash存儲(chǔ)芯片市場份額約為644億美元，占存儲(chǔ)器芯片全球市場份額的比例約為41%；同時(shí)，受NANDFlash存儲(chǔ)3D工藝技術(shù)不斷成熟、存儲(chǔ)原廠產(chǎn)能擴(kuò)張以及中美貿(mào)易爭端加劇等供、需兩端因素綜合影響，全球存儲(chǔ)器產(chǎn)品市場價(jià)格在2018年至2019年間呈下跌趨勢，2019年度NANDFlash存儲(chǔ)芯片市場份額下降至約461億美元，但占存儲(chǔ)器芯片全球市場份額的比例仍小幅上升至43%左右。NANDFlash存儲(chǔ)芯片主要用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)信息存儲(chǔ)功能，其一般需要與能夠?qū)?shù)據(jù)信息存儲(chǔ)、輸入、輸出等進(jìn)行管理的主控芯

49、片結(jié)合，閃存主控芯片作為與存儲(chǔ)器芯片之間數(shù)據(jù)交換的中介，決定了存儲(chǔ)器的最大容量、存取速度等多個(gè)重要性能參數(shù)以及信息安全性等。因此，NANDFlash存儲(chǔ)產(chǎn)品本質(zhì)上系為由NANDFlash存儲(chǔ)顆粒（即存儲(chǔ)芯片或存儲(chǔ)晶圓）和主控芯片組成的存儲(chǔ)介質(zhì)。根據(jù)產(chǎn)品形態(tài)及接口協(xié)議不同，NANDFlash存儲(chǔ)產(chǎn)品主要被劃分為嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品（如eMMC、UFS）、固態(tài)硬盤（如SSD、PSSD）、存儲(chǔ)卡、存儲(chǔ)盤等，其中，嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品（如eMMC、UFS）主要為應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的嵌入式存儲(chǔ)介質(zhì)，在手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等智能電子產(chǎn)品中進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，一般具有功耗較低、存取速度快且能夠滿足電子產(chǎn)品輕薄化的發(fā)展趨

50、勢；固態(tài)硬盤系為了滿足大容量存儲(chǔ)應(yīng)用場景需求的存儲(chǔ)介質(zhì)，主要包括SSD、PSSD等多種產(chǎn)品形式，被廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦（PC）、數(shù)據(jù)中心、人工智能、工控、安防、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航天、軍工等諸多行業(yè)領(lǐng)域；存儲(chǔ)卡根據(jù)封裝方式及接口協(xié)議不同，主要分為MicroSD卡、SD卡、CF卡、NM卡等多種類型，目前市場中主要以MicroSD卡為主，MicroSD卡最初主要用于功能手機(jī)及智能手機(jī)的基礎(chǔ)存儲(chǔ)配件，過去10年，隨著智能手機(jī)輕薄化的設(shè)計(jì)需求及嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用的興起，MicroSD卡逐漸從手機(jī)市場應(yīng)用轉(zhuǎn)移至GPS設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、行車記錄儀、無人機(jī)、智能音箱等存儲(chǔ)應(yīng)用場景，同時(shí)伴隨著5G應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的加速

51、，高清視頻、照片以及海量應(yīng)用軟件等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求呈進(jìn)一步快速增長趨勢，并帶動(dòng)智能手機(jī)廠商將外接式存儲(chǔ)卡槽重新設(shè)計(jì)進(jìn)入其設(shè)備中作為存儲(chǔ)擴(kuò)展應(yīng)用，以滿足消費(fèi)者日益增長的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求；存儲(chǔ)盤即日常所說的U盤，其作為信息交換的一種移動(dòng)式便捷介質(zhì)，主要用于日常信息的存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移、攜帶等，在人們的工作、學(xué)習(xí)、生活和娛樂中得到廣泛的應(yīng)用。2、NANDFlash存儲(chǔ)晶圓供給及存儲(chǔ)下游行業(yè)情況（1）NANDFlash存儲(chǔ)晶圓供給情況2015年以來，隨著NANDFlash存儲(chǔ)原廠的產(chǎn)品生產(chǎn)工藝不斷更新發(fā)展，存儲(chǔ)晶圓工藝制程、電子單元密度、產(chǎn)品堆疊層數(shù)等經(jīng)歷了較大的技術(shù)更新，市場存儲(chǔ)密度的供給呈現(xiàn)出較快的增長速度。其

52、中，NANDFlash存儲(chǔ)晶圓的下游應(yīng)用主要以嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品（如eMMC、UFS）及固態(tài)硬盤（如SSD、PSSD）產(chǎn)品為主，存儲(chǔ)卡及存儲(chǔ)盤產(chǎn)品近年來保持在總存儲(chǔ)容量的10%左右。（2）NANDFlash下游市場情況5G時(shí)代的到來帶來了大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，隨著云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新一代信息技術(shù)的涌現(xiàn)，全球所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)需求量呈現(xiàn)持續(xù)爆發(fā)性增長的趨勢。根據(jù)IDC機(jī)構(gòu)預(yù)測，到2023年全球數(shù)據(jù)總量將從2018年的33ZB增加到103ZB，2025年將進(jìn)一步提高到175ZB，年復(fù)合增長率將達(dá)到61%。其中，2018年全球所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量中有5ZB保存下來，預(yù)計(jì)到2023年所產(chǎn)生的103ZB數(shù)據(jù)量將有

53、12ZB會(huì)被存儲(chǔ)下來，存儲(chǔ)應(yīng)用市場的增長潛力巨大。智能手機(jī)從全球智能手機(jī)市場來看，根據(jù)中國閃存市場（CFM）數(shù)據(jù)，雖然近幾年整體的出貨量變化不大，年均出貨量保持在14億臺(tái)左右，但單臺(tái)手機(jī)的平均存儲(chǔ)容量有了大幅度的變化，每年以30%以上的增速在增加存儲(chǔ)容量。尤其隨著5G時(shí)代的到來，5G手機(jī)換機(jī)潮將為NANDFlash存儲(chǔ)產(chǎn)品帶來更為強(qiáng)勁的增長動(dòng)力。根據(jù)IDC機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2020年全球5G手機(jī)銷量有望破億臺(tái)，到2023年全球5G手機(jī)占比將增長至智能手機(jī)保有量的28%。同時(shí)，5G手機(jī)的普及會(huì)加速容量需求的增加，5G手機(jī)的存儲(chǔ)容量將向TB級邁進(jìn)。數(shù)據(jù)中心隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)（尤其是視頻產(chǎn)業(yè)的快速

54、發(fā)展）等終端應(yīng)用場景的技術(shù)迭代，智能終端對數(shù)據(jù)流量的需求量高速增長，同時(shí)新興技術(shù)對數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器市場的存儲(chǔ)需求也快速擴(kuò)大。2014-2019年全球互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模不斷增長。與全球互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模相比，中國市場的增速更快。根據(jù)中國IDC圈數(shù)據(jù)，2019年中國互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)規(guī)模達(dá)1,562.5億元，同比增長27.24%，市場規(guī)模絕對值較2018年增長超過330億元。另外，2020年以來，隨著新型冠狀病毒疫情爆發(fā)，出于防控需要，政府和企事業(yè)單位大量使用科技防疫，基于云計(jì)算的遠(yuǎn)程辦公、遠(yuǎn)程教育、電子商務(wù)以及各類生活措施刺激了對數(shù)據(jù)中心的需求。2020年3月，中共中央政治局常務(wù)委員會(huì)召

55、開會(huì)議，明確強(qiáng)調(diào)要加快5G網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進(jìn)度。鑒于此，根據(jù)中國IDC圈數(shù)據(jù)顯示，中國互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心等行業(yè)客戶需求規(guī)模將大幅增長，預(yù)計(jì)2022年，中國互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)市場規(guī)模將超過3,200.5億元，同比增長28.8%。物聯(lián)網(wǎng)市場5G時(shí)代的數(shù)據(jù)需求不僅僅表現(xiàn)在手機(jī)市場，還滲透到各行各業(yè)。根據(jù)StrategyAnalytics預(yù)計(jì)，4G物聯(lián)網(wǎng)模塊的出貨量已接近頂峰，而2023年將是關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，5G物聯(lián)網(wǎng)模塊的數(shù)量將超過4G模塊。物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的過程中，手機(jī)對智能家居的控制，車聯(lián)網(wǎng)大量信息收集、傳輸、儲(chǔ)存等，以及對大數(shù)據(jù)處理、分析、傳輸，都會(huì)刺激更多的存儲(chǔ)需求出現(xiàn)，且容量需求也會(huì)

56、越來越高。移動(dòng)存儲(chǔ)消費(fèi)市場在移動(dòng)存儲(chǔ)消費(fèi)市場，例如數(shù)碼相機(jī)、電腦、手機(jī)、平板、汽車電子、安防監(jiān)控、無人機(jī)、廣告機(jī)等行業(yè)領(lǐng)域市場，對存儲(chǔ)卡、存儲(chǔ)盤等移動(dòng)存儲(chǔ)需求的領(lǐng)域在不斷拓展，且隨著5G產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)整個(gè)電子信息和互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)向高清照片、高清視頻、低延時(shí)即時(shí)傳輸?shù)确较虬l(fā)展，導(dǎo)致移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品全球市場金額增長的同時(shí)，單位存儲(chǔ)產(chǎn)品容量和單價(jià)也呈現(xiàn)上升趨勢。（3）NANDFlash存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格變動(dòng)情況不同類別NANDFlash存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格關(guān)系NANDFlash存儲(chǔ)產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域及應(yīng)用場景廣泛，由于NANDFlash存儲(chǔ)晶圓具有同源性，不同的產(chǎn)品形態(tài)區(qū)別主要在于主控芯片類型、產(chǎn)品接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)以及更底層的NANDFlash品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)處理過程等方面，導(dǎo)致各類型存儲(chǔ)產(chǎn)品在可使用的NANDFlash存儲(chǔ)顆粒原材料上存在重疊，例如高品質(zhì)的64層TLC128G存儲(chǔ)晶圓可以用于生產(chǎn)固態(tài)硬盤或eMMC產(chǎn)品，也可以用于生產(chǎn)高性能的存儲(chǔ)卡產(chǎn)品，存儲(chǔ)顆粒最終形成何種產(chǎn)品形態(tài)主要根據(jù)經(jīng)濟(jì)價(jià)值最大化原則由市場形成資源配置。因此，受存儲(chǔ)原廠NANDFlash存儲(chǔ)晶圓產(chǎn)能影響，各類型NANDFlash存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格存在相互影響，整體波動(dòng)趨勢上具有一致性，例如存儲(chǔ)卡、存儲(chǔ)盤等產(chǎn)品的價(jià)格走勢也會(huì)受到固態(tài)硬盤產(chǎn)品供需變動(dòng)影響，可能隨著