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1、1 電子與物質(zhì)相互作用可以得到哪些物理信息 答:可以獲得以下七種信息:(1)透射電子(2) 二次電子(3)背散射電子(4)特征X射線(5)陰極熒光(6)俄歇電子(7)吸收電子2 何為二次電子掃描電鏡中二次電子像的襯度與什么因素有關(guān)為什么二次電子是指在入射電子作用下被轟擊出來(lái)并離開(kāi)樣品表面的原子的核外電子,二次電 子的襯度與兩個(gè)因素有關(guān):(1)入射束的能量,在入射電子能量在2-3KW時(shí),二次電子發(fā)射系數(shù)達(dá)到最大,襯度明顯(2)入射電子束在試樣表面的傾斜角度,因?yàn)?(0)=3 O/cos 0 , S 0為B =0o時(shí)的二次電子系數(shù), 當(dāng)傾斜角度增加時(shí), 二次電子發(fā)射系數(shù)增大, 襯度也明顯, 二次電
2、子像也最 適宜觀察試樣的表面形貌。3 何為背散射電子掃描電鏡中背散射電子襯度與什么因素有關(guān)為什么背散射電子是指電子射入試樣后,受到原子的彈性和非彈性散射,有一部分電子的總散 射角大于 90,重新從試樣表面逸出的電子。背散射電子襯度與兩個(gè)因素有關(guān):(1 )原子序數(shù)。隨著原子序數(shù)的增加,背散射電子的發(fā)射系數(shù)增加。(2)試樣表面傾角。試樣表面傾角增加時(shí),作用體積改變,將顯著增加背散射電子發(fā)射系數(shù)。4 了解透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)。透射電子顯微鏡主要由光學(xué)成像系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和電氣系統(tǒng)組成。光學(xué)成像系統(tǒng)包括照明部分、透鏡成像放大系統(tǒng)和圖像觀察記錄部分。 照明部分包括電子槍和聚光鏡。成像放大系統(tǒng)包括物鏡、中間
3、鏡、投影鏡、試樣臺(tái)組成。 圖像記錄部分有熒光屏、照相盒和望遠(yuǎn)鏡。電氣系統(tǒng)包括燈絲電源、高壓電源和使電子槍產(chǎn)生穩(wěn)定的高能照明電子束。5 什么是散射襯度它與哪些因素有關(guān)散射襯度也稱(chēng)為質(zhì)厚襯度,它是指穿過(guò)樣品且散射角度小的那些電子即彈性散射所形成的襯度, 散射襯度與樣品的密度、原子序數(shù)、厚度等因素有關(guān),6 什么是電子衍射它滿足什么方程 電子衍射是指當(dāng)一定能量的電子束落到晶體上時(shí),被晶體中原子散射,各散射電 子波之間產(chǎn)生互相干涉現(xiàn)象。它滿足勞厄方程或布拉格方程,并滿足電子衍射的基本公式L入=Rd7 什么是電子衍射襯度的明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像用物鏡光闌擋去衍射束, 只讓透射束通過(guò)形成的電子圖像, 有衍射的為暗象
4、, 無(wú)衍射的 為明象,這樣形成的為明場(chǎng)象( BF);暗場(chǎng)像指用物鏡光闌擋去透射束及其余衍射束, 讓一束強(qiáng)衍射束通過(guò)形成的電子圖像, 無(wú)衍射的為暗像,有衍射的為明像,這樣形成的為暗場(chǎng)像8 掃描電鏡二次電子像和背散射電子像各反映的是試樣的何種信息誰(shuí)的分辨率更高二次電子像主要反映試樣表面的形貌特征。背散射電子像主要反映的是樣品表面形貌和成分分布。二次電子像的分辨率更高。9什么叫電子探針 X射線顯微分析有哪兩大類(lèi)具體的分析方法有哪些電子探針X射線顯微分析是利用一束細(xì)聚焦電子束轟擊樣品,產(chǎn)生二次電子、背散射電子、特征X射線等各種物理信號(hào),并研究微米級(jí)區(qū)域樣品的表面形貌、化學(xué)元素的定性、定量及其分布分析的
5、一種分析方法。分為波譜分析和能譜分析兩大類(lèi) 電子探針?lè)治龅木唧w的分析方法有定點(diǎn)定性分析、 線掃描分析、 面掃描分析和定點(diǎn)定量 分析,17. 透射電子顯微鏡的電子顯微圖像包括哪幾種類(lèi)型產(chǎn)生機(jī)制是什么 答:透射電子顯微鏡的電子顯微圖像包括振幅襯度和相位襯度。(1)相位襯度:透射束與散射束相互干涉引起的。(2)振幅襯度:a、質(zhì)厚襯度,非晶試樣中各部分厚度和密度差別導(dǎo)致對(duì)入射電子的散 射程度不同引起的:b、衍射襯度,晶體薄膜內(nèi)各部分滿足衍射條件的程度不同而引起的。19散射襯度與什么因素有關(guān)這種圖像主要用來(lái)觀察什么答:散射襯度也稱(chēng)為質(zhì)厚襯度, 它是指穿過(guò)樣品且散射角度小的那些電子即彈性散射所形 成的襯度
6、, 散射襯度與樣品的密度、原子序數(shù)、厚度等因素有關(guān),這種圖像主要用來(lái)觀察 非晶試樣和復(fù)形膜樣品所成圖像。20散射襯度像上試樣厚、密度大的地方圖像顯得暗,為什么答: 由于散射襯度即質(zhì)厚襯度與試樣的密度、 原子序數(shù)及試樣厚度有關(guān), 對(duì)于同一物質(zhì)的 試樣、原子序數(shù)相同,試樣厚的地方,散射電子穿過(guò)樣品所走的路程長(zhǎng),散射損失能量大, 散射角大, 圖像就較暗, 試樣密度大的地方, 入射電子與樣品內(nèi)電子或原子核碰撞的幾率大、 次數(shù)多,散射損失能量大,散射角亦大,圖像就比較暗。所以,散射襯度像上的試樣厚、密度大的地方圖像顯得暗。21衍襯象的襯度是怎么產(chǎn)生的利用這種圖像可觀察干什么答:衍射襯度是由晶體薄膜內(nèi)各部
7、分滿 足衍射條件的程度不同而形成的襯度。 根據(jù)衍射 襯度原理形成的電子圖像稱(chēng)為衍射襯度像, 利用這種圖像可觀察晶體缺陷, 如位錯(cuò)、 層錯(cuò)等。 22. 何謂明場(chǎng)象何謂暗場(chǎng)象答:用物鏡光欄擋去衍射束,讓透射束成像,有衍射的為暗象,無(wú)衍射的為明象,這樣形 成的為明場(chǎng)象;暗場(chǎng)像指用物鏡光欄擋去透射束及其余衍射束,讓一束強(qiáng)衍射束成像,則無(wú)衍射的為 暗像,有衍射的為明像。24何謂二次電子掃描電鏡中二次電子像的襯度與什么因素有關(guān)為什么最適宜觀察什么 答:二次電子是指在入射電子作用下被轟擊出來(lái)并離開(kāi)樣品表面的原子的核外電子,二次 電子的襯度與兩個(gè)因素有關(guān):(1 )入射電子的能量,入射電子能量在2-3KW時(shí),二
8、次電子發(fā)射系數(shù)達(dá)到最大,襯度明顯(2)入射電子束在試樣表面的傾斜角度,因?yàn)?(0) =3 O/cos 0 , S 0為B =0o時(shí)的二次電子系數(shù), 當(dāng)傾斜角度增加時(shí), 二次電子發(fā)射系數(shù)增大, 襯度也明顯, 二次電子像也最適宜 觀察試樣的表面形貌。25. 何謂背散射電子掃描電鏡中背散射電子襯度與什么因素有關(guān)為什么最適宜觀察什么答:背散射電子是指入射電子與試樣的相互作用經(jīng)多次散射后, 重新逸出試樣表面的電子, 背散射電子襯度與試樣的形貌及成分有關(guān), 因?yàn)楸成⑸潆娮拥漠a(chǎn)額隨試樣原子序數(shù)的增大而 增大,其來(lái)自試樣表面幾百納米的深度范圍, 背散射電子襯度最適宜觀察試樣的平均原子序 數(shù)兼形貌。26掃描電鏡
9、中二次電子像為什么比背散射電子像的分辨率更高答:(1)二次電子來(lái)自試樣表面很淺的深度,信息束斑小,分辯率高,背散射電子是來(lái)自 試樣表面較深的范圍,信息束斑大,分辨率小。 ( 2)二次電子像無(wú)影像,背散射電子像是有 影像的,因此,二次電子像分辨率高。27.電子探針X射線顯微分析有哪兩大類(lèi)具體的分析方法有哪些答:可分為波譜分析和能譜分析兩大類(lèi)具體的分析方法有定點(diǎn)定性分析,定點(diǎn)定量分析,線掃描分析和面掃描分析48. 什么叫光電效應(yīng)答:當(dāng)具有一定能量 hv的入射光子與樣品中的原子相互作用時(shí),單個(gè)光子把全部能量 交換給原子某殼層上一個(gè)受束縛的電子, 這個(gè)電子就獲得了這個(gè)能量。 如果該能量大于該電 子的結(jié)
10、合能 Eb,該電子就將脫離原來(lái)受束縛的能級(jí);若還有多余的能量可以使電子克服功 函數(shù)W則電子就成為自由電子、并獲得一定的動(dòng)能Ek,并且h v =Eb+Ek+W該過(guò)程就稱(chēng)為光電效應(yīng)。49. X射線光電子能譜法的基本原理答:利用X射線光子激發(fā)原子的內(nèi)層電子,產(chǎn)生光電子:不同元素的內(nèi)層能級(jí)的電子結(jié)合 能具有特定的值;通過(guò)測(cè)定這些特定的值可定性鑒定除H和He之外的全部元素;對(duì)峰的強(qiáng)度采用靈敏度因子法進(jìn)行定量分析。50. 什么是化學(xué)位移答:由于原子所處的化學(xué)環(huán)境不同而引起的原子內(nèi)殼層電子結(jié)合能的變化,在譜圖上表現(xiàn)為譜線的位移,這種現(xiàn)象稱(chēng)為化學(xué)位移。51. 化學(xué)位移的影響因素有哪些1)氧化作用使內(nèi)層電子的結(jié)合能升高,氧化中失電子數(shù)增加,上升幅度增大; 2)還原作用使內(nèi)層電子的結(jié)合能降低,還原中得電子數(shù)增加,下降幅度增大;3)對(duì)于給定的價(jià)殼層結(jié)構(gòu)的原子,所有內(nèi)層電子的位移
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