結(jié)型場效應(yīng)晶體管740392

1、1.場效應(yīng)晶體管介紹 n什么是場效應(yīng)管? 場效應(yīng)晶體管【Field Effect Transistor縮寫(FET)】 簡稱場效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型 晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件. DS 電 流 電場 1965年，按照摩爾老先生在文章 中提出，芯片上集成的晶體管數(shù) 量大約每18個月就將翻一番。 1971年，Intel發(fā)布了第一個微處理器 4004。4004采用10微米工藝生產(chǎn)， 僅包含2300多個晶體管，時鐘頻率 為108KHz。 1974年，主頻為2MHz的8位微處理器8080問世，它 采用6微米工藝，集成了6000個晶體管。由于它采 用了NMOS（N溝道MOS）電

2、路，因此運算速度比 8008快10倍，后者采用了PMOS（P溝道MOS）電 路。之后，在1978年Intel又陸續(xù)推出了8086處理器， 這時工藝已經(jīng)縮減為3微米工藝，含2.9萬個晶體管， 頻率有4.77MHz、8MHz和10MHz。 到了1983年，Intel首次推 出了新型處理器286，它含有 13.4萬個晶體管，頻率為6MHz、 8MHz、10MHz和12.5MHz。 隨后1985年，推出了386處理 器，含27.5萬個晶體管，頻率 為1633MHz，具備初級多任 務(wù)處理能力）等處理器。1989 年，Intel發(fā)布了486處理器。這 款經(jīng)過4年開發(fā)和3億美金投入 的處理器首次突破了100

3、萬個 晶體管大關(guān)，主頻也從25MHz 逐步提高到33MHz、40MHz、 50MHz、66MHz，此時，處理 器工藝已經(jīng)全面采用了1微米 工藝，并且在芯片內(nèi)集成了 125萬個晶體管，這時芯片內(nèi) 的晶體管數(shù)量已經(jīng)超過了Intel 4004處理器內(nèi)晶體管數(shù)量的五 百倍。 直到1993年，采用800納米的奔騰 （Pentium）的出世，讓CPU全面從微米 時代跨入了納米時代。奔騰含有310萬 個晶體管，代表型號有Pentium 60 （60MHz）和Pentium 66（66MHz）。 此后，Intel又推出了奔騰75MHz 120MHz，制造工藝則提高到500納米， 此后CPU發(fā)展直接就跳轉(zhuǎn)至35

4、0nm工藝 時代。 Pentium MMX, Intel于1996 年發(fā)明在0.35微米工藝的幫 助下，工作頻率突破了 200MHz 0.35um 0.25um 0.18um 1997-2002 （.35&.25&.18時代） 0.13um 2002年 0.045um 2008年 0.09um 雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的異同： 對比雙極和FET: 速度,功耗,應(yīng)用,工 藝水平,控制方式(電壓/電流). 場效應(yīng)管的分類: n場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大 類 n按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道 和P溝道兩種. n按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型場效應(yīng) 管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管

5、既有耗 盡型的,也有增強型的。 2.JFET基本原理 S D G 理想對稱結(jié)構(gòu)結(jié)型場效應(yīng)晶體管理想對稱結(jié)構(gòu)結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET J: junction F: field E: effect T: transistor Metal P+-Si N-Si N+-Si SD N溝道溝道JFET正常狀態(tài)下的偏置方式正常狀態(tài)下的偏置方式 P+ N P+ G IDS/mA VDS/V 非非 飽飽 和和 區(qū)區(qū) 飽和區(qū)飽和區(qū) 擊擊 穿穿 區(qū)區(qū) VGS=0 a b c VDSat IDS/mA VGS/V VP IDSS 轉(zhuǎn)移特性與輸出轉(zhuǎn)移特性與輸出 特性密切相關(guān)特性密切相關(guān)N管：管：VP0 當(dāng)當(dāng)VGS=V

6、P 溝道被夾斷溝道被夾斷 0.7 VGS=0 VDS很小很小 SD P+ N P+ G S P+ N P+ G P VGS=0 VDS=VDSat D VGS=0 VDSVDSat S D P+ N P+ G P 3.直流特性 1. PN節(jié)空間電荷區(qū)寬度和電壓關(guān)系 2.開始導(dǎo)通和飽和的原理 定義夾斷電壓: 在源漏電壓為0時,使溝道完全 閉合的電壓 qN V X D 0 2 0 2 2 aqN V D p n導(dǎo)通柵源閾值電壓: n飽和漏源電壓: 0 2 2 aqN VVV D PTGS 0 2 0 2 2 2 aqN VVVVV aqN VVVV D GSPGSDsatDS D PDSGSGD

7、Dsat V T V 飽和區(qū) 工作條件: 0 2 0 2 0 2 0 2 0 2 22 2 2 .2 2 .1 aqN VV aqN aqN VV aqN VV VVV aqN V VV D DSGS D D DSGS D GSDS PGSDS D GS TGS 非飽和區(qū) 工作條件: DS D GS D DSGS D GSDS PGSDS D GS TGS V aqN V aqN VV aqN VV VVV aqN V VV 0 2 0 2 0 2 0 2 2 2 2 . 2 2 . 1 n非飽和區(qū)電流公式： 2 3 2 3 0 0 2 3 2 GSDGSDDS D DSD VVVVV qNa

8、 VGI L NaWq G Dn 2 0 其中其中 是兩個冶金結(jié)間形成溝道之是兩個冶金結(jié)間形成溝道之電導(dǎo)電導(dǎo) VD是結(jié)接觸電勢差是結(jié)接觸電勢差 2 ln i DA D n NN q kT V n飽和電流公式： 2 1 00 231 P GSBJ P GSBJ DSSDsat V VV V VV II L NWqa I Dn DSS 0 223 3 其中其中 是最大飽和漏極電流是最大飽和漏極電流 是本征夾斷電壓，漏源電壓為零時柵結(jié)是本征夾斷電壓，漏源電壓為零時柵結(jié) 耗盡層穿通整個溝道所需的柵源電位差耗盡層穿通整個溝道所需的柵源電位差 0 2 0 2 aqN V D P n最大飽和電流： L NW

9、qa I Dn DSS 0 223 3 0 BJGS VV 節(jié)壓降為PNVBJ: 2 1 2 12 1 0 0 1 GSBJGSBJDS P m VVVVV V Gg 跨導(dǎo)定義跨導(dǎo)定義： 非飽和區(qū)跨導(dǎo)非飽和區(qū)跨導(dǎo)： 2 1 0 0 1 P GSBJ ms V VV Gg 飽和區(qū)跨導(dǎo)飽和區(qū)跨導(dǎo)： L W qNaGg Dnm 2 0max 最大飽和區(qū)跨導(dǎo)最大飽和區(qū)跨導(dǎo)： 常數(shù) DS V GS DS m V I g 最小溝道電阻最小溝道電阻Rmin 0 min 1 2)(2GaWNq L WxaNq L R I V R DnDDn DS DS 時，當(dāng)00 DSGS VV 從輸出特性看幾個參數(shù) IDS

10、/mA VDS/V 非非 飽飽 和和 區(qū)區(qū) 飽和區(qū)飽和區(qū) 擊擊 穿穿 區(qū)區(qū) VGS=0 a b c VDSat = 7v VGS=-1 VGS=-2 VGS=-3 總結(jié) n對比雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管 n理解理解JFET的工作原理 n掌握掌握J(rèn)FET工作在不同區(qū)域的條件，以及 夾斷電壓的定義 n了解了解JFET的電流公式，飽和電流公式， 最大飽和電流公式，最大跨導(dǎo)公式（電 阻），以及影響它們的條件 4 4、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 n場效應(yīng)管是利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體中的載流子，場效應(yīng)管是利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體中的載流子， 使流過半導(dǎo)體內(nèi)的電流

11、大小隨電場強弱的改變而變使流過半導(dǎo)體內(nèi)的電流大小隨電場強弱的改變而變 化的電壓控制電流的放大器件。其英文名稱為：化的電壓控制電流的放大器件。其英文名稱為： Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Metal Oxide Semiconductor Filed Effect TransistorTransistor，縮寫為，縮寫為MOSFET MOSFET n場效應(yīng)管是的外型與晶體管（三極管）相似，但它場效應(yīng)管是的外型與晶體管（三極管）相似，但它 除了具有三極管的一切優(yōu)點以外，還具有如下特點：除了具有三極管的一切優(yōu)點以外，還具有如下特點： 絕緣柵型場效應(yīng)晶體

12、管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 2 SiO DS G B N N Al 柵極柵極 P型硅襯底型硅襯底 源極源極 漏極漏極 襯底襯底 結(jié)構(gòu)圖結(jié)構(gòu)圖 它是以它是以塊摻雜濃度較低的塊摻雜濃度較低的P P型硅半導(dǎo)體作為襯底、利型硅半導(dǎo)體作為襯底、利 用擴散的方法在其上形成兩個高摻雜的用擴散的方法在其上形成兩個高摻雜的N N+ +型區(qū)，同時在型區(qū)，同時在P P型型 硅表面生成一層二氧化硅絕緣層。并用硅表面生成一層二氧化硅絕緣層。并用 金屬導(dǎo)線引出三個金屬導(dǎo)線引出三個 電極，分別作為源極電極，分別作為源極(S)(S)、漏極、漏極(D)(D)和柵極（和柵極（G G）。）。 S 源極源極

13、 B 襯底襯底 D 漏極漏極 G 柵極柵極 符號圖符號圖 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 n基本上不需要信號源提供電流基本上不需要信號源提供電流 n輸入阻抗很高（可達(dá)輸入阻抗很高（可達(dá)10109 9101015 15） ） n受溫度和輻射等外界因素影響小，制造工受溫度和輻射等外界因素影響小，制造工 藝簡單、便于集成化等；藝簡單、便于集成化等； n只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，所以又稱其為只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，所以又稱其為 單極性晶體管單極性晶體管 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 場效應(yīng)管的分類場效應(yīng)管的分類 n按封裝形

14、式分：塑料封裝和金屬封裝按封裝形式分：塑料封裝和金屬封裝 n按功率大小分：小功率、中功率和大功率按功率大小分：小功率、中功率和大功率 n按頻率特性分：低頻管、中頻管和高頻管按頻率特性分：低頻管、中頻管和高頻管 n按結(jié)構(gòu)特點分：結(jié)型（按結(jié)構(gòu)特點分：結(jié)型（JFETJFET）和絕緣柵型（）和絕緣柵型（IGFETIGFET） n按導(dǎo)電溝道的不同還可分為：按導(dǎo)電溝道的不同還可分為：N N溝道和溝道和P P溝道，而絕溝道，而絕 緣柵型又可細(xì)分為緣柵型又可細(xì)分為N N溝道增強型和耗盡型，溝道增強型和耗盡型，P P溝道增溝道增 強型和耗盡型兩種。強型和耗盡型兩種。 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管-

15、-結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 N溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號 它是以塊摻雜濃度較低的P型硅半導(dǎo)體作為襯底、利用擴散 的方法在其上形成兩個高摻雜的N+型區(qū)，同時在P型硅表面生成一 層二氧化硅絕緣層。并用 金屬導(dǎo)線引出三個電極，分別作為源極 (S)、漏極(D)和柵極（G）。 2 SiO DS G B N N Al 柵極柵極 P型硅襯底型硅襯底 源極源極 漏極漏極 襯底襯底 結(jié)構(gòu)圖結(jié)構(gòu)圖 S 源極源極 B 襯底襯底 D 漏極漏極 G 柵極柵極 符號圖符號圖 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 n絕緣柵場效應(yīng)管是利用柵源電壓的大小，來改變半絕緣柵場效應(yīng)管是利用柵

16、源電壓的大小，來改變半 導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大 小。小。 N N溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管工作原理溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管工作原理 1.UGS=01.UGS=0時，沒有導(dǎo)電溝道時，沒有導(dǎo)電溝道 G S D 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 當(dāng)柵源短路當(dāng)柵源短路( (即柵源電壓即柵源電壓U UGS GS=0 =0時，源區(qū)時，源區(qū)(N(N+ +型型) )、 襯底襯底(P(P型型) )和漏區(qū)和漏區(qū)(N(N+ +型型) )形成兩個背靠背約形成兩個背靠背約PNPN結(jié)，結(jié)， 不管不管E ED D的極性如何

17、，其中總有一個的極性如何，其中總有一個PNPN結(jié)是反偏。結(jié)是反偏。 如果源極如果源極S S與襯底相連接地，漏極接電源的正極，與襯底相連接地，漏極接電源的正極， 那么漏極與襯底之間的那么漏極與襯底之間的PNPN結(jié)果也是反偏的，所以結(jié)果也是反偏的，所以 漏源之間沒有形成導(dǎo)電溝道，因此漏極電流漏源之間沒有形成導(dǎo)電溝道，因此漏極電流 I ID D=0(=0(相當(dāng)于漏源之間的電阻很大相當(dāng)于漏源之間的電阻很大) )。 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 當(dāng)柵源之間加反向電壓當(dāng)柵源之間加反向電壓 ( (柵極接正極，源極接負(fù)柵極接正極，源極接負(fù) 極極) )，則柵極，則柵極(

18、 (鋁層鋁層) )和和P P型型 硅片相當(dāng)于以二氧化硅為硅片相當(dāng)于以二氧化硅為 介質(zhì)的平行板電容器，在介質(zhì)的平行板電容器，在 柵源電壓作用下，產(chǎn)生一柵源電壓作用下，產(chǎn)生一 個垂直于半導(dǎo)體表面的由個垂直于半導(dǎo)體表面的由 柵極指向襯底的電場。柵極指向襯底的電場。 2.U2.UGSGSUUGSGS（thth）時，出現(xiàn)時，出現(xiàn)N N溝道溝道 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 當(dāng)柵源電壓當(dāng)柵源電壓U UGS GS達(dá)到一定數(shù)值 達(dá)到一定數(shù)值 時。這些電子在柵極附近的時。這些電子在柵極附近的P P型硅型硅 片表面形成一個片表面形成一個N N型薄層，將漏極型薄層，將漏極

19、和源極溝通，稱為和源極溝通，稱為N N溝道。由于此溝道。由于此 溝道是由柵源電壓感應(yīng)產(chǎn)生的，溝道是由柵源電壓感應(yīng)產(chǎn)生的， 所以又稱為感生溝通，如圖所示。所以又稱為感生溝通，如圖所示。 另一方面，由于它與另一方面，由于它與P P型襯底型別型襯底型別 相反，所以，又稱它為反型層。相反，所以，又稱它為反型層。 顯然，柵源電壓愈強，感生溝道顯然，柵源電壓愈強，感生溝道 （反型層）愈厚，溝道電阻愈小。（反型層）愈厚，溝道電阻愈小。 這種在這種在U UGS GS=0 =0時沒有導(dǎo)電溝道，而時沒有導(dǎo)電溝道，而 必須依靠柵源電壓才能形成感生必須依靠柵源電壓才能形成感生 溝道的場效應(yīng)管，稱為增強型絕溝道的場效應(yīng)

20、管，稱為增強型絕 緣柵場效應(yīng)管。緣柵場效應(yīng)管。 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 一旦出現(xiàn)了感生溝一旦出現(xiàn)了感生溝 道，原來被道，原來被P P型襯底隔開型襯底隔開 的兩個的兩個N N+ +型區(qū)型區(qū)( (源極和漏源極和漏 極極) )，就被感生溝道連在，就被感生溝道連在 一起了。因此，在漏源一起了。因此，在漏源 電壓的作用下，將有漏電壓的作用下，將有漏 極電流極電流I ID D產(chǎn)生。一般把在產(chǎn)生。一般把在 漏源電壓作用下開始導(dǎo)漏源電壓作用下開始導(dǎo) 電的柵源電壓，叫開啟電的柵源電壓，叫開啟 電壓電壓U UGS GS（thth）。 。 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型

21、場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 增強型場效應(yīng)管只有在只有在增強型場效應(yīng)管只有在只有在U UGS GS U UGS GS（thth） 時，調(diào)節(jié)時，調(diào)節(jié)U UGS GS，改變導(dǎo)電溝道的厚度，從而在相 ，改變導(dǎo)電溝道的厚度，從而在相 同的同的U UDS DS 作用下，有效的控制漏極電流 作用下，有效的控制漏極電流I ID D的大小。的大小。 工作原理總結(jié)工作原理總結(jié) 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -特性曲線特性曲線 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 N N溝道增強型溝道增強型MOSFETMOSFET的轉(zhuǎn)移特性如圖的轉(zhuǎn)移特性如圖 所示。其主要特點為：所示。其主要特點為： (1)(1)當(dāng)當(dāng)u

22、uGS GSU U UGSth GSth時， 時， i iD D 0 0，u uGS GS越大， 越大， i iD D也隨之增大，二者符合平方律關(guān)系，也隨之增大，二者符合平方律關(guān)系， 如下式所示。如下式所示。 2 )( 2 GSthGS oxn D Uu L WCu i N 溝道增強型溝道增強型 MOSFET的轉(zhuǎn)移特的轉(zhuǎn)移特 性性 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -特性曲線特性曲線- -輸出特性輸出特性 N N溝道增強型溝道增強型MOSFETMOSFET的輸出特性如圖所示。它分為恒流的輸出特性如圖所示。它分為恒流 區(qū)、可變電阻區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。其特點為：區(qū)、可變電阻區(qū)、截止區(qū)和擊

23、穿區(qū)。其特點為： （1 1）夾斷區(qū)（截止區(qū)）夾斷區(qū)（截止區(qū)） 當(dāng)當(dāng)U UGS GS U UGS GS（thth）時，反型層導(dǎo) 時，反型層導(dǎo) 電溝道被完全夾斷，電溝道被完全夾斷，I ID D=0=0，場，場 效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。 (2)(2)可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) 在此區(qū)域內(nèi)，在此區(qū)域內(nèi)，U UDS DS很小，導(dǎo) 很小，導(dǎo) 電溝道主要受電溝道主要受U UGS GS的控制。 的控制。 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -特性曲線特性曲線 當(dāng)當(dāng)U UDS DS較大時，出現(xiàn)夾斷區(qū)， 較大時，出現(xiàn)夾斷區(qū)，I ID D趨于飽和。趨于飽和。 (3)(3)恒流區(qū)恒流區(qū) 在一定的在一

24、定的UGSUGS下，當(dāng)下，當(dāng)UDSUDS增大道一定程度時，漏極增大道一定程度時，漏極 電流急劇增加，稱為場效應(yīng)管被擊穿。電流急劇增加，稱為場效應(yīng)管被擊穿。 (4)(4)擊穿區(qū)擊穿區(qū) 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -主要參數(shù)主要參數(shù) 當(dāng)當(dāng)U UDSDS為某一固定數(shù)值時，使溝道將漏、源極連結(jié)起來為某一固定數(shù)值時，使溝道將漏、源極連結(jié)起來 的最小的柵源電壓的最小的柵源電壓U UGSGS就是開啟電壓就是開啟電壓U UGSGS（thth）它只適用于它只適用于 增強型場效應(yīng)管。增強型場效應(yīng)管。 u開啟電壓開啟電壓U UGSGS（thth） 最大漏源電壓是指漏極電流開始急劇上升，發(fā)生雪最大漏源

25、電壓是指漏極電流開始急劇上升，發(fā)生雪 崩擊穿時所對應(yīng)的崩擊穿時所對應(yīng)的U UDSDS值。值。 u最大漏源電壓最大漏源電壓 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -特性曲線特性曲線 | DS D mUconst GS I g U 在在UDSUDS常數(shù)時，漏極電流的微變量與引起這個微變量常數(shù)時，漏極電流的微變量與引起這個微變量 的柵源電壓的微變量之比稱為跨導(dǎo)，即的柵源電壓的微變量之比稱為跨導(dǎo)，即 u低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo)g gm m 場效應(yīng)管的耗散功率等于場效應(yīng)管的耗散功率等于U UDS DS和 和I ID D的乘積，這些耗散在管子的乘積，這些耗散在管子 中的功率將變?yōu)闊崮?，使管子的溫度升高。為?/p>

26、限制它的溫中的功率將變?yōu)闊崮?，使管子的溫度升高。為了限制它的?度不要升得太高就要限制它的耗散功率不能超過最大值度不要升得太高就要限制它的耗散功率不能超過最大值P PDSM DSM。 。 顯然，顯然，P PDSM DSM受管于的最高工作溫度的限制。 受管于的最高工作溫度的限制。 u漏極最大耗散功率漏極最大耗散功率P PDSM DSM DDSDSM IUP 2.JFET基本原理 S D G 理想對稱結(jié)構(gòu)結(jié)型場效應(yīng)晶體管理想對稱結(jié)構(gòu)結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET J: junction F: field E: effect T: transistor Metal P+-Si N-Si N+-Si SD N溝道溝道JFET正常狀態(tài)下的偏置方式正常狀態(tài)下的偏置方式 P+ N P+ G n最大飽和電流： L NWqa I Dn DSS 0 223 3 0 BJGS VV 節(jié)壓降為PNVBJ: 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管- -結(jié)構(gòu)工作原理結(jié)構(gòu)工作原理 N溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號 它是以塊摻雜濃度較低的P型硅半導(dǎo)體作為襯底、利用擴散 的方法在其上形成兩個高摻雜的N+型區(qū)，同時在P型硅表面生成一 層二氧化硅絕緣層。并用 金屬導(dǎo)線引出三個電極，分別作為源極 (S)、漏極