江蘇半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目投資計(jì)劃書(shū)（參考模板）

1、泓域咨詢(xún) /江蘇半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目投資計(jì)劃書(shū)江蘇半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目投資計(jì)劃書(shū)xx投資管理公司目錄第一章 項(xiàng)目概述7一、 項(xiàng)目名稱(chēng)及建設(shè)性質(zhì)7二、 項(xiàng)目承辦單位7三、 項(xiàng)目定位及建設(shè)理由8四、 報(bào)告編制說(shuō)明9五、 項(xiàng)目建設(shè)選址11六、 項(xiàng)目生產(chǎn)規(guī)模11七、 建筑物建設(shè)規(guī)模11八、 環(huán)境影響12九、 原輔材料及設(shè)備12十、 項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成13十一、 資金籌措方案13十二、 項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)13十三、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度規(guī)劃14主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表14第二章 項(xiàng)目背景分析17一、 半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢(shì)17二、 行業(yè)發(fā)展情況和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)19三、 項(xiàng)目實(shí)施的必要性21第三章 建設(shè)單位基本情況23

2、一、 公司基本信息23二、 公司簡(jiǎn)介23三、 公司競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)24四、 公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)26公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)26公司合并利潤(rùn)表主要數(shù)據(jù)26五、 核心人員介紹27六、 經(jīng)營(yíng)宗旨28七、 公司發(fā)展規(guī)劃28第四章 市場(chǎng)分析31一、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類(lèi)31二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類(lèi)36三、 SOI硅片市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景41第五章 選址分析44一、 項(xiàng)目選址原則44二、 建設(shè)區(qū)基本情況44三、 創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展48四、 社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展目標(biāo)50五、 產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向52六、 項(xiàng)目選址綜合評(píng)價(jià)56第六章 產(chǎn)品方案分析58一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容58二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)58產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表59

3、第七章 發(fā)展規(guī)劃分析60一、 公司發(fā)展規(guī)劃60二、 保障措施61第八章 運(yùn)營(yíng)管理模式64一、 公司經(jīng)營(yíng)宗旨64二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé)64三、 各部門(mén)職責(zé)及權(quán)限65四、 財(cái)務(wù)會(huì)計(jì)制度68第九章 SWOT分析說(shuō)明72一、 優(yōu)勢(shì)分析（S）72二、 劣勢(shì)分析（W）74三、 機(jī)會(huì)分析（O）74四、 威脅分析（T）75第十章 原材料及成品管理79一、 項(xiàng)目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況79二、 項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理79第十一章 工藝技術(shù)及設(shè)備選型81一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析81二、 項(xiàng)目技術(shù)工藝分析84三、 質(zhì)量管理85四、 項(xiàng)目技術(shù)流程86五、 設(shè)備選型方案87主要設(shè)備購(gòu)置一覽表88第十二章 人力

4、資源配置89一、 人力資源配置89勞動(dòng)定員一覽表89二、 員工技能培訓(xùn)89第十三章 項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)92一、 編制依據(jù)92二、 環(huán)境影響合理性分析93三、 建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析94四、 建設(shè)期水環(huán)境影響分析95五、 建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析95六、 建設(shè)期聲環(huán)境影響分析95七、 建設(shè)期生態(tài)環(huán)境影響分析97八、 營(yíng)運(yùn)期環(huán)境影響98九、 清潔生產(chǎn)99十、 環(huán)境管理分析100十一、 環(huán)境影響結(jié)論102十二、 環(huán)境影響建議102第十四章 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)分析104一、 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)分析104二、 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)對(duì)策106第十五章 總結(jié)評(píng)價(jià)說(shuō)明108第十六章 附表110主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表110建設(shè)投資估算表111建設(shè)期

5、利息估算表112固定資產(chǎn)投資估算表113流動(dòng)資金估算表113總投資及構(gòu)成一覽表114項(xiàng)目投資計(jì)劃與資金籌措一覽表115營(yíng)業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表116綜合總成本費(fèi)用估算表117利潤(rùn)及利潤(rùn)分配表118項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表119借款還本付息計(jì)劃表120本期項(xiàng)目是基于公開(kāi)的產(chǎn)業(yè)信息、市場(chǎng)分析、技術(shù)方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進(jìn)行的模板化設(shè)計(jì)，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報(bào)告僅作為投資參考或作為學(xué)習(xí)參考模板用途。第一章 項(xiàng)目概述一、 項(xiàng)目名稱(chēng)及建設(shè)性質(zhì)（一）項(xiàng)目名稱(chēng)江蘇半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目（二）項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì)本項(xiàng)目屬于技術(shù)改造項(xiàng)目二、 項(xiàng)目承辦單位（一）項(xiàng)目承辦單位名稱(chēng)xx投資管理公司（二）項(xiàng)目聯(lián)

6、系人程xx（三）項(xiàng)目建設(shè)單位概況企業(yè)履行社會(huì)責(zé)任，既是實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)、環(huán)境、社會(huì)可持續(xù)發(fā)展的必由之路，也是實(shí)現(xiàn)企業(yè)自身可持續(xù)發(fā)展的必然選擇；既是順應(yīng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展趨勢(shì)的外在要求，也是提升企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力的內(nèi)在需求；既是企業(yè)轉(zhuǎn)變發(fā)展方式、實(shí)現(xiàn)科學(xué)發(fā)展的重要途徑，也是企業(yè)國(guó)際化發(fā)展的戰(zhàn)略需要。遵循“奉獻(xiàn)能源、創(chuàng)造和諧”的企業(yè)宗旨，公司積極履行社會(huì)責(zé)任，依法經(jīng)營(yíng)、誠(chéng)實(shí)守信，節(jié)約資源、保護(hù)環(huán)境，以人為本、構(gòu)建和諧企業(yè)，回饋社會(huì)、實(shí)現(xiàn)價(jià)值共享，致力于實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)、環(huán)境和社會(huì)三大責(zé)任的有機(jī)統(tǒng)一。公司把建立健全社會(huì)責(zé)任管理機(jī)制作為社會(huì)責(zé)任管理推進(jìn)工作的基礎(chǔ)，從制度建設(shè)、組織架構(gòu)和能力建設(shè)等方面著手，建立了一套較為完善

7、的社會(huì)責(zé)任管理機(jī)制。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，公司擁有雄厚的技術(shù)實(shí)力，豐富的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)管理經(jīng)驗(yàn)和可靠的產(chǎn)品質(zhì)量保證體系，綜合實(shí)力進(jìn)一步增強(qiáng)。公司將繼續(xù)提升供應(yīng)鏈構(gòu)建與管理、新技術(shù)新工藝新材料應(yīng)用研發(fā)。集團(tuán)成立至今，始終堅(jiān)持以人為本、質(zhì)量第一、自主創(chuàng)新、持續(xù)改進(jìn)，以技術(shù)領(lǐng)先求發(fā)展的方針。公司秉承“誠(chéng)實(shí)、信用、謹(jǐn)慎、有效”的信托理念，將“誠(chéng)信為本、合規(guī)經(jīng)營(yíng)”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風(fēng)險(xiǎn)控制能力。公司始終堅(jiān)持“人本、誠(chéng)信、創(chuàng)新、共贏”的經(jīng)營(yíng)理念，以“市場(chǎng)為導(dǎo)向、顧客為中心”的企業(yè)服務(wù)宗旨，竭誠(chéng)為國(guó)內(nèi)外客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和一流服務(wù)，歡迎各界人士光臨指導(dǎo)和洽談業(yè)務(wù)。三、 項(xiàng)目定位及建設(shè)理由為提高

8、生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進(jìn)是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時(shí)，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會(huì)使硅片邊緣處的一些區(qū)域無(wú)法被利用，必然會(huì)浪費(fèi)部分硅片。硅片的尺寸越大，相對(duì)而言硅片邊緣的損失會(huì)越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過(guò)200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右?！笆濉睍r(shí)期，江蘇經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的總體目標(biāo)是：全省率先全面建成小康社會(huì)，蘇南有條件的地方在探索基本實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代化的路子上邁出堅(jiān)實(shí)步伐，人民

9、群眾過(guò)上更加美好的生活，經(jīng)濟(jì)強(qiáng)、百姓富、環(huán)境美、社會(huì)文明程度高的新江蘇建設(shè)取得重大成果。面對(duì)錯(cuò)綜復(fù)雜的宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)環(huán)境和艱巨繁重的改革發(fā)展穩(wěn)定任務(wù)，全省深入實(shí)施六大戰(zhàn)略，扎實(shí)推進(jìn)“八項(xiàng)工程”，勝利完成了“十二五”規(guī)劃確定的主要目標(biāo)和任務(wù)，“兩個(gè)率先”取得新的重大成果，“邁上新臺(tái)階、建設(shè)新江蘇”實(shí)現(xiàn)良好開(kāi)局，為“十三五”乃至更長(zhǎng)時(shí)期發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。四、 報(bào)告編制說(shuō)明（一）報(bào)告編制依據(jù)1、國(guó)家經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的長(zhǎng)期規(guī)劃，部門(mén)與地區(qū)規(guī)劃，經(jīng)濟(jì)建設(shè)的指導(dǎo)方針、任務(wù)、產(chǎn)業(yè)政策、投資政策和技術(shù)經(jīng)濟(jì)政策以及國(guó)家和地方法規(guī)等；2、經(jīng)過(guò)批準(zhǔn)的項(xiàng)目建議書(shū)和在項(xiàng)目建議書(shū)批準(zhǔn)后簽訂的意向性協(xié)議等；3、當(dāng)?shù)氐臄M建廠(chǎng)址的自

10、然、經(jīng)濟(jì)、社會(huì)等基礎(chǔ)資料；4、有關(guān)國(guó)家、地區(qū)和行業(yè)的工程技術(shù)、經(jīng)濟(jì)方面的法令、法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)定額資料等；5、由國(guó)家頒布的建設(shè)項(xiàng)目可行性研究及經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)的有關(guān)規(guī)定；6、相關(guān)市場(chǎng)調(diào)研報(bào)告等。（二）報(bào)告編制原則1、堅(jiān)持科學(xué)發(fā)展觀(guān)，采用科學(xué)規(guī)劃，合理布局，一次設(shè)計(jì)，分期實(shí)施的建設(shè)原則。2、根據(jù)行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，合理制定生產(chǎn)綱領(lǐng)和技術(shù)方案。3、堅(jiān)持市場(chǎng)導(dǎo)向原則，根據(jù)行業(yè)的現(xiàn)有格局和未來(lái)發(fā)展方向，優(yōu)化設(shè)備選型和工藝方案，使企業(yè)的建設(shè)與未來(lái)的市場(chǎng)需求相吻合。4、貫徹技術(shù)進(jìn)步原則，產(chǎn)品及工藝設(shè)備選型達(dá)到目前國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。同時(shí)合理使用項(xiàng)目資金，將先進(jìn)性與實(shí)用性有機(jī)結(jié)合，做到投入少、產(chǎn)出多，效益最大化。5、嚴(yán)格遵守“三

11、同時(shí)”設(shè)計(jì)原則，對(duì)項(xiàng)目可能產(chǎn)生的污染源進(jìn)行綜合治理，使其達(dá)到國(guó)家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)。（二） 報(bào)告主要內(nèi)容1、項(xiàng)目背景及市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析；2、建設(shè)規(guī)模的確定；3、建設(shè)場(chǎng)地及建設(shè)條件；4、工程設(shè)計(jì)方案；5、節(jié)能；6、環(huán)境保護(hù)、勞動(dòng)安全、衛(wèi)生與消防；7、組織機(jī)構(gòu)與人力資源配置；8、項(xiàng)目招標(biāo)方案；9、投資估算和資金籌措；10、財(cái)務(wù)分析。五、 項(xiàng)目建設(shè)選址本期項(xiàng)目選址位于xx園區(qū)，占地面積約13.00畝。項(xiàng)目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項(xiàng)目建設(shè)。六、 項(xiàng)目生產(chǎn)規(guī)模項(xiàng)目建成后，形成年產(chǎn)xxx噸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。七、 建筑物建設(shè)規(guī)模本期項(xiàng)目建筑面積1

12、8792.34，其中：生產(chǎn)工程11772.22，倉(cāng)儲(chǔ)工程4433.69，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施1701.87，公共工程884.56。八、 環(huán)境影響該項(xiàng)目在建設(shè)過(guò)程中，必須嚴(yán)格按照國(guó)家有關(guān)建設(shè)項(xiàng)目環(huán)保管理規(guī)定，建設(shè)項(xiàng)目須配套建設(shè)的環(huán)境保護(hù)設(shè)施必須與主體工程同時(shí)設(shè)計(jì)、同時(shí)施工、同時(shí)投產(chǎn)使用。各類(lèi)污染物的排放應(yīng)執(zhí)行環(huán)保行政管理部門(mén)批復(fù)的標(biāo)準(zhǔn)。九、 原輔材料及設(shè)備（一）項(xiàng)目主要原輔材料該項(xiàng)目主要原輔材料包括脂肪酸聚氧、乙烯醚水、脂肪醇聚氧、乙烯醚、脂肪酸聚氧、仲烷基磺酸鈉、脂肪醇聚氧、脂肪酸聚氧、滲透劑、水、消泡劑、天然氣、氨基改性硅油、非離子乳化劑、冰醋酸、多元嵌段硅油、非離子乳化劑、氨基改性硅油、

13、多元嵌段硅油。（二）主要設(shè)備主要設(shè)備包括：自動(dòng)計(jì)量包裝機(jī)、刮邊均質(zhì)攪拌釜、刮邊均質(zhì)攪拌釜、滴加罐、均質(zhì)攪拌釜、軟片反應(yīng)釜、軟片切片機(jī)、軟片包裝運(yùn)輸機(jī)、冷凍機(jī)、乙烯基硅油反應(yīng)釜、冷卻器、回流罐。十、 項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成（一）項(xiàng)目總投資構(gòu)成分析本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動(dòng)資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資7255.94萬(wàn)元，其中：建設(shè)投資5894.77萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的81.24%；建設(shè)期利息80.93萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的1.12%；流動(dòng)資金1280.24萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的17.64%。（二）建設(shè)投資構(gòu)成本期項(xiàng)目建設(shè)投資5894.77萬(wàn)元，包括工程費(fèi)用、工程建設(shè)其他費(fèi)用和預(yù)備

14、費(fèi)，其中：工程費(fèi)用5124.20萬(wàn)元，工程建設(shè)其他費(fèi)用603.63萬(wàn)元，預(yù)備費(fèi)166.94萬(wàn)元。十一、 資金籌措方案本期項(xiàng)目總投資7255.94萬(wàn)元，其中申請(qǐng)銀行長(zhǎng)期貸款3303.24萬(wàn)元，其余部分由企業(yè)自籌。十二、 項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)（一）經(jīng)濟(jì)效益目標(biāo)值（正常經(jīng)營(yíng)年份）1、營(yíng)業(yè)收入（SP）：13900.00萬(wàn)元。2、綜合總成本費(fèi)用（TC）：11304.64萬(wàn)元。3、凈利潤(rùn)（NP）：1894.84萬(wàn)元。（二）經(jīng)濟(jì)效益評(píng)價(jià)目標(biāo)1、全部投資回收期（Pt）：5.76年。2、財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率：19.43%。3、財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值：2024.30萬(wàn)元。十三、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度規(guī)劃本期項(xiàng)目按照國(guó)家基本建設(shè)程序的有

15、關(guān)法規(guī)和實(shí)施指南要求進(jìn)行建設(shè)，本期項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個(gè)月。十四、項(xiàng)目綜合評(píng)價(jià)項(xiàng)目建設(shè)符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策，具有前瞻性；項(xiàng)目產(chǎn)品技術(shù)及工藝成熟，達(dá)到大批量生產(chǎn)的條件，且項(xiàng)目產(chǎn)品性能優(yōu)越，是推廣型產(chǎn)品；項(xiàng)目產(chǎn)品采用了目前國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的工藝技術(shù)方案；項(xiàng)目設(shè)施對(duì)環(huán)境的影響經(jīng)評(píng)價(jià)分析是可行的；根據(jù)項(xiàng)目財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)分析，經(jīng)濟(jì)效益好，在財(cái)務(wù)方面是充分可行的。主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積8667.00約13.00畝1.1總建筑面積18792.341.2基底面積5460.211.3投資強(qiáng)度萬(wàn)元/畝433.282總投資萬(wàn)元7255.942.1建設(shè)投資萬(wàn)元5894.772.1.1工程費(fèi)用萬(wàn)元5124.2

16、02.1.2其他費(fèi)用萬(wàn)元603.632.1.3預(yù)備費(fèi)萬(wàn)元166.942.2建設(shè)期利息萬(wàn)元80.932.3流動(dòng)資金萬(wàn)元1280.243資金籌措萬(wàn)元7255.943.1自籌資金萬(wàn)元3952.703.2銀行貸款萬(wàn)元3303.244營(yíng)業(yè)收入萬(wàn)元13900.00正常運(yùn)營(yíng)年份5總成本費(fèi)用萬(wàn)元11304.646利潤(rùn)總額萬(wàn)元2526.467凈利潤(rùn)萬(wàn)元1894.848所得稅萬(wàn)元631.629增值稅萬(wàn)元574.2110稅金及附加萬(wàn)元68.9011納稅總額萬(wàn)元1274.7312工業(yè)增加值萬(wàn)元4340.2613盈虧平衡點(diǎn)萬(wàn)元6140.76產(chǎn)值14回收期年5.7615內(nèi)部收益率19.43%所得稅后16財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值萬(wàn)元20

17、24.30所得稅后第二章 項(xiàng)目背景分析一、 半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢(shì)1、全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢(shì)由于半導(dǎo)體行業(yè)與全球宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)形勢(shì)緊密相關(guān)，全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)在2009年受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響較為低迷出貨量與銷(xiāo)售額均出現(xiàn)下滑；2010年由于智能手機(jī)放量增長(zhǎng)，硅片行業(yè)大幅反彈。2011年至2016年，全球經(jīng)濟(jì)逐漸復(fù)蘇但依舊較為低迷，硅片行業(yè)亦隨之低速發(fā)展。2017年以來(lái)，受益于半導(dǎo)體終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，下游傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域計(jì)算機(jī)、移動(dòng)通信、固態(tài)硬盤(pán)、工業(yè)電子市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，新興應(yīng)用領(lǐng)域如人工智能、區(qū)塊鏈、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子的快速發(fā)展，半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，并于2018年突破百億美元大關(guān)。2、全球各

18、尺寸半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)情況2018年，300mm硅片和200mm硅片市場(chǎng)份額分別為63.83%和26.14%，兩種尺寸硅片合計(jì)占比接近90.00%。2011年開(kāi)始，200mm半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)占有率穩(wěn)定在25-27%之間。2016年至2017年，由于汽車(chē)電子、智能手機(jī)用指紋芯片、液晶顯示器市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)，200mm硅片出貨面積從2,690.00百萬(wàn)平方英寸上升至3,085.00百萬(wàn)平方英寸，同比增長(zhǎng)14.68%。2018年，受益于汽車(chē)電子、工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，以及功率器件、傳感器等生產(chǎn)商將部分產(chǎn)能從150mm轉(zhuǎn)移至200mm，帶動(dòng)200mm硅片繼續(xù)保持增長(zhǎng)，200mm硅片出貨面積達(dá)

19、到3,278.00百萬(wàn)平方英寸，同比增長(zhǎng)6.25%。自2000年全球第一條300mm芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)建成以來(lái)，300mm半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)需求增加，出貨面積不斷上升。2008年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨量首次超過(guò)200mm半導(dǎo)體硅片；2009年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積超過(guò)其他尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積之和。2000年至2018年，由于移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)等終端市場(chǎng)持續(xù)快速發(fā)展，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積從94.00百萬(wàn)平方英寸擴(kuò)大至8,005.00百萬(wàn)平方英寸，市場(chǎng)份額從1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成為半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。2016至2018年，由于人工智能、區(qū)塊鏈、云計(jì)算等

20、新興終端市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積分別為6,817.00、7,261.00、8,005.00百萬(wàn)平方英寸，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為8.36%。3、中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景2008年至2013年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)與全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)一致。2014年起，隨著中國(guó)各半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)、中國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進(jìn)步與中國(guó)半導(dǎo)體終端產(chǎn)品市場(chǎng)的飛速發(fā)展，中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)步入了飛躍式發(fā)展階段。2016年至2018年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片銷(xiāo)售額從5.00億美元上升至9.92億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)40.88%，遠(yuǎn)高于同期全球半導(dǎo)體硅片的年均復(fù)合增長(zhǎng)率25.65%。中國(guó)作

21、為全球最大的半導(dǎo)體產(chǎn)品終端市場(chǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)隨著中國(guó)芯片制造產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張，中國(guó)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)的規(guī)模將繼續(xù)以高于全球市場(chǎng)的速度增長(zhǎng)。半導(dǎo)體硅片作為芯片制造的關(guān)鍵材料，市場(chǎng)集中度很高，目前全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)主要被日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)的知名企業(yè)占據(jù)。中國(guó)大陸的半導(dǎo)體硅片企業(yè)主要生產(chǎn)150mm及以下的半導(dǎo)體硅片，僅有少數(shù)幾家企業(yè)具有200mm半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。2017年以前，300mm半導(dǎo)體硅片幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口。2018年，硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)子公司上海新昇作為中國(guó)大陸率先實(shí)現(xiàn)300mm硅片規(guī)?；N(xiāo)售的企業(yè)，打破了300mm半導(dǎo)體硅片國(guó)產(chǎn)化率幾乎為0%的局面。二、 行業(yè)發(fā)展情況和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

22、依照摩爾定律，半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)迭代快、性能持續(xù)提升、成本持續(xù)下降、制程不斷縮小的基本發(fā)展趨勢(shì)。1、制程的不斷縮小提升了對(duì)半導(dǎo)體硅片的技術(shù)要求制程亦稱(chēng)為節(jié)點(diǎn)或特征線(xiàn)寬，即晶體管柵極寬度的尺寸，用來(lái)衡量半導(dǎo)體芯片制造的工藝水準(zhǔn)。遵循摩爾定律，半導(dǎo)體芯片的制程已經(jīng)從上世紀(jì)70年代的1m、0.35m、0.13m逐漸發(fā)展至當(dāng)前的90nm、65nm、45nm、22nm、16nm、10nm、7nm。隨著制程的不斷縮小，芯片制造工藝對(duì)硅片缺陷密度與缺陷尺寸的容忍度不斷降低。對(duì)應(yīng)在半導(dǎo)體硅片的制造過(guò)程中，需要更加嚴(yán)格地控制硅片表面微粗糙度、硅單晶缺陷、金屬雜質(zhì)、晶體原生缺陷、表面顆粒尺寸和數(shù)量等技術(shù)指標(biāo)，

23、這些參數(shù)將直接影響半導(dǎo)體產(chǎn)品的成品率和性能。根據(jù)Gartner預(yù)測(cè)，2016至2022年，全球芯片制造產(chǎn)能中，預(yù)計(jì)20nm及以下制程占比12%，32/28nm至90nm占比41%，0.13m及以上的微米級(jí)制程占比47%。目前，90nm及以下的制程主要使用300mm半導(dǎo)體硅片，90nm以上的制程主要使用200mm或更小尺寸的硅片。2、未來(lái)幾年，300mm仍將是半導(dǎo)體硅片的主流品種隨著半導(dǎo)體制程的不斷縮小，芯片生產(chǎn)的工藝愈加復(fù)雜，生產(chǎn)成本不斷提高，成本因素驅(qū)動(dòng)硅片向著大尺寸的方向發(fā)展。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對(duì)于技術(shù)和設(shè)備的要求越高，半導(dǎo)體硅片的尺寸每進(jìn)步一代，生產(chǎn)工藝的難度亦隨之提升。3、半導(dǎo)體硅片

24、市場(chǎng)將繼續(xù)保持較高的集中度半導(dǎo)體硅片行業(yè)技術(shù)壁壘高、資金壁壘高、人才壁壘高，并且與宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)關(guān)聯(lián)性較強(qiáng)，半導(dǎo)體硅片企業(yè)需通過(guò)規(guī)模效應(yīng)來(lái)提高盈利能力，預(yù)計(jì)未來(lái)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)仍將保持較高的集中度。4、中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片行業(yè)快速發(fā)展近年來(lái)，中國(guó)政府高度重視半導(dǎo)體行業(yè)，制定了一系列政策推動(dòng)中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。2014年，國(guó)務(wù)院印發(fā)了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要，綱要指出：集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。當(dāng)前和今后一段時(shí)期是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和攻堅(jiān)期。加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，對(duì)轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式、保障國(guó)家安全、提升綜合

25、國(guó)力具有重大戰(zhàn)略意義。到2020年，中國(guó)集成電路行業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷(xiāo)售收入年均增速超過(guò)20%。到2030年，產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。近年來(lái)，在中國(guó)政府高度重視、大力扶持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的大背景下，中國(guó)大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的產(chǎn)能和技術(shù)水平都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但相對(duì)而言，半導(dǎo)體材料仍是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較為薄弱的環(huán)節(jié)。目前，我國(guó)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)仍主要依賴(lài)于進(jìn)口，我國(guó)企業(yè)具有很大的進(jìn)口替代空間。受益于產(chǎn)業(yè)政策的支持、國(guó)內(nèi)硅片企業(yè)技術(shù)水準(zhǔn)的提升、以及全球芯片制造產(chǎn)能向中國(guó)大陸的轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片企業(yè)的銷(xiāo)售額將繼續(xù)提升，將以高于全球半導(dǎo)體硅

26、片市場(chǎng)的增速發(fā)展，市場(chǎng)份額占比也將持續(xù)擴(kuò)大。三、 項(xiàng)目實(shí)施的必要性（一）提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力項(xiàng)目的投資，引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負(fù)債結(jié)構(gòu)，補(bǔ)充流動(dòng)資金將提高公司應(yīng)對(duì)短期流動(dòng)性壓力的能力，降低公司財(cái)務(wù)費(fèi)用水平，提升公司盈利能力，促進(jìn)公司的進(jìn)一步發(fā)展。同時(shí)資金補(bǔ)充流動(dòng)資金將為公司未來(lái)成為國(guó)際領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)服務(wù)商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅(jiān)實(shí)支持，提高公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。第三章 建設(shè)單位基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱(chēng)：xx投資管理公司2、法定代表人：程xx3、注冊(cè)資本：920萬(wàn)元4、統(tǒng)一社會(huì)信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機(jī)關(guān)：xxx市場(chǎng)監(jiān)督管理局6、成立日期：2010-2-187、營(yíng)業(yè)期限：20

27、10-2-18至無(wú)固定期限8、注冊(cè)地址：xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營(yíng)范圍：從事半導(dǎo)體硅片相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目，開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類(lèi)項(xiàng)目的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)。）二、 公司簡(jiǎn)介公司秉承“誠(chéng)實(shí)、信用、謹(jǐn)慎、有效”的信托理念，將“誠(chéng)信為本、合規(guī)經(jīng)營(yíng)”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風(fēng)險(xiǎn)控制能力。公司始終堅(jiān)持“人本、誠(chéng)信、創(chuàng)新、共贏”的經(jīng)營(yíng)理念，以“市場(chǎng)為導(dǎo)向、顧客為中心”的企業(yè)服務(wù)宗旨，竭誠(chéng)為國(guó)內(nèi)外客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和一流服務(wù)，歡迎各界人士光臨指導(dǎo)和洽談業(yè)務(wù)。三、 公司競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)（一）自主研發(fā)優(yōu)勢(shì)公司在各

28、個(gè)細(xì)分領(lǐng)域深入研究的同時(shí)，通過(guò)整合各平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，構(gòu)建全產(chǎn)品系列，并不斷進(jìn)行產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)，順應(yīng)行業(yè)一體化、集成創(chuàng)新的發(fā)展趨勢(shì)。通過(guò)多年積累，公司產(chǎn)品性能處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。公司多年來(lái)堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，不斷改進(jìn)和優(yōu)化產(chǎn)品性能，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)。公司結(jié)合國(guó)內(nèi)市場(chǎng)客戶(hù)的個(gè)性化需求，不斷升級(jí)技術(shù)，充分體現(xiàn)了公司的持續(xù)創(chuàng)新能力。在不斷開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品的過(guò)程中，公司已有多項(xiàng)產(chǎn)品均為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。在注重新產(chǎn)品、新技術(shù)研發(fā)的同時(shí)，公司還十分重視自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)。（二）工藝和質(zhì)量控制優(yōu)勢(shì)公司進(jìn)口大量設(shè)備和檢測(cè)設(shè)備，有效提高了精度、生產(chǎn)效率，為產(chǎn)品研發(fā)與確保產(chǎn)品質(zhì)量奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。此外，公司是行業(yè)內(nèi)較早通過(guò)ISO9001質(zhì)量

29、體系認(rèn)證的企業(yè)之一，公司產(chǎn)品根據(jù)市場(chǎng)及客戶(hù)需要通過(guò)了產(chǎn)品認(rèn)證，表明公司產(chǎn)品不僅滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)高端客戶(hù)的要求，而且部分產(chǎn)品能夠與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌，能夠躋身于國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中。在日常生產(chǎn)中，公司嚴(yán)格按照質(zhì)量體系管理要求，不斷完善產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)、客戶(hù)服務(wù)等流程，保證公司產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。（三）產(chǎn)品種類(lèi)齊全優(yōu)勢(shì)公司不僅能滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品的需求，而且能根據(jù)客戶(hù)的個(gè)性化要求，定制生產(chǎn)規(guī)格、型號(hào)不同的產(chǎn)品。公司齊全的產(chǎn)品系列，完備的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，能夠?yàn)榭蛻?hù)提供一站式服務(wù)。對(duì)公司來(lái)說(shuō)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)具有多種產(chǎn)品需求客戶(hù)的資源共享，拓展了銷(xiāo)售渠道，增加了客戶(hù)粘性。公司產(chǎn)品價(jià)格與國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品相比有較強(qiáng)性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)

30、起到了逐步替代進(jìn)口產(chǎn)品的作用。（四）營(yíng)銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)及服務(wù)優(yōu)勢(shì)根據(jù)公司產(chǎn)品服務(wù)的特點(diǎn)、客戶(hù)分布的地域特點(diǎn)，公司營(yíng)銷(xiāo)覆蓋了華南、華東、華北及東北等下游客戶(hù)較為集中的區(qū)域，并在歐美、日本、東南亞等國(guó)家和地區(qū)初步建立經(jīng)銷(xiāo)商網(wǎng)絡(luò)，及時(shí)了解客戶(hù)需求，為客戶(hù)提供貼身服務(wù)，達(dá)到快速響應(yīng)的效果。公司擁有一支行業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的銷(xiāo)售團(tuán)隊(duì)，在各區(qū)域配備銷(xiāo)售人員，建立從市場(chǎng)調(diào)研、產(chǎn)品推廣、客戶(hù)管理、銷(xiāo)售管理到客戶(hù)服務(wù)的多維度銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)體系。公司的服務(wù)覆蓋產(chǎn)品服務(wù)整個(gè)生命周期，公司多名銷(xiāo)售人員具有研發(fā)背景，可引導(dǎo)客戶(hù)的技術(shù)需求并為其提供解決方案，為客戶(hù)提供及時(shí)、深入的專(zhuān)業(yè)技術(shù)服務(wù)與支持。公司與經(jīng)銷(xiāo)商互利共贏，結(jié)成了長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)

31、系，公司經(jīng)銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)較為穩(wěn)定，有利于深耕行業(yè)和區(qū)域市場(chǎng)，帶動(dòng)經(jīng)銷(xiāo)商共同成長(zhǎng)。四、 公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)項(xiàng)目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額2688.882151.102016.66負(fù)債總額1060.32848.26795.24股東權(quán)益合計(jì)1628.561302.851221.42公司合并利潤(rùn)表主要數(shù)據(jù)項(xiàng)目2020年度2019年度2018年度營(yíng)業(yè)收入7699.376159.505774.53營(yíng)業(yè)利潤(rùn)1789.291431.431341.97利潤(rùn)總額1556.381245.101167.29凈利潤(rùn)1167.29910.49840.45歸屬于母公司所有者的凈

32、利潤(rùn)1167.29910.49840.45五、 核心人員介紹1、程xx，1957年出生，大專(zhuān)學(xué)歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2018年3月至今任公司董事。2、閆xx，中國(guó)國(guó)籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國(guó)注冊(cè)會(huì)計(jì)師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨(dú)立董事。3、龔xx，中國(guó)國(guó)籍，1976年出生，本科學(xué)歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；

33、2004年4月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理。4、朱xx，中國(guó)國(guó)籍，無(wú)永久境外居留權(quán)，1970年出生，碩士研究生學(xué)歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨(dú)立董事。5、潘xx，中國(guó)國(guó)籍，無(wú)永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學(xué)歷，中級(jí)會(huì)計(jì)師職稱(chēng)。2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司財(cái)務(wù)經(jīng)理。2017年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財(cái)務(wù)總監(jiān)。6、史xx，中國(guó)國(guó)籍，無(wú)永久境外居留權(quán)，1959年出生，大專(zhuān)學(xué)歷，高級(jí)工程師職稱(chēng)。2003年2

34、月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術(shù)顧問(wèn)；2004年8月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、總工程師。7、梁xx，1974年出生，研究生學(xué)歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責(zé)任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責(zé)任公司銷(xiāo)售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷(xiāo)售部副部長(zhǎng)、部長(zhǎng)；2019年8月至今任公司監(jiān)事會(huì)主席。8、陶xx，中國(guó)國(guó)籍，無(wú)永久境外居留權(quán)，1958年出生，本科學(xué)歷，高級(jí)經(jīng)濟(jì)師職稱(chēng)。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長(zhǎng)；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董

35、事長(zhǎng)；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。六、 經(jīng)營(yíng)宗旨根據(jù)國(guó)家法律、法規(guī)及其他有關(guān)規(guī)定，依照誠(chéng)實(shí)信用、勤勉盡責(zé)的原則，充分運(yùn)用經(jīng)濟(jì)組織形式的優(yōu)良運(yùn)行機(jī)制，為公司股東謀求最大利益，取得更好的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。七、 公司發(fā)展規(guī)劃根據(jù)公司的發(fā)展規(guī)劃，未來(lái)幾年內(nèi)公司的資產(chǎn)規(guī)模、業(yè)務(wù)規(guī)模、人員規(guī)模、資金運(yùn)用規(guī)模都將有較大幅度的增長(zhǎng)。隨著業(yè)務(wù)和規(guī)模的快速發(fā)展，公司的管理水平將面臨較大的考驗(yàn)，尤其在公司迅速擴(kuò)大經(jīng)營(yíng)規(guī)模后，公司的組織結(jié)構(gòu)和管理體系將進(jìn)一步復(fù)雜化，在戰(zhàn)略規(guī)劃、組織設(shè)計(jì)、資源配置、營(yíng)銷(xiāo)策略、資金管理和內(nèi)部控制等問(wèn)題上都將面對(duì)新的挑戰(zhàn)。另外，公司未來(lái)的

36、迅速擴(kuò)張將對(duì)高級(jí)管理人才、營(yíng)銷(xiāo)人才、服務(wù)人才的引進(jìn)和培養(yǎng)提出更高要求，公司需進(jìn)一步提高管理應(yīng)對(duì)能力，才能保持持續(xù)發(fā)展，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)。公司將采取多元化的融資方式，來(lái)滿(mǎn)足各項(xiàng)發(fā)展規(guī)劃的資金需求。在未來(lái)融資方面，公司將根據(jù)資金、市場(chǎng)的具體情況，擇時(shí)通過(guò)銀行貸款、配股、增發(fā)和發(fā)行可轉(zhuǎn)換債券等方式合理安排制定融資方案，進(jìn)一步優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)，籌集推動(dòng)公司發(fā)展所需資金。公司將加快對(duì)各方面優(yōu)秀人才的引進(jìn)和培養(yǎng)，同時(shí)加大對(duì)人才的資金投入并建立有效的激勵(lì)機(jī)制，確保公司發(fā)展規(guī)劃和目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。一方面，公司將繼續(xù)加強(qiáng)員工培訓(xùn)，加快培育一批素質(zhì)高、業(yè)務(wù)強(qiáng)的營(yíng)銷(xiāo)人才、服務(wù)人才、管理人才；對(duì)營(yíng)銷(xiāo)人員進(jìn)行溝通與營(yíng)銷(xiāo)技巧方面的

37、培訓(xùn)，對(duì)管理人員進(jìn)行現(xiàn)代企業(yè)管理方法的教育。另一方面，不斷引進(jìn)外部人才。對(duì)于行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)杰出的高端人才，要加大引進(jìn)力度，保持核心人才的競(jìng)爭(zhēng)力。其三，逐步建立、完善包括直接物質(zhì)獎(jiǎng)勵(lì)、職業(yè)生涯規(guī)劃、長(zhǎng)期股權(quán)激勵(lì)等多層次的激勵(lì)機(jī)制，充分調(diào)動(dòng)員工的積極性、創(chuàng)造性，提升員工對(duì)企業(yè)的忠誠(chéng)度。公司將嚴(yán)格按照公司法等法律法規(guī)對(duì)公司的要求規(guī)范運(yùn)作，持續(xù)完善公司的法人治理結(jié)構(gòu)，建立適應(yīng)現(xiàn)代企業(yè)制度要求的決策和用人機(jī)制，充分發(fā)揮董事會(huì)在重大決策、選擇經(jīng)理人員等方面的作用。公司將進(jìn)一步完善內(nèi)部決策程序和內(nèi)部控制制度，強(qiáng)化各項(xiàng)決策的科學(xué)性和透明度，保證財(cái)務(wù)運(yùn)作合理、合法、有效。公司將根據(jù)客觀(guān)條件和自身業(yè)務(wù)的變化，及時(shí)調(diào)

38、整組織結(jié)構(gòu)和促進(jìn)公司的機(jī)制創(chuàng)新。第四章 市場(chǎng)分析一、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類(lèi)1、半導(dǎo)體硅片簡(jiǎn)介常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點(diǎn)為1,415，高于鍺的熔點(diǎn)937，較高的熔點(diǎn)使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無(wú)毒、對(duì)環(huán)境無(wú)害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒(méi)有天然的氧化物，在晶圓制造時(shí)還需要在表面沉積多層絕緣體，這會(huì)導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品

39、是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲(chǔ)量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱(chēng)為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過(guò)純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過(guò)進(jìn)一步提純變?yōu)榧兌冗_(dá)99.9999999%至99.999999999%（9-11個(gè)9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng)，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）

40、、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線(xiàn)，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類(lèi)1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個(gè)月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強(qiáng)一倍，成本隨之下降一半。對(duì)于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成

41、本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計(jì)算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進(jìn)是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時(shí)，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會(huì)使硅片邊緣處的一些區(qū)域無(wú)法被利用，必然會(huì)浪費(fèi)部分硅片。硅片的尺寸越大，相對(duì)而言硅片邊緣的

42、損失會(huì)越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過(guò)200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對(duì)半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場(chǎng)主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配。考慮到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)時(shí)間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對(duì)應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能

43、并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲(chǔ)器、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車(chē)電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢(shì)。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲(chǔ)器、MEMS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片與指紋識(shí)別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動(dòng)通信、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于存儲(chǔ)芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高

44、性能FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列）與ASIC（專(zhuān)用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類(lèi)，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)形成外延片，拋光片經(jīng)過(guò)氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線(xiàn)寬的不斷縮小，光刻機(jī)的景深也越來(lái)越小，硅片上極其微小的高度差都會(huì)使集成電路布線(xiàn)圖發(fā)生變形、錯(cuò)位，這對(duì)硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加

45、工表面殘留的損傷層，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進(jìn)一步減小硅片的表面粗糙度以滿(mǎn)足芯片制造工藝對(duì)硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長(zhǎng)一層或多層，摻雜類(lèi)型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長(zhǎng)產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路

46、的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長(zhǎng)一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車(chē)電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見(jiàn)的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢(shì)在于可以通過(guò)絕緣埋層實(shí)現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、

47、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、抗宇宙射線(xiàn)粒子的能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車(chē)電子、傳感器以及星載芯片等。二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類(lèi)1、半導(dǎo)體硅片簡(jiǎn)介常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點(diǎn)為1,415，高于鍺的熔點(diǎn)937，較高的熔點(diǎn)使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無(wú)毒、對(duì)環(huán)境無(wú)害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒(méi)有天然的氧化物，在晶圓制造時(shí)還需要在表

48、面沉積多層絕緣體，這會(huì)導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲(chǔ)量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱(chēng)為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過(guò)純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過(guò)進(jìn)一步提純變?yōu)榧兌冗_(dá)99.9999999%至99.999999999%（9-11個(gè)9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶

49、向，經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng)，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線(xiàn)，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類(lèi)1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個(gè)月

50、就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強(qiáng)一倍，成本隨之下降一半。對(duì)于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計(jì)算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進(jìn)是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單

51、位芯片的成本隨之降低。同時(shí)，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會(huì)使硅片邊緣處的一些區(qū)域無(wú)法被利用，必然會(huì)浪費(fèi)部分硅片。硅片的尺寸越大，相對(duì)而言硅片邊緣的損失會(huì)越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過(guò)200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對(duì)半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場(chǎng)主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配?？紤]到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)

52、時(shí)間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對(duì)應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲(chǔ)器、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車(chē)電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢(shì)。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲(chǔ)器、MEMS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片與指紋識(shí)別芯片

53、等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動(dòng)通信、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于存儲(chǔ)芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列）與ASIC（專(zhuān)用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類(lèi)，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)形成外延片，拋光片經(jīng)過(guò)氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線(xiàn)寬的不斷縮小，光刻機(jī)的景深也越來(lái)越小，硅片上極其微小的高度差都會(huì)

54、使集成電路布線(xiàn)圖發(fā)生變形、錯(cuò)位，這對(duì)硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進(jìn)一步減小硅片的表面粗糙度以滿(mǎn)足芯片制造工藝對(duì)硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長(zhǎng)一層或多層，摻雜類(lèi)型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長(zhǎng)產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處

55、理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長(zhǎng)一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車(chē)電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見(jiàn)的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢(shì)

56、在于可以通過(guò)絕緣埋層實(shí)現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、抗宇宙射線(xiàn)粒子的能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車(chē)電子、傳感器以及星載芯片等。三、 SOI硅片市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景1、SOI硅片市場(chǎng)規(guī)模2016年至2018年全球SOI硅片市場(chǎng)銷(xiāo)售額從4.41億美元增長(zhǎng)至7.17億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率27.51%；同期，中國(guó)SOI硅片市場(chǎng)銷(xiāo)售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產(chǎn)工藝更復(fù)雜、成本更高、應(yīng)用領(lǐng)域更專(zhuān)業(yè)，全球范圍內(nèi)僅有Soitec、信越化學(xué)、環(huán)球晶圓、SUMCO和硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)等少數(shù)企業(yè)有能力生產(chǎn)。而在需求方面，中國(guó)大陸芯片制造領(lǐng)域具備SOI芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)并不多，因此中國(guó)SOI硅片產(chǎn)銷(xiāo)規(guī)模較小。2、SOI硅片在射頻前端芯片中的應(yīng)用射頻前端