鍍膜流程簡介

1、鍍膜流程簡介Prepared by Eddy 2009/4Strictly Confidential鍍膜流程排列排列清洗清洗框入框入第一面鍍膜第一面鍍膜排列排列清洗清洗框入框入第二面鍍膜第二面鍍膜FQC鏡片轉(zhuǎn)出鏡片轉(zhuǎn)出只鍍一面鍍兩面Strictly Confidential排列將鏡片從托盤中取出一一排入合適的洗藍(lán)內(nèi)，對部分易產(chǎn)生燒蝕不潔的鏡片，排列前增加用酒精手動(dòng)拋光動(dòng)作，以減少燒蝕及不潔。Strictly Confidential超聲波清洗將排列好的鏡片放入清洗機(jī)進(jìn)行清洗.清洗作業(yè)主要分三部分: 第一部分洗三槽藥劑及一槽市水，主要去除鏡片表面臟污，油漬等； 第二部分洗中間五槽為兩槽市水&am

2、p;三槽純水，主要去除鏡片表面藥劑； 第三部分對鏡片脫水及烘幹。先洗三槽IPA脫水槽再進(jìn)行烘乾.每槽清洗時(shí)間90s,超聲波功率2A.目前主要使用的清洗藥劑為: UP3 ORD-6.1 IPAStrictly Confidential框入將清潔乾淨(jìng)的鏡片框入鍍膜環(huán)，在150W幻燈機(jī)下旋轉(zhuǎn)12圈檢驗(yàn)不潔水紋傷痕等外觀不良,用60W臺燈確認(rèn)青燒蝕膜欠等外觀不良,然後將鍍膜環(huán)放入傘架.框入常見外觀不良現(xiàn)象有: 線傷 不潔 點(diǎn)傷 水紋 破邊 燒蝕 其他Strictly Confidential鍍膜融藥的條件: 真空度:2E-2Pa以下 主閥打開機(jī)臺達(dá)到鍍膜的條件: 真空度:2E-3Pa以下 加熱溫度:3

3、50度AR鍍膜主要使用的藥材: H4(LaTiO3) MgF2鍍膜監(jiān)控方式: 石英晶振片監(jiān)控 利用附著在石英晶振片表面膜材質(zhì)量之增加所引發(fā)石英晶片共振頻率變化來量測膜層的厚度.利用石英晶體振動(dòng)頻率與其質(zhì)量成反比.抽氣加熱抽氣加熱融藥融藥真空真空2E-3 Pa鍍膜鍍膜洩?dú)鉀獨(dú)馇鍧崜Q料清潔換料Strictly Confidential蒸鍍MaskE-beamShutterChamberSubstrateHolder光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)&膜厚監(jiān)控系統(tǒng)Strictly Confidential鍍膜設(shè)備鍍膜機(jī)外觀 鍍膜機(jī)內(nèi)部Strictly Confidential現(xiàn)有鍍膜設(shè)備ItemPumping s

4、ystemDeposited processothersDeposited MaterialSizeQuantityMakerAR coater for Glass2 MP and 1 DP1 EB Polycold, Crystal monitor and optical monitorH4, Al2O3, MgF2,1,300 mm310 setOptorun(JP)AR coater for Plastic2 MP and 1 DP1 EB + 2 thermal sourcePolycold, Crystal monitor and optical monitorH4, Al2O3,

5、MgF2, SiO, TiO2, SiO21,300 mm32 setOptorun(JP)Filter coater2 MP and 1 DP2 EB + IADPolycold, Crystal monitor and optical monitorTa2O5, Nb2O5, TiO2, SiO2,1,300 mm35 setOptorun(JP)Metal coater2 MP and 2 CP1 EB + 2 thermal source + IADCrystal monitorAl, Ag, Au, Ni, H4, Al2O3, TiO2, SiO2, SiO, 1,300 mm33 setOptorun(JP) MP = Mechnical pump; DP= Diffusion pump; CP= Cryo pump EB= Electric beam; IAD= Ion assissted depositionStrictly Confiden