微機(jī)原理 第五章 存儲器的擴(kuò)展ppt課件

1、第五章第五章 存儲器的擴(kuò)展存儲器的擴(kuò)展學(xué)習(xí)內(nèi)容學(xué)習(xí)內(nèi)容對于一些較大的運(yùn)用系統(tǒng)，需求擴(kuò)展一對于一些較大的運(yùn)用系統(tǒng)，需求擴(kuò)展一些外圍芯片，以補(bǔ)充片內(nèi)硬件資源的缺乏。些外圍芯片，以補(bǔ)充片內(nèi)硬件資源的缺乏。本章主要引見存儲器的擴(kuò)展。本章主要引見存儲器的擴(kuò)展。 概述概述 地址的鎖存地址的鎖存 地址的譯碼地址的譯碼 外部存儲器的擴(kuò)展方法外部存儲器的擴(kuò)展方法 第一節(jié)：概述第一節(jié)：概述一、一、 片外總線構(gòu)造片外總線構(gòu)造三總線構(gòu)造方式：當(dāng)系統(tǒng)要求擴(kuò)展三總線構(gòu)造方式：當(dāng)系統(tǒng)要求擴(kuò)展時(shí)，為了便于與各種芯片相銜接，時(shí)，為了便于與各種芯片相銜接，應(yīng)把單片機(jī)外部連線變?yōu)槠胀ㄎC(jī)應(yīng)把單片機(jī)外部連線變?yōu)槠胀ㄎC(jī)所具有的三總線

2、構(gòu)造方式：地址總所具有的三總線構(gòu)造方式：地址總線、數(shù)據(jù)總線、控制總線線、數(shù)據(jù)總線、控制總線MCS-51MCS-51系列單片機(jī)的片外引腳可構(gòu)系列單片機(jī)的片外引腳可構(gòu)成以下圖所示的三總線構(gòu)造，一切成以下圖所示的三總線構(gòu)造，一切的外圍芯片都將經(jīng)過這三總線進(jìn)展的外圍芯片都將經(jīng)過這三總線進(jìn)展擴(kuò)展。擴(kuò)展。 三總線構(gòu)造三總線構(gòu)造1. 1. 數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線DBDB：寬度：寬度8 8位，由位，由P0P0口提供，口提供，三態(tài)雙向口，單片機(jī)與外部交換的一切三態(tài)雙向口，單片機(jī)與外部交換的一切信息，幾乎都經(jīng)過信息，幾乎都經(jīng)過P0P0口傳送。是運(yùn)用系口傳送。是運(yùn)用系統(tǒng)中運(yùn)用最頻繁的通道。統(tǒng)中運(yùn)用最頻繁的通道。片外多個(gè)擴(kuò)

3、展芯片的數(shù)據(jù)線采用并聯(lián)方式片外多個(gè)擴(kuò)展芯片的數(shù)據(jù)線采用并聯(lián)方式銜接在數(shù)據(jù)總線上，而在某一時(shí)辰只需銜接在數(shù)據(jù)總線上，而在某一時(shí)辰只需端口地址與單片機(jī)發(fā)出的地址相符的芯端口地址與單片機(jī)發(fā)出的地址相符的芯片才干與單片機(jī)進(jìn)展通訊。片才干與單片機(jī)進(jìn)展通訊。2. 2. 地址總線地址總線ABAB：寬度：寬度1616位，尋址范圍位，尋址范圍21621664K64K字節(jié)。字節(jié)。低低8 8位位A7A7A0A0由由P0P0口經(jīng)地址鎖存器提供?？诮?jīng)地址鎖存器提供。高高8 8位位Al5Al5A8 A8 由由P2P2口直接提供?？谥苯犹峁0P0、P2P2口在系統(tǒng)擴(kuò)展中用作地址線后，便口在系統(tǒng)擴(kuò)展中用作地址線后，便不能

4、再作為普通不能再作為普通I/0I/0口運(yùn)用?？谶\(yùn)用。 3. 3. 控制總線控制總線CBCB：包括片外系統(tǒng)擴(kuò)展用控：包括片外系統(tǒng)擴(kuò)展用控制線和片外信號對單片機(jī)的控制線。制線和片外信號對單片機(jī)的控制線。1 1WRWR、RDRD：片外數(shù)據(jù)存儲器的讀：片外數(shù)據(jù)存儲器的讀/ /寫寫控制。執(zhí)行控制。執(zhí)行MOVXMOVX時(shí)，這兩個(gè)信號分別自時(shí)，這兩個(gè)信號分別自動生成。動生成。2 2PSENPSEN：片外程序存儲器的讀控制。：片外程序存儲器的讀控制。執(zhí)行執(zhí)行MOVCMOVC時(shí)，該信號自動生成。時(shí)，該信號自動生成。3 3ALEALE：鎖存：鎖存P0P0口輸出的低口輸出的低8 8位地址的位地址的控制線?？刂凭€。A

5、LEALE在在P0P0口輸出地址期間，用口輸出地址期間，用下降沿控制鎖存器對地址進(jìn)展鎖存，該下降沿控制鎖存器對地址進(jìn)展鎖存，該信號自動生成。信號自動生成。4 4EAEA：選擇片內(nèi)、片外程序存儲器。：選擇片內(nèi)、片外程序存儲器。0 0：片外程序存儲器。：片外程序存儲器。1 1：片內(nèi)程序存儲器。：片內(nèi)程序存儲器。二、系統(tǒng)擴(kuò)展才干二、系統(tǒng)擴(kuò)展才干 n地址線地址線1616位，容量位，容量64KB64KB，地址，地址0000H0000HFFFFHFFFFH。片外。片外RAMRAM和和ROMROM的訪問運(yùn)用不同的指令及控制信號，允許的訪問運(yùn)用不同的指令及控制信號，允許兩者地址重合。兩者地址重合。 n對于有片

6、內(nèi)對于有片內(nèi)ROMROM的單片機(jī)，片內(nèi)的單片機(jī)，片內(nèi)ROMROM與片外與片外ROMROM的訪的訪問運(yùn)用一樣的操作指令，對兩者的選擇那么靠硬件問運(yùn)用一樣的操作指令，對兩者的選擇那么靠硬件來實(shí)現(xiàn)。來實(shí)現(xiàn)。nEAEA0 0時(shí)，選擇片外程序存儲器，即無論片內(nèi)有無時(shí)，選擇片外程序存儲器，即無論片內(nèi)有無程序存儲器，片外程序存儲器的地址可從程序存儲器，片外程序存儲器的地址可從0000H0000H開開場場nEAEAl l時(shí)，選片內(nèi)程序存儲器，假設(shè)片內(nèi)程序存儲時(shí)，選片內(nèi)程序存儲器，假設(shè)片內(nèi)程序存儲器容量為器容量為4KB4KB，那么其地址為，那么其地址為0000H0000H0FFFH0FFFH，片外，片外程序存儲

7、器地址只能從程序存儲器地址只能從1000H1000H開場。開場。 n為了運(yùn)用系統(tǒng)的需求而擴(kuò)展的為了運(yùn)用系統(tǒng)的需求而擴(kuò)展的I/OI/O口、口、A/DA/D、D/AD/A轉(zhuǎn)換口及定時(shí)轉(zhuǎn)換口及定時(shí)/ /計(jì)數(shù)器均是與片外數(shù)據(jù)存計(jì)數(shù)器均是與片外數(shù)據(jù)存儲器一致編址的。即通常把儲器一致編址的。即通常把64KB64KB的外部數(shù)據(jù)的外部數(shù)據(jù)存儲器空間的一部分作為擴(kuò)展存儲器空間的一部分作為擴(kuò)展I/OI/O端口的地址端口的地址空間，每一個(gè)空間，每一個(gè)I/OI/O口相當(dāng)于一個(gè)數(shù)據(jù)存儲單元，口相當(dāng)于一個(gè)數(shù)據(jù)存儲單元，CPUCPU好像訪問外部數(shù)據(jù)存儲器一樣訪問擴(kuò)展好像訪問外部數(shù)據(jù)存儲器一樣訪問擴(kuò)展I/OI/O口，對其進(jìn)展

8、讀寫操作?？冢瑢ζ溥M(jìn)展讀寫操作。三、常用存儲器芯片三、常用存儲器芯片 1 1、程序存儲器：存放程序代碼和常數(shù)、程序存儲器：存放程序代碼和常數(shù)由于單片機(jī)的運(yùn)用系統(tǒng)通常是公用由于單片機(jī)的運(yùn)用系統(tǒng)通常是公用的微機(jī)系統(tǒng)，一經(jīng)開發(fā)研制終了，其的微機(jī)系統(tǒng)，一經(jīng)開發(fā)研制終了，其軟件也就定型，所以常用半導(dǎo)體只讀軟件也就定型，所以常用半導(dǎo)體只讀存儲器存儲器Read Only Memory,Read Only Memory,縮寫為縮寫為ROMROM作為單片機(jī)的程序存儲器。作為單片機(jī)的程序存儲器。根據(jù)寫入或擦除方式的不同，根據(jù)寫入或擦除方式的不同，ROMROM分為分為5 5種種 (1)掩膜掩膜ROM由芯片消費(fèi)廠家用

9、最后一道掩膜工藝來寫入信由芯片消費(fèi)廠家用最后一道掩膜工藝來寫入信息的，用戶不能再作更改，如息的，用戶不能再作更改，如8051的內(nèi)部的內(nèi)部ROM。掩膜。掩膜ROM集成度高，本錢低，適宜集成度高，本錢低，適宜用于大批量消費(fèi)。用于大批量消費(fèi)。(2)可編程可編程ROMPROM芯片出廠前未寫入信息，由用戶自行寫入即芯片出廠前未寫入信息，由用戶自行寫入即編程，在公用的編程器上進(jìn)展的。一旦編編程，在公用的編程器上進(jìn)展的。一旦編程后，芯片內(nèi)容不能再作更改。程后，芯片內(nèi)容不能再作更改。(3)紫外線擦除可編程紫外線擦除可編程ROMEPROM由用戶利用編程器寫入信息，其內(nèi)容可以更改。在紫由用戶利用編程器寫入信息，其

10、內(nèi)容可以更改。在紫外線照射下使電路復(fù)位，原存信息被擦除，然后重外線照射下使電路復(fù)位，原存信息被擦除，然后重新編程。能反復(fù)多次運(yùn)用。新編程。能反復(fù)多次運(yùn)用。EPROM廣泛運(yùn)用于各種微機(jī)系統(tǒng)。通常采用的規(guī)范芯廣泛運(yùn)用于各種微機(jī)系統(tǒng)。通常采用的規(guī)范芯片有：片有：27162KB、27324KB27648KB、2712816KB2725632KB、2751264KB。(4)電擦除可編程電擦除可編程ROMEEPROM采用電的方法擦除，能整片擦除，字節(jié)擦除，采用電的方法擦除，能整片擦除，字節(jié)擦除，擦除和寫入可以在單片機(jī)內(nèi)進(jìn)展，不需求附擦除和寫入可以在單片機(jī)內(nèi)進(jìn)展，不需求附加設(shè)備，每個(gè)字節(jié)允許擦寫次數(shù)目前約加

11、設(shè)備，每個(gè)字節(jié)允許擦寫次數(shù)目前約1萬次。萬次。因此比因此比EPROM性能更優(yōu)越，但價(jià)錢較高。常性能更優(yōu)越，但價(jià)錢較高。常用的有兩種類型芯片：用的有兩種類型芯片：21V寫入：寫入：2816，28172K字節(jié)。字節(jié)。5V寫入：寫入：2816A，2817A2K字節(jié)，字節(jié)，28648K字節(jié)。字節(jié)。5 快擦寫型存儲器快擦寫型存儲器Flash Memory 一種新型的可擦除、非易失性存儲器。它既一種新型的可擦除、非易失性存儲器。它既有有EPROM價(jià)錢低、集成度高的優(yōu)點(diǎn)，又有價(jià)錢低、集成度高的優(yōu)點(diǎn)，又有EEPROM電可擦除和寫入的特性。其擦除電可擦除和寫入的特性。其擦除和寫入的速度比和寫入的速度比EEPRO

12、M快得多，目前商快得多，目前商品化的品化的FlashMemory已做到允許擦寫次數(shù)達(dá)已做到允許擦寫次數(shù)達(dá)10萬次。這種存儲器具有很好的運(yùn)用前景。萬次。這種存儲器具有很好的運(yùn)用前景。 2 2、數(shù)據(jù)存儲器：、數(shù)據(jù)存儲器：功能：存儲現(xiàn)場采集的原始數(shù)據(jù)、功能：存儲現(xiàn)場采集的原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算結(jié)果。運(yùn)算結(jié)果。需求經(jīng)常進(jìn)展讀寫操作，所以通需求經(jīng)常進(jìn)展讀寫操作，所以通常采用半導(dǎo)體讀寫存儲器，即隨常采用半導(dǎo)體讀寫存儲器，即隨機(jī)存取存儲器機(jī)存取存儲器Random Access Random Access Memory Memory RAMRAM作為片外數(shù)據(jù)存作為片外數(shù)據(jù)存儲器。儲器。EEPROMEEPROM也可用作

13、片外數(shù)據(jù)也可用作片外數(shù)據(jù)存儲器。存儲器。MOSMOS型型RAMRAM按根本存儲電路的構(gòu)按根本存儲電路的構(gòu)造和特性分造和特性分4 4類類 1 靜態(tài)靜態(tài)RAMSRAM 根本存儲單元是根本存儲單元是MOS雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。一個(gè)觸發(fā)雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。一個(gè)觸發(fā)器可以存儲一位二進(jìn)制信息。器可以存儲一位二進(jìn)制信息。SRAM能可靠能可靠地堅(jiān)持所存信息。常用的芯片有地堅(jiān)持所存信息。常用的芯片有61162K字字節(jié)，節(jié)，62648K字節(jié)。字節(jié)。SRAM芯片集成度較低，功耗較大，電路銜接芯片集成度較低，功耗較大，電路銜接簡單，斷電信息喪失易失性，常用于存簡單，斷電信息喪失易失性，常用于存儲容量較小的微機(jī)運(yùn)用系統(tǒng)儲容量較小的微

14、機(jī)運(yùn)用系統(tǒng)2 動態(tài)動態(tài)RAMDRAM 利用利用MOS管的柵極和源極之間的電容來保管信息。管的柵極和源極之間的電容來保管信息。由于柵源極間電容的電荷量會逐漸走漏，因此需由于柵源極間電容的電荷量會逐漸走漏，因此需求由求由CPU按一定時(shí)間如按一定時(shí)間如12ms將一切存入的將一切存入的信息逐個(gè)讀出來，經(jīng)放大后再寫回去，以堅(jiān)持原信息逐個(gè)讀出來，經(jīng)放大后再寫回去，以堅(jiān)持原來的信息不變。這一操作稱為動態(tài)存儲器的刷新。來的信息不變。這一操作稱為動態(tài)存儲器的刷新。為此需求刷新電路和相應(yīng)的控制邏輯。常用的芯為此需求刷新電路和相應(yīng)的控制邏輯。常用的芯片有片有216464K位等。位等。DRAM芯片集成度高，功耗小，價(jià)

15、錢低，但有關(guān)電芯片集成度高，功耗小，價(jià)錢低，但有關(guān)電路較復(fù)雜，廣泛用于存儲容量大的微機(jī)系統(tǒng)。路較復(fù)雜，廣泛用于存儲容量大的微機(jī)系統(tǒng)。3 集成集成RAMiRAM 集成集成RAMIntegrated RAM，縮寫為，縮寫為iRAM，這是一種帶刷新邏輯電路的這是一種帶刷新邏輯電路的DRAM。由于它。由于它自帶刷新邏輯，因此簡化了與微處置器的銜自帶刷新邏輯，因此簡化了與微處置器的銜接電路，運(yùn)用它和運(yùn)用接電路，運(yùn)用它和運(yùn)用SRAM一樣方便，常一樣方便，常用的芯片有用的芯片有2186 4 非易失性非易失性RAMNVRAM 非易失性非易失性RAMNon-VoIatile RAM，縮寫為，縮寫為NVRAM，其

16、存儲體由，其存儲體由SRAM和和EEPROM兩部分兩部分組合而成。正常讀寫時(shí)，組合而成。正常讀寫時(shí)，SRAM任務(wù)。當(dāng)要保管信任務(wù)。當(dāng)要保管信息時(shí)如電源掉電，控制電路將息時(shí)如電源掉電，控制電路將SRAM的內(nèi)容復(fù)的內(nèi)容復(fù)制到制到EEPROM中保管。存入中保管。存入EEPROM中的信息又中的信息又可以恢復(fù)到可以恢復(fù)到SRAM中。中。NVRAM既能隨機(jī)存取，又具有非易失性，適宜用于既能隨機(jī)存取，又具有非易失性，適宜用于需求掉電維護(hù)的場所。目前芯片容量還不能做得很需求掉電維護(hù)的場所。目前芯片容量還不能做得很大，另外由于大，另外由于EEPROM的擦寫次數(shù)有限制，因此影的擦寫次數(shù)有限制，因此影響響NVRAM

17、的運(yùn)用壽命。的運(yùn)用壽命。 第二節(jié)：地址的鎖存第二節(jié)：地址的鎖存 一、鎖存的作用一、鎖存的作用由于由于P0P0口采用分時(shí)復(fù)用。口采用分時(shí)復(fù)用。CPUCPU先從先從P0P0口輸出低八位地址，從口輸出低八位地址，從P2P2口輸出高八位口輸出高八位地址，選擇訪問的單元，再從地址，選擇訪問的單元，再從P0P0口讀寫口讀寫數(shù)據(jù)。所以，應(yīng)經(jīng)過地址鎖存器把數(shù)據(jù)。所以，應(yīng)經(jīng)過地址鎖存器把P0P0口口首先輸出的低八位地址鎖存起來。首先輸出的低八位地址鎖存起來。ALEALE是鎖存命令，是鎖存命令， P0P0輸出的地址輸出的地址8 8位在位在ALEALE的下降沿送入地址鎖存器。地址鎖存器的下降沿送入地址鎖存器。地址鎖

18、存器的輸出作為地址總線低的輸出作為地址總線低8 8位位A7A7A0A0。 二、地址鎖存器二、地址鎖存器 n地址鎖存器通常運(yùn)地址鎖存器通常運(yùn)用用 T T L 芯 片芯 片74LS373。它是帶。它是帶有三態(tài)門的有三態(tài)門的8D鎖鎖存器，雙列直插存器，雙列直插20引腳引腳三態(tài)門使能端：三態(tài)門使能端：8D鎖存器控鎖存器控制端制端輸出端輸出端輸入端輸入端74LS373可看做兩部分：可看做兩部分：鎖存器、三態(tài)門鎖存器、三態(tài)門nG：8D鎖存器控制端。鎖存器控制端。n1：直通，即：直通，即QiDi。n1變變0時(shí)，數(shù)據(jù)被鎖存，時(shí)，數(shù)據(jù)被鎖存，輸出端輸出端Qi不再隨輸入端不再隨輸入端的變化而變化，而不斷的變化而變

19、化，而不斷堅(jiān)持鎖存前的值不變。堅(jiān)持鎖存前的值不變。nOE：三態(tài)門使能端。：三態(tài)門使能端。n0：三態(tài)門輸出為規(guī)范：三態(tài)門輸出為規(guī)范TTL電平；電平；n1：三態(tài)門輸出高阻態(tài)；：三態(tài)門輸出高阻態(tài)；74LS373的邏輯功能表的邏輯功能表74LS373與單片機(jī)的銜接方法與單片機(jī)的銜接方法第三節(jié)：地址的譯碼第三節(jié)：地址的譯碼 n某存儲器芯片某存儲器芯片n地址線：地址線：1111根根A10A10A0 A0 ，空間，空間2K2K。n2K2K地址空間在微處置器的內(nèi)存空間地址空間在微處置器的內(nèi)存空間 64K 64K 中被分配中被分配在什么位置，這由高位地址線在什么位置，這由高位地址線A11A11A15A15產(chǎn)生的

20、該產(chǎn)生的該芯片的片選信號芯片的片選信號CSCS來決議。來決議。n當(dāng)存儲器芯片多于一片時(shí)，為了防止誤操作，必當(dāng)存儲器芯片多于一片時(shí)，為了防止誤操作，必需利用片選信號來分別確定各芯片的地址分配。需利用片選信號來分別確定各芯片的地址分配。產(chǎn)生片選信號的方式不同，存儲器的地址分配也產(chǎn)生片選信號的方式不同，存儲器的地址分配也就不同。片選方式有線選和譯碼二種就不同。片選方式有線選和譯碼二種 一、線選方式：把一根高位地址一、線選方式：把一根高位地址線直接連到存儲器芯片的片選端線直接連到存儲器芯片的片選端 三個(gè)芯片的地址分配三個(gè)芯片的地址分配 線選方式的特點(diǎn)：線選方式的特點(diǎn)：n優(yōu)點(diǎn)：電路銜接簡單優(yōu)點(diǎn)：電路銜接

21、簡單n缺陷：地址空間不延續(xù)不能充分利用內(nèi)存缺陷：地址空間不延續(xù)不能充分利用內(nèi)存空間空間 、地址重疊、地址重疊 。n不能充分利用內(nèi)存空間的緣由是：用作片選不能充分利用內(nèi)存空間的緣由是：用作片選信號的高位地址線的信號形狀得不到充分利信號的高位地址線的信號形狀得不到充分利用用 n“地址重疊：指一個(gè)存儲單元占有多個(gè)地址地址重疊：指一個(gè)存儲單元占有多個(gè)地址空間，即不同的地址會選通同一存儲單元空間，即不同的地址會選通同一存儲單元 。二、譯碼方式：二、譯碼方式：n可抑制線選方式的缺陷，經(jīng)過譯碼可抑制線選方式的缺陷，經(jīng)過譯碼器將高位地址線譯碼后輸出來選通器將高位地址線譯碼后輸出來選通存儲器芯片存儲器芯片n常用

22、的譯碼器有常用的譯碼器有n74LS74LS3/83/8譯碼器譯碼器n74LS74LS雙雙2/42/4譯碼器譯碼器n74LS15474LS1544/164/16譯碼器等譯碼器等 74LS引腳圖引腳圖74LS真值表真值表用譯碼方式實(shí)現(xiàn)片選用譯碼方式實(shí)現(xiàn)片選 根據(jù)譯碼器的邏輯關(guān)系和存儲器的片內(nèi)根據(jù)譯碼器的邏輯關(guān)系和存儲器的片內(nèi)尋址范圍，三個(gè)芯片的地址空間如下尋址范圍，三個(gè)芯片的地址空間如下 譯碼方式的特點(diǎn)：譯碼方式的特點(diǎn)：n優(yōu)點(diǎn)：地址空間延續(xù)，且獨(dú)一確定，不存在優(yōu)點(diǎn)：地址空間延續(xù)，且獨(dú)一確定，不存在地址重疊景象；可以充分利用內(nèi)存空間；當(dāng)?shù)刂分丿B景象；可以充分利用內(nèi)存空間；當(dāng)譯碼器輸出端留有空余時(shí)，便

23、于繼續(xù)擴(kuò)展存譯碼器輸出端留有空余時(shí)，便于繼續(xù)擴(kuò)展存儲器或其它外圍器件。儲器或其它外圍器件。n缺陷缺陷: :電路銜接復(fù)雜一些。電路銜接復(fù)雜一些。 第四節(jié)：外部存儲器的擴(kuò)展方法第四節(jié)：外部存儲器的擴(kuò)展方法 外部存儲器的擴(kuò)展方法，也就外部存儲器的擴(kuò)展方法，也就是存儲器系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是存儲器系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 一、程序存儲器的擴(kuò)展一、程序存儲器的擴(kuò)展二、數(shù)據(jù)存儲器的擴(kuò)展二、數(shù)據(jù)存儲器的擴(kuò)展一、程序存儲器的擴(kuò)展一、程序存儲器的擴(kuò)展( (一外部程序存儲器的操作時(shí)一外部程序存儲器的操作時(shí)序序 二擴(kuò)展外部程序存儲器電路的銜接邏輯電路二擴(kuò)展外部程序存儲器電路的銜接邏輯電路 擴(kuò)展一片擴(kuò)展一片EPROMEPROM程序存儲器程序存儲器 線選方式擴(kuò)展多片線選方式擴(kuò)展多片EPROM EPROM 譯碼方式擴(kuò)展多片譯碼方式擴(kuò)展多片EPROM EPROM nEPROM #01 C000HDFFFHnEPROM #02 A000HBFFFH nEPROM #03 6000H7FFFH nEPROM #1 0000H1FFFHnEPROM #2 2000H3FFFHnEPROM #3 4000H5FFFH線選線選方式方式譯碼譯碼方式方式采用譯碼方式擴(kuò)展2764，最多可以擴(kuò)展8片2764 兩種方式的地址范圍兩種方式的地址范圍二、數(shù)據(jù)存儲器的擴(kuò)展二、數(shù)據(jù)存儲器的擴(kuò)展( (一讀一讀/ /寫時(shí)序?qū)憰r(shí)序 二擴(kuò)展數(shù)