多路輸出單端反激式開關(guān)電源原理及設(shè)計(jì)_第1頁
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文檔簡介

1、多路輸出單端反激式開關(guān)電源原理及設(shè)計(jì) 一、設(shè)計(jì)要求本文設(shè)計(jì)的開關(guān)電源將作為智能儀表的電源,最大功率為10 W。為了減少PCB的數(shù)量和智能儀表的體積,要求電源尺寸盡量小并能將電源部分與儀表主控部分做在同一個(gè)PCB上??紤]10W的功率以及小體積的因素,電路選用單端反激電路。單端反激電路的特點(diǎn)是:電路簡單、體積小巧且成本低。單端反激電路由輸入濾波電路、脈寬調(diào)制電路、功率傳遞電路(由開關(guān)管和變壓器組成)、輸出整流濾波電路、誤差檢測電路(由芯片TL431及周圍元件組成)及信號傳遞電路(由隔離光耦及電阻組成)等組成。本電源設(shè)計(jì)成表面貼裝的模塊電源,其具體參數(shù)要求如下:輸出最大功率:10W ;輸入交流電壓:

2、85265V;輸出直流電壓電流:+5V,500mA;+12V,150mA;+24V,100mA ;紋波電壓:120mV 。二、單端反激式開關(guān)電源的控制原理所謂單端是指TOPSwitch-II系列器件只有一個(gè)脈沖調(diào)制信號功率輸出端一漏極D。反激式則指當(dāng)功率MOSFET導(dǎo)通時(shí),就將電能儲存在高頻變壓器的初級繞組上,僅當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),才向次級輸送電能,由于開關(guān)頻率高達(dá)100kHz,使得高頻變壓器能夠快速存儲、釋放能量,經(jīng)高頻整流濾波后即可獲得直流連續(xù)輸出。這也是反激式電路的基本工作原理。而反饋回路通過控制TOPSwitch器件控制端的電流來調(diào)節(jié)占空比,以達(dá)到穩(wěn)壓的目的。三、TOPSwitch-

3、系列芯片選型及介紹TOPSwitch-系列芯片的漏極(D)與內(nèi)部功率開關(guān)器件MOSFET相連,外部通過負(fù)載電感與主電源相連,在啟動(dòng)狀態(tài)下通過內(nèi)部開關(guān)式高壓電源提供內(nèi)部偏置電流,并設(shè)有電流檢測??刂茦O(C)用于占空比控制的誤差放大器和反饋電流的輸入引腳,與內(nèi)部并聯(lián)穩(wěn)壓器連接,提供正常工作時(shí)的內(nèi)部偏置電流,同時(shí)也是提供旁路、自動(dòng)重起和補(bǔ)償功能的電容連接點(diǎn)。源極(S)與高壓功率回路的MOSFET的源極相連,兼做初級電路的公共點(diǎn)與參考點(diǎn)。內(nèi)部輸出極MOSFET的占空比隨控制引腳電流的增加而線性下降,控制電壓的典型值為5.7 V,極限電壓為9 V,控制端最大允許電流為100 mA。在設(shè)計(jì)時(shí)還對閾值電壓采

4、取了溫度補(bǔ)償措施,以消除因漏源導(dǎo)通電阻隨溫度變化而引起的漏極電流變化。當(dāng)芯片結(jié)溫大于135時(shí),過熱保護(hù)電路就輸出高電平,關(guān)斷輸出極。此時(shí)控制電壓Vc進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式,Vc端波形也變成幅度為4.7V5.7V的鋸齒波若要重新啟動(dòng)電路,需斷電后再接通電路開關(guān),或者將Vc降至3.3V以下,再利用上電復(fù)位電路將內(nèi)部觸發(fā)器置零,使MOSFET恢復(fù)正常工作。采用TOPSwitch-系列設(shè)計(jì)單片開關(guān)電源時(shí)所需外接元器件少,而且器件對電路板布局以及輸入總線瞬變的敏感性大大減少,故設(shè)計(jì)十分方便,性能穩(wěn)定,性價(jià)比更高。對于芯片的選擇主要考慮輸入電壓和功率。由設(shè)計(jì)要求可知,輸入電壓為寬范圍輸入,輸出功率不大于10W,

5、故選擇TOP222G。四、電路設(shè)計(jì)本開關(guān)電源的原理圖如圖1所示。電源主電路為反激式,C1、L1、C2,接在交流電源進(jìn)線端,用于濾除電網(wǎng)干擾,C5接在高壓和地之間,用于濾除高頻變壓器初、次級后和電容產(chǎn)生的共模干擾,在國際標(biāo)準(zhǔn)中被稱為"Y電容"。C1跟C5都稱作安全電容,但C1專門濾除電網(wǎng)線之間的串模干擾,被稱為"X電容"。為承受可能從電網(wǎng)線竄入的電擊,可在交流端并聯(lián)一個(gè)標(biāo)稱電壓u1mA為275V的壓敏電阻VSR。鑒于在功率MOSFET關(guān)斷的瞬間,高頻變壓器的漏感產(chǎn)生尖峰電壓UL,另外,在原邊上會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)反向電動(dòng)勢UOR,二者疊加在直流輸入電壓上。典型的情況

6、下,交流輸入電壓經(jīng)整流橋整流后,其最高電壓UImax=380V,UL165V,UOR=135V,貝UOR+UL+UOR680V。這就要求功率MOSFET至少能承受700V的高壓,同時(shí)還必須在漏極增加鉗位電路,用以吸收尖峰電壓,保護(hù)TOP222G中的功率MOSFET。本電源的鉗位電路由D2、D3組成。其中D2為瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)P6KE200,D3為超快恢復(fù)二極管UF4005。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),原邊電壓上端為正,下端為負(fù),使得D3截止,鉗位電路不起作用。在MOSFET截止瞬間,原邊電壓變?yōu)橄露藶檎?,上端為?fù),此時(shí)D1導(dǎo)通,電壓被限制在200V左右。輸出環(huán)節(jié)設(shè)計(jì)以+5V輸出環(huán)節(jié)為例,次級

7、線圈上的高頻電壓經(jīng)過UF5401型100V3A的超快恢復(fù)二極管D7,由于+5V輸出功率相對較大,于是增加了后級LC濾波器,以減少輸出紋波電壓。濾波電感L2選用被稱作"磁珠"的3.3H穿心電感,可濾除D7在反向恢復(fù)過程中產(chǎn)生的開關(guān)噪聲。對于其他兩路輸出,只需在輸出端分別加上濾波電容。其中R3、R4分別為輸出的假負(fù)載,它們能降低各自輸出端的空載和輕載電壓。五、反饋環(huán)節(jié)設(shè)計(jì)反饋同路主要由PC817和TL431及若干電容、電阻構(gòu)成。其中U2為TL431,它為可調(diào)試精密并聯(lián)穩(wěn)壓器,利用電阻R5、R6分壓獲得基準(zhǔn)電壓值。通過調(diào)節(jié)R5、R6的值可以調(diào)節(jié)輸出電壓的穩(wěn)壓值。C8為TL431的

8、頻率補(bǔ)償電容,可以提高TL43l的瞬態(tài)頻率響應(yīng)。C7為軟啟動(dòng)電容,取C7=22F時(shí)可增加4ms的軟啟動(dòng)時(shí)間,在加上TOP222G本身已有的10ms軟啟動(dòng)時(shí)間,則總共為14ms。U3為PC817型線性光耦合器,其電流傳輸比(CTR)范圍為80160,能夠較好地滿足反饋回路的設(shè)計(jì)要求,而目前國內(nèi)常用的4N25、4N26屬于非線性光耦合器,不宜采用。反饋繞組上產(chǎn)生的電壓經(jīng)D4、C9整流濾波,獲得非隔離式+12V輸出,為PC817接收管的集電極供電。由于反饋繞組輸出電流較小,次級采用D4硅高速開關(guān)管1N4148。光耦PC817能將+5V輸出與電網(wǎng)隔離,其發(fā)射極電流送至TOP222G的控制端,用來調(diào)節(jié)占空比。C3為控制端旁路電容,它能對控制回路進(jìn)行補(bǔ)償并設(shè)定自動(dòng)重啟頻率。當(dāng)C3=47F時(shí),自動(dòng)重啟頻率為1.2Hz,即每隔0.83s檢測一次調(diào)節(jié)失控故障是否已經(jīng)被排除,若確認(rèn)已被排除,就自動(dòng)重啟開關(guān)電源恢復(fù)正常工作。R2為PC817中LED的外部限流電阻。實(shí)際上除了限流保護(hù)作用外,他對控制回路的增益也具有重要影響。當(dāng)R2改變時(shí),會(huì)依次影響到下列參數(shù)值:IFICDUO,也就相當(dāng)于改變了控制回路的電流放大倍數(shù)。下面簡要分析一下反饋回路實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓的工作原理。當(dāng)輸出電壓UO發(fā)生波動(dòng)且變化量為UO時(shí),通過取樣電阻R5、R6分壓后,就使TL431的輸出電壓U

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