微電子專業(yè)英語詞匯

1、微電子專業(yè)英語詞匯AAbrupt junction 突變結(jié) Accelerated testing 加速實驗 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 積累、堆積 Accumulating contact 積累接觸 Accumulation region 積累區(qū)Accumulation layer 積累層 Active region 有源區(qū) Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）區(qū) Admitta

2、nce 導(dǎo)納 Allowed band 允帶 Alloy-junction device 合金結(jié)器件Aluminum(Aluminium) 鋁 Aluminum oxide 鋁氧化物 Aluminum passivation 鋁鈍化 Ambipolar 雙極的 Ambient temperature 環(huán)境溫度 Amorphous 無定形的，非晶體的 Amplifier 功放 擴(kuò)音器 放大器 Analogue(Analog) comparator 模擬比較器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向異性的 Anode 陽極 Arsenic (AS) 砷 Auger

3、俄歇 Auger process 俄歇過程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩擊穿 Avalanche excitation 雪崩激發(fā)Bbrute-force attack 強(qiáng)力攻擊Background carrier 本底載流子Background doping 本底摻雜 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流電阻 Ball bond 球形鍵合 Band 能帶 Band gap 能帶間隙 Barrier 勢壘 Barrier layer 勢壘層 Barrier width 勢壘寬度 Bas

4、e 基極 Base contact 基區(qū)接觸 Base stretching 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) Base transit time 基區(qū)渡越時間 Base transport efficiency 基區(qū)輸運系數(shù) Base-width modulation 基區(qū)寬度調(diào)制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 雙向開關(guān) Binary code 二進(jìn)制代碼 Binary compound semiconductor 二元化合物半導(dǎo)體 Bipolar 雙極性的 Bipolar Junction Transistor (BJT) 雙極晶體管 Bloch 布洛赫 B

5、locking band 阻擋能帶 Blocking contact 阻擋接觸 Body - centered 體心立方 Body-centred cubic structure 體立心結(jié)構(gòu) Boltzmann 波爾茲曼 Bond 鍵、鍵合 Bonding electron 價電子 Bonding pad 鍵合點 Bootstrap circuit 自舉電路 Bootstrapped emitter follower 自舉射極跟隨器 Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 邊界條件 Bound electron 束縛電子 Bread

6、board 模擬板、實驗板 Break down 擊穿 Break over 轉(zhuǎn)折 Brillouin 布里淵 Brillouin zone 布里淵區(qū) Built-in 內(nèi)建的 Build-in electric field 內(nèi)建電場 Bulk 體 / 體內(nèi) Bulk absorption 體吸收 Bulk generation 體產(chǎn)生 Bulk recombination 體復(fù)合 Burn - in 老化 Burn out 燒毀 Buried channel 埋溝 Buried diffusion region 隱埋擴(kuò)散區(qū)CCaesar cipher 凱撒加密法capacitance 電容c

7、apturecategorize 分類chaining mode 鏈接模式challenge 質(zhì)詢cipher feedback 加密反饋collision 沖突combine 集成compatibility n.計兼容性component 原件confidentiality 保密性constraint 約束corresponding to 相應(yīng)的Cryptography 密碼學(xué)Can 外殼 Capacitance 電容 Capture cross section 俘獲截面 Capture carrier 俘獲載流子 Carrier 載流子、載波 Carry bit 進(jìn)位位 Carry-in

8、bit 進(jìn)位輸入 Carry-out bit 進(jìn)位輸出 Cascade 級聯(lián) Case 管殼 Cathode 陰極 Center 中心 Ceramic 陶瓷（的） Channel 溝道 Channel breakdown 溝道擊穿 Channel current 溝道電流 Channel doping 溝道摻雜 Channel shortening 溝道縮短 Channel width 溝道寬度 Characteristic impedance 特征阻抗 Charge 電荷、充電 Charge-compensation effects 電荷補(bǔ)償效應(yīng) Charge conservation 電荷

9、守恒 Charge neutrality condition 電中性條件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 電荷驅(qū)動 / 交換 / 共享 / 轉(zhuǎn)移 / 存儲 Chemmical etching 化學(xué)腐蝕法Chemically-Polish 化學(xué)拋光 Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化學(xué)機(jī)械拋光 Chip 芯片 Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 Clamping diode 箝位二極管 Cleavage plane 解理面 Clock rate 時鐘頻率 Clock ge

10、nerator 時鐘發(fā)生器 Clock flip-flop 時鐘觸發(fā)器 Close-packed structure 密堆積結(jié)構(gòu) Close-loop gain 閉環(huán)增益 Collector 集電極 Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 補(bǔ)償運放 Common-base/collector/emitter connection 共基極 / 集電極 / 發(fā)射極連接 Common-gate/drain/source connection 共柵 / 漏 / 源連接 Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模輸入 Common-mode

11、 rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Compatibility 兼容性 Compensation 補(bǔ)償 Compensated impurities 補(bǔ)償雜質(zhì)Compensated semiconductor 補(bǔ)償半導(dǎo)體 Complementary Darlington circuit 互補(bǔ)達(dá)林頓電路 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 Complementary error function 余誤差函數(shù) Compound Semic

12、onductor 化合物半導(dǎo)體 Conductance 電導(dǎo) Conduction band (edge) 導(dǎo)帶 ( 底 ) Conduction level/state 導(dǎo)帶態(tài) Conductor 導(dǎo)體 Conductivity 電導(dǎo)率 Configuration 組態(tài) Conlomb 庫侖 Conpled Configuration Devices 結(jié)構(gòu)組態(tài) Constants 物理常數(shù) Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion 恒定源擴(kuò)散 Contact 接觸 Contamination 治污 Continuity equa

13、tion 連續(xù)性方程Contact hole 接觸孔 Contact potential 接觸電勢 Continuity condition 連續(xù)性條件 Contra doping 反摻雜 Controlled 受控的 Converter 轉(zhuǎn)換器 Conveyer 傳輸器 Copper interconnection system 銅互連系統(tǒng) Couping 耦合 Covalent 共階的 Crossover 跨交 Critical 臨界的 Crossunder 穿交 Crucible 坩堝 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶體缺陷 / 晶面 /

14、 晶向 / 晶格 Current density 電流密度 Curvature 曲率 Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 電流漂移 / 驅(qū)動 / 共享 Current Sense 電流取樣 Curvature 彎曲 Custom integrated circuit 定制集成電路 Cylindrical 柱面的 Czochralshicrystal 直立單晶 Czochralski technique 切克勞斯基技術(shù)（ Cz 法直拉晶體 J ）Ddedicate 專用的，單一的denial of service(DOS)拒絕服務(wù)攻擊diffusion

15、擴(kuò)散digital signature algorithm 數(shù)字簽名算法dynamic 動態(tài)的Dangling bonds 懸掛鍵 Dark current 暗電流 Dead time 空載時間 Debye length 德拜長度 De.broglie 德布洛意 Decderate 減速 Decibel (dB) 分貝 Decode 譯碼 Deep acceptor level 深受主能級 Deep donor level 深施主能級 Deep impurity level 深度雜質(zhì)能級 Deep trap 深陷阱 Defeat 缺陷 Degenerate semiconductor 簡并半導(dǎo)

16、體 Degeneracy 簡并度 Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 攝氏 / 開氏溫度 Delay 延遲 Density 密度 Density of states 態(tài)密度 Depletion 耗盡 Depletion approximation 耗盡近似Depletion contact 耗盡接觸 Depletion depth 耗盡深度 Depletion effect 耗盡效應(yīng) Depletion layer 耗盡層 Depletion MOS 耗盡 MOS Depletion region 耗盡區(qū) Deposited fi

17、lm 淀積薄膜 Deposition process 淀積工藝 Design rules 設(shè)計規(guī)則 Die 芯片（復(fù)數(shù) dice ） Diode 二極管 Dielectric 介電的 Dielectric isolation 介質(zhì)隔離 Difference-mode input 差模輸入Differential amplifier 差分放大器 Differential capacitance 微分電容Diffused junction 擴(kuò)散結(jié) Diffusion 擴(kuò)散 Diffusion coefficient 擴(kuò)散系數(shù) Diffusion constant 擴(kuò)散常數(shù) Diffusivity

18、擴(kuò)散率 Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 擴(kuò)散電容 / 勢壘 / 電流 / 爐 Digital circuit 數(shù)字電路 Dipole domain 偶極疇 Dipole layer 偶極層 Direct-coupling 直接耦合 Direct-gap semiconductor 直接帶隙半導(dǎo)體 Direct transition 直接躍遷 Discharge 放電 Discrete component 分立元件 Dissipation 耗散 Distribution 分布 Distributed capacitance 分布電容 i

19、stributed model 分布模型 Displacement 位移 Dislocation 位錯 Domain 疇 Donor 施主 Donor exhaustion 施主耗盡 Dopant 摻雜劑 Doped semiconductor 摻雜半導(dǎo)體 oping concentration 摻雜濃度 Double-diffusive MOS(DMOS) 雙擴(kuò)散 MOS. Drift 漂移 Drift field 漂移電場 Drift mobility 遷移率 Dry etching 干法腐蝕 Dry/wet oxidation 干 / 濕法氧化 Dose 劑量 Duty cycle 工作

20、周期 Dual-in-line package （ DIP ） 雙列直插式封裝 Dynamics 動態(tài) Dynamic characteristics 動態(tài)屬性 Dynamic impedance 動態(tài)阻抗Eexpertise 專長extractor Early effect 厄利效應(yīng) Early failure 早期失效 Effective mass 有效質(zhì)量 Einstein relation(ship) 愛因斯坦關(guān)系 Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性電可擦除只讀存儲器 Electrode 電極 Electro

21、minggratim 電遷移 Electron affinity 電子親和勢 Electronic -grade 電子能 Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蝕劑的電子束曝光 Electron gas 電子氣 Electron-grade water 電子級純水 Electron trapping center 電子俘獲中心 Electron Volt (eV) 電子伏 Electrostatic 靜電的 Element 元素 / 元件 / 配件 Elemental semiconductor 元素半導(dǎo)體 Ellipse 橢圓 Ellipsoid 橢球

22、 Emitter 發(fā)射極 Emitter-coupled logic 發(fā)射極耦合邏輯 Emitter-coupled pair 發(fā)射極耦合對 Emitter follower 射隨器 Empty band 空帶 Emitter crowding effect 發(fā)射極集邊（擁擠）效應(yīng) Endurance test =life test 壽命測試Energy state 能態(tài) Energy momentum diagram 能量 - 動量(E-K) 圖 Enhancement mode 增強(qiáng)型模式 Enhancement MOS 增強(qiáng)性 MOS Entefic ( 低 ) 共溶的 Environm

23、ental test 環(huán)境測試 Epitaxial 外延的 Epitaxial layer 外延層 Epitaxial slice 外延片 Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效電路 Equilibrium majority /minority carriers 平衡多數(shù) / 少數(shù)載流子 Erasable Programmable ROM (EPROM) 可搽取（編程）存儲器 Error function complement 余誤差函數(shù) Etch 刻蝕 Etchant 刻蝕劑 Etching mask 抗蝕劑掩模 Excess carrier 過剩載流子 Exci

24、tation energy 激發(fā)能 Excited state 激發(fā)態(tài) Exciton 激子 Extrapolation 外推法 Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 雜質(zhì)半導(dǎo)體Ffabrication偽造fleshed outFace - centered 面心立方 Fall time 下降時間 Fan-in 扇入 Fan-out 扇出 Fast recovery 快恢復(fù) Fast surface states 快界面態(tài) Feedback 反饋 Fermi level 費米能級 Fermi-Dirac Distribution 費米 - 狄拉克布 Fe

25、mi potential 費米勢 Fick equation 菲克方程（擴(kuò)散） Field effect transistor 場效應(yīng)晶體管 Field oxide 場氧化層 Filled band 滿帶 Film 薄膜 Flash memory 閃爍存儲器 Flat band 平帶 Flat pack 扁平封裝 Flicker noise 閃爍（變）噪聲 Flip-flop toggle 觸發(fā)器翻轉(zhuǎn) Floating gate 浮柵 Fluoride etch 氟化氫刻蝕 Forbidden band 禁帶 Forward bias 正向偏置 Forward blocking /conduc

26、ting 正向阻斷 / 導(dǎo)通 Frequency deviation noise 頻率漂移噪聲 Frequency response 頻率響應(yīng) Function 函數(shù)GgridGain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化鉀 Gamy ray r 射線 Gate 門、柵、控制極 Gate oxide 柵氧化層 Gauss （ ian ） 高斯 Gaussian distribution profile 高斯摻雜分布 Generation-recombination 產(chǎn)生 - 復(fù)合 Geometries 幾何尺寸 Germanium(Ge) 鍺 Graded 緩變的 Grad

27、ed (gradual) channel 緩變溝道 Graded junction 緩變結(jié) Grain 晶粒 Gradient 梯度 Grown junction 生長結(jié) Guard ring 保護(hù)環(huán) Gummel-Poom model 葛謀 - 潘 模型 Gunn - effect 狄氏效應(yīng)Hhandle 處理hierarchical 層次Hardened device 輻射加固器件 Heat of formation 形成熱 Heat sink 散熱器、熱沉 Heavy/light hole band 重/輕空穴帶 Heavy saturation 重?fù)诫s Hell - effect 霍爾

28、效應(yīng) Heterojunction 異質(zhì)結(jié) Heterojunction structure 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu) Heterojunction Bipolar Transistor （ HBT ）異質(zhì)結(jié)雙極型晶體 High field property 高場特性High-performance MOS.( H-MOS) 高性能 MOS. Hormalized 歸一化 Horizontal epitaxial reactor 臥式外延反應(yīng)器 Hot carrior 熱載流子 Hybrid integration 混合集成Iimplementinductance 電感initialization vect

29、or IV初始化向量 integrity完整性interception 截獲interruption中斷Image - force 鏡象力 Impact ionization 碰撞電離 Impedance 阻抗 Imperfect structure 不完整結(jié)構(gòu) Implantation dose 注入劑量 Implanted ion 注入離子 Impurity 雜質(zhì) Impurity scattering 雜志散射 Incremental resistance 電阻增量（微分電阻） In-contact mask 接觸式掩模 Indium tin oxide (ITO) 銦錫氧化物 Indu

30、ced channel 感應(yīng)溝道 Infrared 紅外的 Injection 注入 Input offset voltage 輸入失調(diào)電壓Insulator 絕緣體 Insulated Gate FET(IGFET) 絕緣柵FET Integrated injection logic 集成注入邏輯 Integration 集成、積分 Interconnection 互連 Interconnection time delay 互連延時Interdigitated structure 交互式結(jié)構(gòu) Interface 界面 Interference 干涉 International system

31、of unions 國際單位制 Internally scattering 谷間散射Interpolation 內(nèi)插法 Intrinsic 本征的 Intrinsic semiconductor 本征半導(dǎo)體 Inverse operation 反向工作 Inversion 反型 Inverter 倒相器 Ion 離子 Ion beam 離子束 Ion etching 離子刻蝕 Ion implantation 離子注入 Ionization 電離 Ionization energy 電離能 Irradiation 輻照 Isolation land 隔離島 Isotropic 各向同性Jjav

32、a applet Java小程序Junction FET(JFET) 結(jié)型場效應(yīng)管Junction isolation 結(jié)隔離 Junction spacing 結(jié)間距 Junction side-wall 結(jié)側(cè)壁Kkey wrapping 密鑰包裝LLatch up 閉鎖 Lateral 橫向的 Lattice 晶格 Layout 版圖 Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格結(jié)合力 / 晶胞 / 晶格 / 晶格常熟 / 晶格缺陷 / 晶格畸變 Leakage current （泄）漏電流Level shifting 電平移動 Li

33、fe time 壽命 linearity 線性度 Linked bond 共價鍵 Liquid Nitrogen 液氮 Liquid phase epitaxial growth technique 液相外延生長技術(shù) Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 發(fā)光二極管 Load line or Variable 負(fù)載線 Locating and Wiring 布局布線 Longitudinal 縱向的 Logic swing 邏輯擺幅 Lorentz 洛淪茲 Lumped model 集總模型Mmasquerade偽裝message digest 消息

34、摘要modification 修改multidrop 多站, 多支路Majority carrier 多數(shù)載流子 Mask 掩膜板，光刻板 Mask level 掩模序號 Mask set 掩模組 Mass - action law 質(zhì)量守恒定律Master-slave D flip-flop 主從 D 觸發(fā)器Matching 匹配 Maxwell 麥克斯韋 Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction 梳狀發(fā)射極結(jié) Mean time before failure (MTBF) 平均工作時間 Megeto - resistance 磁阻 Me

35、sa 臺面 MESFET-Metal Semiconductor 金屬半導(dǎo)體 FET Metallization 金屬化 Microelectronic technique 微電子技術(shù) Microelectronics 微電子學(xué) Millen indices 密勒指數(shù) Minority carrier 少數(shù)載流子 Misfit 失配 Mismatching 失配 Mobile ions 可動離子 Mobility 遷移率 Module 模塊 Modulate 調(diào)制 Molecular crystal 分子晶體 Monolithic IC 單片 IC MOSFET 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

36、Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶體管 Multiplication 倍增 Modulator 調(diào)制 Multi-chip IC 多芯片 IC Multi-chip module(MCM) 多芯片模塊 Multiplication coefficient 倍增因子Nnetwork level attack網(wǎng)絡(luò)層攻擊non-repudiation 不可抵賴Naked chip 未封裝的芯片（裸片）Negative feedback 負(fù)反饋 Negative resistance 負(fù)阻 Nesting 套刻 Negative-temperature-coefficient 負(fù)

37、溫度系數(shù) Noise margin 噪聲容限 Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非揮發(fā)（易失）性 Normally off/on 常閉 / 開 Numerical analysis 數(shù)值分析Ooptimize 使最優(yōu)化Occupied band 滿帶 Officienay 功率 Offset 偏移、失調(diào) On standby 待命狀態(tài) Ohmic contact 歐姆接觸 Open circuit 開路 Operating point 工作點 Operating bias 工作偏置 Operational amplifier (OPAMP) 運算放大器 Optica

38、l photon =photon 光子 Optical quenching 光猝滅 Optical transition 光躍遷 Optical-coupled isolator 光耦合隔離器 Organic semiconductor 有機(jī)半導(dǎo)體Orientation 晶向、定向 Outline 外形 Out-of-contact mask 非接觸式掩模 Output characteristic 輸出特性 Output voltage swing 輸出電壓擺幅 Overcompensation 過補(bǔ)償Over-current protection 過流保護(hù) Over shoot 過沖 Ov

39、er-voltage protection 過壓保護(hù) Overlap 交迭 Overload 過載 Oscillator 振蕩器 Oxide 氧化物 Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化層鈍化Pparallelparasitic 寄生的partition 簡明英漢詞典n.分割, 劃分, 瓜分, 分開, 隔離物vt.區(qū)分, 隔開, 分割presentation n.介紹, 陳述, 贈送, 表達(dá)primitive privateprobably proceedingprofoundpropertypseudocollision偽沖突Package 封裝 Pad 壓焊點

40、 Parameter 參數(shù) Parasitic effect 寄生效應(yīng) Parasitic oscillation 寄生振蕩Passination 鈍化 Passive component 無源元件 Passive device 無源器件 Passive surface 鈍化界面 Parasitic transistor 寄生晶體管 Peak-point voltage 峰點電壓 Peak voltage 峰值電壓 Permanent-storage circuit 永久存儲電路Period 周期 Periodic table 周期表 Permeable - base 可滲透基區(qū) Phase-

41、lock loop 鎖相環(huán) Phase drift 相移 Phonon spectra 聲子譜 Photo conduction 光電導(dǎo) Photo diode 光電二極管Photoelectric cell 光電池 Photoelectric effect 光電效應(yīng) Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工藝 (photo) resist （光敏）抗腐蝕劑 Pin 管腳 Pinch off 夾斷 Pinning of Fermi level 費米能級的釘扎（效應(yīng)） Planar process 平面工藝 Planar transi

42、stor 平面晶體管 Plasma 等離子體 Plezoelectric effect 壓電效應(yīng) Poisson equation 泊松方程 Point contact 點接觸 Polarity 極性 Polycrystal 多晶 Polymer semiconductor 聚合物半導(dǎo)體Poly-silicon 多晶硅 Potential ( 電 ) 勢 Potential barrier 勢壘 Potential well 勢阱 Power dissipation 功耗 Power transistor 功率晶體管Preamplifier 前置放大器 Primary flat 主平面 Pri

43、ncipal axes 主軸 Print-circuit board(PCB) 印制電路板Probability 幾率 Probe 探針 Process 工藝 Propagation delay 傳輸延時 Pseudopotential method 膺勢發(fā) Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脈沖觸發(fā) / 調(diào)制 Pulse Widen Modulator(PWM) 脈沖寬度調(diào)制 Punchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽級QQuality factor 品質(zhì)因子 Quantization 量子化 Quantum

44、量子 Quantum efficiency 量子效應(yīng) Quantum mechanics 量子力學(xué) Quasi Fermi level 準(zhǔn)費米能級 Quartz 石英Rrelease of message contents發(fā)布消息內(nèi)容register 寄存器registration 注冊, 報到, 登記resistance 電阻routingrunning key cipher 運動密鑰加密法Radiation conductivity 輻射電導(dǎo)率Radiation damage 輻射損傷 Radiation flux density 輻射通量密度Radiation hardening 輻射加

45、固 Radiation protection 輻射保護(hù) Radiative - recombination 輻照復(fù)合 Radioactive 放射性 Reach through 穿通 Reactive sputtering source 反應(yīng)濺射源Read diode 里德二極管 Recombination 復(fù)合 Recovery diode 恢復(fù)二極管 Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢復(fù)時間 Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接觸 Reference 基準(zhǔn)點 基準(zhǔn) 參考點Refractive index 折

46、射率 Register 寄存器 Registration 對準(zhǔn) Regulate 控制 調(diào)整 Relaxation lifetime 馳豫時間 Reliability 可*性 Resonance 諧振 Resistance 電阻 Resistor 電阻器 Resistivity 電阻率 Regulator 穩(wěn)壓管（器） Relaxation 馳豫 Resonant frequency 共射頻率 Response time 響應(yīng)時間 Reverse 反向的 Reverse bias 反向偏置Sscratchscratchpad緩存secret 密鑰substrate 襯底synchronizes

47、ynthesizesymmetric key cryptography 對稱密鑰加密sophisticate 復(fù)雜的suspend 懸掛，延緩Sampling circuit 取樣電路 Sapphire 藍(lán)寶石（ Al2O3 ） Satellite valley 衛(wèi)星谷 Saturated current range 電流飽和區(qū) Saturation region 飽和區(qū) Saturation 飽和的 Scaled down 按比例縮小 Scattering 散射 Schockley diode 肖克萊二極管Schottky 肖特基 Schottky barrier 肖特基勢壘 Schottk

48、y contact 肖特基接觸 Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 劃片格 Secondary flat 次平面 Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝 Selectivity 選擇性 Self aligned 自對準(zhǔn)的 Self diffusion 自擴(kuò)散 Semiconductor 半導(dǎo)體 Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 靈敏度 Serial 串行 / 串聯(lián) Series inductance 串聯(lián)電感 Settle time 建立時間 Sheet resistance 薄

49、層電阻 Shield 屏蔽 Short circuit 短路 Shot noise 散粒噪聲 Shunt 分流 Sidewall capacitance 邊墻電容 Signal 信號 Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅 Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅 Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 絕緣硅 Siliver whiskers 銀須 Simple cubic 簡立方 Single crystal 單晶 Sink 沉 Skin effect 趨膚效應(yīng) S

50、nap time 急變時間 Sneak path 潛行通路 Sulethreshold 亞閾的 Solar battery/cell 太陽能電池 Solid circuit 固體電路 Solid Solubility 固溶度 Sonband 子帶 Source 源極 Source follower 源隨器 Space charge 空間電荷 Specific heat(PT) 熱 Speed-power product 速度功耗乘積Spherical 球面的 Spin 自旋 Split 分裂 Spontaneous emission 自發(fā)發(fā)射Spreading resistance 擴(kuò)展電阻 Sputter 濺射 Stacking fault 層錯 Static characterist