項(xiàng)目三場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路ppt課件

1、項(xiàng)目三 場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路 一、緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS管的結(jié)構(gòu)與工作原理 二、主要參數(shù)及使用時(shí)的注意事項(xiàng)三、場(chǎng)效管基本放大電路一、緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS管的結(jié)構(gòu)與工作原理 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝道的形成N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝道的導(dǎo)通N MOS管的特性曲線 N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 SGDP型硅襯底NNaDGSb圖3.1 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管a 管子結(jié)構(gòu) b 符號(hào)DGSSGDP型硅襯底NNab N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝道的形成SGDP型硅襯底NNN溝道圖3.2 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝道的形成耗盡層

2、ECN溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝道的導(dǎo)通SGDP型硅襯底NNN溝道ECEDIDN MOS管的特性曲線 ID/mAUGS/V0UDS=常數(shù)VT圖3.3 N MOS管的特性曲線a 轉(zhuǎn)移特性曲線 b 漏極特性曲線無(wú)溝道有溝道abUDS/VID/mA4V3V0UGS=1V2V N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 SGDIDBPN溝道NNEDabUDS/VID/mA213121202468101282641014UGS=0ID/mAUGS/Vc02468101324UDS=10VIDSS32 1VP圖3.4 N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及特性曲線 二、主要參數(shù)及使用時(shí)的注意事項(xiàng)二、主要參數(shù)及使用時(shí)的注意

3、事項(xiàng)n 在使用時(shí)除了不能超過(guò)極限參數(shù)處，還要特別注意管子?xùn)艠O開(kāi)路時(shí)可能出現(xiàn)柵極感應(yīng)電壓過(guò)高而造成絕緣層擊穿問(wèn)題。為了避免這種損壞，在保存時(shí)必須將三個(gè)電極短接；在使用時(shí)需在柵極加保護(hù)電路；在焊接時(shí)，烙鐵要有良好接地，最好用電烙鐵余熱焊接。nMOS管通常漏極與源極互換使用，但有些產(chǎn)品源極與襯底已連在一起，這時(shí)漏極與源極不能對(duì)調(diào)。三、場(chǎng)效管基本放大電路三、場(chǎng)效管基本放大電路 n1共源放大器 n2場(chǎng)效應(yīng)管微變等效電路 自偏壓電路 DGS圖3.5 自偏壓電路C1RDRGIDUGSVDDC2VTCSRS分壓式自偏壓電路DGS圖3.6 分壓式自偏壓電路C1RDRG2IDVDDC2VTCSRSRG1RG3FET的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型 GDS圖