OB2269中文資料

1、(I| On-BrightOB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)©On-Bright ElectronicsConfidentialOB DOC DG 6S690A#(I| On-BrightOB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)OB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)反激式開關(guān)電源應(yīng)用一. 概要:隨著科學(xué)技術(shù)丨丨新月異的發(fā)展，人們對電源系統(tǒng)的性能要求也不斷提高，OB2268/OB2269采用獨(dú)特的設(shè)計(jì)方案，使您的電源系統(tǒng)具有較高的性價(jià)比，滿足廣大客戶GND28FB27YIM36RI45GATEVDDSENSERT的需求。OB2268/OB2269采用傳統(tǒng)的電流模式結(jié)構(gòu)設(shè) 計(jì)，其具有如下特性

2、：低待機(jī)功耗：OB2268/OB2269通過特別的低功 耗間歇工作模式設(shè)計(jì)不僅可以讓整個(gè)系統(tǒng)在空 載的狀態(tài)下輕易達(dá)到國際能源機(jī)構(gòu)垠新的推薦 標(biāo)準(zhǔn)，而且允許系統(tǒng)在仗輕負(fù)載（約1/30滿載 以下）的情況下同樣具有超低耗的性能。無噪聲匚作：使用OE2268/OB2269設(shè)計(jì)的電源 無論在空載，輕載和滿載的情況下都不會(huì)產(chǎn)生咅 頻噪聲。優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)可以使系統(tǒng)任何作狀態(tài)下均可安掙地匸作。更低啟動(dòng)電流：OE2268/OE2269 VIN/VDD啟動(dòng)電流低至4uA,可有效地減少系統(tǒng) 啟動(dòng)電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟動(dòng)時(shí)間。更低匚作電流：OB2268/OB2269的匚作電猊約為2.3mA,叮有效降低系統(tǒng)的損耗,

3、提高系統(tǒng)的效率。內(nèi)置前沿消隱：內(nèi)置前沿消隱（LEB）,可以為系統(tǒng)節(jié)省了 個(gè)外部的RC網(wǎng)絡(luò)， 降低系統(tǒng)成本。內(nèi)置OCP補(bǔ)償：OB2268/OB2269內(nèi)置了 OCP補(bǔ)償功能，使系統(tǒng)任不需耍增加成 本的悄況下輕易使得全電壓范麗內(nèi)系統(tǒng)的OCP曲線趨向平坦，提高系統(tǒng)的性價(jià)比。完善的保護(hù)功能：OB2268/OB2269集成較完善的保護(hù)功能模塊。O'P UVLO, OCP,恒定的OPP和外部可調(diào)節(jié)的OTP功能可以使系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡潔可靠，同時(shí)滿足 安規(guī)的要求。 MOSFET軟驅(qū)動(dòng)：可有效的改善系統(tǒng)的EME較少的外困器件：OB2268/OB2269外FIH匕較簡單，可有效提禹系統(tǒng)的功率密度， 降低系統(tǒng)的成

4、本。 OB2269優(yōu)良的EMI特性：OB2269內(nèi)置的頻率抖動(dòng)設(shè)計(jì)可以很有效的改善系統(tǒng) 的EMI特性，同時(shí)可以降低系統(tǒng)的EMI成本。二. 芯片內(nèi)部模塊圖1. OB2268內(nèi)部模塊圖2. OB2269內(nèi)部模塊圖mppiyRII' 1 RcfaaiceSlope coi 呻 uwaticnGATEBiaXiik»4v c utMiullaLeading E<fae BLiid.uii*SENSE三. 典型應(yīng)用電路:©On-Bright ElectronicsConfidentialOB DOC DG 6S690A2(| On-BrightBrten VtourOB

5、2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)AC INEMIFilterhncQV N VDDRTGATEOB2268/9RlSENSEFE；GNDDC OU1士OB431la圖1 OB2268/OB2269典型應(yīng)用電路!1!OB2268與OB2269系列芯片應(yīng)用說明:©On-Bright ElectronicsConfidentialOB DOC DG 6S690A#(| On-BrightBrten VtourOB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)©On-Bright ElectronicsConfidentialOB DOC DG 6S690A#(| On-BrightBrten

6、VtourOB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)1. OB2268/69的應(yīng)用領(lǐng)域推薦推薦應(yīng)用領(lǐng)域No shuffling frequencyshuffling frequencyOB2268OB2268BOB2268COB2269OB2269C消費(fèi)類，資訊 類等單芯片應(yīng) 用場合VVV家電類，通信 類等多芯片應(yīng) 用場合VJV醫(yī)療，救生設(shè) 備類等應(yīng)用場 合JJJ醫(yī)療，救生設(shè) 備類等應(yīng)用場 合JJJ2. OB2268&OB2269的不同特性說明OB2268與OB2269的主要區(qū)別：1) OB2269內(nèi)置仃頻率抖動(dòng)(shufilmg)功能，該功能可以加人程度的改善系統(tǒng)的EMI性能, 加快系統(tǒng)的

7、研發(fā)過程，同時(shí)有利于降低系統(tǒng)的EMI成本。2) OB2268的OCP補(bǔ)償某65KHz設(shè)計(jì)，OB2269的OCP補(bǔ)償茲J： 60KHz設(shè)計(jì)。五.設(shè)計(jì)指導(dǎo)：1.啟動(dòng)電路及OCP補(bǔ)償特性說明：1.1 OB2268/OB2269具有如下兩種啟動(dòng)方式：1）具有OCP補(bǔ)償功能的啟動(dòng)方式:使用3腳血作啟動(dòng)端時(shí)芯片具有OCP補(bǔ)償?shù)墓δ?但 僅支持從整流濾波后啟動(dòng)的方式，其啟動(dòng)電路方式見圖1典型電路。2）傳統(tǒng)的啟動(dòng)方式：使用7腳Vdd作啟動(dòng)端時(shí)芯片支持從整流前心動(dòng)及整流濾波后啟動(dòng)的方式.其啟動(dòng)電路見圖2,圖3：圖2密流前啟動(dòng)方式1.2系統(tǒng)的啟動(dòng)時(shí)間：圖3整流后啟動(dòng)方式©On-Bright Electr

8、onicsConfidentialOB DOC DG 6S690A4(| On-BrightBrten VtourOB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)©On-Bright ElectronicsConfidentialOB DOC DG 6S690A#(| On-BrightBrten VtourOB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)以上的兩種啟動(dòng)方式半電源上電開機(jī)時(shí)通過啟動(dòng)電阻Rin給Vdd端的電容C1充電直到dd 端電壓達(dá)到芯片的啟動(dòng)電JkVTH（ON）（典M1.16.5V）時(shí)芯片才被激活并且驅(qū)動(dòng)整個(gè)電源系統(tǒng)正常 丁作。在圖3中系統(tǒng)的最人啟動(dòng)延遲時(shí)間滿足如卜運(yùn)算關(guān)系：這里:Idds

9、t :OB2268/69的啟動(dòng)電流Td_on：系統(tǒng)的心動(dòng)延遲時(shí)間Rin：為R1和R2電阻阻值Z和由J：芯片貝仃低啟動(dòng)電流的特性并且考渥到空栽的系統(tǒng)損耗，Rrn可以取得較人，具體值可 在1.5MQ3MQ范陽內(nèi)選取。如呆盂耍系統(tǒng)具冇更快的啟動(dòng)時(shí)間且在系統(tǒng)成本允許的情況您可以參考圖4。圖4快速川動(dòng)電路圖4中的典型電路,電路中C1的值可以取得 較小（但島要考慮系統(tǒng)的穩(wěn)定性），Rin的值可以取得 較人（但會(huì)受限J OCP補(bǔ)償性能.見1.4 OCP補(bǔ)償 特性說明"這樣既對縮短系統(tǒng)的啟動(dòng)時(shí)間同時(shí)也可 降低系統(tǒng)空載時(shí)的損耗。按圖4的電路設(shè)計(jì),在 16V/3.5A 的系統(tǒng)中,如果 Rl=R2=910K

10、ft, R3=0d Cl=2.2uF, C2=120uF, C3=4.7uF在 90ac/60Hz 輸入H輸出負(fù)我為滿載時(shí)，系統(tǒng)的啟動(dòng)時(shí)間實(shí)測在 750111S 以卜I1.3啟動(dòng)電阻Rin的最大功率損耗:在圖3中,加的最大功率損耗可以用下面的公式計(jì)算出來,公式如下:©On-Bright ElectronicsConfidentialOB DOC DG 6S690A#(| On-BrightVtour LifeOB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)這里:Vdc.max:畑M人輸入電壓整流后的也流電壓 芯片正常工作的電壓1.4 OCP補(bǔ)償特性：1.4.1 OCP補(bǔ)償特性說明：如果系統(tǒng)使用3

11、腳血端作啟動(dòng)時(shí)，系統(tǒng)會(huì)具冇較好的OCP補(bǔ)償特性。為系統(tǒng)的輸入 電斥發(fā)I變化時(shí)，通過啟動(dòng)電陽流過Vm端的電流也會(huì)發(fā)牛變化，芯片通過檢測該變化值來 自動(dòng)實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償,使系統(tǒng)在較寬輸入電壓范圍內(nèi)的OCP曲線比較平坦,達(dá)到恒功率輸出的目 的，圖6為輸出規(guī)格在16V/3.5A,工作頻率為65KH乙啟動(dòng)電阻為1.8MQ的演示板上測得 的OCP曲線，通過圖6可以了解到OB2268/69貝冇的OCP補(bǔ)償特性。©Oil-Bright ElectronicsConfidentialOB DOC DG 6S690A5(| On-BrightVtour LifeOB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)圖6 OCP補(bǔ)

12、償特性曲線通過改變?nèi)獎(jiǎng)与娮璧淖柚担ǔ跏荚O(shè)計(jì)默認(rèn)值為1.8MQ）uI以調(diào)整OCP補(bǔ)償?shù)男阅?，該補(bǔ)償 性能同時(shí)還受系統(tǒng)的工作頻率影響，即OCP補(bǔ)償特性與流過Vin端的電流及系統(tǒng)PWM的頻 率有較大關(guān)系.當(dāng)工作頻率設(shè)定后，如果發(fā)生過補(bǔ)償現(xiàn)象叫通過加人啟動(dòng)電陽的陽值來減 冊補(bǔ)償能力，但這將延長系統(tǒng)的啟動(dòng)時(shí)間：如果發(fā)工欠補(bǔ)償現(xiàn)彖，叮通過減少川動(dòng)電阻的阻 值來增強(qiáng)補(bǔ)償能力，同時(shí)這對縮短系統(tǒng)的心動(dòng)時(shí)間也是燈幫助的。1.4.2影響OCP補(bǔ)償平坦度的主耍參數(shù)：頻率：基Y- 50KHZ-65KHZ設(shè)計(jì)。啟動(dòng)電阻：® T 1.8MQ設(shè)計(jì)。Sense端輸入：基省掉外部R-C網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)，見4. Sense端輸入

13、的說明1.4.3 Sense端門限與Vin端輸入電流的關(guān)系曲線圖OCP ttreshcld vs. MnS 001$圖 7 血3 & OCP threshold從圖屮可以看到，如果系統(tǒng)設(shè)計(jì)以Vin端（3腳）作為心動(dòng)端，那么Vth_oc的值是受流過 Vin端的電流影響的，熟悉Sense端門限與Vin端輸入電流的關(guān)系曲線圖對分析系統(tǒng)的OCP 特性是有幫助的。©Oil-Bright ElectronicsConfidentialOB DOC DG 6S690A#OB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)(| On-Brightflrpwen Yw Lift2. PWM工作頻率設(shè)定:OB2

14、268/69允許設(shè)汁者根據(jù)系統(tǒng)的使用環(huán)境需耍門行調(diào)整系統(tǒng)的工作頻率，OB2268/69的典 熨丁作頻率為50KHZ和65KHZ比應(yīng)用電路如圖8, Rl的取值決定了系統(tǒng)的丁作頻率，丁作頻 率的設(shè)定可分別由以下公式計(jì)算出來：1) OB2268AZOB2269A的頻率算公式如卜：f (KHz) = 6500J mmR (KC)2) OB2268B/OB2268C/OB2269C的頻率計(jì)算公式如卜:f(K 此)=-J 砂“& (KG)圖8頻率設(shè)置電路雖然OB2268/69推存系統(tǒng)PWM的匸作頻率范H；IM為45KlOOKHz,但是芯片系統(tǒng)性能優(yōu)化 主耍是被設(shè)計(jì)在50KHZ65KHZ的應(yīng)用范圍，

15、在應(yīng)用時(shí)請予以注意。在PCB layout時(shí)應(yīng)盡可能使Ri的接地端旅近芯片的Pin 1 GND端，以便減少干擾。3FB端的輸入:了解腳2 FB端各電壓門限相對應(yīng)的系統(tǒng)工作狀態(tài)對分析及優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)是II瀟仃幫助的, OB2268/69各電壓門限相對應(yīng)的系統(tǒng)工作狀態(tài)可通過圖9來表示。（IVLJ> FBI.CV4.4V1.8VC.V圖9 FE端各電樂門限相對應(yīng)的系統(tǒng)工作狀態(tài)l.OVl.SV為系統(tǒng)在空我或輕載時(shí)工作在間歇模式卜的FB端電壓值；1.8W4V為系統(tǒng)正常 工作時(shí)FB端的電壓值；446一0為環(huán)路開環(huán)，過功率保護(hù)或短路保護(hù)時(shí)FB端的電壓值，L0V（典 型伯）以K gate端輸出被關(guān)閉，保護(hù)

16、整個(gè)系統(tǒng)。FB的短路電流典熨值為0.65mA。OB2268/69采用傳統(tǒng)的電流模式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其關(guān)斷時(shí)間根據(jù)峰值電流調(diào)整，通過與主開關(guān)管 MOSFET源極相連接的電流反饋電阻Rsense轉(zhuǎn)化成電壓反饋到OB2268/69腳6 SENSE端來實(shí)現(xiàn) 控制。在正常工作時(shí)，這個(gè)峰值電流與FBJ1有如下關(guān)系式：/ "一】°（5）1PK 2.83這里VFB：FB端的電壓。Rs：與主開關(guān)管MOSFET源極相連接的電流反饋電阻阻值當(dāng)VFB>4. 4V持續(xù)80mS的時(shí)間或VFB<1. 0V（典型值）時(shí),0B2268 Gate端立即停止輸出脈沖,©On-Bnght Elec

17、tionicsConfidentialOB DOC DG 6S690A7(| On-BrightOB2268/OB2269 設(shè)計(jì)指導(dǎo)保證整個(gè)系統(tǒng)的安全。注意：1芯片在設(shè)計(jì)初始為了降低系統(tǒng)工作在空載或較輕負(fù)載（1/30滿載）的狀態(tài)卜系統(tǒng)整機(jī)的功 率損耗，系統(tǒng)正常工作時(shí)OB2268 FB端允許的最人的輸出電流iFBmaxO.SmA,最小工作 電流iFBmmO.lSniA:即流過光耦接收端集射極的電流Ic最大為0.5mA左右，最小為 0.18mA左右。假設(shè)光耦的最人傳輸比CTR=0 8,系統(tǒng)：次側(cè)（次級）LT431的匚作電流僅由 流過光耦發(fā)射端二極管的電流IF提供，那么通過Ic折算到流過光耦發(fā)射端一

18、極管的電流 IF最人僅為0.63mA,這個(gè)電流將無法滿足LT431的最小工作電流（1mA）,所以在系統(tǒng)設(shè) 計(jì)時(shí)，使用OB2268設(shè)計(jì)的系統(tǒng)必須給次級LT431提供一個(gè)常態(tài)偏置電阻（見典型電路中的 Rbud*使LT431 I：作在止常的狀態(tài)，否則系統(tǒng)的負(fù)戯調(diào)整率或其他性能町能會(huì)發(fā)生異常, 在16£輸出的系統(tǒng)屮，考慮空戯或輕伐時(shí)系統(tǒng)的損耗因索，推薦使用的偏宣電阻阻值為 1KH2. 當(dāng)VFB=1.01.8V時(shí)系統(tǒng)工作在間歇I作模式,如果系統(tǒng)出現(xiàn)可聽及的異音，請先檢査系 統(tǒng)是否工作正常，如果你確認(rèn)無謀，請檢查系統(tǒng)緩沖吸收回路屮的電容材質(zhì)，如果使用的是 普通壓電陶瓷電容，那么當(dāng)系統(tǒng)工作在間歇工

19、作狀態(tài)時(shí)電容由J：發(fā)生壓電效應(yīng)而產(chǎn)生異音是 很可能的。這時(shí)，請更換電容的材質(zhì)，如MYLA, PEA. IEF或CBB等薄膜類電容：考慮 成本及電容體枳人小的因索，我們推薦使用MYLA電容，在保證吸收回路效果的詢提卜可 以通過調(diào)整緩沖吸收回路中的電阻阻值來減少該電容的值仃利J：縮小電容體積及降低系統(tǒng) 成木，例如 2200PF/250W 4700PF/250T 或 10000PF/250T 的 MYLA 電容可以接受的。3. 當(dāng)系統(tǒng)工作在滿載的情況卜如果系統(tǒng)出現(xiàn)可聽及的異音時(shí)，請檢査系統(tǒng)是否工作正常, 如果你確認(rèn)無決，請檢查芯片的FB端的電爪波形是否較平滑，如果發(fā)現(xiàn)較人的干擾請檢查 系統(tǒng)的PCB

20、layout是否合理，對較小的I擾町通過外加濾波網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行抑制，如圖屮的Rfb 及Cfb組成的低通濾波器，這里Rfb，Cfb的取值不宜過人，比如47 Ohm, 1000 PF：根據(jù) 系統(tǒng)的實(shí)際情況，Rfb町以為OOhim Rfb，Cfb的取值會(huì)影響系統(tǒng)的環(huán)路穩(wěn)定，一般Cfb的 収值建議耍W4700PF。4. 當(dāng)系統(tǒng)工作在輸出空我，輕我或滿栽轉(zhuǎn)空我的情況卜，如果發(fā)現(xiàn)輸出端電壓在較人范用 內(nèi)波動(dòng)時(shí)，請首先確定電路設(shè)計(jì)、PCB layout是否正確及環(huán)路是否穩(wěn)定，如果確定無誤，請 再次檢査變器給芯片供電的輔助繞組是否能保證系統(tǒng)在輸出空栽或輕載的情況卜芯片 £dd端的電壓在10.5V（UVLO

21、典型值）以上，否則系統(tǒng)可能工作在UVLO臨界狀態(tài)。ffi得注 意的是變壓器輔助線圈在設(shè)計(jì)時(shí)需要把與Vdd端相連的林流二極管的壓降及限流電阻的壓 呼與慮進(jìn)去，另外還要考慮變床器口間耦合系數(shù)/強(qiáng)度的關(guān)系；耦合較弱時(shí)，空載時(shí)芯片Vdd 端電壓值較低，容易進(jìn)入U(xiǎn)VLO狀態(tài)，但是滿載狀態(tài)F dD端電壓上升較少；耦合過強(qiáng)， 對捉島空伐時(shí)芯片Vdd端電爪和定系統(tǒng)仃較人的簾助，但滿載狀態(tài)F Vdd端電壓上升較多， 容易讓芯片進(jìn)入過壓保護(hù)狀態(tài)。考世到系統(tǒng)滿我瞬間轉(zhuǎn)空我或空載瞬間轉(zhuǎn)滿載時(shí)由J能錄瞬 變導(dǎo)致Vdd端電斥卜沖謀觸發(fā)510的原因，在系統(tǒng)允許的輸入電斥范開內(nèi)H系統(tǒng)輸出為 空載;時(shí)建議芯片Vdd端電壓要12

22、.5V,這里特別要注意高端輸入電壓如264V/50HZ時(shí)的情 況。4. Sense端的輸入：內(nèi)世的前沿消隱（LEB）電路，町以為系統(tǒng)卩省 個(gè)外部的R-C網(wǎng)絡(luò)。如果山/Sense端的電 流反饋信號前沿噪聲干擾持續(xù)時(shí)間超過芯片內(nèi)盤的前沿消隱（LEB）時(shí)間&致系統(tǒng)性能異常，可以 考世外接RC網(wǎng)絡(luò)，但建議R-C的取ffl不宜過人，竹則叫能會(huì)引起電流反饋信兮的失貞過人， 導(dǎo)致系統(tǒng)啟動(dòng)或輸出端短路時(shí)MOSFE漏源端電壓Vds過高等常見的系統(tǒng)異?，F(xiàn)象。推薦R-C 網(wǎng)絡(luò)的取值為：RW680Q, CW1000PF。沒仃特別的石耍，不建議外接R-C網(wǎng)絡(luò)。特別指出的是，OCP補(bǔ)償?shù)脑O(shè)計(jì)是葺京掉R-C網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

23、的，如果設(shè)計(jì)時(shí)系統(tǒng)加入了 R-C 網(wǎng)絡(luò)，系統(tǒng)的OCP補(bǔ)償特性將受到一定的影響。5. Gate端驅(qū)動(dòng)信號輸出:芯片采用圖騰結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)輸出，可直接驅(qū)動(dòng)MOSFET.同時(shí)芯片還內(nèi)置了一個(gè)18的驅(qū)動(dòng) 輸出鉗位電路，防止由某種原因?qū)е孪到y(tǒng)驅(qū)動(dòng)輸出電壓過高使MOSFET的柵極擊穿。為改善系統(tǒng)EMI,芯片設(shè)計(jì)時(shí)對驅(qū)動(dòng)信號進(jìn)行了軟驅(qū)動(dòng)優(yōu)化處理。當(dāng)因某種因素導(dǎo)致系統(tǒng)內(nèi)6. RT端應(yīng)用及軟啟動(dòng)電路：6.1過溫保護(hù)電路設(shè)計(jì)：RT端可通過外接溫度檢測電路構(gòu)成簡易的OTP保護(hù)電路， 常用電路見圖10,圖屮R1起微調(diào)作用。OTP保護(hù)方式為自恢復(fù) （Auto-recovery）模式。RT端內(nèi)部連接了一個(gè)恒流源，該恒流源提供的

24、電流與芯片 的丁作頻率成反比.在RI=100K時(shí)，恒流源提供的電流為70uA（典型值）,RI=130K時(shí),恒流源提供的電流約為53.8UA （典型值）。部溫度逐漸上升時(shí)，NTC溫度補(bǔ)償電阻受溫度升高的影響，其阻值逐漸降低，從而便RT端的電壓逐漸卜降，直到RT端的電壓降到1.065V （典熨值）以卜并持續(xù)100US后，芯片Gate停止驅(qū) 動(dòng)，電源輸出關(guān)閉，保護(hù)整個(gè)系統(tǒng)：當(dāng)系統(tǒng)內(nèi)部溫度逐漸降低時(shí)，溫度補(bǔ)償電阻受溫度卜降的影 響，其阻值逐漸升咼 從而使RT端的電用逐漸上升，苴到RT端的電床上升到1.165V （典型值） 并持續(xù)100US后，芯片口動(dòng)恢復(fù)輸出，系統(tǒng)恢復(fù)正常工作。由J-NTC電阻的様度及

25、生產(chǎn)過程屮NTC電阻檢測點(diǎn)的不一致件導(dǎo)致系統(tǒng)的OTP點(diǎn)謀差較 人，推薦R1使用可調(diào)電阻，產(chǎn)品在生產(chǎn)時(shí)町通過調(diào)節(jié)該町調(diào)電阻阻值來調(diào)整系統(tǒng)的OTP的精度, 滿足不同的客戶需求。6.2軟啟動(dòng)電路：在RT與FB之間町以構(gòu)成傳統(tǒng)的軟啟動(dòng)電路.只電路見圖11。RT內(nèi)部右一個(gè)約70uA（/“a = 65KHz）的恒流源，ifljJlJC門限電壓超過2（開環(huán)電壓為3.5V）, FB端的皿人輸出電流厶加ax為圖11軟啟動(dòng)電路0.7111A左右，這保證了軟啟動(dòng)電路的可彳亍性。芯片啟動(dòng)后該恒 流源首先打開，開始給電容C1充電，這時(shí)RT兩端電壓 込>0.7¥, Q1處J：飽和導(dǎo)通狀態(tài)，Vfb0.3V,

26、 Gate關(guān)閉輸出； 隨著C1充電電流的逐漸減小，C1兩端的電壓也逐漸增加，RT 兩端的電壓跟隨降低，當(dāng)VR2V0.7V時(shí)，Q1由飽和導(dǎo)通狀態(tài)逐 漸轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)，F(xiàn)B的電斥逐漸匕升，育到Vre>1.0V（典熨 值），Gate開始輸出，達(dá)到軟啟動(dòng)的目的。7.動(dòng)態(tài)響應(yīng)（DNY）的調(diào)整:從動(dòng)態(tài)響應(yīng)的原理來看，系統(tǒng)耍只有較快的壞路響應(yīng)特性才能使系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性較 好。通過分析圖12屮的電路，對調(diào)柴系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性是很有幫助的。©Oil-Bright ElectronicsConfidentialOB DOC DG 6S690AS(| On-BrightOB2268/OB2269 設(shè)

27、計(jì)指導(dǎo)対芯片而言，整個(gè)系統(tǒng)的環(huán)路響應(yīng)是芯片的FB端通過檢測U3光耦反饋傳輸過來的信號強(qiáng) 度及信巧變化來進(jìn)行控制的，系統(tǒng)的響W特性不僅與OB431的增益冇關(guān)，而H與光耦的傳輸特 性有關(guān)。為門吏系統(tǒng)貝令較好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性，我們需耍調(diào)節(jié)OB431的反饋增益壞路相關(guān)尤件 Rf與Cf的值，便環(huán)路具仃較馮的增益，另外需要調(diào)節(jié)兔的值(Rd的取值不遼過人)，使U3光耦 發(fā)射二極管端能夠把次級變化的信巧轉(zhuǎn)化為電流變化信兮，并迅速的反饋到芯片的FB端進(jìn)行跟 隨控制。在輸出16V/3.5A的系統(tǒng)中，選抒U3為PC817C,Rd=270Q, Rbus=lKQ8.系統(tǒng)進(jìn)入間歇工作模式(Burst mode)的條件：為使

28、系統(tǒng)在空我或輕載的待機(jī)模式卜盡可能的降低系統(tǒng)整機(jī)的損耗，達(dá)到國際能源機(jī)構(gòu)最 新的推薦標(biāo)準(zhǔn)，0B2268為系統(tǒng)提供了較為人稱道的間歇工作模式(Burst Model),當(dāng) 1.0VvVfbVL8V,且Vdd端(7腳)電壓達(dá)到芯片內(nèi)部預(yù)置的穩(wěn)定的Burst Model門限電壓值 (Vth_burstQ12. 5V,占慮到系統(tǒng)溫度的彤響，設(shè)計(jì)屮建議該門限電壓值Vth_burst>12. 8V)時(shí)芯片 就會(huì)使系統(tǒng)進(jìn)入穩(wěn)定的間歇丁作模式(Buistmode).這時(shí)系統(tǒng)的工作原理可簡略的描述如卜： 'Li Vdd人預(yù)置電斥12.8V時(shí)Gate工即關(guān)閉輸出，變斥器儲存的能杲就會(huì)通過輸出繞組傳輸

29、到輸 出端用以維持系統(tǒng)輸出的穩(wěn)定直到卜個(gè)周期的到來；同時(shí)，變斥器輔助繞組也通過耦合輸出繞 組給fdd端電容充電，使Vdd端電壓持續(xù)上升，直到輸出繞組停止傳輸能啟。間隔-段時(shí)間后, 芯片內(nèi)部持續(xù)消耗vdd端電容儲存的能帚使vdd端電壓卜降，一旦Vdd端電爪卜障到小J：預(yù) 置電斥12 8V(典型值)時(shí)gate就會(huì)輸出脈沖進(jìn)入正常匸作狀態(tài)，苴到Vdd人J：預(yù)置電斥12.8V(典 型值)重復(fù)上述循壞。9內(nèi)置保護(hù)說明：9.1短路保護(hù)(SCP)、過流保護(hù)(OCP)及過功率保護(hù)(OPP/OLP)：芯片6腳SENSE端通過監(jiān)控系統(tǒng)初級側(cè)(一次側(cè))流過主開關(guān)管的電流信號活動(dòng)，芯片 能檢測到系統(tǒng)過流或過功率的狀況

30、。為系統(tǒng)輸出發(fā)生短路、過流或過功率現(xiàn)象時(shí)，如果 SENSE端的電床VTHOC超過0 86-(典型值)時(shí)，Gate端輸出脈寬將會(huì)被限制輸出，這時(shí)系 統(tǒng)處催功率輸出狀態(tài)Po=b*Io,即如果増加輸出負(fù)戟電流，那么系統(tǒng)輸出電壓相應(yīng)會(huì)F 降，F(xiàn)B相應(yīng)上升：卅這種現(xiàn)彖持續(xù)80mS后，芯片將使系統(tǒng)進(jìn)入過功率保護(hù)(OLP)狀態(tài)， Gate會(huì)立即關(guān)閉輸出,保護(hù)整個(gè)系統(tǒng),然后芯片帝新啟動(dòng),Gate輸出驅(qū)動(dòng)信號,當(dāng)故障依 然心在時(shí)系統(tǒng)將晅復(fù)I：述現(xiàn)彖。當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)入過功率保護(hù)狀態(tài)時(shí)，系統(tǒng)損耗的'卜均功率是較 低的。9.2 過爪保護(hù)(O'T)及過爪鉗位(Sd clamp)：OB2268/69芯片“D端內(nèi)置有過用保護(hù)(OT)及 “D過斥鉗位電路，當(dāng)“D端電斥 上升到23-5Vmin時(shí)，芯片會(huì)進(jìn)入過壓保護(hù)狀態(tài)，這時(shí)Gate停止輸出，從而保護(hù)整個(gè) 系統(tǒng)：如果Ed端電壓由丁謀種原因繼續(xù)上升，一 IL £$35V(典熨值)芯片Vdd端內(nèi)置的©On-Bright ElectiomcsConfi