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1、1/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 1. 在VCE增加時(shí)電流只輕微增加的特性曲線區(qū)域稱(chēng)為a. 飽和區(qū)b. 截止區(qū)c. 崩潰區(qū)d. 作用區(qū)2/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 2. bDC 設(shè)定的比值是 a.集極電流對(duì)基極電流b.集極電流對(duì)射極電流c.射極電流對(duì)基極電流d.射極電流對(duì)集極電流3/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) a. 在基極電流增加時(shí)集極電流不再改變b. 基極電流不再增加 c. 集極到射極電壓是最大值d. 以上皆是3. 當(dāng)電晶體在飽和區(qū)時(shí)4/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 4. 當(dāng)電晶體截止時(shí)a. 從集極到射極電壓接近零b. 集極電流接近零c. 基極-射極接面是順向偏壓 d. 以上皆非 5/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 5. 直流負(fù)載線在較低的端點(diǎn)接

2、觸的是x軸的a. 飽和點(diǎn)b. 截止點(diǎn)c. 崩潰區(qū)d. 0.7 V6/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 6. 如圖所示的電路，基極電流是a. 1.0 mAb. 1.16 mAc. 10 mAd. 11.6 mA+VCC15 VVBB5 VRCRBDC = 200430 kW3.9 kW7/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 7. 如圖所示的電路，飽和電流是a. 200 mAb. 2.0 mAc. 3.79 mAd. 14.8 mA+VCC15 VVBB5 VRCRBDC = 200430 kW3.9 kW8/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 8. 在一個(gè)光電晶體電路，假設(shè)充足的光使Q1 飽和，在 這狀態(tài)下a. Q2 也是飽和b. 二極體是導(dǎo)通c. 繼電器是動(dòng)作的d. 以上皆非+VCCR繼電器線圈繼電器接點(diǎn)Q2Q19/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 9. 一個(gè)單包裝的光耦合器包含a. 兩個(gè)電晶體b. 一個(gè)LED和一個(gè)光電晶體 c. 一個(gè)光電晶體和一個(gè)繼電器d. 一個(gè)LED和一個(gè)繼電器10/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 10. 電晶體是TO-3封裝的是a. b.c.d.11/35測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn)測(cè)驗(yàn) 答案:1

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