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1、材料物理試題(卷面80分+平時20分)1、解釋下列概念 (20分)1.2 空位、間隙原子和異類原子; 空位:在晶格結(jié)點位置應有原子的地方空缺,這種缺陷稱為“空位”?!緩木w點陣中原來應有原子存在的一個陣點處取走了原子,就形成了一個原子空位,這部分缺陷晶體被稱為空位,這種空位也叫肖特基空位】間隙原子:在晶格非結(jié)點位置,往往是晶格的間隙,出現(xiàn)了多余的原子。它們可能是同類原子,也可能是異類原子。【進入晶體點陣間隙位置的原子稱為間隙原子,這種間隙位置的特點是:在一般的情況下不應該有原子存在,且是晶體點陣的最大空隙位置。晶體在高能粒子輻照下,正常位置的原子被打入到晶體的間隙位置,在形成間隙原子的同時,形
2、成等量的空位,稱為弗倫克耳空位?!慨愵愒樱s質(zhì)原子):在一種類型的原子組成的晶格中,不同種類的原子替換原有的原子占有其應有的位置。【即使在純金屬的情況下,也仍然包含有雜質(zhì)原子,若雜質(zhì)原子與基體原子相比,其體積大于一定值,則雜質(zhì)原子以置換的形式存在;而若其體積相對較小時,則有可能以間隙原子的形式出現(xiàn)。】1.3 晶界、大角晶界和小角晶界;晶界:晶界就是空間取向(或位向)不同的相鄰晶粒之間的分界面。小角度晶界:大致地把晶粒位向差小于十度的晶界稱為小角度晶界。大角度晶界:當相鄰晶粒之間的位向差大于10-15度,晶粒間的界面叫大角度晶界。1.4 上坡擴散和反應擴散;擴散是由低濃度處向高濃度處進行的,如
3、固溶體中某些偏聚或調(diào)幅分解,這種擴散被稱為“上坡擴散”。通過擴散使固溶體中的溶質(zhì)組元超過固溶度而不斷形成新相的擴散過程,又稱相變擴散?!驹S多合金狀態(tài)圖中往往有中間相,因而在擴散過程中也可能出現(xiàn)中間相,這種擴散即為多相擴散。多相擴散包括兩個過程,一個是擴散過程;另一個是界面上達到一定的濃度發(fā)生化學反應,從而形成新相的過程。多相擴散通常也被稱為反應擴散?!?.5 一級相變和二級相變。 一級相變:由相轉(zhuǎn)變?yōu)橄鄷r,G=G, i=i,但自由焓的一階偏導數(shù)不相等,稱為一級相變。一級相變有體積和熵的突變,V0,S0?!景l(fā)生相變時,平衡兩相的化學位1=2應相等。如果相變滿足此條件,且兩相的化學位對溫度及壓力的
4、一階偏微分不等,那么這種相變稱為一級相變。發(fā)生一級相變時,將發(fā)生熵S的變化及體積V的變化,即在相變時除有體積變化外,還有潛熱的釋放。一級相變的形式:物質(zhì)的三態(tài)轉(zhuǎn)變及固態(tài)相變中的同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變等】。 二級相變:若相變時,GG,i=i ,并且自由焓的一階偏導數(shù)也相等,但自由焓的二階偏導數(shù)不相等,稱為二級相變。 二級相變時無體積效應和熱效應,材料的壓縮系數(shù)、熱膨脹系數(shù)及比定壓熱容均有突變。例:磁性轉(zhuǎn)變、有序無序轉(zhuǎn)變多為二級相變?!径壪嘧兊臒崃W特點是發(fā)生相變時平衡兩相的化學位相等,且兩相化學位的一階偏微分也相等,但二階偏微分不等。二級相變時沒有相變潛熱(即相變時的熵值不變化)及體積變化,但是比熱、壓
5、縮系數(shù)及體積膨脹系數(shù)發(fā)生變化。磁性轉(zhuǎn)變及部分有序無序轉(zhuǎn)變是屬于二級相變。】2、簡答下列問題 (20分)2.1 確定核外電子運動狀態(tài)的量子數(shù)及其意義;主量子數(shù)n:描述電子的能量高低,n越大,能量越高; 角量子數(shù)l:角量子數(shù)決定電子空間運動的角動量,以及原子軌道或電子云的形狀;磁量子數(shù)m:磁量子數(shù)是軌道角動量的z分量量子數(shù),因為旋轉(zhuǎn)量子相當于圓圈電流,它必定會產(chǎn)生磁場,形成軌道磁矩,在磁場作用下將有不同取向;自旋量子數(shù)ms:描述電子的自旋方向,正自旋+1/2,反自旋-1/2。2.2 點缺陷對材料性能的影響;(1)空位對電阻的影響:在金屬晶體中存在空位時,將使在晶體內(nèi)運動的電子發(fā)生散射,因此增加了電
6、阻。電阻增加與空位濃度成比例關(guān)系。【定向流動的電子在點缺陷處受到非平衡力(陷阱),增加了阻力,加速運動提高局部溫度(發(fā)熱)。金屬的電阻主要來自離子對傳導電子的散射。在完整晶體中,電子基本上是在均勻電場中運動,而在有缺陷的晶體中,在缺陷區(qū)點陣的周期性被破壞,電場急劇變化,因此對在晶體 內(nèi)運動的電子發(fā)生強烈散射,因此增加了電阻?!浚?)空位對體積的影響:在晶體中有空位存在時,晶體體積就要增加。為了在晶體內(nèi)部產(chǎn)生一個空位,需要將該處的原子移到晶體表面上的新原子位置,這就導致了晶體體積的增加。2.3 高溫蠕變機理;晶界機理-多晶體的蠕變。晶界對蠕變速率有兩種影響:第一 ,高溫下,晶界能彼此相對滑動,使
7、剪應力得到弛豫。第二 ,晶界本身是位錯源,離晶界約為一個障礙物間距內(nèi)的位錯會消失。晶格機理-單晶蠕變,但也可能控制著多晶的蠕變過程。在一定溫度下,熱運動的晶體中存在一定數(shù)量空位和間隙原子;位錯線處一列原子由于熱運動移去成為間隙原子或吸收空位而移去;位錯線移上一個滑移面?;蚱渌幍拈g隙原子移入而增添一列原子,使位錯線向下移一個滑移面。位錯在垂直滑移面方向的運動-位錯的攀移運動。2.4 金屬對材料的增韌所應該具備的條件;1在顯微結(jié)構(gòu)方面金屬相與無機相能否均勻分散成彼此交錯的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),決定著能否在裂紋尖端區(qū)域起到吸收部分能量的作用;2金屬對材料具有很好的潤濕性。否則,材料自成為連續(xù)相,金屬成為分散于
8、基體中的粒子,材料的力學行為仍為陶瓷相所控制,脆性改善有限。2.5 相變熱力學中晶體缺陷的作用。空位:空位通過影響擴散而促進生核,或利用本身能量提供生核驅(qū)動力,此外空位群可凝聚成位錯而促進生核。位錯:位錯促進生核,有三種形式。第一種為新相在位錯線上生核,新相形成處,位錯線消失,這部分位錯的能量被釋放出來作為相變驅(qū)動力以克服形成功而促進生核。第二種形式是位錯不消失,而依附在新相界上,構(gòu)成半共格界面中的位錯部分,這也使生核能量降低。第三種形式是溶質(zhì)原子在位錯線上偏聚,促使位錯分解,形成兩個分位錯與中間層錯部分組成的擴展位錯,此層錯部分可能成為新相的晶核。晶界:大角度晶界具有較高的能量,此處形成新相
9、可使晶界能量釋放,使形成功降低,生核容易,因此固態(tài)相變易在晶界上生核。 3. 采用示意圖說明刃型位錯的滑移運動。(10分)在圖示的晶體上施加一切應力,當應力足夠大時,有使晶體上部向有發(fā)生移動的趨勢。假如晶體中有一刃型位錯,顯然位錯在晶體中發(fā)生移動比整個晶體移動要容易。因此,位錯的運動在外加切應力的作用下發(fā)生;位錯移動的方向和位錯線垂直;運動位錯掃過的區(qū)域晶體的兩部分發(fā)生了柏氏矢量大小的相對運動(滑移);位錯移出晶體表面將在晶體的表面上產(chǎn)生柏氏矢量大小的臺階。4. 玻爾理論成功地解釋了單電子原子氫光譜的規(guī)律性。雖然該理論在解釋其他復雜多電子原子光譜時遭遇了失敗,但它對一些簡單多電子原子光譜的解釋仍然是成功的。請判斷這段話的正誤并說明原因。 (5分)錯誤。玻爾理論的局限性:(1)只限于解釋氫原子或類氫離子(單電子體系)的光譜,不能解釋多電子原子的光譜。(2)人為地允許某些物理量(電子運動的軌道角動量和電子能量)“量子化”,以修正經(jīng)典力學(牛頓力學)。5. 下圖1是晶體二維圖形,內(nèi)含有一個正刃位錯和一個負刃位錯,(a) 采用示意圖說明圍繞每個位錯分別做柏格斯回路,得柏格斯矢量各若干? (b) 采用示意圖說明圍繞兩個位錯作柏格斯回路,其結(jié)果又怎樣?(5分)6. 下圖2為晶核的G與r間的關(guān)系,現(xiàn)有不同溫度的三條曲線,請指出哪條溫度最高?哪條溫度最低?為什么?(5分) 圖1
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