泡生法藍寶石晶體生長工藝的探討

1、B、二組市場獎勵設(shè)置：（附二組市場獎級設(shè)置及分析表）1、特等獎：1名，獎勵品價值金額￥1800(禮品旅游2、一等獎：3名，獎勵品價值金額￥800（禮品）3、二等獎：600人，獎勵品價值金額￥30（手表化妝品禮品包）4、陳列獎：900份，獎勵品價值金額￥18（禮品表其它）5、小禮品：8000份，價值金額￥0.8元費用合計：每省49600元，總計396800元。全國活動費用總計：96.56萬元獎品說明：（附“康必得健康樂園系列活動評分辦法”）小禮品：在整個活動過程中（4個月）用于OTC人員在平時工作和店員的溝通上。可以多樣化和體現(xiàn)一定的價值差。陳列獎：主要是用于在12月份提高產(chǎn)品陳列上，對藥店的獎

2、勵面在91.6%，對藥店店員的獎勵面在25%左右。獎品形式體現(xiàn)實用性。二等獎：主要用于在活動完后綜合評分發(fā)放，獎勵面在17%左右，獎品形式體現(xiàn)要有特色和有價值。一等獎：以抽獎的方式發(fā)放，入圍條件是積分達到45分以上（指標(biāo)不宜定得過高，以讓更多的人看到希望）。特等獎：以抽獎的方式發(fā)放，體現(xiàn)較大吸引力，以抽獎的方式發(fā)放，入圍條件是積分達到60以上。三、方案的執(zhí)行和控制：1、活動通知到位的問題：關(guān)系到參與藥店廣度的問題具體規(guī)定：活動告知-臨時協(xié)議-判定認(rèn)可標(biāo)準(zhǔn)2第43卷第3期2011年3月哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報JOURNAL OF HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGYVol. 4

3、3No. 3Mar2011泡生法藍寶石晶體生長工藝的探討121劉麗君，徐家慶，蔡興民（1深圳大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，518060深圳，1186163401qqcom ；2深圳晶藍德燈飾有限公司，518108深圳）摘要：為了研究工藝參數(shù)對泡生法藍寶石晶體生長過程及其晶體質(zhì)量的影響，在自行研制的泡生法藍寶并在等徑生長期間采用不同的維持功率石晶體生長爐上進行了試驗調(diào)整籽晶熱交換器水流量及進水溫度，下降速度，結(jié)果表明：熱交換器冷卻強度對引晶及放肩階段晶體生長有顯著影響，并逐步減弱；維持功率下降速度直接影響等徑生長階段的晶體生長速度和晶體質(zhì)量，下降太快將導(dǎo)致晶體缺陷密度增加，嚴(yán)重時形成多晶在晶體生長過程

4、中，合理調(diào)節(jié)籽晶熱交換器的冷卻強度，謹(jǐn)慎操控維持功率下降速度是藍寶石單晶生長成敗的關(guān)鍵關(guān)鍵詞：泡生法；藍寶石單晶；水冷熱交換器；維持功率中圖分類號：TB321文獻標(biāo)志碼：A文章編號：03676234（2011）030145043 、陳列比賽獎品發(fā)放的問題：參加活動的藥店店員提供身份證 具體規(guī)定：活動流程告知書。 4 、活動終止前（ 3 月份）的烘托問題：媒體炒作，消費者促銷。 試驗1. 1試驗條件自行研發(fā)的泡生法晶體生長爐坩堝理論裝料量30kg ，設(shè)備由電源系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、熱場系統(tǒng)、惰性氣體保護系統(tǒng)、控制系統(tǒng)構(gòu)成，核心是爐體熱場系統(tǒng)爐體熱場的設(shè)計思想是使?fàn)t膛內(nèi)溫度分布在軸線上呈現(xiàn)上低

5、下高、在徑向呈現(xiàn)內(nèi)低外高的狀態(tài)：發(fā)熱體采用鎢材料，編織成發(fā)熱量上低下高的籠體結(jié)構(gòu)；保溫材料則在厚度和結(jié)構(gòu)上保障爐膛內(nèi)下部和周邊的保溫，而上部相對開放；位于軸心的坩堝支撐桿向下導(dǎo)熱尤其是上部水冷籽晶桿熱交換器向上導(dǎo)熱則是保障軸心溫度相對較低的關(guān)鍵水冷籽晶桿水冷電極籽晶坩堝蓋晶體熔體保溫材料發(fā)熱體坩堝支撐圖1泡生法晶體爐爐體結(jié)構(gòu)1. 2方法落實：（附活動執(zhí)行方案） 評估的幾個問題：4）一定的水溫下降與一定的水流量增加等效；實際操作中，在引晶擴肩階段采用先逐步加大水壓（1. 0 1. 8MPa ）以增加冷卻水流量再逐步降低水溫（30 22 ）的方法更有利于保持比較平穩(wěn)的晶體生長2. 2加熱器功率的影

6、響1、活動的吸引力：感到費用不是很高，這對一個跨度比較長的活動是一個難點。（目前通過縮短跨度時間和增加獎勵面基本解決）2可以得出已結(jié)晶晶體內(nèi)軸向溫度隨時間的變化如圖3（b ）中t 籽晶與t 凝固之間的一組曲線所示；4）籽晶通過鉬質(zhì)夾持器與耐熱不銹鋼水冷管連接，晶體生長時內(nèi)部熱量通過籽晶及夾持器以順序傳導(dǎo)方式傳導(dǎo)給水冷管并由流水帶走，在相關(guān)分析時可視籽晶下端溫度t 籽晶為恒溫；1圖3為根據(jù)以上試驗條件并參考文獻2分析得出的坩堝內(nèi)晶體生長時固液界面隨時間下移曲線（圖3（a ）和坩堝內(nèi)軸線上晶體、熔體不同時間的溫度分布（圖3（b ）圖3（b ）中t 凝固線右側(cè)的一組直線是晶體在不同生長階段對晶體向下

7、生長，應(yīng)剩余熔體在軸線上的溫度分布，需同步降低加熱器的維持功率使剩余熔體在軸線上的溫度分布線左移，從而使晶體得以持續(xù)生長，直至熔體完全消耗完畢圖4為晶體生長期間發(fā)熱體維持功率變化對溫度場分布及其液固界面形態(tài)的影響高度H晶體內(nèi)溫度變化熔體溫度變化溫度tt 籽晶（a ）固液界面隨時間下移及晶體生長t 凝固（b ）坩堝軸線上晶體、熔體溫度變化關(guān)鍵因素：吸引力？與其它竟品的比較性？獎勵面？4覆，、本次活動必須要有其它活動的穿插，才能體現(xiàn)恒利制藥的整體形象：大氣、上檔次。G =（H /tLS） t晶體生長初期的固液界面在向下推進過程中，離中心軸越遠（或者說離坩堝壁越近），生長動力越大，生長速度越快，“類

8、錐形”結(jié)晶前沿將逐步演變成倒扣的“碟形”甚至“碗形”結(jié)晶前沿在這種溫度場分布模式下，熱量由原來主要通過籽晶桿熱交換器導(dǎo)出轉(zhuǎn)變?yōu)橹饕ㄟ^坩堝壁導(dǎo)出，坩堝壁自發(fā)形核傾向增大，而一旦達到自發(fā)形核的條件，則會從坩堝壁大量自發(fā)形核生長，原來從上部外加籽晶核心開始順序向下的單晶生長模式轉(zhuǎn)化為從坩堝壁向中心熔體多晶生長模式，從而導(dǎo)致單晶生長的徹底失敗t 1初晶不同時間熔體t 徑向溫度分布2t 1t 2t 3t 3坩堝壁溫度下降t 3時熔體熱環(huán)流圖5維持功率下降過快（冷軸心演變?yōu)闊彷S心）示意圖3結(jié)論1）泡生法晶體生長爐的設(shè)計關(guān)鍵就是通過內(nèi)軸線方向上低下高、徑向內(nèi)低外高的溫度分布模式；2）在引晶放肩階段，通過先

9、逐步加大籽晶熱交換器冷卻水流量再降低冷卻水溫度，可以提供晶體持續(xù)生長的動力，但這種作用隨晶體的長大而漸漸下降，達到等徑生長時必須輔以維持功率下降才能使晶體持續(xù)生長；3）在等徑生長階段要謹(jǐn)慎調(diào)節(jié)維持功率的下降速度，使維持功率下降速度與晶體生長速度相適應(yīng)，太快容易使凸界面生長演化為凹界面生長，嚴(yán)重時形成多晶銷sapphire crystal growth by the kyropoulos technique J Optical Materials ，2007，30：62652DEMINA S E ，BYSTROVA E NUse of numerical sim-ulation for growing high quality sapphire crystals by the kyropoulos method J Journal of Crystal Growth ，2008，310：144314473Rubicon Technology I