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1、第一種：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton其中：Ton=t3-t0=td（on）+trtd（on）:MOS導(dǎo)通延遲時間，從有駛?cè)腚妷荷仙?0%開始到VDS下降到其幅值90%的時間。Tr：上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間Qg=（CED（VGS或Qg=Qgs+Qgd+Qod（可在datasheet中找到）第二種：（第一種的變形）密勒效應(yīng)時間（開關(guān)時間）Ton/off=Qgd/Ig;Ig=Vb-Vgs（th）/Rg;Ig：MOS柵極驅(qū)動電流；Vb:穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動電壓；第三種：以IR的IRF640為例，看DATASHEET!有條TotalGateCharge曲線。該曲線先

2、上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通（密勒效應(yīng)）假定你希望在內(nèi)使管子開通，估計總時間（先上升然后水平再上升）為，由Qg=67nC和可得：67nC/=,當(dāng)然，這是峰值，僅在管子開通和關(guān)短的各里有電流，其他時間幾乎沒有電流，平均值很小，但如果驅(qū)動芯片不能輸出這個峰值，管子的開通就會變慢。020406080Qq,TotalGateCharga(nC)161284>)36史o>onosolBQSQ>“elecfancom電3或優(yōu)4ParameterMin.Typ-Max.UnitsV(BR)DSSDrain-to-SourceBreakdownVoltage200VAV(br)

3、DSS/ATjBreakdownVoltageTemp.Coefficient0.25V/fRoS(on)StaticDrain-to-SourceOn-Resistance0.15Q1VGS(th)GateThresholdVoltage2.04.0VgtsForwardTransconductance6.8s、'dssDrain-to-SourceLeakageCurrent25PAJ250gssQate-to-SourceForwardLeakage100nAGate-to-SourceReverseLeakaqe-100QgTotalGateCharge67nC1|QgsGate-to-SourceCharge11Gate-to-Drain("Miller)Charge33d(on)Turn-OnDelayTimewns1fJ*rRiseTime19td(off)Turn-OffDelayTime23tfFallTime5.5LdInternalDrainInductance4.5nHtf.c%InternalSourceInductance一7.5CissInputCapacitance1160

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