(推薦下載)反激式的RCD吸收回路

1、（完整 word 版）反激式的 RCD 吸收回路編輯整理:尊敬的讀者朋友們：這里是精品文檔編輯中心，本文檔內(nèi)容是由我和我的同事精心編輯整理后發(fā)布的，發(fā)布之前我們 對文中內(nèi)容進行仔細校對，但是難免會有疏漏的地方，但是任然希望（完整word版）反激式的RCD吸收回路）的內(nèi)容能夠給您的工作和學習帶來便利。同時也真誠的希望收到您的建議和反饋, 這將是我們進步的源泉，前進的動力。本文可編輯可修改,如果覺得對您有幫助請收藏以便隨時查閱,最后祝您生活愉快業(yè)績進步,以 下為（完整word版）反激式的RCD吸收回路的全部內(nèi)容。反激式開關電源RCD 吸收電路的設計對于一位開關電源工程師來說，在一對或多對相互對立的

2、條件面前做出選擇，那是常有的 事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件.（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。┰谟懻撉拔覀兿茸鰩讉€假設，1開關電源的工作頻率范圍：20200KHZ；2RCD中的二極管正向?qū)〞r間很短（一般為幾十納秒）；3在調(diào)整RCD回路前主變壓器和MOS管，輸出線路的參數(shù)已經(jīng)完全確定。有了以上幾個假設我們就可以先進行計算：一、 首先對MOS管的V。進行分段：i ,輸入的直流電壓Voc；ii ,次級反射初級的；iii,主MOS管V。余量VDS；iv,RCD吸收有效電壓VRCDIO二、 對于以上主MOS管V。的幾部分進行計算：i ,輸入的直流電壓Voc

3、-在計算時，是依最高輸入電壓值為準。如寬電壓應選擇AC265V,即DC375V.VDC= VAC* J2ii,次級反射初級的V*.V*是依在次級輸出最高電壓，整流二極管壓降最大時計算的，如輸出電壓為：5.0V5%（依Vo二5。25V計算），二極管VF為0o525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）.VOR= （VF+VO）*Np/Nsiii,主MOS管VD的余 VDSVDS是依MOS管V。的10%為最小值.如KA05H0165R的VD=650應選擇DC65V.VVD*10%iv,RCD吸收VRCD.MOS管的V。減去i , iii三項就剩下VRCD的最大值。實際選取的V眥應為

4、最大值的90%（這里主 要是考慮到開關電源各個元件的分散性，溫度漂移和時間飄移等因素的影響）。VRCO= （VOVOCVOS）*90%注意：V御是計算出理論值，再通過實驗進行調(diào)整，使得實際值與理論值相吻合.2VRCD必須大于VOR的1。3倍.（如果小于1。3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）3MOS管VD應當小于Voc的2倍.（如果大于2倍,則主MOS管的V。值就過大了）4如果VRCD的實測值小于V*的1.2倍，那么RCD吸收回路就彩響電源效率.5VRCD是由VRCOI和VOR組成的v,RC時間常數(shù)T確定.T是依開關電源工作頻率而定的，一般選擇1020個開關電源周期.三、 試驗調(diào)整VRCO

5、值首先假設一個RC參數(shù)，R=100K/RJ15, C=10nF/1KVo再上市電，應遵循先低壓后高壓，再 由輕載到重載的原則。在試驗時應當嚴密注視RC元件上的電壓值,務必使VRCO小于計算值。如 發(fā)現(xiàn)到達計算值.就應當立即斷電，待將R值減小后，重復以上試驗。（RC元件上的電壓值是 用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容“ + ”極的RC一點上，測試點接到RC另一 點上）小一個合適的RC值應當在最高輸入電壓，最重的電源負載下,VRCD的試驗值等于理論計算值。四、 試驗中值得注意的現(xiàn)象輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高，負載越重VRCD也越高那么在最低輸入電壓，重負載時VRCD的 試驗值如果大于以

6、上理論計算的VRCD值,是否和（三）的內(nèi)容相矛盾哪？ 一點都不矛盾，理論 值是在最高輸入電壓時的計算結(jié)果，而現(xiàn)在是低輸入電壓.重負載是指開關電源可能達到的最大負載。主要是通過試驗測得開關電源的極限功率。五、RCD吸收電路中R值的功率選擇R的功率選擇是依實測VRCD的最大值，計算而得。實際選擇的功率應大于計算功率的兩倍。編后語:RCD吸收電路中的R值如果過小，就會降低開關電源的效率。然而，如果R值如果過 大,MOS管就存在著被擊穿的危險。、 引言反激式變換器具有低成本，體積小，易于實現(xiàn)多路輸出等優(yōu)點，因此被廣泛應用于中小 功率（W100w）的電源中。但是，由于變壓器漏感的存在及其它分布參數(shù)的影響

7、，反激式變換器在甦管關斷瞬間會 產(chǎn)生很大的尖峰電壓.這個尖峰電壓嚴重危脅著開關管的正常工作，必須采取措施對其進行抑 制，目前，有很多種方法可以實現(xiàn)這個目的，其中的RCD箝位法以其結(jié)構簡單，成本低廉的 特點而得以廣泛應用，但是，由于RCD箝位電路的箝位電壓會隨著負載的變化而變化，如果參 數(shù)設計不合理，該電路或者會降低系統(tǒng)的效率,或者會達不到箝位要求而使開關管損壞， 本文 介紹了反激式變換器中的RCD箝位電路的基本原理，給出了一套較為實用的設計方法。二、反激式變換器中RCD箝位電路的工作原理圖為RCD箝位電路在反激式變換器中的應用。圖中：Vclamp：箝位電容兩端間的電壓Vin：輸入電壓VD:開關

8、管漏極電壓Lp：初級繞組的電感量Llk：初級繞組的漏感量該圖中RCD箝位電路的工作原理是：當開關管導通時，能量存儲在Lp和Llk中，當開關 管關閉時，Lp中的能量將轉(zhuǎn)移到副邊輸出，但漏感Llk中的能量將不會傳遞到副邊。如果沒 有RCD箝位電路，Llk中的能量將會在開關管關斷瞬間轉(zhuǎn)移到開關管的漏源極間電容和電路 中的其它雜散電容中，此時開關管的漏極將會承受較高的開關應力。若加上RCD箝位電路，Llk中的大部分能量將在開關管關斷瞬間轉(zhuǎn)移到箝位電路的箝位電容上,然后這部分能量被箝 位電阻Rc消耗這樣就大大咸少了開關管的電壓應力.三、RCD箝位電路的設計在RCD箝位電路中電阻Rc和電容Cc的取值都比較

9、大，因此，箝位電容Cc上的電壓在 每個開關周期不會有較大的變化，這樣，我們可以用一個恒定值Vclamp來表示箝位電容兩端 的電源。在此基礎上我們可以按以下幾個步驟來設計RCD箝位電路。步驟一：確定箝位電壓Vc I amp圖2表示的是采用RCD箝位的反激變換器的開關管的漏極電壓。圖中：VOR：次級到初級的折射電壓Vc I amp:箝位電容Cc兩端的箝位電壓VBR (DSS):開關管的漏源極擊穿電壓VINMAX：最大輸入直流電壓由圖可見，箝位電壓Vclamp與開關管的VBR(DSS)及輸入最高電壓有關，如果考慮0. 9的 降額使用系數(shù)，可用下式來確定Vclamp的大小.I CLAMP= 9J(BR

10、、D3 2WWAZ.人步驟二：確定初級繞組的漏感SLIk初級繞組的漏感量可以通過測試來獲得，常用方法是，短路各個次級繞組測試此時的初級繞組的感量，這個值就是初級繞組的漏感量。需要注意的是，測試頻率應采用變換器的工 作頻率。當然，批量生產(chǎn)時不可能采取逐個測試的方法，這時，可確定一個百分比來估計整個批 次的漏感值，這個百分比通常是在1 %5%。步驟三：確定箝位電阻Rc前文提到，箝位電容Cc兩端的電壓可用恒定值Vclamp表示，因此箝位電阻消耗的功率為：式中:PR-clamp：箝位電阻消耗的功率另一方面從能量守恒原則考慮，存在以下關系:rJORj/ clamp OR式中:WR-clamp：箝位電阻消

11、耗的能量WI：初級繞組漏感中存儲的能量VOR：次級到初級的折射電壓.Vclamp：箝位電壓將能量轉(zhuǎn)換為平均功率則式可變?yōu)?3)式中：fs：變換器的工作頻率Llk：初級繞組的漏感量Ids-peak:開關管的最大峰值電流（即低壓滿載時的峰值電流）這樣由（2）、（4）式就可得到箝位電阻的計算公式:步驟四：確定箝位電容Cc箝位電容Cc的值應取得足夠大以保證其在吸收漏感能量時自身的脈動電壓足夠小，通常 取這個脈動電壓為箝位電壓的5%10%,這樣，我們就可通過下式來確定Cc的最小值.式中：Cc：箝位電容Vc I amp:箝位電壓AVcIamp：箝位電容上的脈動電壓Rc：箝位電阻fs:變換器的工作頻率步驟五：實驗驗證上述計算結(jié)果，應該在實驗中得以驗證，此時應該觀察各種輸入電壓及負載情況下的箝 位電壓波形，同時還要考慮元器件的選型是否合理，比如，箝位電阻的功率選擇應考慮1/3降額使用，箝位電容應選擇具有低的串聯(lián)等效電阻和低的等效電感的電容，箝位二極管應選 擇反向擊穿電壓高于開關管的漏源擊穿電壓且