TP金屬黃光制程簡

1、Chemax1TP金屬黃光制程簡介制作 群安電子TP金屬黃光制程簡介Chemax2TP金屬黃光流程材料材料一次壓干膜一次壓干膜一次曝光一次曝光一次顯影一次顯影一次蝕刻金屬一次蝕刻金屬一次蝕刻一次蝕刻ITO一次去膜一次去膜二次壓干膜二次壓干膜二次曝光二次曝光二次顯影二次顯影二次蝕刻金屬二次蝕刻金屬二次去膜二次去膜TP金屬黃光制程簡介紅線框內(nèi)部分流程也可用印刷制程取代Chemax3TP金屬黃光制程簡介材材 料料：PET+ITO+金屬PET規(guī)格規(guī)格：厚度50150um金屬類別：金屬類別： -Cu -Cu+NiCu - Cu+NiCuTi -其他（NiCuNi、APC、Ag合金等）ITO類別：類別：

2、-非結(jié)晶ITO（方阻150400） -結(jié)晶ITO（方阻80160）材 料Chemax4干膜的選擇干膜的選擇 NiCu及NiCuTi表面平整，干膜不易結(jié)合，需選用附著力好的干膜，如需要做30以下細(xì)線路還需選擇解析度良好的干膜；壓膜條件壓膜條件 溫度：110+5 壓力：3.5kg/cm2一次壓膜TP金屬黃光制程簡介Chemax5制程能力制程能力： 底片（film）：最細(xì)可做20/20um 玻璃底片（光罩）：最細(xì)可做10/10um曝光注意事項(xiàng)曝光注意事項(xiàng)： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握適度 需要使用平行光曝光機(jī)TP金屬黃光制程簡介一次曝光Chemax6顯影注意事項(xiàng)顯影注意事項(xiàng)： 控制顯影點(diǎn)406

3、0% 控制好顯影液濃度及PH 顯影后最好有烘干以增加干膜附著力 關(guān)注顯影后線寬是否與底片一致TP金屬黃光制程簡介一次顯影 Chemax7反應(yīng)原理反應(yīng)原理 使用氧化劑在酸性環(huán)境下氧化金屬蝕刻注意事項(xiàng)蝕刻注意事項(xiàng)： 注意蝕刻后線路品質(zhì)，避免線路鋸齒 控制好蝕刻藥液濃度 注意干膜是否有浮離問題 藥水不能攻擊ITOTP金屬黃光制程簡介一次蝕刻金屬Chemax8蝕刻蝕刻ITO注意事項(xiàng)注意事項(xiàng)： 注意蝕刻后線路品質(zhì)，避免線路鋸齒 控制好蝕刻藥液濃度 注意干膜是否有浮離問題 藥液不能攻擊金屬 非晶ITO蝕刻較快，注意控制好蝕刻速度避免蝕刻過度TP金屬黃光制程簡介一次蝕刻ITOChemax9脫膜注意事項(xiàng)脫膜注

4、意事項(xiàng)： 控制好藥液濃度； 控制去膜點(diǎn)3050% 注意干膜反粘 關(guān)注材料方阻變化，藥液不能攻擊ITO 注意D/F Adhesion Promotor是否去除干凈TP金屬黃光制程簡介一次脫膜Chemax10干膜要求干膜要求： 附著力要好；壓膜條件壓膜條件： 溫度：110+5 壓力：3.5kg/cm2TP金屬黃光制程簡介二次壓膜Chemax11曝光注意事項(xiàng)：曝光注意事項(xiàng)： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握適度 注意對(duì)位準(zhǔn)確，勿對(duì)偏 關(guān)注材料及底片是否漲縮 無線路可用散射光曝光機(jī)TP金屬黃光制程簡介二次曝光Chemax12顯影注意事項(xiàng)顯影注意事項(xiàng)： 控制顯影點(diǎn)4060% 控制好顯影液濃度及PHTP金屬黃光制程簡介二次顯影Chemax13蝕刻金屬注意事項(xiàng)：蝕刻金屬注意事項(xiàng)： 控制好蝕刻藥水濃度 關(guān)注視窗金屬殘留問題 關(guān)注ITO方阻變化 TP金屬黃光制程簡介二次蝕刻金屬Chemax14脫膜注意事項(xiàng)脫膜注意事項(xiàng)： 注意干膜反粘 控制好藥液濃度 關(guān)注ITO方