實(shí)驗(yàn)一擴(kuò)展RAM及FLASH讀寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告

1、實(shí)驗(yàn)一：擴(kuò)展RAM及FLASH讀寫實(shí)驗(yàn)班級(jí): 姓名: 學(xué)號(hào): 日期: 成 績 表實(shí)驗(yàn)?zāi)芰?50)實(shí)驗(yàn)報(bào)告(50)總評(píng)成績（100）教師簽名一、預(yù)習(xí)報(bào)告1指出F28335外擴(kuò)存儲(chǔ)器的區(qū)域及地址范圍外擴(kuò)存儲(chǔ)區(qū)域地址范圍備注2在F28335開發(fā)板上查找RAM芯片位置和型號(hào)，并描述外擴(kuò)RAM芯片與F28335的連接關(guān)系。RAM芯片位置在開發(fā)板的（ ）。（填左上、右下、中間等）；RAM芯片型號(hào)為（ ）。與F28335的連接關(guān)系為：引腳類別RAM芯片引腳名稱F28335引腳名稱地址線A17A0數(shù)據(jù)線D15D0控制線WE#CE#OE#3在F28335開發(fā)板上查找FLASH芯片位置和型號(hào)，并描述外擴(kuò)FLASH

2、芯片與F28335的連接關(guān)系。FLASH芯片位置在開發(fā)板的（ ）。（填左上、右下、中間等）；FLASH芯片型號(hào)為（ ）。與F28335的連接關(guān)系為：引腳類別FLASH芯片引腳名稱F28335引腳名稱地址線A18A0數(shù)據(jù)線D15D0控制線WE#CE#OE#4閱讀main_EXRAM.C 和main_NOR_FLASH.C文件，編寫函數(shù)：RAM1數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM2函數(shù)原型：void copyRAM1toRAM2(Uint32RAM1Start, Uint32 RAM2Start, Uint16Length)/ RAM1起始偏移地址：RAM1Start/ RAM2起始偏移地址：RAM2Start/

3、復(fù)制數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)：Length5畫出main_EXRAM.C 和main_NOR_FLASH.C文件的主程序流程圖。二、實(shí)驗(yàn)記錄（一）新建實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目步驟與內(nèi)容是否完成結(jié)果記錄，未完成原因及改進(jìn)措施等1新建項(xiàng)目：ZQ28335_ExRAMand_NOR_FLASH2加入main_EXRAM.c和main_ NOR_FLASH.c到項(xiàng)目，復(fù)制DSP2833x_common”和“DSP2833x_headers到項(xiàng)目3修改include和source文件途徑（二）擴(kuò)展RAM實(shí)驗(yàn)步驟與內(nèi)容是否完成結(jié)果記錄，未完成原因及改進(jìn)措施等1禁用“main_ NOR_FLASH.c”文件2編譯、下載程序3寫數(shù)據(jù)到外擴(kuò)R

4、AM，觀察其數(shù)據(jù)是否從0x0000依次遞增（三）擴(kuò)展FLASH實(shí)驗(yàn)步驟與內(nèi)容是否完成結(jié)果記錄，未完成原因及改進(jìn)措施等1禁用“main_EXRAM.c”文件2激活“main_ NOR_FLASH.c”3執(zhí)行InitRam(0)結(jié)果4執(zhí)行ChipErase()結(jié)果5執(zhí)行FlashWrite(0,0,0x400)結(jié)果6執(zhí)行EraseRam(0x0)結(jié)果7執(zhí)行FlashRead(0,0,0x400) 結(jié)果三、編程作業(yè)及調(diào)試先備份程序，然后修改代碼。依次完成以下操作：1、將數(shù)值0x1234寫入到存儲(chǔ)器區(qū)間0xF0000xF3FF中；2、將存儲(chǔ)器區(qū)間0xF0000xF3FF中的值對(duì)應(yīng)地復(fù)制到存儲(chǔ)器區(qū)間0x1000000x1003FF中；3、將存儲(chǔ)器區(qū)間0x1000000x1003FF中的值對(duì)應(yīng)地復(fù)制到存儲(chǔ)器區(qū)間0x2000000x2003FF中；4、將存儲(chǔ)器區(qū)間0x2000000x2003FF中的值對(duì)應(yīng)地復(fù)制到存