材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題版

1、1、極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過(guò)渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。（A）共價(jià)鍵向離子鍵（B）離子鍵向共價(jià)鍵（C）金屬鍵向共價(jià)鍵（D）鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（B）,離子配位數(shù)（）。（A）增大，降低（B）減小，降低（C）減小，增大（D）增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（C）。（A）5（B）6（C）4（D）34、NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4,Na+填充在Cl-所構(gòu)成的（B）空隙中。（A）全部四面體（B）全部八面體（C）1/2四面體（D）1/2八面體5、CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1,Cs+填充在Cl-所

2、構(gòu)成的（C）空隙中。（A）全部四面體（B）全部八面體（C）全部立方體（D）1/2八面體6、MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（B）個(gè)MgO分子。（A）2（B）4（C）6（D）87、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了（D）。（A）八面體空隙的半數(shù)（B）四面體空隙的半數(shù)（C）全部八面體空隙（D）全部四面體空隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為（B）。A)2(B)4(C)6(D)89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8,Cl-的配位數(shù)為（D）。（A）2（B）4（C）6（D）810、硅酸鹽晶體的分類原則是（B

3、）。（A）正負(fù)離子的個(gè)數(shù)（B）結(jié)構(gòu)中的硅氧比（C）化學(xué)組成（D）離子半徑11、鋯英石ZrSiO4是（A）。（A）島狀結(jié)構(gòu)（B）層狀結(jié)構(gòu)（C）鏈狀結(jié)構(gòu)（D）架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代，這種現(xiàn)象稱為（C）。（A）同質(zhì)多晶（B）有序一無(wú)序轉(zhuǎn)變（C）同晶置換（D）馬氏體轉(zhuǎn)變13、鎂橄欖石Mg2SiO4是（A）。（A）島狀結(jié)構(gòu)（B）層狀結(jié)構(gòu)（C）鏈狀結(jié)構(gòu)（D）架狀結(jié)構(gòu)14、對(duì)沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋ˋ）。（A）沸石螢石MgO（B）沸石MgO螢石（C）螢石沸石MgO（D）螢石MgO沸石15、根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體M

4、X2中二價(jià)陽(yáng)離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（B）。（A）2（B）4（C）6（D）816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元SiO4四面體，兩個(gè)相鄰的SiO4四面體之間只能（A）連接。（A）共頂（B）共面（C）共棱（D）A+B+C17、點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過(guò)程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是（D）。（A）熱缺陷（B）雜質(zhì)缺陷（C）非化學(xué)計(jì)量缺陷（D）A+B+C18、位錯(cuò)的（A）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。（A）攀移（B）攀移（C）增值（D）減少19、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，

5、該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（D）。（A）負(fù)離子空位（B）間隙正離子（C）間隙負(fù)離子（D）A或B20、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（D）。（A）正離子空位（B）間隙負(fù)離子（C）負(fù)離子空位（D）A或B21、形成固溶體后對(duì)晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響，主要表現(xiàn)為（D）。（A）穩(wěn)定晶格（B）活化晶格（C）固溶強(qiáng)化（D）A+B+C22、固溶體的特點(diǎn)是摻入外來(lái)雜質(zhì)原子后原來(lái)的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無(wú)限之分，其中（B）。（A）結(jié)構(gòu)相同是無(wú)限固溶的充要條件（B）結(jié)構(gòu)相同是無(wú)限固溶的必要條件，不是充分條件（

6、C）結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件（D）結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響，常見(jiàn)的缺陷為（D）。（A）點(diǎn)缺陷（B）線缺陷（C）面缺陷（D）A+B+C24、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（D）。25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（B）。（A）線性增加（B）呈指數(shù)規(guī)律增加（C）無(wú)規(guī)律（D）線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（D）。（A）雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小（B）晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)（C）電價(jià)因素（D）A+B+C27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（A）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)

7、果導(dǎo)致永久形變。（A）外力（B）熱應(yīng)力（C）化學(xué)力（D）結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（BurgersVector）與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為（A），其符號(hào)表示為（）。（A）刃位錯(cuò)；丄（B）刃位錯(cuò)；VX（C）螺位錯(cuò)；（D）刃位錯(cuò)；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（B）。（A）正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮?。˙）正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加（C）正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加（D）正離子間隙和負(fù)離子

8、空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時(shí)，（A）。（A）間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)（B）正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)（C）正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)（D）正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)31、位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說(shuō)法不正確的是（C）。（A）位錯(cuò)不一定是直線（B）位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界（C）位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部（D）位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中（A）。（A）螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移

9、（B）刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移（C）螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移（D）螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移33、硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（D）因素的影響。（A）組成（B）溫度（C）時(shí)間（D）A+B+C34、當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（C）,粘度（）。（A）降低；增加（B）不變；降低（C）增加；降低（D）增加；不變35、當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C）,粘度（）。（A）降低；增加（B）不變；降低（C）增加；降低（D）增加；不變36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而（B）,隨溫度下降而（）。（A）增大，降低（B）降低，增大（C）增大，

10、增大（D）降低，降低37、由結(jié)晶化學(xué)觀點(diǎn)知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。（A）極性共價(jià)鍵（B）離子鍵（C）共價(jià)鍵（D）金屬鍵38、Na2OA12O34SiO2熔體的橋氧數(shù)為（D）。A）1（B）2（C）3（D）439、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（B）。（A）2.5（B）3（C）3.5（D）440、如果在熔體中同時(shí)引入一種以上的R2O時(shí)，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為（B）。（A）加和效應(yīng)（B）混合堿效應(yīng)（C）中和效應(yīng)（D）交叉效應(yīng)41、對(duì)普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A）。（A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B42、熔體的組成對(duì)熔體的表面張力有很

11、重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）。（A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過(guò)程是（C）的過(guò)程。（A）可逆與突變（B）不可逆與漸變（C）可逆與漸變（D）不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時(shí)，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有（C）。（A）突變性（B）不變性（C）連續(xù)性（D）A或B45、熔體組成對(duì)熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）（A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B46、不同氧化物的熔點(diǎn)TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。（A）二分之一（B）三分之二（C）四分之一（D）五分之一47、

12、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲線來(lái)討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件,三T曲線前端即鼻尖對(duì)應(yīng)析出106體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（A）。（A）愈困難（B）愈容易（C）質(zhì)量愈好（D）質(zhì)量愈差48、不同O/Si比對(duì)應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃（A）。（A）越不容易（B）越容易（C）質(zhì)量愈好（D）質(zhì)量愈差49、當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以（C）的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí)，對(duì)形成玻璃有利。（A）低聚合（B）不聚合（C）高聚合（

13、D）A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（D）,膨脹系數(shù)（）。（A）增大；不變（B）降低；增大（C）不變；降低（D）增大；降低50、對(duì)于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點(diǎn)處于（A）的能階，所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。（A）較高（B）較低（C）相同（D）A或C51、由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正常位置的上、下位移，稱為（B）。（A）表面收縮（B）表面弛豫（C）表面滑移（D）表面擴(kuò)張52、固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說(shuō)來(lái)，同一種物質(zhì)，其

14、固體的表面能（B）液體的表面能。（A）小于（B）大于（C）小于等于（D）等于53、重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（），垂直方向的層間距與體內(nèi)（A）。（A）不同；相同（B）相同；相同（C）相同；不同（D）不同；不同54、粘附劑與被粘附體間相溶性（C）,粘附界面的強(qiáng)度（）。（A）越差；越牢固（B）越好；越差（C）越好；越牢固（D）越好；不變55、離子晶體MX在表面力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動(dòng)，從而形成表面（C,這種重排的結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。（A）收縮（B）弛豫（C）雙電層（D）B+C56、表面微裂紋是由于晶體缺陷

15、或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長(zhǎng)度（），斷裂強(qiáng)度（A）。（A）越長(zhǎng)；越低（B）越長(zhǎng)；越高（C）越短；越低（D）越長(zhǎng)；不變57、界面對(duì)材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（D）的特性。（A）會(huì)引起界面吸附（B）界面上原子擴(kuò)散速度較快（C）對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用（D）A+B+C58、只要液體對(duì)固體的粘附功（B）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開(kāi)。（A）小于（B）大于（C）小于等于（D）等于59、當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角090。時(shí)，即在不潤(rùn)濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤(rùn)濕（A）。（A）更難（B）不變（C）更易（D）A或B61、

16、粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值（B）,固-液兩相互相結(jié)合（）；相反，粘附功越小，則越易分離。（A）越大；越松散（B）越大；越牢固（C）越??；越牢固（D）越大；不變62、為了提高液相對(duì)固相的潤(rùn)濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí)，必須使液-固界面張力（B）。（A）降低（B）升高（C）保持不變（D）有時(shí)升高，有時(shí)降低63、對(duì)于附著潤(rùn)濕而言，附著功表示為W=YSV+yLV-ySL,根據(jù)這一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。（A）盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng)（B）盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng)（C）采用在高溫時(shí)不發(fā)生固相反應(yīng)的兩相系統(tǒng)（D）前三種方法都不行6

17、4、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（C）體積內(nèi)部的濃度。（A）等于（B）大于（C）小于（D）A或B65、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長(zhǎng)度（A）,斷裂強(qiáng)度（）。（A）越長(zhǎng)；越低（B）越長(zhǎng)；越高（C）越短；越低（D）越長(zhǎng)；不變66、吸附膜使固體表面張力（B）。（A）增大（B）減?。–）不變（D）A或B67、粗糙度對(duì)液固相潤(rùn)濕性能的影響是：C(A) 固體表面越粗糙，越易被潤(rùn)濕(B) 固體表面越粗糙，越不易被潤(rùn)濕(C) 不一定(D) 粗糙度對(duì)潤(rùn)濕性能無(wú)影響68、下列關(guān)于晶界的說(shuō)

18、法哪種是錯(cuò)誤的。A(A) 晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的(B) 晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松(C) 晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道(D) 晶界易受腐蝕69、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時(shí)，各相的組成及數(shù)量均不會(huì)隨時(shí)間而改變，是(C)。(A)絕對(duì)平衡(B)靜態(tài)平衡(C)動(dòng)態(tài)平衡(D)暫時(shí)平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3,而最大的自由度數(shù)為(A)。(A)2(B)3(C)4(D)571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過(guò)程中溫度隨時(shí)間的變化情況來(lái)判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化，該方法的特點(diǎn)是(D)。(A)簡(jiǎn)便(B)測(cè)得相變溫度僅是一個(gè)

19、近似值(C)能確定相變前后的物相(D)A+B72、淬冷法是相平衡的研究的動(dòng)態(tài)方法，其特點(diǎn)是(D)。(A)準(zhǔn)確度高(B)適用于相變速度慢的系統(tǒng)（C）適用于相變速度快的系統(tǒng)（D）A+B73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉(zhuǎn)變溫度（A）兩種晶型的熔點(diǎn)。（A）低于（B）高于（C）等于（D）A或B74、不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度（B種晶型的熔點(diǎn)。（A）低于（B）高于（C）等于（D）A或B75、在熱力學(xué)上，每一個(gè)穩(wěn)定相有一個(gè)穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過(guò)這個(gè)范圍就變成介穩(wěn)相在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（C）的蒸汽壓。（A）最高（B）與介穩(wěn)相相等（C）最低（D）A或B76、多晶轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律，系統(tǒng)由介

20、穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的，而是依次經(jīng)過(guò)中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由（D）決定。（A）轉(zhuǎn)變速度（B）冷卻速度（C）成型速度（D）A與B77、二兀凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（C）。（A）3（B）2（C）1（D）078、根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個(gè)總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量G1和G2的兩個(gè)相，則生成兩個(gè)相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個(gè)新生相的組成點(diǎn)之間線段（B。（A）成正比（B）成反比（C）相等（D）A或C79、三元相圖中，相界線上的自由度為（C）。（A）3（B）2（C）1（D）080、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：（D）。（A）需要較高溫度（

21、B）各向同性（C）各向異性（D）A+C81、在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來(lái)自兩個(gè)方面：熱缺陷與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷，后者引起的擴(kuò)散為（C）。（A）互擴(kuò)散（B）無(wú)序擴(kuò)散（C）非本征擴(kuò)散（D）本征擴(kuò)散82、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：D（A）需要較高溫度（B）各向同性（C）各向異性（D）A+C83、擴(kuò)散之所以能進(jìn)行，在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在（A）。（A）化學(xué)位梯度（B）濃度梯度（C）溫度梯度（D）壓力梯度84、固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對(duì)溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大影響。則H、C、Cr在Y-Fe中擴(kuò)散的活化能的大小順序?yàn)椋˙）。（A）QHQCQCr（B）QCrQCQH（C）QCQHQCr（D）QCrQHQ

22、C85、晶體的表面擴(kuò)散系數(shù)Ds、界面擴(kuò)散系數(shù)Dg和體積擴(kuò)散系數(shù)Db之間存在（A）的關(guān)系。（A）DsDgDb（B）DbDgDsDb（D）DgDsDb86、在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來(lái)自兩個(gè)方面：熱缺陷和摻雜點(diǎn)缺陷。由它們引起的擴(kuò)散分別稱為（B）。（A）自擴(kuò)散和互擴(kuò)散（B）本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散（C）無(wú)序擴(kuò)散和有序擴(kuò)散（D）穩(wěn)定擴(kuò)散和不穩(wěn)定擴(kuò)散87、穩(wěn)定擴(kuò)散（穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上，單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)該平面單位面積的粒子數(shù)（B）。（A）隨時(shí)間而變化（B）不隨時(shí)間而變化（C）隨位置而變化（D）A或B88、不穩(wěn)定擴(kuò)散（不穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指擴(kuò)散物質(zhì)在擴(kuò)散介質(zhì)中濃度隨（A）。（A）隨時(shí)間和位置

23、而變化（B）不隨時(shí)間和位置而變化（C）只隨位置而變化（D）只隨時(shí)間而變化89、菲克（Fick）第一定律指出，擴(kuò)散通量與濃度梯度成正比，擴(kuò)散方向與濃度梯度方向（C）。（A）相同（B）無(wú)關(guān)（C）相反（D）前三者都不是90、由于處于晶格位置和間隙位置的粒子勢(shì)能的不同，在易位擴(kuò)散、間隙擴(kuò)散和空位擴(kuò)散三種機(jī)制中，其擴(kuò)散活化能的大小為（C）。（A）易位擴(kuò)散二間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散（B）易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散二空位擴(kuò)散（C）易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散（D）易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散91、一般晶體中的擴(kuò)散為（D）。（A）空位擴(kuò)散（B）間隙擴(kuò)散（C）易位擴(kuò)散（D）A和B92、由肖特基缺陷引起的擴(kuò)散為（A）（A）本征擴(kuò)散（B）非

24、本征擴(kuò)散（C）正擴(kuò)散（D）負(fù)擴(kuò)散93、空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴(kuò)散機(jī)制適用于（C）的擴(kuò)散。（A）各種類型固溶體（B）間隙型固溶體（C）置換型固溶體（D）A和B94、擴(kuò)散過(guò)程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)（A），擴(kuò)散（）。（A）越緊密；越困難（B）越疏松；越困難（C）越緊密；活化能越?。―）越疏松；活化能越大95、不同類型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu)，其擴(kuò)散難易程度不同，間隙型固溶體比置換型（D）。（A）難于擴(kuò)散（B）擴(kuò)散活化能大（C）擴(kuò)散系數(shù)小（D）容易擴(kuò)散96、擴(kuò)散相與擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)差異越大，（B）。（A）擴(kuò)散活化能越大（B）擴(kuò)散系數(shù)越大（C）擴(kuò)散活化能不變（D）擴(kuò)散系數(shù)越小97、在晶體中存在雜質(zhì)時(shí)對(duì)擴(kuò)散有重要的影響，主要是通過(guò)（D）,使得擴(kuò)散系數(shù)增大。（A）增加缺陷濃度（B）使晶格發(fā)生畸變（C）降低缺陷濃度（D）A和B98、通常情況下，當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時(shí)，其在高溫條件下引起的擴(kuò)散主要是（A）。（A）本征擴(kuò)散（B）非本征擴(kuò)散（C）互擴(kuò)散（D）A+B99、按熱力學(xué)方法分類，相變可以分為一級(jí)相變和二級(jí)相變，一級(jí)相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微熵不相等，因此一級(jí)相變（B）。（A）有相變潛熱，無(wú)體積改變（B）有相變潛熱，并伴隨有體積改變（C）無(wú)相變潛熱，并伴隨有體積改變（D）無(wú)相變潛熱，無(wú)體積改