第5章 單片機(jī)存儲(chǔ)器擴(kuò)展

1、單片機(jī)芯片內(nèi)具有單片機(jī)芯片內(nèi)具有CPU、ROM、RAM、定時(shí)器、定時(shí)器/ 計(jì)數(shù)器及計(jì)數(shù)器及I / O口。但在實(shí)際應(yīng)用中、大多數(shù)情況口。但在實(shí)際應(yīng)用中、大多數(shù)情況下僅靠片內(nèi)資源是不夠的。下僅靠片內(nèi)資源是不夠的。 資源性擴(kuò)展：資源性擴(kuò)展： 包括包括存儲(chǔ)器擴(kuò)展和存儲(chǔ)器擴(kuò)展和IO擴(kuò)展擴(kuò)展。如何擴(kuò)展如何擴(kuò)展?擴(kuò)展功能如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展功能如何實(shí)現(xiàn)?擴(kuò)展部件如何連接擴(kuò)展部件如何連接? 整個(gè)擴(kuò)展系統(tǒng)以單片機(jī)為核心，通過整個(gè)擴(kuò)展系統(tǒng)以單片機(jī)為核心，通過總線把各擴(kuò)展部件連接起來(lái)，各擴(kuò)展部件總線把各擴(kuò)展部件連接起來(lái)，各擴(kuò)展部件“掛掛”在總線上。在總線上。 所謂總線，就是連接系統(tǒng)中各擴(kuò)展部所謂總線，就是連接系統(tǒng)中各擴(kuò)展部

2、件的一組公共信號(hào)線。件的一組公共信號(hào)線。 包括：包括：地址總線（地址總線（AB）；）； 數(shù)據(jù)總線（數(shù)據(jù)總線（DB）；）； 控制總線（控制總線（CB）。）。存儲(chǔ)器與微型機(jī)三總線的連接：存儲(chǔ)器與微型機(jī)三總線的連接：1 1、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)線D D0 0n n 連接數(shù)據(jù)總線連接數(shù)據(jù)總線DBDB0 0n n 2 2、地址線、地址線A A0 0N N 連接地址總線低位連接地址總線低位ABAB0 0N N。3 3、片選線、片選線CSCS 連接地址總線高位連接地址總線高位ABABN+1N+1。4 4、讀寫線、讀寫線OEOE、WE(R/ W) WE(R/ W) 連接讀寫控制線連接讀寫控制線RDRD、WRWR。 D

3、BDB0 0n n ABAB0 0N NA A0 0N N ABABN+1N+1CSCSR/ WR/ WR/ WR/ W存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器微型機(jī)微型機(jī)D D0 0n n 存儲(chǔ)器與微型機(jī)三總存儲(chǔ)器與微型機(jī)三總線的一般連接方法和存儲(chǔ)線的一般連接方法和存儲(chǔ)器讀寫時(shí)序：器讀寫時(shí)序：1.1.數(shù)據(jù)總線與地址總線數(shù)據(jù)總線與地址總線 為兩組獨(dú)立總線。為兩組獨(dú)立總線。DB0n地址輸出地址輸出數(shù)據(jù)有效數(shù)據(jù)有效數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)采樣采樣R/WAB0ND D0 0n n DBDB0 0n n ABAB0 0N NA A0 0N N ABABN+1N+1CSCSR/ WR/ WR/ WR/ W存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器微型機(jī)微型機(jī)D D0 0n n

4、2.2.微型機(jī)復(fù)用總線結(jié)構(gòu)：微型機(jī)復(fù)用總線結(jié)構(gòu)： 數(shù)據(jù)與地址分時(shí)共用數(shù)據(jù)與地址分時(shí)共用 一組總線。一組總線。 ALE地址地址鎖存鎖存地址地址鎖存鎖存地址地址輸出輸出數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)有效有效地址地址輸出輸出數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)有效有效AD0n數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)采樣采樣數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)采樣采樣R/W單片機(jī)單片機(jī) AD0n ALER/WD0nA0nR/W存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器Di Qi G地址鎖存器地址鎖存器l 單片機(jī)擴(kuò)展的首要問題就是構(gòu)造系統(tǒng)總線，然后再往系統(tǒng)單片機(jī)擴(kuò)展的首要問題就是構(gòu)造系統(tǒng)總線，然后再往系統(tǒng)總線上總線上“掛掛”存儲(chǔ)芯片或存儲(chǔ)芯片或I/O接口芯片。接口芯片。l“構(gòu)造構(gòu)造”總線總線芯片本身并沒有提供地址線和數(shù)據(jù)線。芯片本身并沒有提

5、供地址線和數(shù)據(jù)線。具體的構(gòu)造方法說(shuō)明如下：具體的構(gòu)造方法說(shuō)明如下：l以以P0口的口的8位口線作地址數(shù)據(jù)線。位口線作地址數(shù)據(jù)線。 復(fù)用技術(shù)復(fù)用技術(shù)地址和數(shù)據(jù)進(jìn)行分離。地址和數(shù)據(jù)進(jìn)行分離。 為此在構(gòu)造地址總線時(shí)要添加一個(gè)為此在構(gòu)造地址總線時(shí)要添加一個(gè)8位鎖存器位鎖存器。先把這。先把這低低8位地址送鎖存器暫存，然后就由地址鎖存器給系統(tǒng)提供位地址送鎖存器暫存，然后就由地址鎖存器給系統(tǒng)提供低低8位地址，而把位地址，而把P0口線作為數(shù)據(jù)線使用。口線作為數(shù)據(jù)線使用。l以以P2口的口線作高位地址線?？诘目诰€作高位地址線。 由由P2口提供高口提供高8位，再加上位，再加上P0口提供的低口提供的低8位位64KB。

6、但實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)中，地址高位并不固定為但實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)中，地址高位并不固定為8位，而根據(jù)位，而根據(jù)需要從需要從P2口中引出。口中引出。 控制信號(hào)：控制信號(hào)：構(gòu)成擴(kuò)展系統(tǒng)的控制總線。構(gòu)成擴(kuò)展系統(tǒng)的控制總線。 1. ALE作地址鎖存的選通信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)低作地址鎖存的選通信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)低8位地址的鎖存。位地址的鎖存。 2. PSEN作擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)。作擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)。 3. EA作內(nèi)外程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。作內(nèi)外程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。 4. RD和和WR作擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和作擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和I/O端口的讀寫選通信號(hào)。端口的讀寫選通信號(hào)。80C51圖圖5.25.2MCS-51MCS-51

7、用于擴(kuò)展存儲(chǔ)器的外部總線信號(hào)：用于擴(kuò)展存儲(chǔ)器的外部總線信號(hào)：P P0.00.7 ：8 8位數(shù)據(jù)和低位數(shù)據(jù)和低8 8位地址信號(hào)，復(fù)用總線位地址信號(hào)，復(fù)用總線ADAD0 07 7。P P2.02.7 ：高高8 8位地址信號(hào)位地址信號(hào)ABAB8 81515。ALEALE： 地址鎖存允許控制信號(hào)。地址鎖存允許控制信號(hào)。PSENPSEN： 片外程序存儲(chǔ)器讀選通信號(hào)。片外程序存儲(chǔ)器讀選通信號(hào)。EAEA： 內(nèi)外程序存儲(chǔ)器選擇。內(nèi)外程序存儲(chǔ)器選擇。RDRD：片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀控制信號(hào)。片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀控制信號(hào)。WRWR：片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫控制信號(hào)。片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫控制信號(hào)。 當(dāng)單片機(jī)外接芯片較多，超出總線負(fù)載能力

8、，必須當(dāng)單片機(jī)外接芯片較多，超出總線負(fù)載能力，必須加總線驅(qū)動(dòng)器。加總線驅(qū)動(dòng)器。單向驅(qū)動(dòng)器單向驅(qū)動(dòng)器74LS24474LS244、 74LS24574LS245用于用于地址總線驅(qū)動(dòng)；地址總線驅(qū)動(dòng)；雙向驅(qū)動(dòng)器雙向驅(qū)動(dòng)器74LS25574LS255用于用于數(shù)據(jù)總線驅(qū)動(dòng)。數(shù)據(jù)總線驅(qū)動(dòng)。 5-2 存儲(chǔ)器擴(kuò)展及編址技術(shù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展及編址技術(shù)存儲(chǔ)器內(nèi)部為雙向地址譯碼，以節(jié)省內(nèi)部引線和驅(qū)動(dòng)器。存儲(chǔ)器內(nèi)部為雙向地址譯碼，以節(jié)省內(nèi)部引線和驅(qū)動(dòng)器。 如：如：1K1K容量存儲(chǔ)器，有容量存儲(chǔ)器，有1010根地址線。根地址線。 單向譯碼需單向譯碼需要要10241024根譯碼輸根譯碼輸出線和驅(qū)動(dòng)器。出線和驅(qū)動(dòng)器。 雙向譯碼雙

9、向譯碼 X X、Y Y方向各為方向各為3232根根譯碼輸出線和驅(qū)譯碼輸出線和驅(qū)動(dòng)器，動(dòng)器， 總共需要總共需要6464根譯碼線和根譯碼線和6464個(gè)個(gè)驅(qū)動(dòng)器。驅(qū)動(dòng)器。圖圖5.6 存儲(chǔ)器邏輯結(jié)構(gòu)圖存儲(chǔ)器邏輯結(jié)構(gòu)圖3232=1024存儲(chǔ)器外部信號(hào)引存儲(chǔ)器外部信號(hào)引線線D D0 07 7數(shù)據(jù)線：數(shù)據(jù)線： 傳送存儲(chǔ)單元內(nèi)容。根數(shù)與單元數(shù)據(jù)位數(shù)相同。傳送存儲(chǔ)單元內(nèi)容。根數(shù)與單元數(shù)據(jù)位數(shù)相同。A A0 09 9地址線：地址線： 選擇芯片內(nèi)部一個(gè)存儲(chǔ)單元。根數(shù)由存儲(chǔ)器容量決定。選擇芯片內(nèi)部一個(gè)存儲(chǔ)單元。根數(shù)由存儲(chǔ)器容量決定。CS CS 片選線：片選線： 選擇存儲(chǔ)器芯片。當(dāng)選擇存儲(chǔ)器芯片。當(dāng)CSCS信號(hào)無(wú)效，其

10、它信號(hào)線不起作用。信號(hào)無(wú)效，其它信號(hào)線不起作用。R/WR/W(OE/WE)(OE/WE)讀寫允許線：讀寫允許線： 打開數(shù)據(jù)通道，決定數(shù)據(jù)的傳送方向和傳送時(shí)刻。打開數(shù)據(jù)通道，決定數(shù)據(jù)的傳送方向和傳送時(shí)刻。 用多片存儲(chǔ)器芯片組成微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所要求的用多片存儲(chǔ)器芯片組成微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所要求的存儲(chǔ)器系統(tǒng)存儲(chǔ)器系統(tǒng)。 要求擴(kuò)充后的存儲(chǔ)器系統(tǒng)引出線符合微型計(jì)算機(jī)要求擴(kuò)充后的存儲(chǔ)器系統(tǒng)引出線符合微型計(jì)算機(jī)的總線結(jié)構(gòu)要求。的總線結(jié)構(gòu)要求。例例1 1：用用2K2K1 1位存儲(chǔ)器芯片組成位存儲(chǔ)器芯片組成 2K2K8 8位存儲(chǔ)器系統(tǒng)。位存儲(chǔ)器系統(tǒng)。例例2 2：用用2K2K8 8位存儲(chǔ)器芯片組成位存儲(chǔ)器芯片組成2K

11、2K1616位存儲(chǔ)器系統(tǒng)。位存儲(chǔ)器系統(tǒng)。當(dāng)?shù)刂?、片選和讀寫信號(hào)有效，可當(dāng)?shù)刂?、片選和讀寫信號(hào)有效，可并行并行存取存取8位信息；共用片選。位信息；共用片選。地址、片選和讀寫引線并聯(lián)后引出，數(shù)據(jù)線地址、片選和讀寫引線并聯(lián)后引出，數(shù)據(jù)線并列并列引出。引出。CER/WR/WCECED07D815R/WA010共用片選共用片選 1.1.線選法：線選法：微型機(jī)剩余高位地址總線直接連接各存儲(chǔ)器片選線。微型機(jī)剩余高位地址總線直接連接各存儲(chǔ)器片選線。 2.2.譯碼片選法：譯碼片選法：微型機(jī)剩余高位地址總線通過地址譯碼器輸出片選信號(hào)。微型機(jī)剩余高位地址總線通過地址譯碼器輸出片選信號(hào)。多片存儲(chǔ)器芯片組成大容量存儲(chǔ)器

12、連接常用片選方法。多片存儲(chǔ)器芯片組成大容量存儲(chǔ)器連接常用片選方法。 地址線、數(shù)據(jù)線和讀寫控制線均并聯(lián)。地址線、數(shù)據(jù)線和讀寫控制線均并聯(lián)。 為保證并聯(lián)數(shù)據(jù)線上沒有信號(hào)沖突，必須用片選信為保證并聯(lián)數(shù)據(jù)線上沒有信號(hào)沖突，必須用片選信 號(hào)區(qū)別不同芯片的地址空間號(hào)區(qū)別不同芯片的地址空間（不能共用片選）（不能共用片選）。R/WCED07R/WCE1 (AB13)CE2(AB14)R/WCER/WCECE3(AB15)設(shè)設(shè)CECE1 1、CECE2 2、CECE3 3分別連接微型機(jī)分別連接微型機(jī)的高位地址總線的高位地址總線ABAB1313、ABAB1414、ABAB1515。ABABi i：15141315

13、141312 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 012 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 015141315141312 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 012 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 0：1101100 0000 0000 00000 0000 0000 00001101101 1111 1111 1111=C000H1 1111 1111 1111=C000HDFFFHDFFFH：1011010 0000 0000 00000 0000 0000 00001011011 1111 1111 1111=A000H1 1111 1111 11

14、11=A000HBFFFH BFFFH ：0110110 0000 0000 00000 0000 0000 00000110111 1111 1111 1111=6000H1 1111 1111 1111=6000H7FFFH 7FFFH l所謂存儲(chǔ)器編址，就是使用系統(tǒng)提供的地址線，所謂存儲(chǔ)器編址，就是使用系統(tǒng)提供的地址線，通過適當(dāng)?shù)倪B接，最終達(dá)到一個(gè)編址唯一地對(duì)通過適當(dāng)?shù)倪B接，最終達(dá)到一個(gè)編址唯一地對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器中一個(gè)存儲(chǔ)單元的目的。應(yīng)存儲(chǔ)器中一個(gè)存儲(chǔ)單元的目的。l存儲(chǔ)器編址分兩個(gè)層次：存儲(chǔ)器編址分兩個(gè)層次： （見見P119）l存儲(chǔ)芯片的選擇；存儲(chǔ)芯片的選擇；l芯片內(nèi)部存儲(chǔ)單元的選擇。芯片內(nèi)部

15、存儲(chǔ)單元的選擇。l存儲(chǔ)器映像研究各部分存儲(chǔ)器在整個(gè)存儲(chǔ)空間存儲(chǔ)器映像研究各部分存儲(chǔ)器在整個(gè)存儲(chǔ)空間中所占據(jù)的中所占據(jù)的地址范圍地址范圍，以便為存儲(chǔ)器的使用提，以便為存儲(chǔ)器的使用提供依據(jù)。供依據(jù)。 線選法：線選法：v 直接以系統(tǒng)的地址位作為存儲(chǔ)芯片的片選信號(hào)。直接以系統(tǒng)的地址位作為存儲(chǔ)芯片的片選信號(hào)。 v 優(yōu)缺點(diǎn)：簡(jiǎn)單明了，且不需增加電路。但存儲(chǔ)空優(yōu)缺點(diǎn)：簡(jiǎn)單明了，且不需增加電路。但存儲(chǔ)空間的使用是斷續(xù)的，不能有效地利用空間，擴(kuò)充間的使用是斷續(xù)的，不能有效地利用空間，擴(kuò)充容量受限，只適用于小規(guī)模系統(tǒng)的存儲(chǔ)器擴(kuò)展。容量受限，只適用于小規(guī)模系統(tǒng)的存儲(chǔ)器擴(kuò)展。 譯碼法：譯碼法：v 對(duì)系統(tǒng)的高位地址進(jìn)行

16、譯碼，以其譯碼輸出作為對(duì)系統(tǒng)的高位地址進(jìn)行譯碼，以其譯碼輸出作為片選信號(hào)。片選信號(hào)。v 高效率地利用存儲(chǔ)空間，適用于大容量多芯片擴(kuò)高效率地利用存儲(chǔ)空間，適用于大容量多芯片擴(kuò)展。展。v 常用的譯碼芯片有：常用的譯碼芯片有：74LS139（雙（雙2-4譯碼器）、譯碼器）、74LS138(3-8譯碼器譯碼器)和和74LS154(4-16譯碼器譯碼器)等。等。圖圖5.5 74LS138G1 /G2A /G2B（使能端）：當(dāng)（使能端）：當(dāng)G1=“1”，G2A=G2B=“0”時(shí)，時(shí)，3/8譯碼器進(jìn)入譯碼狀態(tài)，這時(shí)譯碼器進(jìn)入譯碼狀態(tài)，這時(shí) Y0Y7 只有一位是低電平，其只有一位是低電平，其余全為高電平。譯碼

17、無(wú)效時(shí)，余全為高電平。譯碼無(wú)效時(shí)， Y0Y7 全為高電平，無(wú)效。全為高電平，無(wú)效。C 、B、A：譯碼器輸入：譯碼器輸入 （C 為高位）。為高位）。 Y0Y7 ：譯碼器輸出，低電平有效。：譯碼器輸出，低電平有效。表表5-1圖圖5.5Y Y0 0、Y Y1 1、Y Y2 2分別連接三片存儲(chǔ)器的片選端分別連接三片存儲(chǔ)器的片選端CECE1 1、CECE2 2、CECE3 3各片存儲(chǔ)器芯片分配地址：各片存儲(chǔ)器芯片分配地址：0000H1FFFH；：2000H3FFFH；：4000H5FFFH。AB13AB14AB15 +5V A Y0 B Y1 C Y2 G1 G2A Y7 G2B 74LS138CE1C

18、E2CE3ABABi i： 15141315141312 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 012 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 015141315141312 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 012 11109 8 7 6 5 4 3 2 1 0：0000000 0000 0000 00000 0000 0000 00000000001 1111 1111 11111 1111 1111 1111=0000H=0000H1FFFH1FFFH：0010010 0000 0000 00000 0000 0000 00000010011 1111 1111 11

19、111 1111 1111 1111=2000H=2000H3FFFH 3FFFH ：0100100 0000 0000 00000 0000 0000 00000100101 1111 1111 11111 1111 1111 1111=4000H=4000H5FFFH 5FFFH 工作時(shí)，工作時(shí)，ROMROM中的信息只能讀出，要用特殊方式中的信息只能讀出，要用特殊方式寫入寫入( (固化信息固化信息) )，失電后可保持信息不丟失。，失電后可保持信息不丟失。1.1.掩膜掩膜ROMROM：不可改寫不可改寫ROMROM 由生產(chǎn)芯片的廠家固化信息。在最后一道工序用由生產(chǎn)芯片的廠家固化信息。在最后一道

20、工序用掩膜工藝寫入信息，用戶只可讀（如掩膜工藝寫入信息，用戶只可讀（如80C5180C51）。）。2.PROM2.PROM：可編程可編程ROMROM 用戶可進(jìn)行一次編程。存儲(chǔ)單元電路由熔絲相連，用戶可進(jìn)行一次編程。存儲(chǔ)單元電路由熔絲相連，當(dāng)加入寫脈沖，某些存儲(chǔ)單元熔絲熔斷，信息永久寫當(dāng)加入寫脈沖，某些存儲(chǔ)單元熔絲熔斷，信息永久寫入，不可再次改寫。入，不可再次改寫。3.EPROM3.EPROM：可擦除可擦除PROMPROM 用戶可以多次編程。編程加寫脈沖后，某些存用戶可以多次編程。編程加寫脈沖后，某些存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)單元的PNPN結(jié)表面形成浮動(dòng)?xùn)?，阻擋通路，?shí)現(xiàn)信結(jié)表面形成浮動(dòng)?xùn)?，阻擋通路，?shí)現(xiàn)信息

21、寫入。用紫外線照射可驅(qū)散浮動(dòng)?xùn)?，原有信息全息寫入。用紫外線照射可驅(qū)散浮動(dòng)?xùn)牛行畔⑷坎脸?，便可再次改寫（如部擦除，便可再次改寫（?7C5187C51）。）。4.EEPROM4.EEPROM：可電擦除可電擦除PROMPROM 既可全片擦除也可字節(jié)擦除，可在線擦除信息，既可全片擦除也可字節(jié)擦除，可在線擦除信息，又能失電保存信息，具備又能失電保存信息，具備RAMRAM、ROMROM的優(yōu)點(diǎn)。但寫入的優(yōu)點(diǎn)。但寫入時(shí)間較長(zhǎng)（如時(shí)間較長(zhǎng)（如89518951）。）。常用常用EPROMEPROM芯片：芯片：Intel 2716 (2KB=2KIntel 2716 (2KB=2K8 8位位) )、 2732

22、 (4KB)2732 (4KB)、 2764 (8KB)2764 (8KB)、 27128(16KB)27128(16KB)、 27256(32KB)27256(32KB)、 27512(64KB)27512(64KB)。CE/PGM片選低電平有效。當(dāng)編程時(shí)引入編程脈沖。片選低電平有效。當(dāng)編程時(shí)引入編程脈沖。OE-(輸出允許輸出允許)有效時(shí)輸出緩沖器打開，被尋址單元才能被讀出。有效時(shí)輸出緩沖器打開，被尋址單元才能被讀出。VPP編程時(shí)加十編程時(shí)加十25V編程電壓電源。編程電壓電源。表表5-3 2716工作方式工作方式8031/80328031/8032擴(kuò)展擴(kuò)展2KB EPROM Intel 27

23、162KB EPROM Intel 2716（總線形式）（總線形式） l最低地址：最低地址：8000H；l最高地址：最高地址：87FFH。l 地址范圍：地址范圍：8000H87FFH。圖圖5.8 單片機(jī)程序存儲(chǔ)器擴(kuò)展連接圖單片機(jī)程序存儲(chǔ)器擴(kuò)展連接圖圖圖5.8 2816引腳和功能圖引腳和功能圖EEPROM EEPROM 既能作為程序存儲(chǔ)器又能作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。既能作為程序存儲(chǔ)器又能作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。將程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的空間合二為一。將程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的空間合二為一。片外存儲(chǔ)器讀信號(hào)片外存儲(chǔ)器讀信號(hào)= PSEN = PSEN RD RD與門與門擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器電路常用擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器電路常用RAM

24、RAM芯片：芯片：Intel 6116(2KB)Intel 6116(2KB)、6264(8KB)6264(8KB)、 62256(32KB)62256(32KB)等。等。圖圖5.10 靜態(tài)靜態(tài)RAM2114引腳圖引腳圖1KB6416=1024圖圖5.10 6116和和6264管腳和邏輯符號(hào)管腳和邏輯符號(hào)80318031（80518051）擴(kuò)展）擴(kuò)展2KB RAM Intel 61162KB RAM Intel 6116。圖圖5.11 擴(kuò)展單片擴(kuò)展單片6116數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器的綜合擴(kuò)展。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器的綜合擴(kuò)展。1 1、同時(shí)擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器：、同時(shí)擴(kuò)

25、展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器： 程序存儲(chǔ)器的讀操作有程序存儲(chǔ)器的讀操作有PSEN信號(hào)控制，信號(hào)控制， 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀和寫分別由數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀和寫分別由RD和和WR信號(hào)控制。信號(hào)控制。 不會(huì)造成操作上的混亂。不會(huì)造成操作上的混亂。2 2、通過擴(kuò)展可讀寫存儲(chǔ)器：、通過擴(kuò)展可讀寫存儲(chǔ)器： （1 1）利用）利用EEPROM芯片芯片擴(kuò)展；（速度較慢）擴(kuò)展；（速度較慢） 如：可擴(kuò)展如：可擴(kuò)展28162816或或28172817等。等。 （2 2）改造）改造RAM存儲(chǔ)芯片。（見存儲(chǔ)芯片。（見P131P131） 如：可改造如：可改造61166116等。等。單片機(jī)連接單片機(jī)連接 8KB EPROM 2764 8KB

26、 EPROM 2764 和和 8KB RAM 6264 8KB RAM 6264 各一片。各一片。圖圖5.14 同時(shí)擴(kuò)展兩種存儲(chǔ)器同時(shí)擴(kuò)展兩種存儲(chǔ)器EEPROM EEPROM 既能作為程序存儲(chǔ)器又能作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。既能作為程序存儲(chǔ)器又能作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。將程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的空間合二為一。將程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的空間合二為一。片外存儲(chǔ)器讀信號(hào)片外存儲(chǔ)器讀信號(hào)= PSEN = PSEN RD RD與門與門 哈佛（哈佛（Har-yard）結(jié)構(gòu)，即將程序和）結(jié)構(gòu)，即將程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器截然分開，各有自已的尋址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器截然分開，各有自已的尋址方式、尋址空間和控制信號(hào)。方式、尋址空間和控制信號(hào)。 80C51單片單片微機(jī)的微機(jī)的存儲(chǔ)器映象圖存儲(chǔ)器映象圖。 一、特點(diǎn)一、特點(diǎn)復(fù)雜性復(fù)雜性 1、程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器同時(shí)存在；、程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器同時(shí)存在； 2、內(nèi)外存儲(chǔ)器同時(shí)存在；、內(nèi)外存儲(chǔ)器同時(shí)存在； 3、存儲(chǔ)器地址空間的重疊和連續(xù)。、存儲(chǔ)器地址空間的重疊和連續(xù)。4KB4