現(xiàn)代電子電路基礎(chǔ)與實驗教學(xué)課件全套電子教案匯總整本書課件最全教學(xué)教程完整版教案

1、現(xiàn)代電子電路基礎(chǔ)與實驗 課程目標(biāo)p 掌握模擬電路和數(shù)字電路的組成、基本理論、 性能特點和基本分析方法；p 具備簡單電子技術(shù)的分析和設(shè)計能力；p 配合電子線路實驗（非電類），培養(yǎng)分析和解 決實際問題的能力，為后續(xù)課程的學(xué)習(xí)打下堅 實的基礎(chǔ)。課程特點p 技術(shù)基礎(chǔ)課，不同于專業(yè)課，注重基本概念、基本原理和基本分析方法。電子技術(shù)發(fā)展迅速，課程內(nèi)容不可能面面俱到，因此要注意分析問題和解決問題能力的培養(yǎng)，為今后的學(xué)習(xí)和工作打下基礎(chǔ)。p 又不同于基礎(chǔ)理論課，課程內(nèi)容接近工程實際，常常采用抓住主要矛盾，忽略次要因素的方法。實踐性很強，要注重實踐環(huán)節(jié)和動手能力的培養(yǎng)，結(jié)合實驗課，鞏固和深化理論課知識。p 課程內(nèi)

2、容圍繞電子信號的產(chǎn)生和處理所展開。教學(xué)內(nèi)容實驗課 實驗一、 常規(guī)實驗儀器的使用實驗二、 單級放大器特性研究（一）實驗三、 放大器的頻率特性研究（二）實驗四、 電流串聯(lián)負反饋放大器的焊接與測試實驗五、 RC晶體管振蕩器（*）實驗六、 集成運算放大器的應(yīng)用實驗七、 計算機仿真分析實驗實驗八、 多諧波振蕩器與脈沖波形變換（*）實驗九、 TTL與非門的參數(shù)測量實驗十、 集成與非門在脈沖電路中的應(yīng)用實驗十一、 555定時器的應(yīng)用實驗十二、 十進制計數(shù)器實驗十三、 虛擬儀器實驗（*）實驗十四、 綜合測量系統(tǒng)p 第一代第一代電子管電子管1904年，英國電氣工程師弗萊明（J. Fleming）發(fā)明了世界上第一

3、只電子管 真空二極管。1907年，美國科學(xué)家李德福雷斯特（Lee de Forest ）在真空二極管中加 入金屬柵網(wǎng)，使之成為具有放大作用的真空三極管（電子管），標(biāo)志電子器件真正走向應(yīng)用。德福雷斯特也被稱為“電子管之父”。緒論電子技術(shù)的發(fā)展ENIAC電子數(shù)字積分機和計算機(Electronic Numerical Integrator and Computer)，1946年2月研制成功。ENIAC占地170平方米，有8英尺高，3英尺寬，100英尺長，裝有16種型號的18000個真空管、1500個電子繼電器、70000個電阻器、18000個電容器，總重量30噸，耗電140-150KW。ENIAC

4、有5種功能：每秒5000次加法運算；每秒50次乘法運算；平方和立方計算；sin和cos函數(shù)數(shù)值運算；其他更復(fù)雜的計算。緒論電子技術(shù)的發(fā)展p 第二代第二代晶體管：晶體管：巴丁布拉頓肖克利 (19081991) (19021987)(19101989)晶體管裝置（NPN Ge） 1947年12月23日，工作于貝爾實驗室的威廉肖克利（WBShockley）、沃爾特布拉頓（JBardeen）和約翰巴?。╓HBrattain），發(fā)明了第一只晶體管。 1954年，硅晶體管開始廣泛使用，晶體管收音機、電視機也陸續(xù)問世。電子管與晶體管第一臺晶體管收音機 (1955年) 最早的晶體管電視機(1960年) 緒論電

5、子技術(shù)的發(fā)展p 第三代第三代集成電路：集成電路： 1959年1月，德克薩斯儀器公司（TI）宣布發(fā)明集成電路，是以鍺做的單晶片。 同年7月，仙童公司（Fairchild）的羅伯特諾伊斯（NNoyce ）發(fā)明了硅集成電路。 1968年8月諾伊斯與負責(zé)研發(fā)的戈登摩爾和工藝開發(fā)專家安迪格羅夫離開仙童，創(chuàng)立了英特爾（Intel）公司。基爾比發(fā)明的集成電路諾依斯發(fā)明的集成電路Moore定律（1964年）：每18個月芯片集成度（每平方毫米晶體管數(shù)）提高一倍，這個預(yù)測已為實踐所證實。緒論電子技術(shù)的發(fā)展400480868018680286i386i486PentiumPentiumMMXCeleronPenti

6、umIIIPentiumIV緒論電子技術(shù)的發(fā)展p 第四代第四代大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路第一代CPU：Intel 4004具有代表性的是1971年英特爾公司推出的第一代中央處理器：4004，它在34毫米芯片面積上集成晶體管2250個。 2002年1月，英特爾公司推出了64比特總線配置的Intel Pentium4 2.2G CPU，采用0.13微米銅布線工藝技術(shù)，在14.6平方毫米的表面積上集成了5500萬個晶體管。Pentium III CPU顯微照片緒論電子技術(shù)的發(fā)展p 高密度集成p 高頻高速p 低壓低耗p 可編程單片收音機硅單晶片與加工好的硅片緒論電子技術(shù)的發(fā)展物理

7、量物理量（物理過程）（物理過程）模擬電量模擬電量（U、I）預(yù)處理預(yù)處理DSP顯示結(jié)果顯示結(jié)果傳感器傳感器前端電路前端電路計算機接口計算機接口數(shù)字信號數(shù)字信號A/D變換器變換器計算機計算機處理處理程序程序存儲、處理存儲、處理顯示、控制顯示、控制數(shù)字化儀器數(shù)字化儀器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)緒論典型電子測量系統(tǒng)電子測量儀器的發(fā)展按所采用的技術(shù)分按儀器結(jié)構(gòu)和實現(xiàn)形式分模擬儀器數(shù)字化儀器智能儀器單臺儀器模塊化儀器虛擬儀器技術(shù)基礎(chǔ)：微電子技術(shù)、數(shù)字信號處理技術(shù)、計算機技術(shù)電子儀器測量系統(tǒng)信號采集（包括傳感器電路、信號調(diào)理電路）信號分析與處理結(jié)果表達與輸出+緒論典型電子測量系統(tǒng)傳傳 統(tǒng)統(tǒng) 儀儀 器器虛虛 擬

8、擬 儀儀 器器功能由儀器廠商定義功能由儀器廠商定義功能由用戶自己定義功能由用戶自己定義與其它儀器設(shè)備的連接十分有限與其它儀器設(shè)備的連接十分有限可方便地與網(wǎng)絡(luò)外設(shè)及多種儀器連接可方便地與網(wǎng)絡(luò)外設(shè)及多種儀器連接圖形界面小，人工讀取數(shù)據(jù)，信息量小圖形界面小，人工讀取數(shù)據(jù)，信息量小界面圖形化，計算機直接讀取數(shù)據(jù)并分析界面圖形化，計算機直接讀取數(shù)據(jù)并分析處理處理數(shù)據(jù)無法編輯數(shù)據(jù)無法編輯數(shù)據(jù)可編輯、存儲、打印數(shù)據(jù)可編輯、存儲、打印硬件是關(guān)鍵部分硬件是關(guān)鍵部分軟件是關(guān)鍵部分軟件是關(guān)鍵部分價格昂貴價格昂貴價格低廉，僅是傳統(tǒng)儀器的五至十分之一價格低廉，僅是傳統(tǒng)儀器的五至十分之一系統(tǒng)封閉、功能固定、可擴展性差系統(tǒng)

9、封閉、功能固定、可擴展性差基于計算機技術(shù)開放的功能模塊可構(gòu)成多基于計算機技術(shù)開放的功能模塊可構(gòu)成多種儀器種儀器技術(shù)更新慢技術(shù)更新慢技術(shù)更新快技術(shù)更新快開發(fā)和維護費用高開發(fā)和維護費用高基于軟件體系的結(jié)構(gòu)可大大節(jié)省開發(fā)費用基于軟件體系的結(jié)構(gòu)可大大節(jié)省開發(fā)費用緒論虛擬儀器緒論虛擬儀器R2Vo00C2R1R1C3Vi+-NE553232184C100R3C1+-NE553232184+-NE553232184R3+-NE553232184R2C2C3緒論電路設(shè)計仿真第一章:電路基礎(chǔ)知識 p電子信號及頻譜 （signals and spectrum）p理想電路元件 （circuit elements）p

10、電壓源與電流源 （voltage and current sources）p線性網(wǎng)絡(luò)定律（linear network theorem ）p雙口網(wǎng)絡(luò) （two-port networks）pRC電路分析 （RC circuits）1.1 電子信號及頻譜1.1-1 電子信號1.模擬信號和數(shù)字信號（analog and digital signals）tt模擬信號: 幅值連續(xù)數(shù)字信號: 幅值離散 時間連續(xù) 時間離散UU2. 正弦信號（sinusoidal signals）)sin()2sin(tAftAUAUAUrmspp212UtAf21f1Peak-to-peak:Root-mean-squa

11、re:Period: T=f11.1 電子信號及頻譜3. 其它信號（other signals）t三角波（triangle）t鋸齒波（sawtooth wave）t方波（square waves）UUUt階躍信號（step signal）U1.1 電子信號及頻譜3. 其它信號（other signals） 脈沖（pulses）Positive-goingNegative-going rise time: fall time: Duty cycle: / Tpulse width: Tt10%50%90%rtftTrtft1.1 電子信號及頻譜 1.1-2 頻譜1.周期信號（periodic s

12、ignals）任何周期函數(shù)，滿足狄里赫利條件，可以展開為傅里葉級數(shù)：10)cos()(nnntnAAtf函數(shù)由下列分量部分組成：（1）直流分量：（2）基波分量：（3）諧波分量：n=2,3,4 . . .各項函數(shù)包含的各種分量成分成為 的頻譜， 全體 稱為振幅譜， 全體 稱為相位譜。)(tfnAn0A)cos(11tA1.1 電子信號及頻譜例：周期對稱方波之頻譜f(t)tUmT-T傅里葉級數(shù)：.)5cos(51)3cos(31)cos(2)(tttUtfmw357振幅譜|An|w357n相位譜1.1 電子信號及頻譜2.非周期信號（non-periodic signals）dtetfFtj)()(

13、傅里葉逆變換:deFtftj)(21)(1.1 電子信號及頻譜傅里葉正變換: 非周期信號的頻譜為連續(xù)頻譜，可采用傅里葉變換得到。頻譜表示方法使用頻譜密度（單位頻帶的頻譜值）函數(shù)：F(w)例：矩形脈沖信號的頻譜:Um)(tft22wF(w)mU24)2()2()(tutuUtfm)2(2)2sin()(SaUUFmm1.1 電子信號及頻譜 電路元件：電阻器、電容器、電感器等 電路器件：二極管、三極管、集成運算放大器等p 電阻器（resistors）IUR歐姆定律（ohms law）：R=U/I功率消耗：P=UI.321RRRRSeries: Parallel: .1111321RRRRResis

14、tances: 0.01 ohm 1012 ohmsPower ratings: 1/8 watt 250 wattAccuracies: 0.005% 20%1.2 理想電路元件p 電容器（capacitors）通高頻、阻低頻IUC表達式：.321CCCCSeries: Parallel: .1111321CCCCCapacitances: 0.5 pF(picofarads) 10 F(farads)dtdUCI 1.2 理想電路元件p 電感器（inductors）通低頻、阻高頻IUL表達式：.321LLLLSeries: Parallel: .1111321LLLLInductance

15、is measured in henrys (or mH, uH, etc.)dtdILU 1.2 理想電路元件1.3-1 電壓源 理想電壓源的兩端電壓 U(t)與流過它的電流無關(guān) 源電壓為0的理想電壓源等效于理想的短路線 實際電壓源等效于理想電壓源與內(nèi)阻Rs串聯(lián) 內(nèi)阻Rs越小，電壓源質(zhì)量越高 U(t) = Us - I(t)RsUsU（t）Us=0UsU（t）RsI（t）理想電壓源 Us=0的理想電壓源 實際電壓源1.3 電壓源與電流源1.3-2 電流源 理想電流源的電流I（t）與其兩端電壓無關(guān) 源電流為0的理想電流源等效于開路端子 實際電流源等效于理想電流源與內(nèi)阻Rs并聯(lián) 內(nèi)阻Rs越大，電

16、流源質(zhì)量越高 I(t) = Is - U(t) / RsIsV（t）Is=0理想電流源 Is=0的理想電流源實際電流源IsU（t）RsI（t）I（t）1.3 電壓源與電流源1.3-3 受控源（controlled sources） 受控源 非獨立源 A：電壓增益Ai：電流增益 g：跨電導(dǎo) r： 跨電阻 四種理想放大器模型電壓控制電壓源 電壓控制電流源AUiUigUiUirIiIiAiIiIi電流控制電壓源 電流控制電流源1.3 電壓源與電流源1.4-1 基爾霍夫定律（Kirchhoffs laws） 網(wǎng)絡(luò)：電路的泛稱，線性元件組成線性網(wǎng)絡(luò) 端口、節(jié)點（n） 支路（b）、回路（loop） 基爾霍

17、夫電流定律（KCL） 任一時刻，任一節(jié)點各支路流出（或流入） 的瞬時電流總和為 0 基爾霍夫電壓定律（KVL） 任一時刻，沿任一回路的繞向計算， 回路上各支路電壓之和為 0b1b2b5b6b4b3n3n1n4n2loopNkbkI10NkbkU101.4 線性網(wǎng)絡(luò)定律 例：求電路中回路電流 I1 loop1： Z1I1 + Z2（I1 - I2）- E1 = 0 loop2： Z2（I2 -I1 ）+ rI1 + Z3I2 + E2 = 0 （Z2+Z3）E1 + Z2 E2 I1= （Z1+Z2）（Z2+Z3）+Z2（r-Z2）Z3Z2E1Z1I1loop1E2rI1loop21.4 線性網(wǎng)

18、絡(luò)定律作業(yè)題： P27：1-5第1章：電路基礎(chǔ)知識第一章:電路基礎(chǔ)知識 p電子信號及頻譜 （signals and spectrum）p理想電路元件 （circuit elements）p電壓源與電流源 （voltage and current sources）p線性網(wǎng)絡(luò)定律（linear network theorem ）p雙口網(wǎng)絡(luò) （two-port networks）pRC電路分析 （RC circuits）1.4-2 獨立源疊加定理（superposition theorem）p 線性網(wǎng)絡(luò)中任一支路上的電壓或電流，任一節(jié)點的電壓 或回路電流，等于網(wǎng)絡(luò)中每一個獨立源單獨作用產(chǎn)生的 效果之

19、和。Z3 Z2 EZ1IZ3 Z2 E=0Z1IZ3 Z2 EZ1I=0I3I3I3” Z3I3 = I3+I3”= (I + Z1 E) Z1+Z2+Z31.4 線性網(wǎng)絡(luò)定律1.4-3 等效電源定理p 戴文寧定理（Thevenins theorem） 任一有源單口（二端）線性網(wǎng)絡(luò)，可用一個理想電壓源 串聯(lián)一個阻抗來代替，稱為戴文寧等效電路。p 理想電壓源的電壓等于該網(wǎng)絡(luò)端口的開路電壓，等效阻 抗等于該網(wǎng)絡(luò)中全部獨立源為零值時從端口看進去的阻抗。p 諾頓定理（Nortons theorem） 任一有源單口線性網(wǎng)絡(luò)，可用一個理想電流源并聯(lián)一個 阻抗來代替，稱為諾頓等效電路。p 理想電流源的電流等

20、于該網(wǎng)絡(luò)端口的短路電流，等效阻抗 等于該網(wǎng)絡(luò)中全部獨立源為零值時從端口看進去的阻抗。1.4 線性網(wǎng)絡(luò)定律例：右圖電路中，例：右圖電路中， 求戴維寧等效電路求戴維寧等效電路求開路電壓求開路電壓 ：Su1i1R2R175.0iVuS40 kR51kR2022i11275.0iiiocuSuiRiR2211ViRuoc3522求等效電阻求等效電阻 ：oR0Su1i1R2R175.0i2iUI11/RUi22/RUi 075.0211iiiIkIURo5 . 2/1.4 線性網(wǎng)絡(luò)定律1.5-1 雙口網(wǎng)絡(luò)p 任何復(fù)雜大網(wǎng)絡(luò)可分解為N1、N2單口和N雙口網(wǎng)絡(luò)p 輸入端口：U1、I1p 輸出端口：U2、I2

21、p 使用網(wǎng)絡(luò)參量來描述雙口網(wǎng)絡(luò)特性， U1、U2、I1、I2中兩個為自變量，兩個為因變量， 可構(gòu)成4種網(wǎng)絡(luò)參量：Z、Y、H和G。 信號源（單口） 放大器（雙口） 負載（單口）UsI1I1RsRLI2I2U1U2 N 放大器放大器N1N21.5 雙口網(wǎng)絡(luò)1.5-2 Z 參量 I1、I2 為自變量， U1、U2為因變量 網(wǎng)絡(luò)方程：U1= Z11 I1 + Z12 I2U2= Z21 I1 + Z22 I2p Z11=U1/I1(I2=0)：輸出端開路時的輸入阻抗p Z12=U1/I2(I1=0)：輸入端開路時的反向轉(zhuǎn)移阻抗p Z21=U2/I1(I2=0)：輸出端開路時的正向轉(zhuǎn)移阻抗p Z22=U

22、2/I2(I1=0)：輸入端開路時的輸出阻抗p Z 參量等效電路：I1I2U1U2ZI1I1I2I2Z12I2Z12I2Z22Z22Z11Z11Z21I1Z21I1U2U2U1U11.5 雙口網(wǎng)絡(luò)1.5-3 Y 參量 U1、U2為自變量， I1、I2為因變量 網(wǎng)絡(luò)方程：I1= Y11 U1 + Y12 U2I2= Y21 U1 + Y22 U2p Y11=I1/U1(U2=0)：輸出端短路時的輸入導(dǎo)納p Y12=I1/U2(U1=0)：輸入端短路時的正向轉(zhuǎn)移導(dǎo)納p Y21=I2/U1(U2=0)：輸出端短路時的反向轉(zhuǎn)移導(dǎo)納p Y22=I2/U2(U1=0)：輸入端短路時的輸出導(dǎo)納p Y 參量等

23、效電路：I1I2U1U2YI1I1I2I2Y12U2Y12U21/Y221/Y221/Y111/Y11Y21U1Y21U1U2U2U1U11.5 雙口網(wǎng)絡(luò)1.5-4 H 參量 I1、U2為自變量， U1、I2為因變量 網(wǎng)絡(luò)方程：U1= H11 I1 + H12 U2I2= H21 I1 + H22 U2p H11=U1/I1(U2=0)：輸出端短路時的輸入阻抗p H12=U1/U2(I1=0)：輸入端開路時的反向電壓傳輸系數(shù)p H21=I2/I1(U2=0)：輸出端短路時的正向電流傳輸系數(shù)p H22=I2/U2(I1=0)：輸入端開路時的輸出導(dǎo)納p 分析晶體管放大電路時 常采用H參量電路I1I

24、2U1U2HI1I1I2I2H12U2H12U2H11H111/H211/H21H21I1H21I1U2U2U1U11.5 雙口網(wǎng)絡(luò)1.5-5 G 參量 U1、I2為自變量， I1、U2為因變量 網(wǎng)絡(luò)方程：I1= G11 U1 + G12 I2U2= G21 U1 + G22 I2p G11=I1/U1(I2=0)：輸出端開路時的輸入導(dǎo)納p G12=I1/I2(U1=0)：輸入端短路時的反向電流傳輸系數(shù)p G21=U2/U1(I2=0)：輸出端開路時的正向電壓傳輸系數(shù)p G22=U2/I2(U1=0)：輸入端短路時的輸出阻抗p G 參量等效電路：I1I2U1U2GI1I1I2I2G12I2G1

25、2I2G22G221/G111/G11G21U1G21U1U2U2U1U11.5 雙口網(wǎng)絡(luò)1.5-6 網(wǎng)絡(luò)函數(shù)（network function）p 激勵（excitation）與響應(yīng)（response）p 網(wǎng)絡(luò)函數(shù)為激勵與響應(yīng)之比H = 響應(yīng) /激勵網(wǎng)絡(luò)函數(shù)分類：p 激勵與響應(yīng)在同一端口稱為策動點（driving point）函數(shù)p 激勵與響應(yīng)不在同一端口稱為轉(zhuǎn)移（transfer）函數(shù)激勵激勵響應(yīng)響應(yīng)H響應(yīng) 激勵 名稱策動點函數(shù)策動點函數(shù) 電流電流 電壓電壓 策動點導(dǎo)納策動點導(dǎo)納 電壓電壓 電流電流 策動點阻抗（策動點阻抗（ZiZi、ZoZo） 電流電流 電壓電壓 轉(zhuǎn)移導(dǎo)納轉(zhuǎn)移導(dǎo)納轉(zhuǎn)移函數(shù)

26、轉(zhuǎn)移函數(shù) 電壓電壓 電流電流 轉(zhuǎn)移阻抗轉(zhuǎn)移阻抗 電流電流 電流電流 電流傳輸系數(shù)（電流傳輸系數(shù)（KiKi） 電壓電壓 電壓電壓 電壓傳輸系數(shù)（電壓傳輸系數(shù)（KuKu）1.5 雙口網(wǎng)絡(luò)例：右圖所示電路：求：電壓傳輸系數(shù) K=Uo/Us 列出節(jié)點方程：（Us-U1）/1=（U1-Uo）/2+U1/2（U1-Uo）/2+2U1=Uo/1K=Uo/Us=10/7U1212U1UoUs21I1.5 雙口網(wǎng)絡(luò)1.6-1 重要概念p 電路分為： 即時響應(yīng)的電阻電路 帶有儲能元件C、L的動態(tài)電路（dynamic circuits）p 電容電壓不可突變，有隔直流、通交流功能p 電感電流不可突變，有隔交流、通直流

27、功能p 電路不處于暫態(tài)（transient state）， 就處于穩(wěn)態(tài)（steady state）p 工作狀態(tài)的變化過程稱為過度（transition）過程p 電路的全響應(yīng)（complete response）分為：零輸入響應(yīng)（zero input response ）- Us(t=0)=0零狀態(tài)響應(yīng)（ zero state response ）- Uc(0)=0UsRC1.6 RC電路分析1.6-2 零輸入響應(yīng)（zero input response ） t=0時的等效電路中：RCUc(0)RCUc(0)I IUc0UcRIdtdUcCUcUcdtdCI)0(0UcdtdUcRCRCteUc

28、tUc)0()(RCteRUcdtdUcCtI)0()(1.6 RC電路分析1.6-2 零輸入響應(yīng)（zero input response ）Uc (t)t2340.380.02Uc (0)tI (t)-Uc(0) / Rp 電壓、電流按指數(shù)規(guī)律變化p 變化速度由時間常數(shù) =RC決定p 上升/下降時間為 2.2p 暫態(tài)過程持續(xù)時間為 4p 再次穩(wěn)態(tài)時 Uc=0，I=0，放電結(jié)束1.6 RC電路分析1.6-3 零狀態(tài)響應(yīng)（zero state response ）電路中電容電壓為 Uc(0)=0，t=0時加入直流 UsUsRCI IUcUsUcRIdtdUcCI UsUcdtdUcRC)1 ()

29、(RCteUstUcRCteRUsdtdUcCtI)(Uc (t)2340.630.98Ustp 再次穩(wěn)態(tài)時 Uc=Us，I=0 電容充電結(jié)束I(t)2340.380.02tUs / R1.6 RC電路分析1.6-4 全響應(yīng)（complete response）電路中電容電壓為 Uc(0)，t=0時加入直流 Us全響應(yīng) = 零狀態(tài)響應(yīng)+零輸入響應(yīng) （疊加定理）UsRCI IUcRCtRCteUceUstUc)0()1 ()(Uc(0)p 對響應(yīng)是按指數(shù)律變化的一階電路， 可使用三要素法（觀察法：inspection method） 對任一變量的響應(yīng)直接求解p 三要素：變量的初始值X(0)、穩(wěn)態(tài)

30、值X( )和時間常數(shù)p 變量的全響應(yīng)為：teXXXtX)()0()()(1.6 RC電路分析例：t=0時刻打開開關(guān)，求 Uc(t)和I(t)t=0- 時： Uc(0-)=6V I(0-)=0mAt=0+ 時： Uc(0+)=6V I(0+)=0.2mAt= 時： Uc( )=10V I( )=0mA時間常數(shù)： =2mS10V20K C0.1uFI(t)I(t)30K10V20K C0.1uFI(t)I(t)30K10V20K C0.1uFI(t)I(t)t=0-t=0+teUcUcUctUc)()0()()(Vet)410(2mAetIt22 . 0)(穩(wěn)態(tài)響應(yīng)穩(wěn)態(tài)響應(yīng) 暫態(tài)響應(yīng)暫態(tài)響應(yīng)1.6

31、 RC電路分析1.6-5 微分器（differentiators）Ui(t)RtUtUtUidtdCtI)()()()(U(t)CRI(t)I(t) 當(dāng) =RC非常小時，Ui(t) U(t)()(tUidtdRCtUUiUmttwV(t)UmtV(t)Umtp 對輸入矩形脈沖正跳變：tmeUtU)(零狀態(tài)響應(yīng)零狀態(tài)響應(yīng)p 對輸入矩形脈沖負跳變：twtmeUtU)(零輸入響應(yīng)零輸入響應(yīng)p 當(dāng) =RC非常大時，耦合電路tw U(t)dttUiRCtU)(1)(UiUmttwViUmttwp 對輸入矩形脈沖正跳變：零狀態(tài)響應(yīng)零狀態(tài)響應(yīng)p 對輸入矩形脈沖負跳變：零輸入響應(yīng)零輸入響應(yīng))1 ()(tmeU

32、tUwwtttmeeUtU)1 ()(1.6 RC電路分析習(xí)題：P27 1-6P27 1-9P28 1-12第1章：電路基礎(chǔ)知識第2章:半導(dǎo)體器件 p 半導(dǎo)體基本知識 （semiconductors）p PN結(jié)及二極管 （ PN junction and diode）p 雙極型晶體管 （ bipolar junction transistor）p 線性： resistors, capacitors, inductorsp 非線性: semiconductorsp 導(dǎo)體： 絕緣體：p 介于導(dǎo)體和絕緣體之間的稱為半導(dǎo)體p 硅（Si，原子序號14）、鍺（Ge，原子序號32 ）p 二者共同點：最外層軌

33、道上有4個電子（價電子）p 價電子決定著物質(zhì)的物理和化學(xué)性質(zhì)p 將原子核和內(nèi)層電子看作一個帶有+4電荷的正離子p 一個4價元素的原子由慣性核與4個價電子來表示cm410cm910+42.1 半導(dǎo)體基本知識2.1-1 本征半導(dǎo)體（pure semiconductor）p 硅（或鍺）的晶體，相鄰原子共有一對價電子：共價鍵p 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力與溫度有很大關(guān)系p 溫度升高時，價電子擺脫共價鍵束縛成為自由電子p 電子 空穴對p 載流子+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價鍵價電子空穴空穴自由電子自由電子2.1 半導(dǎo)體基本知識2.1-2 雜質(zhì)半導(dǎo)體（mixed sem

34、iconductor）一、N型半導(dǎo)體p 4價晶體中摻入5價元素（如：磷）- 施主雜質(zhì)p 組成共價鍵后多余出一個電子p 該電子不受共價鍵束縛，自由電子p 電子型半導(dǎo)體（N型）p 多數(shù)載流子 電子+4+4+4+4+4+4+4+4+5+5+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子自由電子施主原子施主原子2.1 半導(dǎo)體基本知識2.1-2 雜質(zhì)半導(dǎo)體（mixed semiconductor）二、P型半導(dǎo)體p 4價晶體中摻入3價元素（如：硼）- 受主雜質(zhì)p 組成共價鍵后缺少一個電子而形成空穴p 空穴型半導(dǎo)體（P型）p 多數(shù)載流子 空穴p 多子濃度不受溫度影響+4+4+4+4+3+4+4+4+4空穴空穴受主原

35、子受主原子2.1 半導(dǎo)體基本知識2.2-1 PN結(jié)及其單向?qū)щ娞匦詐 PN結(jié)：各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)p 將P型和N型制作在同一半導(dǎo)體上，交界處： PN結(jié)p 濃度高區(qū)向濃度低區(qū)運動：擴散運動p P區(qū)負離子區(qū)，N區(qū)正離子區(qū)：空間電荷區(qū) 耗盡層p 產(chǎn)生電位差Uho -電位壁壘（硅：0.7V，鍺：0.2V）p 電場產(chǎn)生漂移運動p 擴散運動與漂移運動達到動態(tài)平衡P P區(qū)區(qū) N N區(qū)區(qū)空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) 耗盡層耗盡層P P區(qū)區(qū) N N區(qū)區(qū)空穴空穴 負離子負離子 正離子正離子 自由電子自由電子Uho2.2 PN結(jié)及二極管2.2-1 PN結(jié)及其單向?qū)щ娞匦詐 PN結(jié)加正向電壓：P接正極，N接負極p 外電場將多

36、數(shù)載流子推向空間電荷區(qū)，變窄p 擴散運動加劇，漂移運動減弱p PN結(jié)導(dǎo)通，結(jié)壓降為零點幾伏p 限流電阻P P區(qū)區(qū) N N區(qū)區(qū) 空間空間電荷區(qū)電荷區(qū)Uho 外電場外電場 RV2.2 PN結(jié)及二極管2.2-1 PN結(jié)及其單向?qū)щ娞匦詐 PN結(jié)加反向電壓： N接正極， P接負極p 外電場增強了內(nèi)電場，使空間電荷區(qū)變寬p 阻止擴散運動，加強漂移運動p 形成非常小的漂移電流p PN結(jié)截止P P區(qū)區(qū) N N區(qū)區(qū) 空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)Uho 外電場外電場 RV2.2 PN結(jié)及二極管2.2-2 PN結(jié)的伏安特性 PN結(jié)電流方程p 正向特性U較小時，正向電流幾乎為0 死區(qū)U大于死區(qū)電壓時，正向電流隨電壓指數(shù)增加

37、p 反向特性反向電壓U小于UBR時，反向飽和電流Is很小反向電壓U大于UBR時，反向電流急劇增大 擊穿UBR 反向擊穿電壓 雪崩擊穿：碰撞電離 齊納擊穿：直接將價電子擺脫共價鍵束縛) 1(/TUUSeIIIsU UBRBRIU U正向特性正向特性反向特性反向特性死區(qū)死區(qū)2.2 PN結(jié)及二極管2.2-3 PN結(jié)的電容效應(yīng)p PN結(jié)中的電荷量隨外加電壓變化而變化 電容的充放電p 勢壘電容Cb：空間電荷區(qū)的結(jié)電容p 擴散電容Cd：多數(shù)載流子擴散過程積累p PN結(jié)電容Cj=Cb+Cd，正向約為Cd，反向約為Cbp PN結(jié)電容量級：pF幾百pF，低頻可忽略P區(qū)區(qū) N區(qū)區(qū) L+Dl L Q dQ RVCb

38、V2.2 PN結(jié)及二極管2.2-4 二極管的結(jié)構(gòu)p 點接觸型：電流小，結(jié)電容小，高頻p 面結(jié)合型：電流大，結(jié)電容大，低頻p 平面型：擴散法制造，結(jié)面積有大有小2.2 PN結(jié)及二極管2.2-5 二極管的特性p 實際二極管存在電阻：正向電流小于PN結(jié)電流p 存在漏電流：反向電流大于PN結(jié)電流p 開啟電壓UON：Si：0.5V，Ge：0.1Vp 導(dǎo)通電壓UD：Si：0.7V，Ge：0.2Vp 反向飽和電流：Si：0.1uA，Ge：0.1mAp 反向擊穿電壓UBR：幾十V幾千Vp 溫度影響p 二極管主要參數(shù)最大整流電流IF：長期工作時容許的最大正向平均電流最高反向工作電壓 UR：最大反向工作電壓（1/

39、2 UBR ）反向電流IR：越小越好，受溫度影響大最高工作頻率FM：工作的上限頻率IsUBRI IU U正向特性正向特性反向特性反向特性UON2.2 PN結(jié)及二極管2.2-6 二極管的等效電路 - 直流通路：2.2 PN結(jié)及二極管p 理想模型最簡單，但誤差最大，當(dāng)Ui遠大于UD時采用；p 折線模型誤差最小，但最復(fù)雜，精確計算時采用；p 恒壓降模型最常用。理想模型UI0恒壓降模型UI0UD UI0UDUI折線模型U UD DU UD D R RD D2.2-6 二極管的等效電路 交流通路：2.2 PN結(jié)及二極管p 近似可認為：rd微變等效電路只考慮二極管兩端的電壓在某一固定值附近作微小變化時引起

40、的電流變化，可用曲線在該固定值處的切線來近似表示這一小段曲線，而將二極管等效成一個微變等效電阻rdUI0UI0drTUUTSUUSdUIeUIdUeIddUdIUIrTT)1(1 例：UD=0.7V，估算開關(guān)斷開和閉合時的Uo開關(guān)斷開時，二極管導(dǎo)通： Uo=V1-UD=5.3V開關(guān)閉合時，二極管截止： Uo=V2=12VUoRDV16VV212V2.2 PN結(jié)及二極管2.2-7 二極管的應(yīng)用整流電路（rectification）p 將交流電壓變?yōu)橹绷麟妷簆 正弦波的正半周通過p 偏移電壓：U1-U2=UDp 正弦波的負半周截止p 半波整流UoRDAC UacUottU2U12.2 PN結(jié)及二極

41、管2.2-7 二極管的應(yīng)用 整形電路p 削波（限幅）電路p 防止輸出電壓超過給定值UstUotV1V2UoRD1UsV1D2V2Us（V2UsV1）V2（UsIZMIN (8-5)/R 30 5 R 86Us最大且IL最小時，IZ最大，應(yīng)該有： IZIZMAX (10-5)/R 0 0.05UsRDI IL L2.2 PN結(jié)及二極管雙極型晶體管（晶體三極管、半導(dǎo)體三極管）小功率管 中功率管 大功率管2.3 雙極型晶體管2.3-1 晶體管的結(jié)構(gòu)p 兩個PN結(jié)、三個電極p 平面型（NPN）、合金型（PNP）P N N C E B N N P 發(fā)射極發(fā)射極E 集電極集電極C 基極基極B 集電結(jié)集電結(jié)

42、 發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié) 集電區(qū)集電區(qū) 基區(qū)基區(qū) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) B E CC EB E BC NPP P P NECB BE CC E B2.3 雙極型晶體管2.3-2 晶體管電流放大作用 晶體管內(nèi)部載流子的運動（NPN共發(fā)射極為例）p 發(fā)射區(qū)高攙雜、基區(qū)薄、外加電壓p 發(fā)射過程：發(fā)射結(jié)正偏壓，形成發(fā)射極電流IEp 復(fù)合和擴散過程：電子向集電結(jié)擴散，與基區(qū)空穴復(fù)合形成基極電流IBp 收集過程：集電結(jié)反偏壓，形成集電極電流IC和反向截止電流ICBORcRbI IB BI IE EI IC CI ICNCNI ICBOCBOI IBNBNI IEPEPI IENEN2.3 雙極型晶體管2.3-2 晶體管電流

43、放大作用晶體管的電流分配關(guān)系（共發(fā)射極）I IE E=I=IENEN+I+IEPEP=I=ICNCN+I+IBNBN+I+IEPEPI IC=ICN+ICBOC=ICN+ICBOI IB B=I=IBNBN+I+IEPEP-I-ICBOCBOI IE E=I=IC C+I+IB B共射電流放大系數(shù)：h hFEFE=I=ICNCN/ /（I IBNBN+I+IEPEP） = =（I IC C-I-ICBOCBO）/ /（I IB B+I+ICBOCBO）由于：由于：IcIIcIB BIICBOCBOBFECIhI I IB BI IE EI IC CI ICNCNI ICBOCBOI IBNBN

44、I IEPEPI IENENBFEEIhI)1 ( 2.3 雙極型晶體管2.3-2 晶體管電流放大作用晶體管的電流分配關(guān)系（共基極）I IE E=I=IENEN+I+IEPEP=I=ICNCN+I+IBNBN+I+IEPEPI IC C=I=ICNCN+I+ICBOCBOI IB B=I=IBNBN+I+IEPEP-I-ICBOCBOI IE E=I=IC C+I+IB B共基電流放大系數(shù)：h hFBFB=I=ICNCN/I/IE E =(I =(IC C-I-ICBOCBO)/I)/IE E由于：由于：I IC CIICBOCBOEFBCIhI I IB BI IE EI IC CI ICN

45、CNI ICBOCBOI IBNBNI IEPEPI IENENEFBBIhI)1 ( FBFBFEhhh12.3 雙極型晶體管2.3-3 晶體管共射特性曲線 輸入特性曲線 UCE一定，基極電流IB與發(fā)射結(jié)電壓 UBE之間的函數(shù)關(guān)系p UCE=0時，基極與發(fā)射極間相當(dāng)于兩個PN結(jié)并聯(lián)C EBU UBEBEI IB BU UCECE=0=0C EBU UBEBEI IB Bp 0UCEUBE時,集電結(jié)反向偏置，收集電子能力強，曲線再次右移p UCE1V時, 曲線重疊I IB BU UBEBEU UCE=0CE=00.5V0.5V1V1V2.3 雙極型晶體管2.3-3 晶體管共射特性曲線 輸出特性

46、曲線 IB一定，集電極電流IC與管壓降UCE之間的函數(shù)關(guān)系p 每一個確定的IB對應(yīng)一條輸出曲線p UCE從小逐漸增大，集電結(jié)電場增強，IC增大；UCE再增大，IC基本不變p 截止區(qū)（UBE UON 且UCE UBE）發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置IC=hFE*IBp 飽和區(qū)（ UBE UON 且UCE 1：深度負反饋（|1+A*F|A*F|）p |1+A*F|1：正反饋p |1+A*F|= 0：自激振蕩器4.1 反饋的基本概念與分類習(xí)題：P157 4-24.1 反饋的基本概念與分類第4章:放大電路的反饋 p 反饋的基本概念與分類 （introduction to feedback） p 負反饋

47、對放大器性能的改善 （negative feedback）p 負反饋放大器的分析方法 （negative feedback amplifier）l 負反饋放大器的自激振蕩 （self-oscillation）4.2-1 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性（gain）FAAAF1在中頻段：2)1 (FAdAdAFAdAFAAdAFF.11p 閉環(huán)放大倍數(shù)的相對變化量僅為開環(huán)的(1+AF)分之一；p AF的穩(wěn)定性是A的(1+AF)倍； 代價是：AF 僅為A的(1+AF)分之一；p 對深度負反饋： AF1/F AF 僅決定于反饋網(wǎng)絡(luò)，可獲得更好的穩(wěn)定性4.2 負反饋對放大器性能的改善4.2-2 減小非線性失真（n

48、on-linear distortion）UIUoAFUDUFAUIUoUD=UI-UFp 定量分析： 開環(huán)時：Uo=A*UI+Uo2 A*UI為基波；Uo2為諧波 閉環(huán)時：UoF=A*UD+Uo2F A*UD為基波；Uo2F為諧波 閉環(huán)時增大UI，使得UD等于開環(huán)時的UI Uo2F=Uo2-A*F*Uo2F Uo2F=Uo2/(1+A*F)p 負反饋只能減小由于電路內(nèi)部產(chǎn)生的非線性失真4.2 負反饋對放大器性能的改善4.2-3 展寬頻帶（bandwidth）p 高頻段的放大倍數(shù)：HMHffjAA1無反饋 有反饋HMMMHHHFfFAfjFAAFAAA)1(111FAAAMMMF1HMHFfF

49、Af)1( p 同理，低頻段：)1/(FAffMLLFp 通頻帶：)1 (FABWBWMFp 增益-帶寬積：BWABWAMFMF.20lg|AM|20lg|AMF|fLFfLfHfHF4.2 負反饋對放大器性能的改善電壓串聯(lián)負反饋電路中，基本放大電路的開環(huán)放大倍數(shù)為：AM= ，上限頻率：fH=7Hz，下限頻率：fL=0；引入反饋后，閉環(huán)放大倍數(shù)為：AMF=10。510p 反饋深度：(1+AM*F)=AM/AMF=p 若AM的相對變化量為10% AMF的相對變化量為：10% / =0.001%p 負反饋放大電路的通頻帶： BWF = fHF = *7 = 70kHz4104104104.2 負反

50、饋對放大器性能的改善4.2-4 改變輸入電阻和輸出電阻（input and output resistance）p 串聯(lián)負反饋增大輸入電阻： RI=UD/II RIF=UI/II=(UD+UF)/II UF=A*F*UD RIF=(1+A*F)RI電壓串聯(lián)： RIF=(1+AU*FU)RI電流串聯(lián)： RIF=(1+AG*FR)RIp 考慮反饋環(huán)外的電阻影響： RIF = RIF/RB1/RB2+VccRCRB1RERB2UIUFUDIIRIFRIAFRIFRIF4.2 負反饋對放大器性能的改善p 并聯(lián)負反饋減小輸入電阻： RI=UI/ID RIF=UI/II=UI/(ID+IF) IF=A*F

51、*ID RIF=RI/(1+A*F)電壓并聯(lián)： RIF=RI/(1+AR*FG)電流并聯(lián)： RIF=RI/(1+AI*FI)p 考慮反饋環(huán)外的電阻影響： RIF = RIF/RB1/RB2+VccRCRB1RERB2UIIFIDIIRIFRIAFRIFRIF4.2 負反饋對放大器性能的改善4.2-4 改變輸入電阻和輸出電阻（input and output resistance）p 電壓負反饋減小輸出電阻： ROF=UO/IO IO=(UO-A*UD)/RO UD=UI-UF= -UF = -F*UO ROF=RO/(1+A*F)電壓串聯(lián)： ROF=RO/(1+AU*FU)電壓并聯(lián)： ROF=

52、RO/(1+AR*FG)p 考慮反饋環(huán)外的電阻影響： ROF = ROF/RCUI=0UFUDIOROFAFA*UDUORORCREROFROF4.2-4 改變輸入電阻和輸出電阻（input and output resistance）4.2 負反饋對放大器性能的改善p 電流負反饋增大輸出電阻： ROF=UO/IO IO=(UO/RO)+A*ID ID=II-IF= -IF= -F*IO ROF=(1+A*F)RO電流串聯(lián)： ROF=RO(1+AG*FR)電流并聯(lián)： ROF=RO(1+AI*FI)p 考慮反饋環(huán)外的電阻影響： ROF = ROF/RCII=0IFIDIOROFAFA*IDUOR

53、ORCREROFROF4.2 負反饋對放大器性能的改善4.2-4 改變輸入電阻和輸出電阻（input and output resistance）總結(jié)：p 負反饋使放大電路增益的穩(wěn)定度提高（1+AF）倍；p 負反饋使放大電路的通頻帶展寬（1+AF）倍；p 負反饋使放大電路的非線性失真減小（1+AF）倍；p 串聯(lián)負反饋使放大電路的輸入電阻提高（1+AF）倍；p 并聯(lián)負反饋使放大電路的輸入電阻減?。?+AF）倍；p 電壓負反饋使放大電路的輸出電阻減?。?+AF）倍；p 電流負反饋使放大電路的輸出電阻提高（1+AF）倍；p 代價：閉環(huán)增益下降（1+AF）倍4.2 負反饋對放大器性能的改善4.3-1

54、深度負反饋近似估算法p XD=XI-XFp A=Xo/XDp F=XF/Xop AF=Xo/XI=A/(1+A*F)p 當(dāng)|1+A*F|1 深度負反饋（|1+A*F|A*F|） 則有： AF1/F XFXI輸入量 (XI)輸出量 (XO)基本放大電路 (A)反饋網(wǎng)絡(luò) (F)凈輸入量 (XD)反饋量 (XF)p 對于電壓串聯(lián)負反饋，電壓放大倍數(shù) AUF1/Fp 對于其它三種負反饋，可利用 XFXI求得電壓放大倍數(shù) 串聯(lián)負反饋：UFUI，UD0 并聯(lián)負反饋：IFII，ID04.3 負反饋放大器的分析方法4.3-2 四種組態(tài)深度負反饋放大倍數(shù)近似估算p 電壓串聯(lián)負反饋： F=UF/Uo=R2/(R2

55、+RF) AUF1/F=1+RF/R2p 電壓并聯(lián)負反饋： II = UI/R1 IF = -Uo/RF IIIF AUF=Uo/UI-RF/R1UIUORFR2R1UIUORFR14.3 負反饋放大器的分析方法p 電流并聯(lián)負反饋： II=UI/R1 IF=-Io*R2/(RF+R2) =-(Uo/RL)*R2/(RF+R2) IIIF AUF=Uo/UI-RL*(RF+R2)/(R1R2)p 電流串聯(lián)負反饋： UIUF = Io*RF Uo=Io*RL AUF=Uo/UI RL/RFUIUORLRFR1UIUORLRFR1R24.3-2 四種組態(tài)深度負反饋放大倍數(shù)近似估算4.3 負反饋放大器

56、的分析方法判斷右圖電路中引入了哪種組態(tài)的反饋求閉環(huán)電壓放大倍數(shù)p 反饋信號取自輸出端電流 在輸入端以電壓方式疊加 電流串聯(lián)負反饋4.3 負反饋放大器的分析方法31133EEFEECFRRRRRIU)/(33LCCoRRIU13331)/)(EELCEEFioufRRRRRRRUUAiFUUC2C3C1Re2RfRc1Rc2Re1RLRsVCCVoVs判斷右圖電路中引入了哪種組態(tài)的反饋求在深度負反饋條件下的 AUSFp 反饋信號取自輸出端電流 在輸入端以電流方式疊加 電流并聯(lián)負反饋p 深度負反饋條件下： II=US/RS IF=Io*RE2/(RF+RE2) Uo=Io*(RC2/RL) III

57、F AUSF=Uo/US(1+RF/RE2)*(RC2/RL)/RS4.3 負反饋放大器的分析方法*4.4 負反饋放大器的自激振蕩 （self-oscillation）p 負反饋放大電路的閉環(huán)放大倍數(shù)：若：1+AF=0，則AF=：自激振蕩負反饋放大電路自激振蕩產(chǎn)生的條件： AF = -1 即：|AF|=1 ； argAF=(2n+1)|AU|AUMBWfLfH0-90-180-270ffAFAAF1p 阻容耦合單管共射放大電路中頻段=180 在低頻、高頻段會產(chǎn)生090的附加相移 多級放大器，對某個頻率，附加相移等于180，|AF|又足夠大：振蕩p 自激振蕩的頻率必在電路的低頻段或高頻段；p 單

58、級或兩級負反饋電路是穩(wěn)定的；p 三級以上深度負反饋電路容易產(chǎn)生自激振蕩4.3 負反饋放大器的分析方法習(xí)題：P158 4-4P159 4-94.3 負反饋放大器的分析方法第5章:集成運放的應(yīng)用 p運算放大器的基本電路 （operational amplifiers）p信號運算電路 （operational amplifiers）p RC有源濾波器 （ RC Active Filters）p電壓比較器 （Voltage comparators）p非正弦波發(fā)生器 （relaxation oscillators）5.1-1 理想運放的性能指標(biāo) （ ideal operational amplifier

59、）p 開環(huán)差模增益（電壓放大倍數(shù)） AUo=p 差模輸入電阻：RID=p 共模輸入電阻：RIC=p 輸出電阻： Ro=0p 共模抑制比： KCMR=p 上限截止頻率：fH=p 輸入失調(diào)電壓及溫漂均為 0p 輸入失調(diào)電流及溫漂均為 05.1 運算放大器的基本電路5.1-2 理想運放工作在線性工作區(qū) （linear region (active region)）p “虛短路” (Virtual short) Uo=AUo(U+-U-)，由于AUo= U+ = U-反饋網(wǎng)絡(luò)U+U-Uop “虛斷路” (Virtual opened) 由于理想運放的輸入電阻為 I+ = I- = 0p 理想運放要工作

60、在線性區(qū)，電路中必須引入負反饋5.1 運算放大器的基本電路5.1-3 理想運放工作在非線性工作區(qū) （nonlinear region ）p 當(dāng) U+ U- 時，由于AUo= UO = UOMp 理想運放開環(huán)工作時， 則在非線性區(qū) 仍滿足： I+ = I- = 0p 典型應(yīng)用：比較器0U+ - U-UoUOM-UOMp 當(dāng) U+ fLLPFHPFUi求和電路UoBEFfLfHfHfL5.3 RC有源濾波器習(xí)題：P209 5-13P210 5-16 5.3 RC有源濾波器第5章:集成運放的應(yīng)用 p運算放大器的基本電路 （operational amplifiers）p信號運算電路 （operati