第8章 壓阻式傳感器

1、1 半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)2 壓阻式壓力傳感器原理和電路 (1) 體型半導(dǎo)體應(yīng)變片 (2) 擴散型壓阻式壓力傳感器 (3) 測量橋路及溫度補償3 壓阻式傳感器的應(yīng)用下一頁返 回固體受到作用力后，電阻率就要發(fā)生變化，這固體受到作用力后，電阻率就要發(fā)生變化，這種效應(yīng)稱為壓阻效應(yīng)種效應(yīng)稱為壓阻效應(yīng) 半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)特別強。半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)特別強。 壓阻式傳感器的靈敏系數(shù)大，分辨率高。頻率壓阻式傳感器的靈敏系數(shù)大，分辨率高。頻率響應(yīng)高，體積小。它主要用于測量壓力、加速響應(yīng)高，體積小。它主要用于測量壓力、加速度和載荷等參數(shù)。度和載荷等參數(shù)。因為半導(dǎo)體材料對溫度很敏感，因此壓阻式傳因為半導(dǎo)體材料對溫度很

2、敏感，因此壓阻式傳感器的溫度誤差較大，必須要有溫度補償。感器的溫度誤差較大，必須要有溫度補償。上一頁返 回下一頁利用半導(dǎo)體材料的利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)壓阻效應(yīng)和集成電路技術(shù)制造的傳和集成電路技術(shù)制造的傳感器。感器。一、壓阻效應(yīng)及壓阻系數(shù)一、壓阻效應(yīng)及壓阻系數(shù)壓阻效應(yīng)：在半導(dǎo)體材料上施加作用力，其電阻率發(fā)生變化壓阻效應(yīng)：在半導(dǎo)體材料上施加作用力，其電阻率發(fā)生變化。壓阻式壓力傳感器4靈敏度高靈敏度高:硅應(yīng)變電阻的靈敏系數(shù)比金屬應(yīng)變片高硅應(yīng)變電阻的靈敏系數(shù)比金屬應(yīng)變片高50100倍，故相應(yīng)的傳倍，故相應(yīng)的傳感器靈敏度很高，一般滿量程輸出為感器靈敏度很高，一般滿量程輸出為100mv左右。因此對接口電

3、路無特殊要求，左右。因此對接口電路無特殊要求，應(yīng)用成本相應(yīng)較低。應(yīng)用成本相應(yīng)較低。分辨率高分辨率高: 能分辨能分辨1mmH2O(9.8Pa)的壓力變化。的壓力變化。體積小、重量輕、頻率響應(yīng)高體積小、重量輕、頻率響應(yīng)高:由于芯體采用集成工藝，又由于芯體采用集成工藝，又無傳動部件，因此體積小，重量輕。小尺寸芯片加上硅極高的彈性系數(shù)，敏感無傳動部件，因此體積小，重量輕。小尺寸芯片加上硅極高的彈性系數(shù)，敏感元件的固有頻率很高。在動態(tài)應(yīng)用時，動態(tài)精度高，使用頻帶寬，合理選擇設(shè)元件的固有頻率很高。在動態(tài)應(yīng)用時，動態(tài)精度高，使用頻帶寬，合理選擇設(shè)計傳感器外型，使用帶寬可以從靜態(tài)至計傳感器外型，使用帶寬可以從

4、靜態(tài)至100千赫茲。千赫茲。溫度誤差大溫度誤差大: 須溫度補償、或恒溫使用。須溫度補償、或恒溫使用。由于微電子技術(shù)的進步，四個應(yīng)變由于微電子技術(shù)的進步，四個應(yīng)變電阻的一致性可做的很高，加之計電阻的一致性可做的很高，加之計算機自動補償技術(shù)的進步，目前硅算機自動補償技術(shù)的進步，目前硅壓阻傳感器的零位與靈敏度溫度系壓阻傳感器的零位與靈敏度溫度系數(shù)已可達數(shù)已可達10-5/數(shù)量級數(shù)量級,即在壓力傳即在壓力傳感器領(lǐng)域已超過的應(yīng)變式傳感器的感器領(lǐng)域已超過的應(yīng)變式傳感器的水平。水平。 金屬材料 半導(dǎo)體材料 lllEl 半導(dǎo)體電阻率 l為半導(dǎo)體材料的壓阻系數(shù)，它與半導(dǎo)體材料種類及應(yīng)力方向與晶軸方向之間的夾角有關(guān)

5、；E為半導(dǎo)體材料的彈性模量，與晶向有關(guān)。 上一頁返 回下一頁(12)RR (12)lRER61)半導(dǎo)體單晶硅是半導(dǎo)體單晶硅是各向異性各向異性材料材料;2)硅是硅是立方立方晶體，按晶軸建立座標(biāo)系晶體，按晶軸建立座標(biāo)系;3)晶面：原子或離子可看作分布在相互平晶面：原子或離子可看作分布在相互平行的一簇晶面上行的一簇晶面上;4)晶向：晶面的法線方向晶向：晶面的法線方向.X(1)Y(2)Z(3)7zxyrstp截距式截距式：法線式法線式：r,s,tx,y,z軸的截距軸的截距cos,cos,cos法線的方向余弦法線的方向余弦法線長度8lkhtsr:1:1:1取三個沒有公約數(shù)的整數(shù)密勒指數(shù)密勒指數(shù)：截距的倒

6、數(shù)化成的三個沒有公密勒指數(shù)：截距的倒數(shù)化成的三個沒有公約數(shù)的整數(shù)。約數(shù)的整數(shù)。(方向余弦比的整數(shù)化表示）方向余弦比的整數(shù)化表示）1coscoscospzpypx1tzsyrxtsr1:1:1cos:cos:cos9表示晶面表示晶面表示晶向表示晶向表示晶面族表示晶面族對立方晶體來說，對立方晶體來說，h,k,l晶向是（晶向是（h,k,l) 晶面的法線方晶面的法線方向；向；h,k,l晶面族的晶面都與（晶面族的晶面都與（h,k,l)晶面平行。晶面平行。10晶向、晶面、晶晶向、晶面、晶面族分別為：面族分別為：晶向、晶面、晶晶向、晶面、晶面族分別為：面族分別為：xy111zzxy4-2-211xyz對半導(dǎo)

7、體材料而言，l E (1+)，故(1+)項可以忽略llERR半導(dǎo)體材料的電阻值變化，主要是由電阻率變化引起的，而電阻率的變化是由應(yīng)變引起的 半導(dǎo)體單晶的應(yīng)變靈敏系數(shù)可表示 ERRKl/半導(dǎo)體的應(yīng)變靈敏系數(shù)還與摻雜濃度有關(guān)，它隨雜質(zhì)的增加而減小上一頁返 回下一頁13一、單晶硅的壓阻系數(shù)31222232133323111121314六個獨立的應(yīng)力分量：六個獨立的應(yīng)力分量：六個獨立的電阻率的變化率：六個獨立的電阻率的變化率：廣義廣義：15六個獨立的應(yīng)力分量：六個獨立的應(yīng)力分量：六個獨立的電阻率的變化率：六個獨立的電阻率的變化率：111222333正應(yīng)力32234剪應(yīng)力13315211261617表面

8、雜質(zhì)濃度表面雜質(zhì)濃度Ns（1/cm3)11或或441、壓阻系數(shù)與表面雜質(zhì)濃度的關(guān)系擴散雜質(zhì)濃度增加，壓阻系數(shù)減小擴散雜質(zhì)濃度增加，壓阻系數(shù)減小P型型Si（44)N型型Si（11)18：電阻率：電阻率 n：載流子濃度：載流子濃度e：載流子所帶電荷：載流子所帶電荷 ：載流子遷移率：載流子遷移率Ns雜質(zhì)原子數(shù)多雜質(zhì)原子數(shù)多載流子多載流子多 n雜質(zhì)濃度雜質(zhì)濃度Ns n在應(yīng)力作用下在應(yīng)力作用下的變化更小的變化更小 / 的變化率減小的變化率減小壓阻系數(shù)減小壓阻系數(shù)減小19溫度溫度T44溫度升高時，壓阻系數(shù)減?。粶囟壬邥r，壓阻系數(shù)減??；表面雜質(zhì)濃度增加時，溫度表面雜質(zhì)濃度增加時，溫度對對壓阻系數(shù)的影響壓阻

9、系數(shù)的影響變?。ㄏ陆邓俣茸兟?。變?。ㄏ陆邓俣茸兟?。Ns小小Ns大大20T載流子獲得的動能載流子獲得的動能運動紊亂程度運動紊亂程度 / Ns大，大， 變化較小變化較小 變化小變化小Ns小，小， 變化大變化大 變化大變化大21Ns比較大時：比較大時：a.受溫度影響小受溫度影響小c.高濃度擴散，使高濃度擴散，使p-n結(jié)擊穿電壓結(jié)擊穿電壓絕緣電阻絕緣電阻漏電漏電漂移漂移性能不穩(wěn)定性能不穩(wěn)定b. Ns 靈敏度靈敏度結(jié)論結(jié)論：綜合考慮靈敏度和溫度誤差，根據(jù)應(yīng)綜合考慮靈敏度和溫度誤差，根據(jù)應(yīng)用條件適當(dāng)選擇載流子的濃度。用條件適當(dāng)選擇載流子的濃度。應(yīng)力作用晶格變形能帶結(jié)構(gòu)變化載流子濃度和遷移率變化(1)

10、體型半導(dǎo)體應(yīng)變片(2) 擴散型壓阻式壓力傳感器(3) 測量橋路及溫度補償241.薄膜技術(shù)薄膜技術(shù) 薄膜技術(shù)是在一定的基底上薄膜技術(shù)是在一定的基底上,用真空蒸鍍、濺用真空蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相淀積（射、化學(xué)氣相淀積（CVD）等工藝技術(shù)加工成）等工藝技術(shù)加工成零點幾微米至幾微米的金屬、半導(dǎo)體或氧化物零點幾微米至幾微米的金屬、半導(dǎo)體或氧化物薄膜的技術(shù)。這些薄膜可以加工成各種梁、橋、薄膜的技術(shù)。這些薄膜可以加工成各種梁、橋、膜等微型彈性元件膜等微型彈性元件,也可加工為轉(zhuǎn)換元件也可加工為轉(zhuǎn)換元件,有的有的可作為絕緣膜可作為絕緣膜,有的可用作控制尺寸的犧牲層有的可用作控制尺寸的犧牲層,在傳感器的研制中得到了

11、廣泛應(yīng)用。在傳感器的研制中得到了廣泛應(yīng)用。251234在真空室內(nèi)在真空室內(nèi),將待蒸發(fā)的材將待蒸發(fā)的材料置于鎢絲制成的加熱器料置于鎢絲制成的加熱器上加熱上加熱,當(dāng)真空度抽到當(dāng)真空度抽到0.0133Pa以上時以上時,加大鎢絲加大鎢絲的加熱電流的加熱電流,使材料融化使材料融化,繼續(xù)加大電流使材料蒸發(fā)繼續(xù)加大電流使材料蒸發(fā),在基底上凝聚成膜。如圖在基底上凝聚成膜。如圖所示。所示。圖中圖中,1真空室真空室,2基底基底,3鎢絲鎢絲,4接高真空泵。接高真空泵。 26在低真空室中在低真空室中,將待將待濺射物制成靶置于濺射物制成靶置于陰極陰極,用高壓（通常用高壓（通常在在1000V以上）使以上）使氣體電離形成等

12、離氣體電離形成等離子體子體,等離子中的正等離子中的正離子以高能量轟擊離子以高能量轟擊靶面靶面,使靶材的原子使靶材的原子離開靶面離開靶面,淀積到陽淀積到陽極工作臺上的基片極工作臺上的基片上上,形成薄膜形成薄膜,如圖如圖所示。所示。3125476圖中圖中,1靶靶,2陰極陰極,3直流高壓直流高壓,4陽極陽極,5基片基片,6惰性氣體惰性氣體入口入口,7接真空系統(tǒng)。接真空系統(tǒng)。2723718465 化學(xué)氣相淀積是將有待積淀物質(zhì)的化合物升華成氣體化學(xué)氣相淀積是將有待積淀物質(zhì)的化合物升華成氣體,與另一種氣體化合物在一個反應(yīng)室中進行反應(yīng)與另一種氣體化合物在一個反應(yīng)室中進行反應(yīng),生成固態(tài)生成固態(tài)的淀積物質(zhì)的淀積

13、物質(zhì),淀積在基底上生成薄膜淀積在基底上生成薄膜,如圖所示。如圖所示。圖中圖中,1反應(yīng)氣體反應(yīng)氣體A入口入口, 2分子篩分子篩, 3混合器混合器, 4加加熱器熱器, 5反應(yīng)室反應(yīng)室, 6基片基片, 7閥門閥門, 8反應(yīng)氣體反應(yīng)氣體B入口入口28 微細加工技術(shù)是利用硅的異向腐蝕特性和腐蝕速微細加工技術(shù)是利用硅的異向腐蝕特性和腐蝕速度與摻雜濃度的關(guān)系度與摻雜濃度的關(guān)系,對硅材料進行精細加工、對硅材料進行精細加工、制作復(fù)雜微小的敏感元件的技術(shù)。制作復(fù)雜微小的敏感元件的技術(shù)。1) 體型結(jié)構(gòu)腐蝕加工體型結(jié)構(gòu)腐蝕加工 體型結(jié)構(gòu)腐蝕加工常用化學(xué)腐蝕液（濕法）和體型結(jié)構(gòu)腐蝕加工常用化學(xué)腐蝕液（濕法）和離子刻蝕（

14、干法）技術(shù)（采用惰性氣體）。離子刻蝕（干法）技術(shù)（采用惰性氣體）。2)表面腐蝕加工表面腐蝕加工犧牲層技術(shù)犧牲層技術(shù) 該工藝的特點是利用稱為該工藝的特點是利用稱為“犧牲層犧牲層”的分離層的分離層,形成各種懸式結(jié)構(gòu)。形成各種懸式結(jié)構(gòu)。29(2) 光刻和腐蝕氧化層(b)熱生成硅氧化膜單晶硅 (100)面基片(1) 氧化的硅基片(a)光敏膠(3) 各 向 異 性 腐 蝕 硅(c)(111)硅平面54.741）如圖）如圖(a)、(b)所示所示,先在單晶硅的（先在單晶硅的（100）晶面生長一）晶面生長一層氧化層作為光掩膜層氧化層作為光掩膜,并在其上覆蓋光刻膠形成圖案并在其上覆蓋光刻膠形成圖案,再浸再浸入氫

15、氟酸中入氫氟酸中,進行氧化層腐蝕；進行氧化層腐蝕；2）將此片置于各向異性的腐蝕液（如乙二胺鄰苯二酚）將此片置于各向異性的腐蝕液（如乙二胺鄰苯二酚水）對晶面進行縱向腐蝕水）對晶面進行縱向腐蝕,腐蝕出腔體的界面為（腐蝕出腔體的界面為（111）面面,與（與（100）表面的夾角為）表面的夾角為54.74,如圖如圖(c)所示。所示。30N-Si100Si3N4SiO2PoLy-SiAl空氣腔(a)(b)(c)(d)利用該工藝制造多晶硅梁的過程：利用該工藝制造多晶硅梁的過程：1）在）在N型硅（型硅（100）基底上淀積一層）基底上淀積一層Si3N4作為多晶硅的作為多晶硅的絕緣支撐絕緣支撐,并刻出窗口并刻出窗

16、口,如圖如圖(a)所示。利用局部氧化技術(shù)在所示。利用局部氧化技術(shù)在窗口處生成一層窗口處生成一層SiO2作為犧牲層作為犧牲層,如圖如圖(b)所示；所示；2）在）在SiO2層及余下的層及余下的Si3N4上生成一層多晶硅膜（上生成一層多晶硅膜（PoLy-Si)并刻出微型硅梁并刻出微型硅梁,如圖如圖(c)所示。腐蝕掉所示。腐蝕掉SiO2層形層形成空腔成空腔,即可得到橋式硅梁即可得到橋式硅梁,如圖如圖(d)所示。另外所示。另外,在腐蝕在腐蝕SiO2層前先濺鋁層前先濺鋁,刻出鋁壓焊塊刻出鋁壓焊塊,以便引線。以便引線。31膜片(a)懸臂梁(b)橋(c)支承膜(d)(e)硬中心圖圖(a)為方形平膜片結(jié)構(gòu)為方形

17、平膜片結(jié)構(gòu),除用于壓力傳感器外除用于壓力傳感器外,亦可用于電容亦可用于電容式傳感器。圖式傳感器。圖(b)為懸臂梁結(jié)構(gòu)為懸臂梁結(jié)構(gòu),可用于加速度傳感器。圖可用于加速度傳感器。圖(c)為橋式結(jié)構(gòu)為橋式結(jié)構(gòu),圖圖(d)為支撐膜結(jié)構(gòu)為支撐膜結(jié)構(gòu),圖圖(e)為為E型膜（硬中心）結(jié)型膜（硬中心）結(jié)構(gòu)構(gòu),這些都是常用于應(yīng)變式傳感器的結(jié)構(gòu)。這些都是常用于應(yīng)變式傳感器的結(jié)構(gòu)。上一頁返 回下一頁l1. 1. 結(jié)構(gòu)型式及特點結(jié)構(gòu)型式及特點 l2. 2. 測量電路測量電路 主要優(yōu)點是靈敏系數(shù)比金屬電阻應(yīng)變片的靈敏系數(shù)大數(shù)十倍 橫向效應(yīng)和機械滯后極小 溫度穩(wěn)定性和線性度比金屬電阻應(yīng)變片差得多 上一頁返 回下一頁l1-P

18、型單晶硅條 l2-內(nèi)引線l3-焊接電極l4-外引線對于恒壓源電橋電路，考慮到環(huán)境溫度變化的影響，其關(guān)系式為：oTU RURRl恒壓源恒壓源l恒流源恒流源)/(0tRRRUURIU0電橋輸出電壓與R / R成正比，輸出電壓受環(huán)境溫度的影響。R為應(yīng)變片阻值， R為應(yīng)變片阻值變化， Rt為環(huán)境溫度變化受環(huán)境溫度引起阻值的變化電橋輸出電壓與R成正比，環(huán)境溫度的變化對其沒有影響。上一頁返 回下一頁壓阻式壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡圖1低壓腔 2高壓腔 3硅杯 4引線 5硅膜片采用N型單晶硅為傳感器的彈性元件，在它上面直接蒸鍍半導(dǎo)體電阻應(yīng)變薄膜 上一頁返 回下一頁工作原理：工作原理： 膜片兩邊存在壓力差時，膜片產(chǎn)生變

19、形，膜片上各點產(chǎn)生應(yīng)力。 四個電阻在應(yīng)力作用下，阻值發(fā)生變化，電橋失去平衡， 輸出相應(yīng)的電壓，電壓與膜片兩邊的壓力差成正比。 四個電阻的配置位置四個電阻的配置位置： 按膜片上徑向應(yīng)力r和切向應(yīng)力t的分布情況確定。 )31 ()1(83)3()1(8322022202rrhprrhptr設(shè)計時，適當(dāng)安排電阻的位置，可以組成差動電橋。 上一頁返 回下一頁l優(yōu)點優(yōu)點: 體積小，結(jié)構(gòu)比較簡單，動態(tài)響應(yīng)體積小，結(jié)構(gòu)比較簡單，動態(tài)響應(yīng)也好，靈敏度高，能測出十幾帕的微壓，也好，靈敏度高，能測出十幾帕的微壓，長期穩(wěn)定性好，滯后和蠕變小，頻率響長期穩(wěn)定性好，滯后和蠕變小，頻率響應(yīng)高，便于生產(chǎn)，成本低。應(yīng)高，便于

20、生產(chǎn)，成本低。l測量準(zhǔn)確度受到非線性和溫度的影響。測量準(zhǔn)確度受到非線性和溫度的影響。智能壓阻式壓力傳感器利用微處理器對智能壓阻式壓力傳感器利用微處理器對非線性和溫度進行補償。非線性和溫度進行補償。 上一頁返 回下一頁l由于制造、溫度影響等原因，電橋存在失調(diào)、零位溫由于制造、溫度影響等原因，電橋存在失調(diào)、零位溫漂、靈敏度溫度系數(shù)和非線性等問題，影響傳感器的漂、靈敏度溫度系數(shù)和非線性等問題，影響傳感器的準(zhǔn)確性。準(zhǔn)確性。l減少與補償誤差措施減少與補償誤差措施 1. 測量電橋測量電橋 2. 零點溫度補償零點溫度補償 3. 靈敏度溫度補償靈敏度溫度補償上一頁返 回下一頁恒流源供電的全橋差動電路 假設(shè)RT

21、為溫度引起的電阻變化 IIIADCABC21電橋的輸出為RIRRRIRRRIUUTTBD)(21)(210電橋的輸出電壓與電阻變化成正比，與恒流源電流成正比，但與溫度無關(guān)，因此測量不受溫度的影響。上一頁返 回下一頁上一頁返 回UR1R2R4R3U0RsRpVD溫度變化而變化，將引起零漂零漂和靈敏度漂移靈敏度漂移 零 漂 擴散電阻值隨溫度變化靈敏度漂移 壓阻系數(shù)隨溫度變化零 位 溫 漂 串、并聯(lián)電阻靈敏度溫漂 串聯(lián)二極管串聯(lián)電阻Rs起調(diào)零作用并聯(lián)電阻RP起補償作用 42R1R2USCR3R4RsRpU設(shè)右上角加設(shè)右上角加的為低的為低溫下對應(yīng)的值；設(shè)右溫下對應(yīng)的值；設(shè)右上角加上角加 的為高溫下的為

22、高溫下對應(yīng)的值。對應(yīng)的值。42331RRRRRRRRppS42331RRRRRRRRppS 43 -串聯(lián)電阻的溫度系數(shù)（負值）；串聯(lián)電阻的溫度系數(shù)（負值）； -并聯(lián)電阻的溫度系數(shù)（負值）；并聯(lián)電阻的溫度系數(shù)（負值）；、psRR聯(lián)立上面四方程，可以得：聯(lián)立上面四方程，可以得：常溫下的值補償靈敏度漂移原理：補償靈敏度漂移原理： 溫度升高時，靈敏度降低，這時如果提溫度升高時，靈敏度降低，這時如果提高電源電壓，使電橋輸出適當(dāng)增大，便高電源電壓，使電橋輸出適當(dāng)增大，便可達到補償目的。可達到補償目的。 溫度升高時，二極管壓降降低，可使電溫度升高時，二極管壓降降低，可使電橋電源電壓提高，關(guān)鍵是適當(dāng)選擇串聯(lián)橋

23、電源電壓提高，關(guān)鍵是適當(dāng)選擇串聯(lián)二極管的個數(shù)。二極管的個數(shù)。45；、PSRR聯(lián)立上面二方程，可以得：聯(lián)立上面二方程，可以得：對比上述兩種方法！對比上述兩種方法！461)硬件線路補償硬件線路補償2)軟件補償軟件補償3)專用補償芯片補償專用補償芯片補償 MCA7707(MAX1457)是一種采用是一種采用CMOS工藝的模擬傳感信號處理器。工藝的模擬傳感信號處理器。通常被應(yīng)用于壓阻式壓力傳感器的校通常被應(yīng)用于壓阻式壓力傳感器的校正和溫度補償。正和溫度補償。l1. 擴散型壓阻式壓力傳感器擴散型壓阻式壓力傳感器l2. 差頻壓阻式壓力傳感器差頻壓阻式壓力傳感器l3. 壓阻式加速度傳感器壓阻式加速度傳感器1

24、-低壓腔 2-高壓腔 3-硅杯 4-引線 5-硅膜片在膜片位移量遠小于膜片的厚度時，受均勻壓力的圓形硅膜片上各點的徑向應(yīng)力 和切向應(yīng)力 ,可分別用下式計算: rt220222023(1)(3)83(1)(1 3 )8rtPrrhPrrhl擴散型壓阻式壓力傳感器的主要優(yōu)點就擴散型壓阻式壓力傳感器的主要優(yōu)點就是體積小、結(jié)構(gòu)簡單，動態(tài)相應(yīng)好，靈是體積小、結(jié)構(gòu)簡單，動態(tài)相應(yīng)好，靈敏度高，滯后、蠕變小，頻率相應(yīng)高，敏度高，滯后、蠕變小，頻率相應(yīng)高，性能穩(wěn)定，成本低，便于批量生產(chǎn)。性能穩(wěn)定，成本低，便于批量生產(chǎn)。 差頻壓阻式壓力傳感器工作原理圖 （a）分布阻容網(wǎng)絡(luò)； （b）相移振蕩器； （c）差頻振蕩壓阻 式壓力傳感器組合獨立的相移正弦振蕩器振蕩頻率為： 62fRC壓力的變化 ：1