《集成電路工藝原理》教學(xué)內(nèi)容的改革探索_第1頁(yè)
《集成電路工藝原理》教學(xué)內(nèi)容的改革探索_第2頁(yè)
免費(fèi)預(yù)覽已結(jié)束,剩余1頁(yè)可下載查看

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、摘要:教學(xué)內(nèi)容的設(shè)計(jì)是教學(xué)過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一,只有合理選擇和組織教學(xué)內(nèi)容,恰當(dāng)安排教學(xué)內(nèi)容的表述,才能有效地保證教學(xué)質(zhì)量。本文從集成電路工藝原理課程特點(diǎn)出發(fā),針對(duì)培養(yǎng)創(chuàng)新型大學(xué)生的需求,深入剖析了目前課程教學(xué)中存在的主要問(wèn)題,提出了在課程教學(xué)內(nèi)容改革方面的一些措施,以期達(dá)到激發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣,增強(qiáng)學(xué)生學(xué)習(xí)動(dòng)力,提高課堂教學(xué)質(zhì)量的目標(biāo)。關(guān)鍵詞:大規(guī)模集成電路集成電路制造工藝教學(xué)內(nèi)容21世紀(jì)以來(lái),信息產(chǎn)業(yè)已成為我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的支柱產(chǎn)業(yè)之一,同時(shí)也是衡量一個(gè)國(guó)家科技發(fā)展水平和綜合國(guó)力的重要指標(biāo)。超大規(guī)模集成電路技術(shù)是信息產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ),而集成電路制造工藝又是超大規(guī)模集成電路的核心技術(shù)。因此,對(duì)集成

2、電路工藝的優(yōu)化和創(chuàng)新就成為提高信息產(chǎn)業(yè)綜合實(shí)力,增強(qiáng)國(guó)家科技競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵所在。近年來(lái),盡管我國(guó)微電子技術(shù)不斷進(jìn)步,但與微電子技術(shù)發(fā)達(dá)的國(guó)家相比,仍存在著相當(dāng)大的差距。因此,要實(shí)現(xiàn)由集成電路生產(chǎn)制造大國(guó)向集成電路研發(fā)強(qiáng)國(guó)的轉(zhuǎn)變,就迫切需要培養(yǎng)一批高質(zhì)量的超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)人才1,這也正是集成電路工藝原理這門(mén)課程所要實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。然而,目前集成電路工藝原理課程的教學(xué)效果并不理想2,3究其根本原因在于該課程存在內(nèi)容陳舊、知識(shí)點(diǎn)離散、概念抽象、目標(biāo)不明確等不足4。同時(shí),由于大部分普通高校沒(méi)有足夠的實(shí)驗(yàn)設(shè)備和模擬仿真實(shí)驗(yàn)平臺(tái),無(wú)法使學(xué)生熟悉和掌握工藝儀器的操作,導(dǎo)致學(xué)生所學(xué)知識(shí)與實(shí)際應(yīng)用嚴(yán)重脫鉤,甚

3、至失去學(xué)習(xí)積極性,產(chǎn)生厭學(xué)情緒。為此,依據(jù)我院微電子專(zhuān)業(yè)本科生的教學(xué)情況,我詳細(xì)分析了教學(xué)過(guò)程中存在的問(wèn)題,提出了改革方案。一、目前教學(xué)中存在的問(wèn)題1. 學(xué)習(xí)目標(biāo)不明確。現(xiàn)有的教學(xué)內(nèi)容往往采用先分別獨(dú)立講授單項(xiàng)加工工藝,待所有工藝全部講授完畢,再綜合利用所有工藝演示制作CMOS集成電路芯片的流程。這種教學(xué)模式會(huì)造成學(xué)生在前期的理論學(xué)習(xí)過(guò)程中目標(biāo)不明確,無(wú)法掌握單項(xiàng)工藝在芯片加工中的作用,不能與實(shí)際器件加工進(jìn)行對(duì)應(yīng),造成所學(xué)知識(shí)與實(shí)際應(yīng)用嚴(yán)重錯(cuò)位,降低了學(xué)生的學(xué)習(xí)積極性和主動(dòng)性。2. 知識(shí)銜接性差。本課程的重點(diǎn)內(nèi)容是集成電路工藝的物理基礎(chǔ)和基本原理,它涉及熱學(xué)、原子物理學(xué)、半導(dǎo)體物理等離子體物理

4、、化學(xué)、流體力學(xué)等基礎(chǔ)學(xué)科,然而,大部分學(xué)生并未系統(tǒng)地學(xué)習(xí)過(guò)譬如等離子體物理、流體力學(xué)等課程,這就不可避免地造成了教學(xué)內(nèi)容跨越性大的問(wèn)題,無(wú)法實(shí)現(xiàn)知識(shí)的正常銜接,致使學(xué)生對(duì)基本概念和基本物理過(guò)程難以理解從而影響學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣。3. 課程內(nèi)容抽象,不易理解。由于該課程的基本概念、物理原理和物理過(guò)程多而繁雜,再加上各種不同工藝之間的配合與銜接,導(dǎo)致內(nèi)容抽象難懂。教師在課堂上按照常規(guī)講法,費(fèi)時(shí)費(fèi)力,學(xué)生對(duì)所講內(nèi)容仍無(wú)法徹底理解,難以完成知識(shí)的遷移。綜上所述,在現(xiàn)有集成電路工藝原理的教學(xué)過(guò)程中還存在一些嚴(yán)重影響教學(xué)質(zhì)量的因素。為了響應(yīng)國(guó)家“十二五”規(guī)劃中明確提出的建設(shè)創(chuàng)新型國(guó)家的任務(wù),培養(yǎng)創(chuàng)新型大學(xué)生

5、的要求,我們必須逐步改革和完善現(xiàn)有的教學(xué)內(nèi)容及教學(xué)模式5,提高教學(xué)質(zhì)量,為培養(yǎng)開(kāi)創(chuàng)未來(lái)的全面發(fā)展型人才奠定基礎(chǔ)。二、教學(xué)內(nèi)容的整體規(guī)劃為了讓學(xué)生明確教學(xué)目標(biāo),突出教學(xué)重點(diǎn),需要摒棄傳統(tǒng)的教學(xué)思路6,構(gòu)建“先整體、后部分;先目標(biāo)、后工藝”的教學(xué)思路,對(duì)教學(xué)內(nèi)容進(jìn)行重新設(shè)計(jì),使其更加符合學(xué)生的認(rèn)知規(guī)律。我們拋棄了傳統(tǒng)的教學(xué)內(nèi)容編排方式,提出了整個(gè)課程主要圍繞一個(gè)通用、典型的集成電路芯片的加工和制備展開(kāi),使學(xué)生明確本課程的教學(xué)目標(biāo)。首先給出典型器件的模型,分析其各部分的材料和結(jié)構(gòu),明確器件的不同組成部分并進(jìn)行歸類(lèi)依據(jù)器件加工的先后順序,然后模塊化講授器件每部分的加工方法、工藝原理和加工流程,逐步完成

6、集成電路的全部制作,進(jìn)而完成整個(gè)課程內(nèi)容的講授。這樣就能用一條主線串起每塊學(xué)習(xí)內(nèi)容,使學(xué)生明確每種工藝的原理、流程和用途,做到有的放矢,并能與實(shí)際應(yīng)用較好地融合在一起,進(jìn)而提高學(xué)生的學(xué)習(xí)主動(dòng)性,增強(qiáng)課堂教學(xué)效果。三、教學(xué)內(nèi)容的選取與組織1. 教材的選擇集成電路工藝的發(fā)展遵循摩爾定律,隨著理論的深入和技術(shù)的革新,現(xiàn)有的大部分集成電路工藝原理教材顯得陳舊、落后,無(wú)法適應(yīng)現(xiàn)代工藝技術(shù)的發(fā)展和教學(xué)的需求。為此,本課程的教材最好采用現(xiàn)有經(jīng)典教材和前沿科學(xué)研究成果相結(jié)合的方式,現(xiàn)有經(jīng)典教材有美國(guó)明尼蘇達(dá)大學(xué)的微電子制造科學(xué)原理與技術(shù)3和北京大學(xué)的硅集成電路工藝基礎(chǔ)7等,這些教材內(nèi)容全面,幾乎覆蓋了所有的集

7、成電路加工方法,而且原理講解深入透徹,具有較強(qiáng)的理論性。這些教材知識(shí)結(jié)構(gòu)基本上是按照傳統(tǒng)的教學(xué)思路編排,所以要打破這種思維的束縛,設(shè)計(jì)出一個(gè)具有代表性器件的加工過(guò)程,然后把教材中的工藝原理、工藝流程融入器件的加工過(guò)程中。這就要求我們不能照搬書(shū)本上的知識(shí)內(nèi)容,需要根據(jù)課程的新設(shè)計(jì)方案重新整合講義。同時(shí)還應(yīng)該注意,為了擴(kuò)充學(xué)生的知識(shí)面,還應(yīng)該摘取一些具有代表性的最新前沿成果,不僅使學(xué)生的知識(shí)體系具有完整性,而且能進(jìn)一步調(diào)動(dòng)他們的創(chuàng)造性。2. 教學(xué)內(nèi)容的選取依據(jù)課程“先整體、后部分;先目標(biāo)、后工藝”的教學(xué)思路,采用“范例”教學(xué)模式,教學(xué)內(nèi)容可以劃分為九大知識(shí)模塊:典型CMOS器件外延、氧化、擴(kuò)散、離

8、子注入、物理氣相淀積、化學(xué)氣相淀積、光刻與刻蝕、隔離與互聯(lián)。首先,通過(guò)一個(gè)典型CMOS器件的結(jié)構(gòu)分析,獲得制作一個(gè)芯片所需的材料與結(jié)構(gòu),然后簡(jiǎn)要給出不同材料和結(jié)構(gòu)的加工方法,讓學(xué)生對(duì)課程整體內(nèi)容有宏觀把握,初步了解每種工藝的基本功能。其次按照器件加工的順序,對(duì)不同工藝分別從發(fā)展歷史、工藝原理、工藝流程、工藝特點(diǎn)等方面進(jìn)行詳細(xì)闡述,使學(xué)生對(duì)工藝原理深入理解,工藝流程熟練掌握,最后完成整個(gè)器件的制作。3. 教學(xué)內(nèi)容的組織對(duì)每部分教學(xué)內(nèi)容要堅(jiān)持“基礎(chǔ)知識(shí)銜接、主流工藝突出、淘汰工藝刪減、最新工藝提及”的原則。由于本課程以工藝的物理基礎(chǔ)和基本原理為重點(diǎn)內(nèi)容,這是本課程的教學(xué)難點(diǎn),為了讓學(xué)生更加清晰地理解和掌握其工藝原理,需要適當(dāng)?shù)匮a(bǔ)充一些課程必備的物理基礎(chǔ)知識(shí)。主流工藝是本課程的主要內(nèi)容,要求學(xué)生對(duì)原理、流程、性能、使用范圍等深入理解,熟練掌握。因此,這部分內(nèi)容要進(jìn)行詳細(xì)講解。淘汰工藝是本課程的了解內(nèi)容,目前淘汰工藝在現(xiàn)有教材中占據(jù)的篇幅和課時(shí)還比較多,且有喧賓奪主之勢(shì),為了讓學(xué)生了解和熟悉集成電路工藝的發(fā)展歷史,需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)母爬▔嚎s或刪減處理。最新工藝是本學(xué)科的前沿研究?jī)?nèi)容,為了擴(kuò)充學(xué)生的知識(shí),開(kāi)闊學(xué)生的視野,應(yīng)該適當(dāng)?shù)匮a(bǔ)充一些新型工藝技術(shù),為學(xué)生將來(lái)進(jìn)一步研究深造奠定基礎(chǔ)。四、結(jié)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論