第二章第四節(jié)2影響因素

1、第二章第二章 普通電阻率測(cè)井普通電阻率測(cè)井第二第二章章2022-7-72主要內(nèi)容主要內(nèi)容一、電法測(cè)井的基礎(chǔ)知識(shí)一、電法測(cè)井的基礎(chǔ)知識(shí)二、普通電阻率測(cè)井的基本概念二、普通電阻率測(cè)井的基本概念三、普通電阻率測(cè)井的基本理論三、普通電阻率測(cè)井的基本理論四、地層視電阻率曲線四、地層視電阻率曲線五、標(biāo)準(zhǔn)測(cè)井五、標(biāo)準(zhǔn)測(cè)井六、微電極系視電阻率測(cè)井六、微電極系視電阻率測(cè)井七、地層微掃描測(cè)井及全井眼地層微成像儀簡(jiǎn)介七、地層微掃描測(cè)井及全井眼地層微成像儀簡(jiǎn)介第四節(jié)地層視電阻率曲線第四節(jié)地層視電阻率曲線第二第二章章2022-7-74主要內(nèi)容主要內(nèi)容 一、理論曲線一、理論曲線 二、影響因素二、影響因素 三、應(yīng)用三、應(yīng)用

2、第二第二章章2022-7-75二、影響因素二、影響因素第二第二章章2022-7-76影響因素影響因素 實(shí)際普通電阻率法測(cè)井所記錄出的視電阻率測(cè)井曲實(shí)際普通電阻率法測(cè)井所記錄出的視電阻率測(cè)井曲線，因受井內(nèi)環(huán)境和介質(zhì)非均勻等因素的影響，變線，因受井內(nèi)環(huán)境和介質(zhì)非均勻等因素的影響，變化比較平緩，不能像理論曲線變化那樣規(guī)則，但曲化比較平緩，不能像理論曲線變化那樣規(guī)則，但曲線的基本特征和理論曲線大同小異。線的基本特征和理論曲線大同小異。 視電阻率實(shí)測(cè)曲線可參閱圖視電阻率實(shí)測(cè)曲線可參閱圖235標(biāo)準(zhǔn)測(cè)井圖中的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)井圖中的Ra曲線。曲線。 為了能夠正確地使用視電阻率測(cè)井曲線，去偽存為了能夠正確地使用視電阻率

3、測(cè)井曲線，去偽存真地作出正確判斷，我們有必要研究各種條件對(duì)視真地作出正確判斷，我們有必要研究各種條件對(duì)視電阻率的影響。電阻率的影響。第二第二章章2022-7-77第二第二章章2022-7-78主要影響因素主要影響因素 井眼井眼 電極系電極系 地層傾斜地層傾斜 泥漿侵入泥漿侵入 高阻鄰層的屏蔽高阻鄰層的屏蔽 圍巖層厚圍巖層厚第二第二章章2022-7-79.井的影響井的影響 在實(shí)際測(cè)井中，井的影響是無(wú)法避免的。在實(shí)際測(cè)井中，井的影響是無(wú)法避免的。井的影響主要是井的影響主要是井徑井徑和井筒內(nèi)和井筒內(nèi)泥漿電阻泥漿電阻率率的變化造成的。的變化造成的。第二第二章章2022-7-710.井的影響井的影響 ）

4、井徑）井徑 井徑增大，泥漿對(duì)測(cè)量結(jié)果貢獻(xiàn)增大，由井徑增大，泥漿對(duì)測(cè)量結(jié)果貢獻(xiàn)增大，由于泥漿電阻率一般比目的層地層電阻率低，于泥漿電阻率一般比目的層地層電阻率低，故在同樣條件下井徑增大，目的層視電阻故在同樣條件下井徑增大，目的層視電阻率降低。率降低。第二第二章章2022-7-711.井的影響井的影響 2）泥漿電阻率）泥漿電阻率 井內(nèi)泥漿電阻率如果太低，井內(nèi)泥漿電阻率如果太低，井內(nèi)分流加大，會(huì)導(dǎo)致視電井內(nèi)分流加大，會(huì)導(dǎo)致視電阻率曲線上高阻層處的極大阻率曲線上高阻層處的極大值急劇下降，且曲線變化平值急劇下降，且曲線變化平緩，縱向分辨率下降。見(jiàn)圖緩，縱向分辨率下降。見(jiàn)圖中曲線中曲線2。第二第二章章20

5、22-7-712.井的影響井的影響 2）泥漿電阻率）泥漿電阻率 為確保視電阻率曲線能真實(shí)為確保視電阻率曲線能真實(shí)反映井孔剖面上巖層的變化，反映井孔剖面上巖層的變化，要求配制的泥漿電阻率要求配制的泥漿電阻率Rm5Rw。 在鹽水泥漿（在鹽水泥漿（ Rmh)， 越大，越大，ha和和h的差別越大。的差別越大。第二第二章章2022-7-7223.地層傾斜的影響地層傾斜的影響 4)當(dāng)當(dāng)不大于不大于60。時(shí)，曲線還保持原曲線的基本特時(shí)，曲線還保持原曲線的基本特征只是定出的巖層厚度偏大。征只是定出的巖層厚度偏大。第二第二章章2022-7-7234.泥漿侵入的影響泥漿侵入的影響 增阻侵入（高侵），多在水層增阻侵

6、入（高侵），多在水層 減阻侵入（低侵），多在油層減阻侵入（低侵），多在油層第二第二章章2022-7-7245.高阻鄰層的屏蔽影響高阻鄰層的屏蔽影響 前面分析的視電阻率曲線前面分析的視電阻率曲線都是在單一的高阻地層中都是在單一的高阻地層中測(cè)出的。實(shí)際上經(jīng)常遇到測(cè)出的。實(shí)際上經(jīng)常遇到的是在電極系探測(cè)范圍以的是在電極系探測(cè)范圍以內(nèi)有幾個(gè)高阻鄰層的層組，內(nèi)有幾個(gè)高阻鄰層的層組，測(cè)量時(shí)由測(cè)量時(shí)由“相鄰高阻層對(duì)相鄰高阻層對(duì)供電電極供電電極A的電流產(chǎn)生屏蔽的電流產(chǎn)生屏蔽影響，使視電阻率曲線發(fā)影響，使視電阻率曲線發(fā)生畸變。生畸變。第二第二章章2022-7-7255.高阻鄰層的屏蔽影響高阻鄰層的屏蔽影響 地層模

7、型是兩個(gè)地層模型是兩個(gè)電阻率電阻率及及層厚層厚都都相同的相同的高阻層高阻層。 在在夾層厚度夾層厚度he不同不同(he1he2he3he4)的情況下，用相同電極距的底部梯的情況下，用相同電極距的底部梯度電極系測(cè)量所得到的視電阻率曲線特度電極系測(cè)量所得到的視電阻率曲線特點(diǎn)各異。點(diǎn)各異。 當(dāng)當(dāng)heAO時(shí)兩個(gè)高阻層很難用視電時(shí)兩個(gè)高阻層很難用視電阻率曲線劃分開(kāi)，見(jiàn)圖中的阻率曲線劃分開(kāi)，見(jiàn)圖中的a部分；部分； 隨著隨著he增加，兩個(gè)高阻層可以從曲線上增加，兩個(gè)高阻層可以從曲線上明顯分作兩層；明顯分作兩層；第二第二章章2022-7-7265.高阻鄰層的屏蔽影響高阻鄰層的屏蔽影響當(dāng)當(dāng)heAO時(shí)，如圖中的時(shí)，

8、如圖中的b、c情況。這情況。這時(shí)對(duì)著下方高阻層的視電阻率卻降低了。時(shí)對(duì)著下方高阻層的視電阻率卻降低了。原因在于：電極系的記錄點(diǎn)原因在于：電極系的記錄點(diǎn)O在高電阻在高電阻層底界面時(shí)，單電極層底界面時(shí)，單電極A已穿過(guò)了上方高已穿過(guò)了上方高阻層，因而受該層的屏蔽影響，記錄點(diǎn)阻層，因而受該層的屏蔽影響，記錄點(diǎn)O處的電流密度處的電流密度j0要比單一地層時(shí)的要比單一地層時(shí)的j0小，小，所以所測(cè)的視電阻率曲線比單一地層時(shí)所以所測(cè)的視電阻率曲線比單一地層時(shí)所測(cè)曲線幅度低，這種現(xiàn)象叫減阻屏蔽所測(cè)曲線幅度低，這種現(xiàn)象叫減阻屏蔽影響。影響。第二第二章章2022-7-7275.高阻鄰層的屏蔽影響高阻鄰層的屏蔽影響 當(dāng)

9、當(dāng)he=AO 或或he稍大于稍大于AO時(shí)，如時(shí)，如圖中的圖中的d情況。這時(shí)對(duì)著下方高情況。這時(shí)對(duì)著下方高阻層的視電阻率卻大增加了。阻層的視電阻率卻大增加了。 原因在于：電極系的記錄點(diǎn)原因在于：電極系的記錄點(diǎn)O在在高電阻層底界面時(shí)，單電極高電阻層底界面時(shí)，單電極A接接近上方高阻層，因而受該層的屏近上方高阻層，因而受該層的屏蔽影響，記錄點(diǎn)蔽影響，記錄點(diǎn)O處的電流密度處的電流密度j0增大，所以所測(cè)的視電阻率曲增大，所以所測(cè)的視電阻率曲線比單一地層時(shí)所測(cè)曲線幅度增線比單一地層時(shí)所測(cè)曲線幅度增加，這種現(xiàn)象叫增阻屏蔽影響。加，這種現(xiàn)象叫增阻屏蔽影響。第二第二章章2022-7-7285.高阻鄰層的屏蔽影響高

10、阻鄰層的屏蔽影響 實(shí)際上，在井孔內(nèi)各地實(shí)際上，在井孔內(nèi)各地層厚度是固定的，如果層厚度是固定的，如果用電極距不同用電極距不同(LAO)的兩個(gè)電極系在同一剖的兩個(gè)電極系在同一剖面上進(jìn)行視電阻率測(cè)井，面上進(jìn)行視電阻率測(cè)井，則所得出的兩條視電阻則所得出的兩條視電阻率曲線因受屏蔽影響不率曲線因受屏蔽影響不同而曲線各異，見(jiàn)左圖。同而曲線各異，見(jiàn)左圖。第二第二章章2022-7-7295.高阻鄰層的屏蔽影響高阻鄰層的屏蔽影響 從圖中可以看出，第從圖中可以看出，第1油油層：層： 在在AO 2.5m的底部梯的底部梯度電極系所測(cè)視電阻率度電極系所測(cè)視電阻率曲線上由于增阻屏蔽影曲線上由于增阻屏蔽影響，其視電阻率曲線幅

11、響，其視電阻率曲線幅度很高；度很高； 在在AO8m的底部梯度電的底部梯度電極系所測(cè)視電阻率曲線極系所測(cè)視電阻率曲線上由于鄰層減阻屏蔽影上由于鄰層減阻屏蔽影響，其視電阻率曲線幅響，其視電阻率曲線幅度很低。度很低。第二第二章章2022-7-7306.圍巖層厚的影響圍巖層厚的影響 一般隨巖層厚度一般隨巖層厚度h變薄視電阻率變低，變薄視電阻率變低，這是由于隨地層厚度變簿，低阻圍巖對(duì)這是由于隨地層厚度變簿，低阻圍巖對(duì)測(cè)量結(jié)果貢獻(xiàn)增大的緣故。在解釋測(cè)量結(jié)果貢獻(xiàn)增大的緣故。在解釋簿油簿油層層時(shí)應(yīng)當(dāng)注意這種影響。時(shí)應(yīng)當(dāng)注意這種影響。第二第二章章2022-7-7316.圍巖層厚的影響圍巖層厚的影響 在視電阻率測(cè)井中應(yīng)根據(jù)它