項目4認識內(nèi)存課件(PPT 50頁)

1、項目四 認識內(nèi)存4.1 內(nèi)存的發(fā)展歷程4.2 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝4.3 內(nèi)存的分類4.4 內(nèi)存的性能指標4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范4.6 內(nèi)存的識別與選購.第1頁，共50頁。4.1 內(nèi)存的發(fā)展歷程SDRAM：稱為同步內(nèi)存（其輸入輸出信號與系統(tǒng)外頻同步），有168線，用于Pentium I 、II和III時期，規(guī)范有：PC66 、PC100 、PC133 。Rambus DRAM： 有184線，Rambus RDRAM 內(nèi)存生不逢時，后來被更高速度的DDR面前敗下陣來 。DDR SDRAM：Dual Date Rate SDRAM， 工作速度是SDRAM的2倍，用于Pentium 4 機中。DDR2：

2、主要的改進是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下，可以 提供相當于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。DDR3：可以看成是DDR2的延伸,主要提升了頻率降低了能耗（1.5V）。.第2頁，共50頁。4.2 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝內(nèi)存結(jié)構(gòu)圖2 金手指3 內(nèi)存顆粒9 SPD芯片.第3頁，共50頁。4.2內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝標注部件名稱說明1PCB板 多為綠色，4層或6層的電路板，內(nèi)部有金屬布線，6層設計要比4層的電氣性能好，性能更穩(wěn)定，名牌內(nèi)存多采用6層設計。2金手指 金黃色的觸點，與主板連接的部分，數(shù)據(jù)通過“金手指”傳輸。金手指是銅質(zhì)導線，易氧化，要定期清理表面的氧化物。3內(nèi)存芯片 是內(nèi)存的靈魂所在，決定著內(nèi)存的性能、速度、容量等

3、，也叫內(nèi)存顆粒。市場上內(nèi)存種類很多，但內(nèi)存顆粒的型號卻并不多，常見的有samsung 、Hynix 、Micron 、ELPIDA 、Qimonda 、Nanya 等幾種品牌。不同品牌的內(nèi)存顆粒，速度、性能不盡相同。4內(nèi)存顆粒位 預留的一片內(nèi)存芯片位置，供其他采用這種封裝模式的內(nèi)存條使用。此處預留的是一個ECC校驗模塊位置。5電容 是PCB板上必不可少的電子元件之一。一般采用貼片式電容，可以提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性，提高電氣性能。6電阻 是PCB板上必不可少的電子元件之一，也采用貼片式設計。 7內(nèi)存固定缺口 內(nèi)存插到主板上后，主板內(nèi)存插槽的兩個夾子便扣入該缺口，可以固定內(nèi)存條。8內(nèi)存腳缺口 防止反插

4、，也可以區(qū)分以前的SDRAM內(nèi)存條，以前的SDRAM內(nèi)存有兩個缺口。9SPD 是一個八腳的小芯片，實際上是一個EEPROM，可擦寫存儲器。有256字節(jié)的容量，每一位都代表特定的意思，包括內(nèi)存的容量、組成結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)和廠家信息。.第4頁，共50頁。美國鎂光韓國三星韓國海力士/現(xiàn)代日本爾必達德國奇夢達 南亞科技.第5頁，共50頁。4.2 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝 TSOP 在1980年代出現(xiàn)的TSOP封裝（Thin Small Outline Package薄型小尺寸封裝），由于更適合高頻使用，以較強的可操作性和較高的可靠性征服了業(yè)界。TSOP的封裝厚度只有SOJ的三分之一。TSOP內(nèi)存封裝的外形呈長方

5、形，且封裝芯片的周圍都有I/O引腳。例如SDRAM內(nèi)存顆粒的兩側(cè)都有引腳，而SGRAM內(nèi)存顆粒的四邊都有引腳，所以體積相對較大。在TSOP封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過芯片引腳焊在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB板傳熱相對困難。.第6頁，共50頁。4.2 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝 BGA BGA為Ball-Gird-Array的英文縮寫，即球柵陣列封裝，它的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面。采用BGA技術(shù)封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。 .第7頁，共50頁。4.2 內(nèi)存

6、的結(jié)構(gòu)與封裝 mBGA mBGA（Micro Ball Grid Array微型球柵陣列封裝）可以說是BGA的改進版，封裝呈正方形，內(nèi)存顆粒的實際占用面積比較小。由于采用這種封裝方式內(nèi)存顆粒的針腳都在芯片下部，連接短、電氣性能好、也不易受干擾。這種封裝技術(shù)會帶來更好的散熱及超頻性能。.第8頁，共50頁。4.2 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝FBGA (CSP)Fine-Pitch Ball Grid Array：細間距球柵陣列 ,通常稱作CSP （Chip Scale Package芯片級封裝）。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過11.14，接近11的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的

7、BGA的1/3，相當于TSOP內(nèi)存顆粒面積的1/6。這樣在相同體積下，內(nèi)存條可以裝入更多的內(nèi)存顆粒，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高3倍。而且，CSP封裝的內(nèi)存顆粒不僅可以通過PCB板散熱還可以從背面散熱，且散熱效率良好。 .第9頁，共50頁。4.2 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝 WLCSP WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package晶圓級芯片封裝），這種技術(shù)不同于傳統(tǒng)的先切割晶圓，再封裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進行封裝和測試，然后再切割。WLCSP有著更明顯的優(yōu)勢。首先是工藝工序大大優(yōu)化，晶圓直接進入封裝工序，而傳統(tǒng)

8、工藝在封裝之前還要對晶圓進行切割、分類。所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進行，設備測試一次完成，這在傳統(tǒng)工藝中都是不可想象的。其次，生產(chǎn)周期和成本大幅下降，WLCSP的生產(chǎn)周期已經(jīng)縮短到1天半。而且，新工藝帶來優(yōu)異的性能，采用WLCSP封裝技術(shù)使芯片所需針腳數(shù)減少，提高了集成度。WLCSP帶來的另一優(yōu)點是電氣性能的提升，引腳產(chǎn)生的電磁干擾幾乎被消除。 .第10頁，共50頁。4.3內(nèi)存的分類內(nèi)存的類型內(nèi)存與外存的區(qū)別 RAM：(Random Access Memory，隨機存儲器),又分為2類DRAM 和SRAM ，我們所說的內(nèi)存條即屬于DRAM，包括： SDRAM、 RDRAM 、

9、DDR 、 DDR2 、 DDR3 。 SRAM 用作Cache（高速緩沖存儲器）。ROM：(Read Only Memory，只讀存儲器)。外存的表現(xiàn)形式有硬盤、軟盤、光盤等。 與CPU交換數(shù)據(jù)方式容量價格存取速度內(nèi)存直接交換小每存儲單元價格高快外存間接交換大每存儲單元價格低慢.第11頁，共50頁。 4.3內(nèi)存的分類SDRAM： 168線Synchronous DRAM同步動態(tài)存儲器RDRAM ：184線Rambus DRAM高頻動態(tài)存儲器。罕見。2個缺口2個缺口.第12頁，共50頁。4.3內(nèi)存的分類DDR：184線DDR SDRAM： Double Data Rate SDRAM雙倍速率同

10、步動態(tài)隨機存儲器。DDR2： 240線DDR2內(nèi)存能夠提供比傳統(tǒng)SDRAM內(nèi)存快四倍，比DDR內(nèi)存快兩倍的工作頻率。1個缺口.第13頁，共50頁。4.3內(nèi)存的分類DDR3 : 240線 DDR3在DDR2的基礎(chǔ)上采用了以下新型設計： 18bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內(nèi)核頻率只有工作頻率的1/8，如：DDR3-800的核心頻率只有100MHz。 2采用點對點的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。 3采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V 。宇瞻 1G DDR3 1600DDR、DDR2、DDR3缺口比較.第14頁，共50頁。DDR 三代內(nèi)

11、存缺口位置尺寸.第15頁，共50頁。.第16頁，共50頁。筆記本內(nèi)存規(guī)格DDR 背面 正面接口類型 封裝模式 內(nèi)存電壓 200 PIN TSOP 2.5V .第17頁，共50頁。筆記本內(nèi)存規(guī)格DDR2 接口類型 封裝模式 內(nèi)存電壓 200 PIN FBGA 1.8V .第18頁，共50頁。筆記本內(nèi)存規(guī)格DDR3 勁芯1GB DDR3 1066（GMB10028SOX817-1066） 接口類型 封裝模式 內(nèi)存電壓 204 PIN FBGA1.5V .第19頁，共50頁。4.4 內(nèi)存的性能指標內(nèi)存容量：是指一根內(nèi)存條存儲二進制數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。工作頻率：是指內(nèi)存的傳輸數(shù)據(jù)頻率，用MHz為單位。數(shù)據(jù)帶

12、寬：數(shù)據(jù)帶寬是指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度，也就是內(nèi)存一秒內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。它是衡量內(nèi)存性能的重要標準。 數(shù)據(jù)帶寬=工作頻率*內(nèi)存數(shù)據(jù)總線位數(shù)/8奇偶校驗與ECC校驗：奇偶校驗是最早使用的內(nèi)存軟錯誤的檢測方法。ECC校驗，即Error Checking and Correcting，錯誤檢查和糾正。 .第20頁，共50頁。CAS的延遲時間：Column Address Strobe列地址選通信號。CAS的延遲時間就是指內(nèi)存縱向地址脈沖的反應時間，用CL（CAS Latency）來表示。工作電壓：內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同。 SDRAM：3.3V DDR：2.5V DDR2：1.

13、8V DDR3：1.5VSPD：Serial Presence Detect，存在位串行探測。SPD是一個8針的256字節(jié)EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）芯片，里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數(shù)信息。.第21頁，共50頁。4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范DDR內(nèi)存技術(shù)規(guī)范規(guī)格傳輸標準時鐘頻率工作頻率數(shù)據(jù)傳輸率（帶寬）DDR內(nèi)存技術(shù)規(guī)范DDR200PC1600100MHz200 MHz1600MB/SDDR266PC 2100133 MHz266 MHz2100 MB/SDDR333PC 2700166 MHz333 MHz2700 MB/SDDR400PC 320020

14、0 MHz400 MHz3200 MB/SDDR433PC 3500216 MHz433 MHz3500 MB/SDDR533PC 4300266 MHz533 MHz4300 MB/S.第22頁，共50頁。4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范DDR2內(nèi)存技術(shù)規(guī)范規(guī)格傳輸標準核心頻率/MHz時鐘頻率/MHz工作頻率/MHz單通道數(shù)據(jù)傳輸帶寬（MB/S）雙通道數(shù)據(jù)傳輸帶寬（MB/S）DDR2 400PC2 3200100200400 3200 /DDR2 533PC2 4300133266533 4300 /DDR2 667PC2 5300166333667 5300 10600 DDR2 800PC2 64

15、00200400800 6400 12800 DDR2 900PC2 7200225450900720014400DDR2可以看作是DDR技術(shù)標準的一種升級和擴展。DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，其數(shù)據(jù)傳輸頻率（工作頻率）為時鐘頻率的兩倍。而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位預取)”機制，核心頻率僅為時鐘頻率的一半、時鐘頻率又為數(shù)據(jù)傳輸頻率的一半，這樣工作頻率是核心頻率的4倍。如核心頻率為200MHz使，DDR2內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸頻率達到800MHz。.第23頁，共50頁。4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范DDR3內(nèi)存技術(shù)規(guī)范規(guī)格傳輸標準核心頻率/MHz時鐘頻率/M

16、Hz工作頻率/MHz單通道數(shù)據(jù)傳輸帶寬（MB/S）雙通道數(shù)據(jù)傳輸帶寬（MB/S）DDR3 1066PC3 850013353310668500 17000 DDR3 1333PC3 10600166667133310600 21200 DDR3 1600PC3 12800200800160012800 25600DDR3 1800PC3 1440022590018001440028800DDR3 2000PC3 16000250100020001600032000 DDR3在DDR2的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。主要采用了8bit預取設計，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有數(shù)據(jù)傳輸頻率的1/8，如：DDR3 1

17、600的核心頻率只有200MHz。 .第24頁，共50頁。4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范流行內(nèi)存比較:威剛2G DDR2 800(萬紫千紅)內(nèi)存類型:DDR2適用機型:臺式機內(nèi)存容量:2048MB工作頻率:800MHz接口類型 :240 PINCL設置:CL=5參考價格：￥140威剛 2G DDR2 800(萬紫千紅).第25頁，共50頁。4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范流行內(nèi)存比較:金士頓4G DDR3 1333內(nèi)存類型:DDR3適用機型:臺式機內(nèi)存容量:4GB工作頻率:1333MHz接口類型:240 PIN封裝模式:FBGA電壓:1.5V參考價格：￥155金士頓4G DDR3 1333.第26頁，共50頁。

18、4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范流行內(nèi)存比較:金士頓2G DDR3 1333內(nèi)存類型:DDR3適用機型:臺式機內(nèi)存容量:2GB工作頻率:1333MHz接口類型:240 PIN封裝模式:FBGA電壓:1.5V參考價格：￥83金士頓2G DDR3 1333.第27頁，共50頁。4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范流行內(nèi)存比較:芝奇8GB DDR3 1600套裝 內(nèi)存類型：DDR3適用機型：臺式機內(nèi)存內(nèi)存容量：2*4GB工作頻率：1600MHz(數(shù)據(jù)傳輸頻率)接口類型：240 PIN電壓（V）：1.5V封裝模式：FBGA 參考價格：￥1299 芝奇8GB DDR3 1600套裝 .第28頁，共50頁。4.6內(nèi)存的識別與選購

19、表示該塊內(nèi)存條為Kingston Value RAM ，KHR表示該塊內(nèi)存條為Kingston HyperX RAM。Kingston ValueRAM內(nèi)存指符合一般業(yè)界標準的內(nèi)存；Kingston HyperX RAM指專為玩家設計的高效能DDR與DDR2內(nèi)存，經(jīng)特殊設計與完整測試能提供更高的速度，同時搭載鋁制散熱片能有效預防過熱死機。表示內(nèi)存的傳輸頻率為667MHZ 。表示內(nèi)存類型為DDR2，若為D3則表示內(nèi)存類型為DDR3。表示該內(nèi)存沒有ECC校驗功能，若為U則也表示該內(nèi)存沒有ECC校驗功能，若為E則表示該內(nèi)存有ECC校驗功能。表示內(nèi)存的CAS時間，“5”表示CL=5 。表示內(nèi)存的容量。

20、金士頓.第29頁，共50頁。4.6內(nèi)存的識別與選購金士頓2GB DDR3 1625參數(shù)（2GB套裝）內(nèi)存類型：DDR3適用機型：臺式機內(nèi)存內(nèi)存容量：2*1GB工作頻率(MHz)：1625MHz接口類型：240PIN電壓（V）：1.9V.第30頁，共50頁。金士頓DDR內(nèi)存編號規(guī)則.第31頁，共50頁。金士頓DDR內(nèi)存編號規(guī)則.第32頁，共50頁。金士頓DDR內(nèi)存編號規(guī)則筆記本內(nèi)存KAC指金士頓 為 ACER 做的內(nèi)存MEMG 是 DDR2/800MEMF 是 DDR2/667.第33頁，共50頁。金士頓DDR內(nèi)存編號規(guī)則筆記本內(nèi)存.第34頁，共50頁。金士頓DDR內(nèi)存編號規(guī)則筆記本內(nèi)存松下筆記

21、本電腦推出的172Pin Micro-DIMM DDR2 667 .第35頁，共50頁。專業(yè)術(shù)語容量：一個模塊上內(nèi)存單元的完整號碼用MB或GB來表示。對于套裝，列表中的容量是套裝里所有模塊容量之總和。 CAS延時：一種最重要的表示資料在內(nèi)存模塊中傳輸時的等待（wait）時延（用時鐘周期表示）。一旦數(shù)據(jù)的讀寫指令和列隊地址被寫入后，CAS延時將會控制等待時間，直到資料準備好讀出或?qū)懭搿?DDR3 第三代 DDR 內(nèi)存技術(shù)。與 DDR2 相似，它是 DDR 內(nèi)存技術(shù)的新一代產(chǎn)品，它能帶來更快的速度，更低的耗電量和發(fā)熱。對于帶寬有大量需求的雙核心或四核心系統(tǒng)來說，它是一個非常合適的內(nèi)存解決方案，低耗

22、電對于服務器和移動式平臺更是一個完美的組合。 DDR2 第二代DDR內(nèi)存技術(shù)。 DDR2內(nèi)存模塊由于具有更低的電壓、不同的引腳配置和不兼容的內(nèi)存芯片技術(shù)，而不能向后兼容于DDR。 Kit 內(nèi)含多片模塊的單獨包裝： K22片模塊在一個套裝里。 Registered 內(nèi)存模塊內(nèi)含寄存器芯片和相同步邏輯芯片，其中寄存器芯片用來傳遞和同步由主機板上內(nèi)存控制器發(fā)出的地址和控制信號，相同步邏輯芯片用來將主機板的時脈信號傳遞給所有的DRAM芯片。 速度: 內(nèi)存模塊所支持的數(shù)據(jù)傳輸速率或是有效的時脈頻率。 以下信息會幫助您在調(diào)整主板 BIOS 內(nèi)存選項的時候進行適當?shù)脑O定，以確保最佳的性能。請注意，這些設置可能會由于主板品牌型號和 BIOS 的升級而有所不同。 .第36頁，共50頁。4.6內(nèi)存的識別與選購海盜船XMS內(nèi)存編號詳解 海盜船內(nèi)存主要分兩大系列XMS（eXtreme Memory Speed）和VS（Value Select）系列，其中XMS系列以其強悍的性能倍受關(guān)注，VS則為品質(zhì)出色的普通裝機內(nèi)存。.第37頁，共50頁。4.6內(nèi)存的識別與選購普及型VS系列內(nèi)存型號詳解 .第38頁，共50頁。4.6內(nèi)存的識別與選購用 CPU-Z 測試.第39頁，共50頁。