三極管課件資料

1、電工(dingng)電子技術(shù)第1章 直流電路 第2章 交流電路 第3章 磁路和變壓器 第4章 直流電機 第5章 交流異步電動機和控制電機 第6章 常用電動機控制電路 第7章 常用半導(dǎo)體器件 第8章 基本放大電路 第9章 集成運算放大器及其應(yīng)用 第10章 直流穩(wěn)壓電源 第11章 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ) 第12章 組合邏輯電路 第13章 時序邏輯電路 第14章 電工電子技術(shù)的計算機輔助分析與設(shè)計 共60學(xué)時(xush)11級模具(1)班7/24/20221共二十六頁電工(dingng)電子技術(shù)第7章 常用(chn yn)半導(dǎo)體器件 7.1 PN結(jié)和半導(dǎo)體二極管1437.2 雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管14

2、7 7.2.1 雙極型晶體管147 7.2.2 場效應(yīng)晶體管1517.3 晶閘管和單結(jié)晶體管156 7.3.1 晶閘管156 7.3.2 單結(jié)晶體管158下頁7/24/20222共二十六頁第7章 常用(chn yn)半導(dǎo)體器件 1. 半導(dǎo)體2. PN結(jié)3. 二極管4. 雙極型晶體管BJT5. 場效應(yīng)晶體管FET6. 晶閘管(可控硅)結(jié)構(gòu)檢測放大原理特性曲線主要參數(shù)三種狀態(tài)三大作用下頁7/24/20223共二十六頁7.2 雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管雙極型晶體管BJT三極管第7章 常用(chn yn)半導(dǎo)體器件Bipolar Junction Transistor場效應(yīng)晶體管FETField Ef

3、fect Transistor下頁7/24/20224共二十六頁 三極管是組成各種電子電路的核心器件。三極管的發(fā)明(fmng)，使PN結(jié)的應(yīng)用發(fā)生了質(zhì)的飛躍。7.2 雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管第7章 常用(chn yn)半導(dǎo)體器件硅管三極管鍺管NPN管PNP管NPN管PNP管NPNPNP下頁7/24/20225共二十六頁一、基本(jbn)結(jié)構(gòu)（集電結(jié)、發(fā)射結(jié)）三極管的結(jié)構(gòu)并不是對稱(duchn)的，所以發(fā)射極和集電極不能對調(diào)使用。 面積大，摻雜濃度適度區(qū)域薄，摻雜濃度低摻雜濃度高BJT-雙極 結(jié)型晶體管7.2.1 雙極型晶體管下頁7/24/20226共二十六頁二、三極管的檢測(jin c)NP

4、N型三極管的直流測量(cling)等效電路如圖3-5，PNP型三極管的直流測量等效電路如圖3-6。 將數(shù)字多用表置于 檔，按圖3-3、圖3-4的接法測量三極管（接B極的表筆不變換，而另一支表筆分別接三極管的另外兩腳），表頭會有讀數(shù)（一般為700900左右）；cbeebccbecbe下頁7/24/20227共二十六頁三極管的放大(fngd)作用電流(dinli)放大（1）內(nèi)部條件（結(jié)構(gòu)特點）：基區(qū)很薄，摻雜濃度低控制由發(fā)射區(qū)運動到集電區(qū)的載流子，減少載流子在基區(qū)復(fù)合的機會。發(fā)射區(qū)摻雜濃度高以便有足夠的載流子供“發(fā)射”。集電區(qū)面積比發(fā)射區(qū)大便于收集由發(fā)射區(qū)來的 載流子和散熱。三、放大原理（E發(fā)射B

5、擴散、復(fù)合C收集）7.2.1 雙極型晶體管基極b(base)集電極c(collector)發(fā)射極e(emitter)下頁7/24/20228共二十六頁（2）外部(wib)條件：三、放大原理(yunl)（E發(fā)射B擴散、復(fù)合C收集）VbVeVcVbNPN管：VcVbVe工作過程：（1）E區(qū)向B區(qū)擴散電子（2）電子在B區(qū)復(fù)合、擴散（3）C區(qū)收集B區(qū)擴散過來的電子PNP管：VcVbVeVcVb集電結(jié)加反向電壓(也叫反偏置)。發(fā)射結(jié)加正向電壓(也叫正偏置)；7.2.1 雙極型晶體管直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)IE IB( )1+IEIB+ ICICIBICIBIE=IC+IBICIB下頁7/24/2

6、02210共二十六頁三、放大原理（E發(fā)射(fsh)B擴散、復(fù)合C收集）四、特性(txng)曲線（輸入曲線、輸出曲線）1.輸入曲線： IB(A) UBE(V)204060800.20.8 UCE1V硅 Si：0.50.7V鍺Ge：0.20.3V閥值電壓VBE07.2.1 雙極型晶體管cebIBICIEUCEUBE下頁7/24/202211共二十六頁三、放大(fngd)原理（E發(fā)射B擴散、復(fù)合C收集）四、特性曲線（輸入(shr)曲線、輸出曲線）2.輸出曲線：7.2.1 雙極型晶體管cebIBICIEUCEUBEUCE0IB 一定IC飽和壓降下頁7/24/202212共二十六頁IC(mA )5101

7、520UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100AICM放大(fngd)區(qū)截止(jizh)區(qū)飽和區(qū)三、放大原理（E發(fā)射B擴散、復(fù)合C收集）四、特性曲線（輸入曲線、輸出曲線）1.輸入曲線：2.輸出曲線：飽和壓降：0.20.3V IB(A) UBE(V)204060800.20.8 UCE1V硅 Si：0.50.7V鍺Ge：0.20.3V閥值電壓VBE07.2.1 雙極型晶體管ICIB三極管的三種工作狀態(tài)：1.截止2.放大3.飽和下頁7/24/202213共二十六頁三極管的三種(sn zhn)工作狀態(tài)：1.截止(jizh)狀態(tài)2.放大狀態(tài)3.飽和狀態(tài)下頁VBE 0.5VUCE=

8、VCCIB= 0VBE 0.7VUCE= 0.2V0.3VVBE 0.7VcebIBICIEUCEVBEUCCUBBRBRCUCE= 幾 V1VCC2(NPN 硅管)7/24/202214共二十六頁三極管的三種(sn zhn)工作狀態(tài)：1.截止(jizh)狀態(tài)2.放大狀態(tài)3.飽和狀態(tài)下頁VBE- 0.2VUCE= -VCCIB= 0VBE- 0.3VUCE= - 0.2V - 0.3VUCE= -幾 V(PNP 鍺管)VBE- 0.3VVEB 0.2VVEB 0.3VVEB 0.3V7/24/202215共二十六頁2.輸出(shch)曲線：IC(mA )5101520UCE(V)36912IB

9、=020A40A60A80A100A工作區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)7.2.1 雙極型晶體管五、主要參數(shù)（、ICBO、ICEO、ICM、UCEO、PCM）1.直流放大系數(shù)2.交流(jioli)放大系數(shù)hFEICEO3. 極間開路電流：（1）反向飽和電流ICBO(uA)：（2）穿透電流ICEO(uA)：ICEO=(1+)ICBO-E極開路時-B極開路時IC=IB下頁7/24/202216共二十六頁ICM2.輸出(shch)曲線：4. 極限(jxin)參數(shù)：IC(mA )5101520UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A工作區(qū)截止區(qū)ICEO（1）集電極最大允許電流ICM ：-下降到正常

10、值的2/3時的值五、主要參數(shù)（、ICBO、ICEO、ICM、UCEO、PCM）（2）反向擊穿電壓UCEO ：-B 極開路時的最大反向耐壓（3）最大功耗PCM ：-C 極允許的最大耗散功率PCMICUCEIC=IB下面通過曲線來了解PCM：下頁(4) 特征頻率 fT ：-=1時的信號頻率7/24/202217共二十六頁截止區(qū)飽和區(qū)IC(mA)5101520UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100AICEOICM 安全(nqun)工作區(qū)輸出(shch)曲線：（3）最大功耗：例：幾個常用三極管的主要參數(shù)過損耗區(qū)4. 極限參數(shù)：五、主要參數(shù)（、ICBO、ICEO、ICM、UCEO、

11、PCM）PCMICUCEPCM =ICUCE曲線下頁7/24/202218共二十六頁一些(yxi)常用三極管的主要參數(shù)下頁7/24/202219共二十六頁六. 三極管的封裝形式(xngsh)下頁7/24/202220共二十六頁（Package）三極管直插形IC扁平形IC7.2.1 雙極型晶體管六、封裝形式(xngsh)下頁7/24/202221共二十六頁七、三極管的三大(sn d)作用：1. 放大(fngd)2. 開關(guān)3. 阻抗變換三極管的三種工作狀態(tài)：1.截止狀態(tài)2.放大狀態(tài)3.飽和狀態(tài)下頁7/24/202222共二十六頁0(mV )uituce0(V )tUCEICiC0(mA )t1、三

12、極管的放大(fngd)作用：uiibQIBQiBuBEiCiB下頁7/24/202223共二十六頁2、三極管的開關(guān)(kigun)作用：3、阻抗(zkng)變換bcebcebce低電位截止狀態(tài)飽和狀態(tài)高電位下頁7/24/202224共二十六頁第7章 常用(chn yn)半導(dǎo)體器件 1. 半導(dǎo)體2. PN結(jié)3. 二極管4. 雙極型晶體管BJT5. 場效應(yīng)晶體管FET6. 晶閘管(可控硅)小結(jié)(xioji)：結(jié)構(gòu)檢測放大原理特性曲線主要參數(shù)三種狀態(tài)三大作用結(jié)束7/24/202225共二十六頁內(nèi)容摘要電工電子技術(shù)。2/25/2022。7.2 雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管。7.2 雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管。Field Effect Transistor。三極管的發(fā)明，使PN結(jié)的應(yīng)用發(fā)生了質(zhì)的飛躍。一、基本結(jié)構(gòu)（集電結(jié)、發(fā)射結(jié)）。三極管的結(jié)構(gòu)并不是(b