電工學(xué)(少學(xué)時(shí))唐介第8半導(dǎo)體器件、直流穩(wěn)壓電源張幻燈片

1、電子技術(shù)1、性質(zhì)：是一門技術(shù)基礎(chǔ)課。2、特點(diǎn)：a、非純理論性課程b、實(shí)踐性很強(qiáng)c、以工程實(shí)踐的觀點(diǎn)處理電路中的一些問(wèn)題3、內(nèi)容：以器件為基礎(chǔ)，以信號(hào)為主線，研究各種電 路的工作原理、特點(diǎn)及性能指標(biāo)等。4、目的：了解一般的常用器件，掌握對(duì)基本電子電路 的分析方法及計(jì)算方法。主要教學(xué)內(nèi)容：器件與電路及應(yīng)用模擬電子技術(shù)電子技術(shù)電子元器件電子電路及其應(yīng)用二極管三極管集成電路放大電路濾波電路電源 信號(hào)檢測(cè) 壓力、溫度、水位、流量等的測(cè)量與調(diào)節(jié) 電子儀器 電子技術(shù)的應(yīng)用智能小區(qū) 學(xué)會(huì)用工程觀點(diǎn)分析問(wèn)題，就是根據(jù)實(shí)際情況，對(duì)器件的數(shù)學(xué)模型和電路的工作條件進(jìn)行合理的近似，以便用簡(jiǎn)便的分析方法獲得具有實(shí)際意義的

2、結(jié)果。 對(duì)電路進(jìn)行分析計(jì)算時(shí)，只要能滿足技術(shù)指標(biāo)，就不要過(guò)分追究精確的數(shù)值。 器件是非線性的、特性有分散性、RC 的值有誤差、工程上允許一定的誤差、采用合理估算的方法。 對(duì)于元器件，重點(diǎn)放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標(biāo)和正確使用方法，不要過(guò)分追究其內(nèi)部機(jī)理。討論器件的目的在于應(yīng)用。第 8 章半導(dǎo)體器件、直流穩(wěn)壓電源8.1 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)8.2 半導(dǎo)體二極管8.3 直流穩(wěn)壓電源的組成 特殊二極管8.4 整流電路9.1 雙極型晶體管8.5 濾波電路8.6 穩(wěn)壓電路了解半導(dǎo)體的基本概念。了解二極管、穩(wěn)壓管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、工作狀態(tài)和特性曲線。掌握二極管的特性，理解其主要參數(shù)的物理意義。掌握其主要應(yīng)用領(lǐng)

3、域。理解整流電路、濾波電路和穩(wěn)壓管電路的工作原理。了解雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)，掌握晶體管的種類、工作原理、工作狀態(tài)和特性曲線。了解其主要參數(shù)。重點(diǎn)：二極管的特性及其應(yīng)用，穩(wěn)壓管電路的工作原理，晶體管工作狀態(tài)和特性曲線。難點(diǎn)：整流、濾波，晶體管的放大原理。教學(xué)要求：半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。 如：硅、鍺、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。8.1 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，導(dǎo)電能力明顯變化。往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，導(dǎo)電能力明顯 改變。結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。半導(dǎo)體的主要特點(diǎn)：一、本征半導(dǎo)體 完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，稱為本征半導(dǎo)體。晶體中原子的排

4、列方式硅單晶中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為價(jià)電子或束縛電子。 Si Si Si Si價(jià)電子形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。 Si Si Si Si價(jià)電子 價(jià)電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）后，即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子（帶負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱為空穴（帶正電）。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理空穴溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。自由電子 在外電場(chǎng)的作用下，空穴吸引相鄰原子的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)，而在該原子中出現(xiàn)一個(gè)空穴，其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)（相當(dāng)于正電

5、荷的移動(dòng)）。 在絕對(duì)0度（T=0K）和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí),價(jià)電子完全被共價(jià)鍵束縛著，沒(méi)有可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子（即載流子），它的導(dǎo)電能力為 0，相當(dāng)于絕緣體。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流 (1)自由電子作定向運(yùn)動(dòng) 電子電流 (2)價(jià)電子遞補(bǔ)空穴 空穴電流注意：(1)本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子， 即帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴。(2)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少, 其導(dǎo)電性能很差。(3)溫度愈高，載流子的濃度越高，載流子的數(shù)目就越多,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能也就越好。所以，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因素，

6、這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。自由電子和空穴都稱為載流子。 自由電子和空穴成對(duì)地產(chǎn)生的同時(shí)，又不斷復(fù)合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。二、 雜質(zhì)半導(dǎo)體P 型半導(dǎo)體：N 型半導(dǎo)體：空穴數(shù)量 自由電子數(shù)量多數(shù)載流子少數(shù)載流子自由電子數(shù)量 空穴數(shù)量與濃度有關(guān)與溫度有關(guān)靠空穴導(dǎo)電靠自由電子導(dǎo)電定義：滲入雜質(zhì)的半導(dǎo)體。形成：在本征半導(dǎo)體中滲入少量的 3 價(jià)元素形成：在本征半導(dǎo)體中滲入少量的 5 價(jià)元素 1. 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子的數(shù)量與 （a. 摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。 2. 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中少子的數(shù)量與 （a. 摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。 3. 當(dāng)溫度升高時(shí)，少子

7、的數(shù)量 （a. 減少、b. 不變、c. 增多）。abc 4. 在外加電壓的作用下，P 型半導(dǎo)體中的電流主要是 ，N 型半導(dǎo)體中的電流主要是 。 （a. 電子電流、b.空穴電流） baP型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。漂移使空間電荷區(qū)變薄?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層。擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。三、PN結(jié)及其單向?qū)щ娦苑Q為PN結(jié)1.PN 結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P 型半導(dǎo)體和N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散、漂移，在它們的交界面處就形成了PN 結(jié)。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：多數(shù)載流子由濃度差形成的運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)：少數(shù)載流子

8、在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的運(yùn)動(dòng)。+RE（1）PN 結(jié)正向偏置內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變窄PN+_內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流。I2.PN結(jié)的特性擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)（2）PN 結(jié)反向偏置+內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變厚NP+_內(nèi)電場(chǎng)被被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。REI0+擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 漂移運(yùn)動(dòng) PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?正向偏置時(shí)，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài) 呈現(xiàn)正向電阻很小，電流較大 反向偏置時(shí)，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài) 呈現(xiàn)反向電阻很大，電流較小 反向電流受溫度影響較大通過(guò)分析可知PN8.2 半導(dǎo)體二極管一、基本結(jié)構(gòu)PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。引線外殼觸絲線

9、基片點(diǎn)接觸型PN結(jié)面接觸型二極管的電路符號(hào)：二、伏安特性硅管0.5V,鍺管0.1V。導(dǎo)通壓降 外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。正向特性反向特性特點(diǎn)：非線性硅0.60.8V鍺0.20.3VUI死區(qū)電壓PN+PN+1、正向特性：當(dāng)正向電壓超過(guò)死區(qū)電壓后，二極管導(dǎo)通二、伏安特性反向擊穿電壓U(BR) 外加電壓大于反向擊穿電壓時(shí)，反向電流劇增，二極管被反向擊穿。此時(shí)二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至?xí)蜻^(guò)熱而燒壞正向特性反向特性UIPN+PN+ 反向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)。2、反向特性： 硅管：幾A鍺管：幾百A反向飽和電流：3、近似和理想伏安特性考慮二極管導(dǎo)通電壓時(shí)的伏安特性忽略二極管導(dǎo)通電壓時(shí)

10、的伏安特性硅管：0.6-0.7V鍺管：0.2-0.3V（1）近似特性（2）理想特性三、主要參數(shù)1. 額定正向平均電流（最大整流電流 ）IF二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。3. 最高反向工作電壓UR 指不被擊穿所允許的最大反向電壓，手冊(cè)上給出的最高反向工作電壓4. 最大反向電流 IRm 指二極管加UR工作時(shí)的反向電流。反向電流大，說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。選擇和使用二極管的依據(jù)2. 正向電壓降UFIF所對(duì)應(yīng)的電壓。二極管的單向?qū)щ娦?1. 二極管加正向電壓

11、（正向偏置，陽(yáng)極接正、陰極接負(fù) ）時(shí)， 二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正向電阻較小，正向電流較大。 2. 二極管加反向電壓（反向偏置，陽(yáng)極接負(fù)、陰極接正 ）時(shí)， 二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，二極管反向電阻較大，反向電流很小。 3. 外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴?4. 二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大。 二極管電路分析定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通截止否則，正向管壓降硅0.60.7V鍺0.20.3V 分析方法：將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓UD的正負(fù)。若 V陽(yáng) V陰或 UD為正( 正向偏置 )，二極管導(dǎo)通若 V陽(yáng) V陰 二極管導(dǎo)通若忽

12、略管壓降，二極管可看作短路，UAB = 6V否則， UAB低于6V一個(gè)管壓降，為6.3或6.7V例2： 取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。 在這里，二極管起箝位作用。 D6V12V3kBAUAB+例3:電 路 如 圖 所 示，設(shè) 二 極 管 D1，D2，D3 的 正 向 壓 降 忽 略 不 計(jì)，求 輸 出 電 壓 uO。兩個(gè)二極管的陰極接在一起取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。V1陽(yáng) =6 V，V2陽(yáng)=0 V，V1陰 = V2陰= 12 VUD1 = 6V，UD2 =12V UD2 UD1 D2 優(yōu)先導(dǎo)通， D1截止。若忽略管壓降，二極管可看

13、作短路，UAB = 0 V例4:D1承受反向電壓為6 V流過(guò) D2 的電流為求：UAB 在這里， D2 起箝位作用， D1起隔離作用。 BD16V12V3kAD2UAB+應(yīng)用二、隔離的作用：二極管截止時(shí)相當(dāng)于開(kāi)路，可用來(lái)隔斷電路或信號(hào)之間的聯(lián)系。ui 2V，二極管導(dǎo)通，可看作短路 uo = 2V ui 2V，二極管截止，可看作開(kāi)路 uo = ui已知： US=2V，二極管是理想的，試畫出 uo 波形。2V例5：ui3V參考點(diǎn)二極管陰極電位為 2 VDUSRuoui+應(yīng)用三、限幅的作用：將輸出電壓的幅值限制在某一數(shù)值。思考：當(dāng)Us 分別為 2 V、4 V，而 ui 分別為3 V、3sint V

14、時(shí)，uo 的波形又將如何？P216 圖8.2.5RLuiuouiuott（1）單相半波整流 利用二極管的單向?qū)щ娦詫⒔涣麟娮儞Q為脈動(dòng)的直流電。特點(diǎn)：只利用了半個(gè)周期。應(yīng)用四、整流的作用定義：交流直流整流逆變本課小結(jié)二極管的應(yīng)用應(yīng)用一、箝制電位作用應(yīng)用二、隔離作用二極管的特性：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦哉驅(qū)ǎ聪蚪刂?。?yīng)用三、限幅作用應(yīng)用四、整流作用8.3 特殊二極管1. 符號(hào) UZIZminIZmax UZ IZ2. 伏安特性 穩(wěn)壓管正常工作時(shí)加反向電壓使用時(shí)要加限流電阻 穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。UIO一、穩(wěn)壓二極管利用二極管的反向特性

15、工作曲線越陡，電壓越穩(wěn)定穩(wěn)壓誤差UoIZDZRI0IUIRL3. 穩(wěn)壓過(guò)程分析當(dāng)電源電壓波動(dòng)時(shí)：當(dāng)負(fù)載電流波動(dòng)時(shí)：電阻的作用限制穩(wěn)壓管電流不會(huì)超過(guò)起到電壓調(diào)節(jié)作用。穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例uoiZDZRiLiuiRL穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù):負(fù)載電阻RL=2K,要求當(dāng)輸入電壓由正常值發(fā)生20%波動(dòng)時(shí)負(fù)載電壓基本不變。解：令輸入電壓達(dá)到上限時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為Izmax 。求：電阻R和輸入電壓 ui 的正常值。方程1令輸入電壓降到下限時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為Izmin 。方程2uoiZDZRiLiuiRL聯(lián)立方程1、2，可解得：P217例8.3.1例：電路如圖所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ是6V，正向壓降UD是

16、0.6V，求：Ui=10V時(shí)各電路Uo。光電二極管：反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。IU 照度增加符號(hào)發(fā)光二極管有正向電流流過(guò)時(shí)，發(fā)出一定波長(zhǎng)范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見(jiàn)波段的光，它的電特性與一般二極管類似，正向電壓較一般二極管高，電流為幾 幾十mA光電二極管發(fā)光二極管 光電二極管：工作在反向偏置。發(fā)光二極管：工作于正向偏置。第11章直流穩(wěn)壓電源小功率直流穩(wěn)壓電源的組成功能：把交流電壓變成穩(wěn)定的大小合適的直流電壓u4uou3u2u1交流電源負(fù)載變壓整流濾波穩(wěn)壓11.1 直流穩(wěn)壓電源的組成交流電 直流電脈動(dòng)直流電 平滑直流電不穩(wěn)定直流電 穩(wěn)定直流電整流電路的作用: 將交流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)?/p>

17、方向不變的脈動(dòng)的直流電壓。 11.2 整流電路常見(jiàn)的整流電路：半波、全波、橋式和倍壓整流；單相和三相整流等。分析時(shí)可把二極管當(dāng)作理想元件處理： 二極管的正向?qū)娮铻榱?，反向電阻為無(wú)窮大。整流原理：利用二極管的單向?qū)щ娦詥蜗鄻蚴秸麟娐穟1D4D2D1D3RLuou2+aTb正半周:u20，uo= u2D1和D3導(dǎo)通,工作原理：+aTbu1D4D2D1D3RLuou2負(fù)半周:u2 R 故 ui 的直流分量大都降在 R 上, 故使 uo 變得平緩(a)型LC 濾波電路 (b)型LC 濾波電路 補(bǔ)充例題 一橋式整流電容濾波電路，已知電源的 f = 50 Hz，負(fù)載電阻 RL= 100 ，U2 =

18、25 V，試求（1）選擇整流二極管（2）選擇濾波電容器（3）若測(cè)得 UO 分別為下列各值時(shí)，填寫下表。(a) UO= 30 V (b) UO = 22.5 V (c) UO= 25 V （d）UO = 11.25 V (e) UO = 35.35 V+u2+uORLC +u2+uORLC解:(1)查表選擇(2)查表選擇的電解電容器 (3)近似估算?。?Uo = 1. 2 U2 ( 橋式、全波整流濾波電路） Uo = 1. 0 U2 （半波整流濾波電路）11.4 穩(wěn)壓電路 穩(wěn)壓電路（穩(wěn)壓器）是為電路或負(fù)載提供穩(wěn)定的輸出電壓的一種電子設(shè)備。一、穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路2. 工作原理UO = UZ =UI-I

19、RR IR = IO + IZ設(shè)UI一定，負(fù)載RL變化1.電路+UIRL+CIOUO+uIRRDZIz限流調(diào)壓穩(wěn)壓電路UIUZRL(IO) IR UO 基本不變 IR (IRR) 基本不變 UO (UZ ) IZ一、穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路2. 工作原理UO = UZ =UI-IRR IR = IO + IZUIUZUI UZ 設(shè)負(fù)載RL一定， UI 變化 UO 基本不變 IRR IZ IR 1. 電路+UIRL+CIOUO+uIRRDZIz二、集成穩(wěn)壓電路單片集成穩(wěn)壓電源，具有體積小,可靠性高,使用靈活,價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)。最簡(jiǎn)單的集成穩(wěn)壓電源只有輸入，輸出和公共引出端,故稱之為三端集成穩(wěn)壓器。整流二極管

20、三端穩(wěn)壓器穩(wěn)壓管1N4001-1N4007、1N5391-1N5399 8.4 雙極型晶體管一、基本結(jié)構(gòu)BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP型BECIBIEICBECIBIEIC集電區(qū)發(fā)射區(qū)集電結(jié)發(fā)射結(jié)基區(qū)PNP集電極基極發(fā)射極CEBS9011-S9018、8050、8550 二、工作狀態(tài)BECNNPUBBRBUCCIE基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成基極電流IB ，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。取決于兩個(gè)PN結(jié)的偏置1、放大狀態(tài)IB集電結(jié)反偏，基區(qū)少子漂移進(jìn)入集電區(qū)而被收集，形成集電極電流ICIC共射

21、電路據(jù)KCL得：當(dāng)IB=0時(shí)，IC=ICEO稱為穿透電流當(dāng)IB由0IB時(shí)，IC由ICEOIC當(dāng)改變RB交流電流放大倍數(shù)在放大狀態(tài)下ICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時(shí)，ICEO增加很快。電流分配關(guān)系ICUCEUBERBIBUCCUBBIERC輸出回路輸入回路直流電流放大倍數(shù)（1）三極管放大狀態(tài)的條件：使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。（2）晶體管處于放大狀態(tài)的特征：a.IB小變化引起IC大變化。b.c.d.晶體管相當(dāng)于通路 PNP發(fā)射結(jié)正偏 VBVE集電結(jié)反偏 VCVE集電結(jié)反偏 VCVB a.3、截止?fàn)顟B(tài)b.c.晶體管相當(dāng)于斷路a.2、飽和狀態(tài)b.c.晶體管相當(dāng)于短路此時(shí)兩個(gè)結(jié)的偏置為發(fā)射結(jié)正偏，集

22、電結(jié)正偏此時(shí)兩個(gè)結(jié)的偏置為發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏P223例8.4.1ICICd.IB增加時(shí)，IC基本不變。 三、特性曲線ICmAAVVUCEUBERBIBUCCUBB 實(shí)驗(yàn)線路1、輸入特性UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作壓降： 硅管UBE0.60.7V,鍺管UBE0.20.3V。 死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.2V。溫度增高溫度每升高1C，UBE減小(22.5)mV，即晶體管具有負(fù)溫度系數(shù)。2. 輸出特性IB=020A40A60A80A100A36IC(mA )1234UCE(V)912O放大區(qū)輸出特性曲線通常分三個(gè)工作區(qū)：(1) 放大區(qū) 在放大區(qū)有 IC=

23、 IB ，也稱為線性區(qū)，具有恒流特性。 在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。當(dāng)UCE大于一定的數(shù)值時(shí)，IC只與IB有關(guān)，IC=IB。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA )1234UCE(V)912O（2）截止區(qū)IB=0時(shí)IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓， IB = 0 以下區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū)，有 IC=ICEO 0 。在截止區(qū)發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于截止?fàn)顟B(tài)。飽和區(qū)截止區(qū)（3）飽和區(qū) 當(dāng)UCE UBE時(shí)，晶體管工作于飽和狀態(tài)。 在飽和區(qū)，IB IC，UCE很小，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電結(jié)也處于正偏。 深度飽和時(shí)， 硅

24、管UCES 0.3V， 鍺管UCES 0.1V。輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn):放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 即： IC=IB , 且 IC = IB(2) 飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 即：UCE（0）UBE ， ICIB (3) 截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO 0 例：UCE=6V時(shí)：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。在以后的計(jì)算中，一般作近似處理： =四、主要參數(shù)共射直流電流放大倍數(shù)：交流電流放大倍數(shù)：1.電流放大倍數(shù)和 在放大狀態(tài)下2. 穿透電流ICEO 當(dāng)IB=0時(shí)的集電極電流。ICE0大的管子受溫度的影響大，即溫度穩(wěn)定性差。 溫度每升高 1C， 增加 0.5%1.0%。3.集電極最大允許電流ICM 集電極電流IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的值的下降，當(dāng)值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為ICM。4. 反向擊穿電壓BU(BR)CEO 當(dāng)集-射極之間的電壓UCE超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給出的數(shù)值是25C、基極開(kāi)路時(shí)的擊