GB∕T 5252-2020 鍺單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T5252—2020

代替

GB/T5252—2006

鍺單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

Testmethodfordislocationdensityofmonocrystalgermanium

2020-06-02發(fā)布2021-04-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T5252—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法本標(biāo)準(zhǔn)與

GB/T5252—2006《》。GB/T5252—2006

相比除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,:

修改了標(biāo)準(zhǔn)適用范圍見第章年版的第章

———(1,20061);

增加了規(guī)范性引用文件見第章

———(2);

修改了術(shù)語(yǔ)和定義見第章年版的第章

———(3,20062);

修改了方法原理的內(nèi)容見第章年版的第章

———(4,20063);

將年版標(biāo)準(zhǔn)試樣制備中的試劑材料修改為單獨(dú)章節(jié)見第章年版的第章

———2006“”(5,20064);

修改了試樣制備的要求見第章年版的第章

———(7,20064);

增加了直徑鍺單晶的測(cè)試點(diǎn)位置見

———110mm、130mm、150mm(8.3);

增加了位錯(cuò)腐蝕坑計(jì)數(shù)的注意事項(xiàng)見

———(8.5);

修改了試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理的內(nèi)容見第章年版的第章

———(9,20067);

以位錯(cuò)密度-2為分界值修改了精密度見第章年版的第章

———1000cm,(10,20069);

修改了試驗(yàn)報(bào)告包含的內(nèi)容見第章年版的第章

———(11,20068)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研光電新材料有限責(zé)任公司北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司國(guó)合通用測(cè)

:、、

試評(píng)價(jià)認(rèn)證股份公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所廣東

、、、

先導(dǎo)稀材股份有限公司中鍺科技有限公司義烏力邁新材料有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張路馮德伸馬會(huì)超普世坤姚康劉新軍郭榮貴向清華韋圣林

:、、、、、、、、、

黃洪偉文

。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T5252—1985、GB/T5252—2006。

Ⅰ

GB/T5252—2020

鍺單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鍺單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于和面鍺單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試測(cè)試范圍為-2-2

{111}、{100}{113},0cm~100000cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

鍺晶體缺陷圖譜

GB/T8756

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T8756GB/T14264。

4方法原理

鍺單晶中位錯(cuò)周圍的晶格會(huì)發(fā)生畸變當(dāng)用某些化學(xué)腐蝕劑腐蝕晶體表面時(shí)在晶體表面上的位錯(cuò)

,,

露頭處腐蝕速度較快進(jìn)而形成具有特定形狀的腐蝕坑在顯微鏡下觀察并按一定規(guī)則統(tǒng)計(jì)這些具有

,。

特定形狀的腐蝕坑單位視場(chǎng)面積內(nèi)的腐蝕坑個(gè)數(shù)即為位錯(cuò)密度

,。

5試劑和材料

除非另有說明測(cè)試分析中僅使用確認(rèn)為分析純及以上的試劑所用水的電阻率不小于

,,12MΩ·cm。

51鐵氰化鉀質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.[K3Fe(CN)6],99%。

52氫氧化鉀質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.(KOH),85%。

53氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.(HF),40%。

54硝酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為

.(HNO3),65%~68%。

55過氧化氫質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.(H2O2),30%。

56硝酸銅溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)為用質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于的配制

.:10%,99%Cu(NO3)2。

57拋光液的混合液體積比為

.:HF、HNO3,1∶(1~3)。

58腐蝕液稱取鐵氰化鉀氫氧化鉀置于燒杯中用水溶解混