電子元器件選型要求規(guī)范-實用的經(jīng)典要點

1、文檔實用標(biāo)準(zhǔn)實用標(biāo)準(zhǔn)編號：*/*-*-*-*受控狀態(tài)：電子元器件選型規(guī)范編制：日期：審核：日期：批準(zhǔn)：日期：CHBCHBCHB限責(zé)任公司修訂記錄日期修訂狀態(tài)修改內(nèi)容修改人審核人批準(zhǔn)人文檔實用標(biāo)準(zhǔn)1目錄 TOC o 1-5 h z 總則 3目的 3 HYPERLINK l bookmark5 o Current Document 適用范圍 3 HYPERLINK l bookmark7 o Current Document 電子元器件選型基本原則 3 HYPERLINK l bookmark9 o Current Document 其他具體選型原則： 3 HYPERLINK l bookmark

2、11 o Current Document 各類電子元器件選型原則 4 HYPERLINK l bookmark13 o Current Document 電阻選型 5 HYPERLINK l bookmark15 o Current Document 電容選型 6 HYPERLINK l bookmark17 o Current Document 鋁電解電容 6 HYPERLINK l bookmark19 o Current Document 鋰電解電容 7 HYPERLINK l bookmark21 o Current Document 片狀多層陶瓷電容 7 HYPERLINK l b

3、ookmark23 o Current Document 電感選型 7 HYPERLINK l bookmark25 o Current Document 二極管選型 8 HYPERLINK l bookmark27 o Current Document 發(fā)光二極管： 8 HYPERLINK l bookmark29 o Current Document 快恢復(fù)二極管： 8 HYPERLINK l bookmark31 o Current Document 整流二極管： 8 HYPERLINK l bookmark33 o Current Document 肖特基二極管： 9 HYPERLIN

4、K l bookmark35 o Current Document 穩(wěn)壓二極管： 9 HYPERLINK l bookmark37 o Current Document 瞬態(tài)抑制二極管： 9 HYPERLINK l bookmark39 o Current Document 三極管選型 9 HYPERLINK l bookmark41 o Current Document 晶體和晶振選型 10 HYPERLINK l bookmark43 o Current Document 繼電器選型 10 HYPERLINK l bookmark45 o Current Document 電源選型 11A

5、C/DC電源選型規(guī)則 11隔離DC/DC電源選型規(guī)則 11 HYPERLINK l bookmark47 o Current Document 運放選型 11 HYPERLINK l bookmark49 o Current Document A/D和D/A芯片選型 12 HYPERLINK l bookmark51 o Current Document 處理器選型 13 HYPERLINK l bookmark53 o Current Document FLASHY 型 14SRAI她型 14 HYPERLINK l bookmark57 o Current Document EEPRO魄型

6、 14 HYPERLINK l bookmark59 o Current Document 開關(guān)選型 14 HYPERLINK l bookmark61 o Current Document 接插件選型 15 HYPERLINK l bookmark63 o Current Document 選型時考慮的電氣參數(shù)： 15 HYPERLINK l bookmark65 o Current Document 選型時考慮的機械參數(shù)： 15 HYPERLINK l bookmark67 o Current Document 歐式連接器選型規(guī)則 15 HYPERLINK l bookmark69 o C

7、urrent Document 白色端子選型規(guī)則 16 HYPERLINK l bookmark71 o Current Document 其它矩形連接器選型規(guī)則 16 HYPERLINK l bookmark73 o Current Document 電子線纜選型 16 HYPERLINK l bookmark75 o Current Document 附則 17文檔實用標(biāo)準(zhǔn)總則目的為本公司研發(fā)電子產(chǎn)品時物料選型提供指導(dǎo)性規(guī)范文件。適用范圍適用于公司研發(fā)部門開發(fā)過程中元器件選型使用。電子元器件選型基本原則1）普遍性原則：所選的元器件要是被廣泛使用驗證過的，盡量少使用冷門、偏門芯片，減少開發(fā)風(fēng)

8、險。2）高性價比原則：在功能、性能、使用率都相近的情況下，盡量選擇價格比較好的元器件，降低成本。3）采購方便原則：盡量選擇容易買到、供貨周期短的元器件。4）持續(xù)發(fā)展原則：盡量選擇在可預(yù)見的時間內(nèi)不會停產(chǎn)的元器件，禁止選用停產(chǎn)的器件，優(yōu)選生命周期處于成長期、成熟期的器件。5）可替代原則：盡量選擇 pin to pin兼容芯片品牌比較多的元器件。6）向上兼容原則：盡量選擇以前老產(chǎn)品用過的元器件。7）資源節(jié)約原則：盡量用上元器件的全部功能和管腳。8）降額設(shè)計原則：對于需要降額設(shè)計的部件，盡量進行降額選型，參考標(biāo)準(zhǔn)參見GJB/Z 35元器件降額準(zhǔn)則。9）便于生產(chǎn)原則：在滿足產(chǎn)品功能和性能的條件下，元器

9、件封裝盡量選擇表貼 型，間距寬的型號，封裝復(fù)雜度低的型號，降低生產(chǎn)難度，提高生產(chǎn)效率。其他具體選型原則：除滿足上述基本原則之外，選型時還因遵循以下具體原則：1）所選器件遵循公司的歸一化原則，在不影響功能、可靠性的前提下，盡可能 少選擇物料的種類。2）功率器件優(yōu)先選用 RjA熱阻小,Tj結(jié)溫更大的封裝型號。3）禁止選用封裝尺寸小于 0402 （含）的器件。文檔實用標(biāo)準(zhǔn)4）所選元器件MSL （潮濕敏感度等級）不能大于 5級（含）。5）優(yōu)先選用密封真空包裝的型號，MSL （潮濕敏感度等級）大于 2級（含）的，必須使用密封真空包裝。6）優(yōu)先選用卷帶包裝、托盤包裝的型號。如果是潮濕敏感等級為二級或者以上

10、的器件，則要求盤狀塑料編帶包裝，盤狀塑料編帶必須能夠承受125 c的高溫。7）使用的材料要求滿足抗靜電、阻燃、防銹蝕、抗氧化以及安規(guī)等要求。8）選型時必須向我公司合格供應(yīng)商確認(rèn)供貨渠道是否通暢。9）電子物料選型時需確定的幾個基本因素：技術(shù)參數(shù)：電氣參數(shù)，機械參數(shù)，見規(guī)格書；型號，廠家料號，包括尾綴，以及可替換的型號；封裝；使用環(huán)境；供貨渠道（品牌，供貨商）；價格；技術(shù)支持；引用文件：GJB/Z 35元器件降額準(zhǔn)則3各類電子元器件選型原則文檔實用標(biāo)準(zhǔn)電阻選型首先確認(rèn)電阻的基本參數(shù)：1）阻值大小。2）精度：常規(guī)使用優(yōu)選 1%精度。額定功率和體積：優(yōu)先選擇常規(guī)功率的體積，具體參見下表1。4）溫漂，有

11、特殊要求的應(yīng)用，比如傳感器應(yīng)用，必須關(guān)注此參數(shù)帶來產(chǎn)品性能的影響。5）工作溫度范圍，超過 70攝氏度的環(huán)境必須降額使用。6）電阻類別：貼片厚膜電阻，貼片薄膜電阻，線繞電阻等，普通應(yīng)用為貼片厚膜電阻或者 薄膜電阻。封裝額定功率(W) 70 C最高工作電壓（V）工作溫度（ C）英制(inch)公制(mm)常規(guī)功率系列0100504021/3215-55 +125020106031/2025040210051/1650-55 +155060316081/1050080520121/8150120632161/4200121032251/4200-55 +125201050251/2200251264

12、321200表1具體選型原則如下：1）電阻阻值優(yōu)先選用10系列，12系列，15系列，20系列，30系列，39系列，47系歹U, 51系列，68系列，82系列。2） 貼片電阻優(yōu)選0603和0805的封裝，0402以下的封裝禁選。3）插腳電阻優(yōu)選 0.25W, 0.5W, 1W 2W 3W 5W, 7W 10W , 15W對于電阻白溫漂，J檔溫漂不能超過 500ppm/C, F檔溫漂不能超過100ppm/C, B檔溫漂 不能超過10ppm/C。5）慎選電位器，如果無法避免，選用多圈的，品牌用 BOURNS文檔實用標(biāo)準(zhǔn)6）優(yōu)選貼片封裝。電阻品牌優(yōu)選 YAGEQ厚生。特種場合電阻選型：反饋電路，電流/

13、電壓采樣檢測電阻選無感電阻，精度越高越好。芯片或網(wǎng)絡(luò)輸入端的啟動電阻或濾波吸收電阻，電壓功率降額。高壓電阻：安規(guī)認(rèn)證；1KV額定電壓，電阻本體長度A 10mm 4KV時本體長度A25mm3.2電容選型鋁電解電容缺點：體積大，ESR大，感抗較大，溫度敏感；適用場合：溫度變化小、工作頻率低（160V時，額定工作電壓+50V作為浪涌電壓；7） 降額標(biāo)準(zhǔn)參見 GJB/Z 35元器件降額準(zhǔn)則。8）工作溫度：鋁電解電容必須選用工作溫度為105度的。9） 容值：優(yōu)選10、22、47系列；25V以下禁選224、105、475之類容值型號（用片狀多層陶瓷電容或鋰電解電容替代）。10）極性：對于高壓型鋁電解電容保

14、留400V。禁選無極性鋁電解電容。文檔實用標(biāo)準(zhǔn)11）品牌：普通鋁電解電容選用品牌“SAMWHA （三和），高端鋁電解電容選用NCC（黑金剛）或其他日本名牌鋁電解電容，或者臺灣利隆。12）封裝：優(yōu)先選用貼片的鋁電解電容。3.2.2 鑰電解電容優(yōu)點：在串聯(lián)電阻、感抗、對溫度的穩(wěn)定性與鋁電解相比優(yōu)勢明顯；缺點：工作電壓較低。選型規(guī)則：1）漏電流要求較高的場合，不選鋰電解電容，需選用薄膜電容。2）耐壓：降額選用，禁止選用耐壓超過35V以上的，3.3V系統(tǒng)取10V、5V系統(tǒng)取16V、12V系統(tǒng)取35V、3） 10V、16V、35V為優(yōu)選，4V、6.3V、50V為禁用（用鋁電解電容替代），電源輸入級或低阻

15、抗環(huán)境使用，推薦降額到0.3,電源輸出級及一般應(yīng)用環(huán)境推薦降額0.5。4）封裝：插腳式鋰電解電容禁選。5）品牌：僅限選擇 KEMET AVX3.2.3片狀多層陶瓷電容選用基本原則：低 ESR和高的諧振頻率，ES碘小越好。Q值：高Q值陶瓷電容慎選；只用在射頻電路上。封裝：0603、0805優(yōu)選、1206、1210慎選、1808以上禁選。耐壓：優(yōu)選 25V、50V、100V; 106 （含）以上容值的耐壓不大于25V。容量：優(yōu)選10、22、33、47、68系列。材料：優(yōu)選 NPO X7R X5R 其它禁選。品牌：優(yōu)選 YAGEO其他可選 TAIYO （太陽誘電）、 MURATA村田）、KEMET

16、TEMEX（高Q陶瓷電容）3電感選型電感選型時考慮的因素如下：1）體積大??；2）電感值所在工作頻率；3）開關(guān)頻率下的電感值為實際需要的電感值；文檔實用標(biāo)準(zhǔn)4）線圈的直流阻抗（DCR）越小越好；5）工作電流應(yīng)降額至額定飽和電流的0.7倍以下，額定rms電流；6）交流阻抗（ESR）越小越好；7） Q因子越大越好；8）屏蔽類型：屏蔽式或非屏蔽式，優(yōu)先選擇屏蔽式。9）工作頻率和繞組電壓不可降額；10）品牌：貼片電感優(yōu)選 TDK MURAT砍田），“三禮”（臺灣）和“ SUMIDA （勝美達， 日本）。二極管選型需降額使用，具體參考 GJB/Z 35元器件降額準(zhǔn)則。發(fā)光二極管：1）發(fā)光二極管優(yōu)選直徑為5

17、mm的插腳型號.貼片發(fā)光二極管優(yōu)選選用有焊接框架的型號，ESD/MSU遵循上述的標(biāo)準(zhǔn)。2）發(fā)光二極管優(yōu)選有邊、短腳的；為了保持公司產(chǎn)品的一致性，紅發(fā)紅、綠發(fā)綠等型 號優(yōu)選，白發(fā)紅、白發(fā)綠等型號慎選；如果沒有特殊要求，盡量不要使用長腳、無 邊的。3）發(fā)光二極管優(yōu)選品牌為“億光”?？旎謴?fù)二極管：1）低電壓（耐壓值200V以下）下，高時間特性時選肖特基二極管；2）肖特基管熱阻和電流都較大，優(yōu)選分立式封裝。通常3A以下可以選擇SOD-123或D-64封裝；38A可以選擇 D2- PAKM裝；8A 以上 DO-201、TO-220、TO-3P。3）在高電壓時選擇 PIN結(jié)構(gòu)快恢復(fù)二極管。整流二極管：1）

18、主要考慮最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時間等參數(shù)；2）開關(guān)電源整流、脈沖整流用整流二極管，宜選工作頻率較高、反向恢復(fù)時間較短、 或選快恢復(fù)二極管。3）低電壓、大電流時整流，選肖特基二極管。4）同電流等級優(yōu)先選擇反壓最高的型號.如1A以下選用1N4007（M7）,3A的選用IN5408。文檔實用標(biāo)準(zhǔn)肖特基二極管：同電流檔次的保留反壓最高的等級，如：1N5819保留，1N5817禁選，SS14保留，SS12禁選;B340A保留。穩(wěn)壓二極管：1）穩(wěn)定電壓值應(yīng)與應(yīng)用電路的基準(zhǔn)電壓值相同；2）最大穩(wěn)定電流高于應(yīng)用電路的最大負(fù)載電流50虬右；3）穩(wěn)壓管在選型時務(wù)必注意器件功率的降額處理

19、。實際功率應(yīng)小于0.5 X P。4）功率在0.5W以下的型號選擇貼片式封裝，0.5W及以上選擇直插式封裝瞬態(tài)抑制二極管：Vrmax （最大反向工作電壓）R正常工作電壓。Vcmax （最大鉗位電壓）&最大允許安全電壓。常規(guī)CMOS1路電源電壓為 318V,擊穿電壓為 22V,則應(yīng)選 Vcmax為1822V的TVS管。Pp （瞬態(tài)脈沖功率的最大值）=最大峰值脈沖電流Ipmax與Vcma Pp大于被保護器件或線路的最大瞬態(tài)浪涌功率。5）品牌：優(yōu)選NXP和ON三極管選型1）三極管選型時，以下幾個參數(shù)必須考慮：ICM集電極最大允許電流 電源電壓* 70%有感電路 降額使用，并加保護電路；PCM集電極最大

20、允許耗散功率，降額70燦用；Ft,特征頻率 3倍實際工作頻率；小功率的三極管選用 901X系列的9012, 9013, 9014以及8550,8050等；3）開關(guān)用三極管可用 NMO管代替的，盡量用 NMO窗代替，可用NMOSI: 2N2002, IRF120N,IRF540N 等。5）品牌：盡量選用大品牌的貼片封裝器件，例如： NXP DIODE ST, TI等；文檔實用標(biāo)準(zhǔn)晶體和晶振選型1）優(yōu)選表貼封裝晶體或晶振；2）優(yōu)選金屬殼封裝，電磁屏蔽特性好；3）要求頻率穩(wěn)定度（溫度穩(wěn)定度）15ppm時，優(yōu)選溫補晶振（TCXO ;4）晶體物料通用技術(shù)要求：AT切（基頻），12.5pF負(fù)載電容，溫度范

21、圍-20+70C （工 業(yè)溫度等級），制造頻偏 30Ppm,溫漂50ppm/C,無鉛產(chǎn)品。5）負(fù)載電容：對于內(nèi)置振蕩器的處理器，注意振蕩器對晶體負(fù)載電容的要求，如 STM32 的RTC晶體，為6pf負(fù)載電容，不滿足可能造成振蕩器不起振或者頻率偏差過大。晶體和晶振品牌優(yōu)選 HOSONIC口 EPSON7）晶體和晶振優(yōu)選系列如下表：名稱品牌優(yōu)選型號頻率范圍矮型插腳晶體HOSONICESA*F20E35F25MHz矮型貼片晶體HOSONICESB*F20E35F25MHz方形貼片晶體HOSONICE6SB*F20E35F8MHzo80dB （ Avd B足夠大）；2）差模輸入電阻：Rid比反饋網(wǎng)絡(luò)的

22、輸出阻抗大 12個量級，由輸入電阻引起的誤差 就可以忽略；3）輸出電阻：Ro比后級輸出端外總負(fù)載電阻小12個量級，由輸出電阻引起的誤差就可以忽略；4）單位增益帶寬：BWG匕實際閉環(huán)增益帶寬大 1個量級以上；5）共模抑制比：CMRRI夠大，抗干擾設(shè)計中重要；6）輸入失調(diào)電壓：Vio不超過系統(tǒng)精度要求的1/3。7）品牌：盡量選擇公司已經(jīng)在使用或者市面上常用的型號，推薦使用TI,ADI或者LT的文檔實用標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)型號。A/D和D/A芯片選型1）精度：與系統(tǒng)中所測量控制的信號范圍有關(guān)，但估算時要考慮到其他因素，轉(zhuǎn)換器位數(shù)應(yīng)該比總精度要求的最低分辯率高一位。常見的A/D、D/A器件有8位，10位，12位，

23、14位，16位等。2）速度：應(yīng)根據(jù)輸入信號的最高頻率來確定，保證轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換速率要高于系統(tǒng)要求的采樣頻率，滿足Nyquist采樣定理。3）通道：確認(rèn)A/D轉(zhuǎn)換需要的通道數(shù)量，多路采樣的模式，并行還是串行。4）數(shù)字接口方式：接口有并行/串行之分，串行又有 SPI、I2C、SM等多種不同標(biāo)準(zhǔn)。數(shù)值編碼通常是二進制，也有BCD（二十進制）、雙極性的補碼、偏移碼等，優(yōu)選 SPI和I2C接口。5）模擬信號類型：通常AD器件的模擬輸入信號都是電壓信號，而D/A器件輸出的模擬信號有電壓和電流兩種。6）極性：根據(jù)信號是否過零，還分成單極性（Unipolar ）和雙極性（Bipolar ）,優(yōu)先選擇單極 性芯片

24、。7） 電源電壓：有單電源，雙電源和不同電壓范圍之分，早期的 A/D、D/A器件要有+15V/-15V ,如果 選用單+5V電源的芯片則可以使用單片機系統(tǒng)電源，優(yōu)選5V供電電壓。8）量程確認(rèn)輸入信號在A/D芯片的量程范圍內(nèi)，并能充分利用的量程。9）基準(zhǔn)電壓：有內(nèi)、外基準(zhǔn)和單、雙基準(zhǔn)之分，優(yōu)先有內(nèi)部基準(zhǔn)的芯片。10）功耗：一月殳CMOSC藝的芯片功耗較低，對于電池供電的手持系統(tǒng)對功耗要求比較高的場合一 定要注意功耗指標(biāo)。11）封裝：文檔實用標(biāo)準(zhǔn)禁止選用DIP封裝，只使用貼片封裝。12）跟蹤/保持（Track/Hold 縮寫 T/H）:原則上直流和變化非常緩慢的信號可不用采樣保持，其他情況都應(yīng)加采

25、樣保持。13）滿幅度輸出（Rail-to Rail）新近業(yè)界出現(xiàn)的新概念，最先應(yīng)用于運算放大器領(lǐng)域，指輸出電壓的幅度可達輸入電壓范圍。在D/A中一般是指輸出信號范圍可達到電源電壓范圍。14）品牌：優(yōu)先選擇 ADI, TI,LT和MAXICML個大公司的產(chǎn)品。處理器選型各類元器件選型過程中，除應(yīng)考慮上述的原則外，還應(yīng)根據(jù)不同類別元器件的參數(shù)和特點，進行細(xì)致考慮。處理器選型要求：1）歸一化原則，盡量采用本公司正在使用或者使用過的型號或者系列。2）應(yīng)用領(lǐng)域盡量選用工業(yè)領(lǐng)域和商業(yè)領(lǐng)域常使用的型號，注意該領(lǐng)域的芯片使用溫度范圍，溫度等級。3）自帶資源確認(rèn)芯片自帶資源是否滿足要求，包括：主頻內(nèi)存：RAM,

26、ROM外設(shè)資源是否支持在線仿真支持的OS類型4）可擴展資源是否支持?jǐn)U展RAM ROM?。5）功耗確認(rèn)芯片各種工作狀態(tài)下消耗的電流，為芯片的電源設(shè)計提供依據(jù)。6）封裝PCB面積許可的情況下，優(yōu)先選擇 QFP SOP寸裝，盡量少用 QFN BGA寸裝。文檔實用標(biāo)準(zhǔn)7）芯片的可延續(xù)性及技術(shù)的可繼承性目前，產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度很快，所以在選型時要考慮芯片的可升級性，優(yōu)選大公司的同一系列產(chǎn)品。8）價格及供貨保證選型時盡量選擇量產(chǎn)的芯片，慎選樣片階段的芯片。9）仿真器和開發(fā)平臺確認(rèn)開發(fā)時所使用的仿真器以及軟件開發(fā)平臺，優(yōu)選公司已有的開發(fā)工具和開發(fā)平臺支持的處理器。10） OS及開發(fā)工具確認(rèn)處理器支持的 OS

27、以及BSP以及提供開發(fā)用例的豐富程度。11）勘誤資料查閱最新版本的芯片勘誤資料，確認(rèn)芯片的限制使用條件。12）技術(shù)支持優(yōu)選知名度高的半導(dǎo)體公司的產(chǎn)品，選擇市面上使用較廣、可利用的軟硬件資源較多的芯片，盡量選擇有廠家或者代理商技術(shù)支持的芯片。FLASH型1）并行 FLASHY牌優(yōu)選 SPANSION SST, SAMSUNG2） 串行FLASHY牌優(yōu)選ATMEL3.13SRAM 型品牌優(yōu)選 ISSI , CYPRES,SMICRON IDT, SAMSUNG3.14EEPRO 睡型禁止選用并行的 EEPROM串行 EEPROIMjM優(yōu)選 ATME話口 MICROCHIP新的產(chǎn)品禁止選用 24LC

28、65-I/SM。開關(guān)選型1）禁選撥碼開關(guān)。文檔實用標(biāo)準(zhǔn)2）電源開關(guān)優(yōu)選船形開關(guān)。3）觸點電壓和電流需降額使用。接插件選型選型時考慮的電氣參數(shù)：3）額定電壓：加載的電壓額定電壓 *50%;4）額定電流：加載電流額定電流 *50%。5）多芯連接器，額定電流降額使用（esp.大電流）。6）絕緣阻抗。7）抗電強度：單位時間所能耐的電壓。8）接觸電阻：指插針和插孔接觸部分產(chǎn)生的電阻，高頻、 mV/ mA級別時影響信號質(zhì)量。9）鍍層材料。選型時考慮的機械參數(shù)：1）插拔壽命：2）插拔力：總拔出力=2*單腳分離力之和。優(yōu)選 50N A總拔出力A 13N,低于4PIN連接 器（3/2/1PIN ）拔出力A 8N;常插拔連接器或者可靠性要求高