化合物半導(dǎo)體行業(yè)深度研究報(bào)告

1、化合物半導(dǎo)體行業(yè)深度研究報(bào)告內(nèi)容目錄、 市場(chǎng)空間廣闊，化合物半導(dǎo)體有望乘風(fēng)而起 6、 下游需求強(qiáng)勁，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)不斷演化 6、 應(yīng)用前景廣闊，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)空間持續(xù)拓展 7、 政策持續(xù)加碼，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)揚(yáng)帆起航 8、 Gs：立足射頻前端應(yīng)用，持續(xù)受益于消費(fèi)電子領(lǐng)域 、 第二代半導(dǎo)體材料的代表，產(chǎn)業(yè)鏈成熟下游應(yīng)用廣闊 、 手機(jī)A主流材料，CSL成為Gs成長(zhǎng)新驅(qū)動(dòng) 、 競(jìng)爭(zhēng)格局：產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)以海外廠商為主導(dǎo) 、 GN：高頻性能優(yōu)越，成為G器件關(guān)鍵材料 、 半導(dǎo)體材料研究熱點(diǎn)，GN射頻器件應(yīng)用前景明朗 、 G射頻與基站持續(xù)滲透，GN在快充領(lǐng)域大放光彩 、 競(jìng)爭(zhēng)格局：美國(guó)、歐洲、日本三足鼎立

2、、 ：高溫大功率材料首選，新能源汽車領(lǐng)域?yàn)樽畲篁?qū)動(dòng)力 、 C是大勢(shì)所趨，市場(chǎng)前景廣闊 、 新能源汽車新能源發(fā)電，打開(kāi)C市場(chǎng)空間 、 競(jìng)爭(zhēng)格局：美國(guó)企業(yè)技術(shù)領(lǐng)先，Cre為全球龍頭 、 行業(yè)評(píng)級(jí)及投資策略 、 重點(diǎn)推薦個(gè)股 、 三安光電（：國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體制造領(lǐng)軍者 、 斯達(dá)半導(dǎo)（：國(guó)內(nèi)IGT行業(yè)領(lǐng)軍者，布局車規(guī)級(jí)C未來(lái)可期 、 華潤(rùn)微（：國(guó)內(nèi)功率IDM龍頭，布局、GN領(lǐng)域 、 立昂微（：半導(dǎo)體硅片領(lǐng)先企業(yè)，重點(diǎn)布局Gs射頻器件 、 新潔能（65：國(guó)內(nèi)MOFT領(lǐng)先企業(yè)，致力于打造第三代半導(dǎo)體功率器件平臺(tái) 、 天科合達(dá)（23：國(guó)內(nèi)C襯底龍頭 、 比亞迪半導(dǎo)體（228：行業(yè)領(lǐng)先的車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體供應(yīng)商 、

3、 風(fēng)險(xiǎn)提示 圖表目錄圖：-9年全球半導(dǎo)體材料銷售規(guī)模 6圖：化合物半導(dǎo)體器件應(yīng)用場(chǎng)景 8圖：8年三大主要化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額 8圖：中國(guó)第三代半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)空間巨大 8圖：Gs應(yīng)用場(chǎng)景 圖：Gs產(chǎn)業(yè)鏈及主要企業(yè) 圖：0年全球Gs射頻器件市場(chǎng)規(guī)模小幅下滑 圖：-4年中國(guó)s元器件市場(chǎng)規(guī)模 圖：Gs襯底各類應(yīng)用占比 圖0：-225年GAs晶圓市場(chǎng)規(guī)模應(yīng)用拆分 圖1：智能手機(jī)A主導(dǎo)s芯片市場(chǎng)（百萬(wàn)美元） 圖2：中國(guó)智能手機(jī)Gs A市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng) 圖3：Gs光電領(lǐng)域L市場(chǎng)增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力 圖4：-225年CSL市場(chǎng)CGR達(dá) 圖5：消費(fèi)電子領(lǐng)域的D傳感占總規(guī)模的 圖6：9年CL市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局 圖7：全

4、球Gs襯底材料市場(chǎng)格局 圖8：全球Gs晶圓制造（IDM代工）格局 圖9：Gs器件（A為主）市場(chǎng)格局 圖0：全球Gs晶圓代工格局 圖1：穩(wěn)懋營(yíng)業(yè)收入和凈利潤(rùn)持續(xù)增長(zhǎng) 圖2：穩(wěn)懋毛利率和凈利率維持較高水平 圖3：GN優(yōu)異特性 圖4：GN器件產(chǎn)業(yè)鏈及主要企業(yè) 圖5：9年GN市場(chǎng)份額（按地區(qū)） 圖6：國(guó)內(nèi)GN微波射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值持續(xù)上升 圖7：9年國(guó)內(nèi)GN行業(yè)需求分布 圖8：5年全球GN功率器件規(guī)模達(dá)8億美元 圖9：-224年全球連接規(guī)模預(yù)測(cè) 圖0：GN射頻器件不斷占領(lǐng)LDMOS市場(chǎng)空間 圖1：氮化鎵O性能優(yōu)于鍺化硅基 圖2：GN在基站應(yīng)用中的市場(chǎng)規(guī)模（億美元） 圖3：-024年宏基站A使用量預(yù)測(cè) 圖4：

5、-224年基站端GN射頻器件規(guī)模及預(yù)測(cè) 圖5：GN在通信基站中的應(yīng)用趨勢(shì) 圖6：中國(guó)G小基站GN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè) 圖7：-221年全球數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施支出金額 圖8：GN快充充電器 圖9：-222年GN電源市場(chǎng)營(yíng)收增速較快 圖0：高質(zhì)量音頻的需求推動(dòng)全球D類音頻放大器市場(chǎng) 圖1：GN射頻器件市場(chǎng)格局 圖2：GN功率器件市場(chǎng)集中度較低 圖3：GN產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三足鼎立局面 圖4：住友電工營(yíng)業(yè)收入和凈利潤(rùn)穩(wěn)中有升 圖5：住友電工毛利率和凈利率保持穩(wěn)定 圖6：C功率器件發(fā)展路徑 圖7：C晶片產(chǎn)業(yè)鏈 圖8：全球?qū)ㄐ虲晶圓材料市場(chǎng)預(yù)估 圖9：全球半絕緣C晶圓材料市場(chǎng)預(yù)估 圖0：C電子電力器件產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)廠

6、商 圖1：全球C市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大 圖2：8年中國(guó)C單晶片市場(chǎng)規(guī)模小幅下降 圖3：國(guó)內(nèi)C產(chǎn)品%左右依賴進(jìn)口 圖4：C功率器件應(yīng)用領(lǐng)域 圖5：C功率器件各應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模（億美元） 圖6：-224年新能源汽車C市場(chǎng)規(guī)模 圖7：新能源汽車C二極管、晶體管市場(chǎng)規(guī)模 圖8：9中國(guó)市場(chǎng)銷量占全球比重達(dá) 圖9：-220年中國(guó)充電基礎(chǔ)設(shè)施逐漸完善 圖0：中國(guó)光伏發(fā)電累計(jì)和新增裝機(jī)容量變化 圖1：中國(guó)光伏發(fā)電行業(yè)結(jié)構(gòu) 圖2：光伏逆變器中C功率器件占比 圖3：導(dǎo)電型C晶片廠商市場(chǎng)占有率 圖4：Cre營(yíng)業(yè)收入與凈利潤(rùn) 圖5：Cre毛利率處于較高位置 圖6：三安集成營(yíng)業(yè)收入逐年大幅提升 圖7：三安光電毛利率與凈利率處于行

7、業(yè)領(lǐng)先地位 圖8：斯達(dá)半導(dǎo)營(yíng)業(yè)收入與凈利潤(rùn)快速增長(zhǎng) 圖9：斯達(dá)半導(dǎo)毛利率處于較高水平 圖0：華潤(rùn)微營(yíng)收增速逐漸放緩 圖1：華潤(rùn)微凈利率均穩(wěn)步提升 圖2：立昂微營(yíng)收及凈利潤(rùn) 圖3：立昂微毛利率與凈利率 圖4：新潔能營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng) 圖5：新潔能毛利率與凈利率提升 圖6：天科合達(dá)公司營(yíng)收高速增長(zhǎng) 圖7：天科合達(dá)盈利能力持續(xù)提升 圖8：比亞迪半導(dǎo)體營(yíng)收及歸母凈利潤(rùn) 圖9：比亞迪半導(dǎo)體毛利率與凈利率水平 表：半導(dǎo)體材料特性對(duì)比 7表：國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃0年度立項(xiàng)項(xiàng)目清單（第三代半導(dǎo)體相關(guān)） 9表：0年國(guó)內(nèi)主要第三代半導(dǎo)體投資擴(kuò)產(chǎn)情況（億元） 9表：GN優(yōu)異特性 表：中國(guó)G宏基站A市場(chǎng)測(cè)算 表：中國(guó)G小基站A

8、市場(chǎng)測(cè)算 表：中美日C在新能源汽車中的應(yīng)用進(jìn)展 1、市場(chǎng)空間廣闊，化合物半導(dǎo)體有望乘風(fēng)而起1.、下游需求強(qiáng)勁，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)不斷演化半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)制中到關(guān)鍵性的作用導(dǎo)料可根半體品造過(guò)程為造料封材中造料要制造晶半化、氮化化硅化半導(dǎo)的片程所的各材封材是將制得芯在裝割程中用的料。下游應(yīng)用需求強(qiáng)勁半體材料市場(chǎng)不斷擴(kuò)中國(guó)子料業(yè)會(huì)據(jù)，2018 年球?qū)Р氖垲~到19 億元較217 年49 美長(zhǎng)1066其制造封裝試料售分為32美97億元。209 受球觀濟(jì)響，球?qū)Р氖幸?guī)模所降但下幅度低整半體業(yè)019年球?qū)Р捏w市收43美同比降67215年至019年

9、全半體材料售由20增長(zhǎng)到93 美，復(fù)合長(zhǎng)率51。在導(dǎo)芯工升、芯片寸續(xù)型化及全硅料合導(dǎo)體料品和能斷迭代升的響，導(dǎo)制造料材銷規(guī)的占預(yù)將續(xù)高。圖：-9年全球半導(dǎo)體材料銷售規(guī)模303020201010500215216217218219制造材料（億美元）封裝材料（億美元）資料來(lái)源：天科合達(dá)招股說(shuō)明書(shū)、國(guó)海證券研究所半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷三發(fā)展階段第一階段在20世紀(jì)50年代以Si鍺（e）為代表的第一代半導(dǎo)體材料，主要用于分立器件和芯片制造，并引了以成路核的電子業(yè)迅發(fā)信息空光等域用其泛第二階段是20紀(jì)0年以化（A磷化銦（P）化合物代表的化物半體材，使半導(dǎo)材料入光子領(lǐng)要于作功率及電子是作能微波毫波件優(yōu)料廣應(yīng)在波通

10、衛(wèi)通電器件、光和星航領(lǐng)域第三階段本初，氮鎵（化（C為表寬帶半體料在帶度穿場(chǎng)度電子漂速熱率抗輻等鍵數(shù)面有顯優(yōu)滿了工業(yè)對(duì)高電高率的泛于高功和輻射電子，用半照、5G、星、通、力子空航天領(lǐng)。表：半導(dǎo)體材料特性比第一代第二代第三代半導(dǎo)體材料硅砷化鎵氮化鎵碳化硅分子式aAsaNSiC300K電子遷移率cm2/(Vs)150085001000-000700電子飽和速度(07m/s)11.32.52擊穿強(qiáng)度(V/cm)3熱導(dǎo)率Wm*K)4.5工作溫度250350500500介電常數(shù)(2/(N*2)1.9禁帶寬度(eV)3.2優(yōu)點(diǎn)儲(chǔ)量大、價(jià)格便宜工作溫度高光電性能好、耐熱、抗輻射高頻高溫高壓特

11、性好、大功率、抗腐蝕高頻、高溫、大功率應(yīng)用領(lǐng)域大功率晶體管、二管、集成電路二極管晶體管集電路、霍爾元件、LELE激光LEDLE、激光器、高頻大功率耐高壓大功率電力子金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效資料來(lái)源：華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)國(guó)海證券研究所、應(yīng)用前景廣闊，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)空間持續(xù)拓展半導(dǎo)體襯底材料包硅料和asSN等化合物半導(dǎo)體材熟制及低本優(yōu)第一硅半體料作的器已為電電力設(shè)中可缺組部也目技成用圍場(chǎng)占比最的底質(zhì)半體料限自性法高高壓等境使用化半導(dǎo)材因嶄頭化物導(dǎo)體料高電子遷接隙能特恰符導(dǎo)體業(yè)展材料制備術(shù)下應(yīng)市的成以ACN為表化物體襯底料間斷展。圖：化合物半導(dǎo)體器件應(yīng)用場(chǎng)景化物半導(dǎo)應(yīng)用場(chǎng)景電電子射頻光領(lǐng)域新源汽車數(shù)中心無(wú)通：物網(wǎng)

12、光網(wǎng)絡(luò)手G5)ADIFx基建G5 i2.A)應(yīng)材料應(yīng)材料應(yīng)材料GNSC基GAGN基GAsAl基資料來(lái)源：集邦咨詢、國(guó)海證券研究所現(xiàn)階段，全球95以上的半導(dǎo)體芯片和器件用片作為基礎(chǔ)功能材而產(chǎn)的硅占整半體料市的5右空間為0美元硅芯片市規(guī)達(dá)400 億美。而隨物網(wǎng)、G 代到，化鎵（As、氮化鎵（N、碳化硅（iC）等為代表的化合物半導(dǎo)體正快速崛起半體業(yè)察的據(jù)208年N與SC的業(yè)額分別約為3500 億28 億元和64 元化半導(dǎo)的場(chǎng)模不擴(kuò)大。國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體器件市場(chǎng)擁有巨大增長(zhǎng)空間，倒逼上游材料端發(fā)展。據(jù)賽迪顧問(wèn)計(jì)209年內(nèi)三代導(dǎo)器市規(guī)達(dá)到8629億，長(zhǎng)為 997到022 年國(guó)第代導(dǎo)器市規(guī)模望破081 元，

13、增長(zhǎng)為84三半導(dǎo)器廣應(yīng)基建目也實(shí)中“重路徑國(guó)在G通訊新源新業(yè)的術(shù)平產(chǎn)化模等方處國(guó)優(yōu)地下游用求勁促國(guó)內(nèi)游導(dǎo)行的續(xù)發(fā)展進(jìn)步高導(dǎo)企業(yè)國(guó)市的響。圖：8年三大主要化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額圖：中國(guó)第三代半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)空間巨大400300300200200100100500砷化鎵氮化鎵碳化706050403020100219222產(chǎn)業(yè)銷售額（億元）市場(chǎng)規(guī)模（億元）資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：賽迪顧問(wèn)、國(guó)海證券研究所、政策持續(xù)加碼，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)揚(yáng)帆起航第三代半導(dǎo)體行業(yè)是國(guó)內(nèi)“新基建”戰(zhàn)略的重要組成部分，有望引發(fā)科技變革并重塑國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。十三五期間，國(guó)家科技部通過(guò)國(guó)家重點(diǎn)

14、研發(fā)計(jì)劃”支持第代導(dǎo)發(fā)，國(guó)家200 劃十國(guó)研計(jì)也明提出第代導(dǎo)是要展方涉第代導(dǎo)產(chǎn)業(yè)各發(fā)目按進(jìn)度要完啟等目部涵電電微射頻光應(yīng)多領(lǐng)，緊貼業(yè)展際求進(jìn)新源車網(wǎng)用沿伏逆變器、小化電、農(nóng)應(yīng)用、健醫(yī)療用、通訊、紫應(yīng)用激光用智慧明多熱發(fā)了引作。表：國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃020年度立項(xiàng)項(xiàng)目清單第三代半導(dǎo)體相關(guān)）戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料序號(hào)項(xiàng)目名稱牽頭單位周期1封裝基板材料在新能源汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司22功率iC芯片和器件在移動(dòng)儲(chǔ)能裝置中的應(yīng)用西安電子科技大學(xué)23在設(shè)施農(nóng)業(yè)中紫外LD應(yīng)用模組和系統(tǒng)技術(shù)應(yīng)用中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所24高性能icro-LED芯片與顯示關(guān)鍵技術(shù)研究廈門(mén)市三安光電科技有限公司2

15、國(guó)家質(zhì)量基礎(chǔ)的共性技術(shù)研究與應(yīng)用序號(hào)項(xiàng)目名稱牽頭單位周期1新一代iC電力電子器件共性技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研究中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所2資料來(lái)源：CAS、國(guó)海證券研究所目前國(guó)內(nèi)對(duì)于第三代導(dǎo)體材料的投資熱勢(shì)不減據(jù)SARsearh不完全計(jì)200共4筆投擴(kuò)項(xiàng)（219年17披的資產(chǎn)金額到94億不含N光子較209同比長(zhǎng)61分料， SC 投資17筆涉額550元N資7筆，及額144億分環(huán)節(jié)襯環(huán)節(jié)資2主為C底及額15元器模塊環(huán)資15及額50國(guó)政大力持新領(lǐng)下第代導(dǎo)產(chǎn)將成未半體業(yè)展的要擎。表：220年國(guó)內(nèi)主要三代半導(dǎo)體投資擴(kuò)情（億元）企業(yè)地區(qū)主要產(chǎn)品及方向投資金額天科合達(dá)北京大興SiC襯底9.5億元同光晶體河北淶源S

16、iC襯底15億元南砂晶圓廣東南沙SiC襯底9億元江蘇超芯星江蘇儀征SiC襯底0.8億元博藍(lán)特浙江金華SiC襯底、藍(lán)寶石襯底10億元中科鋼研陜西西安SiC襯底18億元露笑科技安徽合肥SiC襯底100億元泰科天潤(rùn)湖南瀏陽(yáng)SiC器件模塊15億元華瑞微安徽滁州SiC器件模塊10億元西安西為電氣江蘇徐州SiC襯底3億元斯達(dá)半導(dǎo)體浙江嘉興SiC襯底2.3億元世紀(jì)金光安徽合肥SiC襯底、器件模塊2.5億元三安光電湖南長(zhǎng)沙SiC全產(chǎn)業(yè)鏈160億元安徽微芯長(zhǎng)江半導(dǎo)體安徽銅陵SiC全產(chǎn)業(yè)鏈13.5億元大連芯冠江西南昌aN電力電子立昂微浙江海寧aN射頻43億元賽微電子北京大興aN射頻及電力電子1億元資料來(lái)源：CAS

17、、國(guó)海證券研究所2、as：立足射頻前端應(yīng)用，持續(xù)受益于消費(fèi)電子領(lǐng)域2.、第二代半導(dǎo)體材料的代表，產(chǎn)業(yè)鏈成熟下游應(yīng)用廣闊作為二半體料代s有禁高壓抗射高溫及發(fā)光效率高等特被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通無(wú)線通信、光纖通信LD光星航領(lǐng)在微電子領(lǐng)域As泛應(yīng)于波信消費(fèi)電子頻域A 和Sich等在光電子領(lǐng)域s 于E、光 VE、陽(yáng)等領(lǐng)。圖：Gas應(yīng)用場(chǎng)景資料來(lái)源：ole eelpen、國(guó)海證券研究所as 產(chǎn)業(yè)鏈包括晶圓襯底、外延片，芯設(shè)、晶圓代工、封測(cè)下應(yīng)用等環(huán)節(jié)s業(yè)上游襯制次關(guān)鍵料As外具體工藝?yán)╒（金屬學(xué)相積及B（子磊法As磊晶游晶造及測(cè)下則機(jī)無(wú)區(qū)網(wǎng)制以及無(wú)線頻統(tǒng)產(chǎn)業(yè)除圓造外計(jì)與進(jìn)術(shù)要掌在國(guó)際DM大中。圖：Gas產(chǎn)業(yè)鏈

18、及主要企業(yè)延芯與件設(shè)計(jì)造iroemiGSirohpTrQitIEAroa穩(wěn)懋日月光Emore技宏捷PC電國(guó)內(nèi)廠商商國(guó)內(nèi)廠商電科電晶方科技術(shù)團(tuán)華天科技wrsorvAvgBracmII、資料來(lái)源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、國(guó)海證券研究所從s產(chǎn)品來(lái)看s產(chǎn)品以手機(jī)射頻A為主受中貿(mào)摩及冠肺炎情響基于As的射器市受不震蕩據(jù)邦詢據(jù)00年球As頻件場(chǎng)規(guī)為580億元較219年小下。20122018 年，中國(guó)as 元器件市場(chǎng)經(jīng)歷了快增長(zhǎng)期。國(guó)為子息制造業(yè)大國(guó)，下游應(yīng)用市場(chǎng)廣闊。前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計(jì)，21904 年，中國(guó) As 元件場(chǎng)CAR 在15左，速于球市同增，國(guó)場(chǎng)規(guī)模全比將一提升到224年國(guó)As元件場(chǎng)模到551.3億。圖

19、：0年全球Gas射頻器件市場(chǎng)規(guī)模小幅下滑圖：-4年中國(guó)as元器件市場(chǎng)規(guī)模7,007,006,006,006,006,00218219220E221F市場(chǎng)規(guī)模（百萬(wàn)美元）6%4%2%0%-2%-4%-6%6050403020100219E 220E 221E 222E 223E 224E中國(guó)砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模（億元）資料來(lái)源：集邦咨詢國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、國(guó)海證券研究所、手機(jī)A主流材料CL成為s成長(zhǎng)新驅(qū)動(dòng)as襯底的下游應(yīng)用應(yīng)用于射7（2激光二極10）三大領(lǐng)域中以型As為的頻用占最要用手機(jī)ASih基站頻方面其為D以導(dǎo)型s 料主據(jù) leDmt計(jì)As晶的體場(chǎng)模從219年的2元增長(zhǎng)到0

20、5的過(guò)348億美，合增為10%。圖：Gas襯底各類應(yīng)用占比圖：-5年Gas晶圓市場(chǎng)規(guī)模應(yīng)用拆分42%10%47%40303020201010500219225射頻F發(fā)光二極管LED激光LD其他FLED光電領(lǐng)域顯示資料來(lái)源：StrtegyAnlti、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所、消費(fèi)電子：as A仍為G時(shí)代智能手機(jī)重要組成部分手機(jī)市場(chǎng)已成為as器件發(fā)展的一大動(dòng)力G代手端A的藝以CS和As主于5G通訊頻功與的要更高對(duì)A能要求也應(yīng)As高線度高出率性足5G備低超高速的求使As 成射頻端中A 材的理選。時(shí)5G 對(duì)A 需量少是G 對(duì)A 需量的2，從增了F 端總功率放器積功

21、放器數(shù)，動(dòng)As晶和芯的貨增。5G時(shí)代s仍將主導(dǎo)智能手機(jī)A市場(chǎng)過(guò)幾年RF一作為s晶圓場(chǎng)成驅(qū)據(jù)elmt數(shù)019年RF占As市場(chǎng)的33和場(chǎng)值的7占s片市的75G時(shí)代6Hz頻AsBT仍是A最要技5G新毫波s ET則重的術(shù)線。據(jù)le lt估計(jì)，頻As片市場(chǎng)規(guī)從219年的8億美左增至05年的6美以由在 5G 時(shí)單手中A 數(shù)量單比4G 時(shí)有大的升據(jù)邦詢預(yù)測(cè)中機(jī)s A 場(chǎng)從019 的1876 美增到023 5727億元年合長(zhǎng)率到917。圖：智能手機(jī)A主導(dǎo)as芯片市場(chǎng)（百萬(wàn)美元）圖：中國(guó)智能手機(jī)Gas A市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)4003002001000219 220 221 222 223 224 225消費(fèi)電子汽車

22、通信基站安航天航空其他oY1%1%5%0%-5%7060504030201002192202212222235手機(jī)aAsPA市場(chǎng)規(guī)模（億美元）4手機(jī)aAsPA市場(chǎng)規(guī)模（億美元）資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：集邦咨詢、國(guó)海證券研究所、光電子：VCSEL成為Gas成長(zhǎng)新驅(qū)動(dòng)以VEL為代表的光子領(lǐng)域?qū)⒊蔀閟增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力之一。EL種化物導(dǎo)激器可用光通和由間光信發(fā)器統(tǒng)發(fā)射激器比SL 有較的場(chǎng)散、制頻高易實(shí)大模陣列光集等點(diǎn)廣泛用光信D 感、部別車激雷達(dá)等景且期不被其技取。著機(jī)D 部應(yīng)透高、大容量光纖通信激光器的需求拉動(dòng)，據(jù) le Dlt 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，全球 VEL的模從20的1美增

23、至025的27億元AR達(dá)184。圖：Gas光電領(lǐng)域L市場(chǎng)增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力圖：-5年CSL市場(chǎng)CGR達(dá)4%30AGAG=1.%20151050217218219220225E全球VCSEL市場(chǎng)規(guī)模（億美元資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所移動(dòng)和消費(fèi)領(lǐng)域的3D 用蓬勃發(fā)展。017 前CEL 場(chǎng)要據(jù)通信應(yīng)驅(qū)。蘋(píng)率將SL決案于Pe的e D塊之后VEL 場(chǎng)動(dòng)漸被3D 傳所207 年，Pe 中裝配了 410件CE220預(yù)期有過(guò)35件CL安在Pe安卓廠也其能機(jī)的面用D傳塊進(jìn)人識(shí)人識(shí)別功能外，D 傳感也被應(yīng)用于后置攝像頭以滿足攝像功能提升的需求。 Dmt

24、 計(jì)200 移設(shè)中的D 傳感占CL 市規(guī)模的75，預(yù)計(jì)2025 達(dá)到21 美的模從競(jìng)格來(lái)，m作為果主供商020年占達(dá)6有明領(lǐng)地。圖：消費(fèi)電領(lǐng)域的D傳感占總規(guī)模的%圖：9年CL市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局醫(yī)療,0.04%汽車,0.01%Vertilite, 2%thers, 6%通信基 24.31%安防,0.26%工業(yè),1.32%消費(fèi)電 74.07%Broadcom,9%rumpf, 9%ams,11%II-I,14%Lumenu m,49%資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所、競(jìng)爭(zhēng)格局：產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)以海外廠商為主導(dǎo)目前，s 產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)以歐美、日本和臺(tái)

25、廠為主導(dǎo)。從s 外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)來(lái)看，據(jù)Sy Alics據(jù)前大As外片商英廠商E灣區(qū)商新光本商住學(xué)與系商特磊別占市的54、513、6，4 達(dá)9在s 晶圓制造環(huán)節(jié)臺(tái)系代廠懋家大占據(jù)了As 圓工場(chǎng)的7額，次灣地區(qū)宏9）美的S8圖：全球Gas襯底材料市場(chǎng)格局圖：全球Gas晶圓制造（IM代工）格局6% 2%10%47%42%IE全新光電住友化學(xué)英特磊其他10%2%8%9%71%穩(wěn)懋宏捷GSAro其他資料來(lái)源：StrtegyAnlti、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：StrtegyAnlti、國(guó)海證券研究所從競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看As器件場(chǎng)與較為美日與系其中美廠占前地kks以307的占率為業(yè)導(dǎo)次為（28與（74中企起在業(yè)中

26、語(yǔ)較。從全球s晶圓代工度看據(jù)SyAlis數(shù)全球As器市場(chǎng)主要參者中，國(guó)業(yè)占全球場(chǎng)份的 75，占有明優(yōu)勢(shì)從 s晶圓工局看臺(tái)廠商懋龍地，場(chǎng)份達(dá)27，S 84市率于第。圖：Gas器件（A為主）市場(chǎng)格局圖：全球Gas晶圓代工格局其他16%Sony2%itsubishi2%Skorks 31ADI 3%ACM 3%urata 3%穩(wěn)懋5%Broadcom7%oro 28%oro, 2.7%其他,8.2%AWS,7.9%C, 8.4%穩(wěn)懋,72.7%資料來(lái)源：StrtegyAnlti、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：StrtegyAnlti、國(guó)海證券研究所、穩(wěn)懋：全球Gas無(wú)線通訊領(lǐng)導(dǎo)者穩(wěn)懋導(dǎo)成于99年位臺(tái)林華技

27、園是球座英寸晶圓產(chǎn)As微集電路專晶代服公懋有整技團(tuán)隊(duì)及先的As微電晶及體路造術(shù)及產(chǎn)戶包全球射積電設(shè)公，并力引球DM大廠作。在制技發(fā)方面懋以元及先原期能供客最的服務(wù)無(wú)寬通的波高技域懋前提兩類As電體制程技HT和HT二者為尖的程術(shù)光及D測(cè)域中，懋以C技術(shù)基，供電品的發(fā)生制。2016200年穩(wěn)營(yíng)入從136.3新幣至2612億臺(tái)幣AR為1710利潤(rùn)從313億臺(tái)增長(zhǎng)至6529新臺(tái)CAR為034。穩(wěn)懋利近5始持在30以上200利率253創(chuàng)五新。圖：穩(wěn)懋營(yíng)業(yè)收入和凈利潤(rùn)持續(xù)增長(zhǎng)圖：穩(wěn)懋毛利率和凈利率維持較高水平30202010105002162172182195%4%3%2%1%0%216217218219

28、220營(yíng)業(yè)總收入（億新臺(tái)幣）凈利潤(rùn)（億新臺(tái)幣）毛利率凈利率資料來(lái)源：in、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：in、國(guó)海證券研究所3、N：高頻性能優(yōu)越，成為5G器件關(guān)鍵材料、半導(dǎo)體材料研究熱點(diǎn)，GaN 射頻器件應(yīng)用前景朗氮化（由和組成一半體為其帶度于2，故被為禁半導(dǎo)料。N 材料波率晶管優(yōu)材料光發(fā)器中一具重要用值半目前球?qū)а械难睾蜔?。傳半體料硅比于N禁寬度的34、率是的2倍得N件在30以的下工，夠載高能量密靠更擊穿強(qiáng)高10倍得器導(dǎo)電減利于提器整的飽和子移的24此件速地工N 器件在光子、高溫大功率器和頻微波器件應(yīng)用方有廣闊的前景。圖：GN優(yōu)異特性資料來(lái)源：品利基金、國(guó)海證券研究所N 外延片可分為同質(zhì)延片與異質(zhì)

29、外延片。在N 晶底生的N為同外片以N晶材作襯可大提高延的體量降低錯(cuò)密，高件作壽。于N材硬度，點(diǎn)，底作難度，錯(cuò)陷度高導(dǎo)良低技進(jìn)緩慢此N晶的本仍然高N襯底應(yīng)受限了同外片N以生在他底料稱之異外前用的底料括寶、 S與剛中寶石N只用做基（Nn）可以功器和功的射器碳硅基（NnC可造大率E、率件大功射芯N n SC和 N on Si是未來(lái)的主流技術(shù)方向。表：N優(yōu)異特性襯底材料已可量產(chǎn)的最大尺寸成本熱導(dǎo)率（W/mK)外延材料質(zhì)量主要應(yīng)用優(yōu)勢(shì)8英寸20 USD1.5一般aN on Si兼具aN的高能量密度和i的低成本，是消費(fèi)電子電源芯片的主要選擇，替代Si SFETSiC6英寸1000USD4.9很好aNonS

30、iC兼具aN的高頻大功率和iC的優(yōu)良散熱性是5G基站射頻前端芯片衛(wèi)星達(dá)的主要選擇替代i-LDSaN2英寸2500USD1.3極好同質(zhì)襯底，主要用作藍(lán)綠光激光器，應(yīng)用于光電領(lǐng)域Sapphie4英寸20 USD0.5好主要用于LED 領(lǐng)域。藍(lán)寶石與aN 的晶格失配率較大，導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性都差，無(wú)法在大電流下工作，無(wú)法用于射頻器件Diamnd20很好金剛石熱導(dǎo)率是iC的4倍且具有更寬的帶隙、更高的擊電壓，更高的電子遷移率，可以獲得更優(yōu)越的器件性能。但 aN與金剛石的異質(zhì)外延技術(shù)難度大還不太成熟該領(lǐng)學(xué)術(shù)熱點(diǎn)，主要公司包括kah Sstes和韓國(guó)RFHIC等資料來(lái)源：云掌財(cái)、國(guó)海證券研究所N器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)

31、節(jié)次為襯底材外延件設(shè)計(jì)與制造及下應(yīng)。目前以M 企為，但設(shè)與造節(jié)經(jīng)開(kāi)出分。上襯底方N襯大由日公生括友電菱學(xué)，住友電工的市場(chǎng)份額已經(jīng)超過(guò) 0%。N 外延片相關(guān)企業(yè)主要有比利時(shí)的 EiN英的E本的NN件計(jì)廠方國(guó)的、 Cspm德的ilg為要與者。D企業(yè)中日本的住友電與的Ce為業(yè)龍，場(chǎng)有均過(guò)30。圖：GN器件產(chǎn)業(yè)鏈及主要企業(yè)襯底延計(jì)工EiaN頻功率穩(wěn)懋信越化學(xué)IE富士通三菱化學(xué)NTATGSAlsECmaEislAmlenGN ysemTCRHICTrspormWlseed國(guó)內(nèi)廠商國(guó)內(nèi)廠商ilog稼晶湛半導(dǎo)體商國(guó)內(nèi)廠維聚能晶源 隆商三安集成體成子 蘇州捷芯威 海威華Cre、Innen、orvNPAOInn

32、enTnem工、I頻蘇州能訊體江蘇能英諾賽大連芯中航微電資料來(lái)源：6K、國(guó)海證券研究所亞太地區(qū)占據(jù)了球N 襯底市場(chǎng)的主要份。219 年太區(qū)全球N襯底市場(chǎng)的 634%。由于 N 終端應(yīng)用日益普及，y kt Rh計(jì)209至027年太區(qū)繼據(jù)主地亞地，北美歐地也為N底重市場(chǎng)2019年分占有281823%的市份N在行業(yè)應(yīng)為美歐個(gè)的N場(chǎng)了巨大機(jī)。在應(yīng)用領(lǐng)域方面目前N主要應(yīng)用于射頻器件電力電子器件的制29年射頻N的場(chǎng)占N件體模重達(dá)1力子N市場(chǎng)模占9209年內(nèi)N產(chǎn)實(shí)高增長(zhǎng)據(jù)AA初統(tǒng)， 2019年內(nèi)N波頻產(chǎn)規(guī)近38億，比增長(zhǎng)74。來(lái)著商用擴(kuò)行商進(jìn)一由的4G更至55G基的建密度于4基內(nèi)用的料為N材賽迪問(wèn)到202年

33、國(guó)內(nèi)N襯市規(guī)達(dá)到57元。圖：9年GN市場(chǎng)份額（按地區(qū)）圖：國(guó)內(nèi)GN微波射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值持續(xù)上升南 69%亞太, 3.4%中東與非洲, 北, 2.8%歐洲, 2.4%4035302520151050216217218219襯底 外延及芯片 器件及模組 裝置 合計(jì)（億元）資料來(lái)源ranspaecyarketReearh國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：CAS、國(guó)海證券研究所、5G射頻與基站持續(xù)滲透GaN在快充領(lǐng)域大放彩N 作第三半體料，更的帶寬是迄理上光、轉(zhuǎn)換效率最的材體系下游應(yīng)用括微射頻件（通信站等電力器（源等電ED照光中光器是N要應(yīng)方。前N件多用軍電，軍事訊電干、達(dá)等領(lǐng)；民領(lǐng)N 主被用通基、功器等域據(jù)e D

34、mt據(jù)219年球N率件規(guī)為1964萬(wàn)元預(yù)計(jì)N市將在025達(dá)到68美CR高達(dá)800隨著時(shí)代的到來(lái)，5G 基站與數(shù)據(jù)中心的建設(shè)將幅帶動(dòng)N 射頻與功率件市場(chǎng)，N在快充等電源制方面的應(yīng)用也成的的需求增長(zhǎng)點(diǎn)。圖：9年國(guó)內(nèi)GN行業(yè)需求分布圖：5年全球GN功率器件規(guī)模達(dá)8億美元4.9%4.9%12.7%60.3%80706050403020100219 220 221 222 223 224 22510%10%8%6%4%2%0%射頻器件快充無(wú)人駕駛國(guó)防工業(yè)市場(chǎng)規(guī)模（百萬(wàn)美元）YY資料來(lái)源：觀研天、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所、終端射頻：5G時(shí)代射頻器件要求提高，GN器件優(yōu)

35、勢(shì)凸顯5G 終端蓄勢(shì)待發(fā)，大用規(guī)模與技術(shù)創(chuàng)新為頻端帶來(lái)紅利。020年，已經(jīng)入用署快道。C計(jì)00中國(guó)5G接端戶超過(guò) 2 億RR 等擬市場(chǎng)將未三呈爆發(fā)長(zhǎng)態(tài)。o 表示在來(lái)0內(nèi)5G端將成手產(chǎn)中展最的分5G要足行業(yè)量聯(lián)設(shè)的信需人與的場(chǎng)景外連接術(shù)業(yè)數(shù)字化景融也為5G信展新遇C預(yù)，到204年物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)量近60億，手聯(lián)的14倍以5G為表蜂物聯(lián)網(wǎng)術(shù)發(fā)重作。5G 時(shí)代N 射頻市場(chǎng)比進(jìn)一步上升，未將斷占領(lǐng)MS 市場(chǎng)空。5G時(shí)高增的據(jù)量使調(diào)解難不增加需的段來(lái)，對(duì)射前器的能求也來(lái)目在頻前應(yīng)基DS器和s 是流件。常說(shuō)DS 適于35Hz 下用， As適于0Hz的場(chǎng)但件寸N高環(huán)保持高率以減少體的縮小件電度來(lái)看DS工電約為s為1

36、VN可工于2V或高的電壓，工作性能優(yōu)于 LDS 與 As，潛在市場(chǎng)空間巨大。據(jù) le Dmt據(jù)05年射功放器場(chǎng)LDS場(chǎng)率第，占比為0N射器件占0預(yù)到225年N頻件以 55%的占有率取代 DS 第一的市場(chǎng)地位，DS 市場(chǎng)占有率則下降至18。N 展頭好，5G 時(shí)中N 器件市占將一上升。圖：-4年全球連接規(guī)模預(yù)測(cè)圖：GN射頻器件不斷占領(lǐng)LMOS市場(chǎng)空間706050403020100219220221222223224物聯(lián)網(wǎng)連接量（億）手機(jī)連接量（億）資料來(lái)源：ID、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：ole Deelmn、國(guó)海證券研究所、5G 基站數(shù)據(jù)中心：新基建”重要組成部分，GaN 應(yīng)用前景明朗5G基站射頻

37、系統(tǒng)常復(fù)N器件的小尺效率和大功率密度特可實(shí)現(xiàn)高集化的解決方案。G 射頻系統(tǒng)需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術(shù)包括波合ie O 等，N 性體積重以效等面具備特勢(shì)使成高射、功應(yīng)的術(shù)首。以o 的O天線例與化基O天相N基O天功降了40，裸片面積減少 94，成降低 80。據(jù) o 據(jù)顯示，2022 年全球于 Sb6Hz段的O A件復(fù)增率達(dá)到35，于5G毫米波頻的頻端塊復(fù)合長(zhǎng)將到9。圖：氮化鎵MMO性能優(yōu)于鍺化硅基MMO圖：GN在基站應(yīng)用中的市場(chǎng)規(guī)模（億美元）201510502172182192202212224/GSalSgal4GaroaN 56Hz-IOPA5GmWEM資料來(lái)源：or、國(guó)海證券研究所資

38、料來(lái)源：or、國(guó)海證券研究所通信基站應(yīng)用領(lǐng)域N是未來(lái)最具增長(zhǎng)潛質(zhì)第三代半導(dǎo)體材料一基站是新要成分之，據(jù)信的據(jù)，至020 年國(guó)已建成球大5G 絡(luò)累計(jì)成5G 站18 個(gè)，動(dòng)建享5G 33個(gè)基建將拉動(dòng)端N頻的需量由于5G線用sie O技術(shù)，和U射遠(yuǎn)單）設(shè)成。假設(shè)ie O 天為4TR則個(gè)站天數(shù)為12 ，大器數(shù)為92個(gè)慮到5G基的設(shè)期產(chǎn)業(yè)究預(yù)到03年2019202020212022202320242025基站新增數(shù)量（萬(wàn)站）9.638.472105.615.276.862.4A數(shù)量（萬(wàn)）1843273728138242027.22218.42019202020212022202320242025基站新增

39、數(shù)量（萬(wàn)站）9.638.472105.615.276.862.4A數(shù)量（萬(wàn)）1843273728138242027.22218.41474.618432aN占比0.50.580.660.740.80.820.85LDS占比0.50.420.340.25單扇aN器件價(jià)格（元）5000475045134287407338693675單扇LDS價(jià)格（元）3000285027082572244423212205A單扇區(qū)平均價(jià)格（元）4000395238993841374735903455基站端A市場(chǎng)規(guī)模（億元）1.545.584.2121.7129.582.764.7基站端N射頻器件規(guī)模（億元）7.2

40、31.764.3100.512.673.158.5資料來(lái)源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究、國(guó)海證券研究所圖：-4年宏基站A使用量預(yù)測(cè)圖-4年基站端GN射頻器件規(guī)模及預(yù)測(cè)2,0002,0001,0001,0005,0002192202212222231010806040200219220221222223224宏基站P數(shù)量（萬(wàn)只）基站G射頻器件市場(chǎng)規(guī)模（億元）資料來(lái)源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、國(guó)海證券研究所5G小基站布局帶動(dòng)N射頻器件規(guī)模增大5G高傳速和覆將要搭建多復(fù)的站大量毫波基Sb6Hz 基對(duì)于N 器件的求將幅升由于基不對(duì)基造成擾故頻較站更高，N 射器成二之。賽智測(cè)數(shù)據(jù)國(guó)G

41、絡(luò)站需求為基的2即要100萬(wàn)小站按照個(gè)基要2大器小站設(shè)度后宏站1測(cè)算拓產(chǎn)業(yè)究預(yù)到224年基端N頻件達(dá)到值市規(guī)達(dá)94億。圖：GN在通信基站中的應(yīng)用趨勢(shì)圖：中國(guó)G小基站GN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)10864202202212222232242255小基站G射頻器件市場(chǎng)規(guī)模（億元）資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：賽迪智庫(kù)、國(guó)海證券研究所表：中國(guó)5G小基站A市場(chǎng)測(cè)算2020202120222023202420252026基站新增數(shù)量（萬(wàn)站）19.276.814421.2230.4153.6124.8放大器數(shù)量（萬(wàn)個(gè)）384153.6288422.4460.8307.22496單扇

42、aN器件價(jià)格（元）500475451.3428.7407.3386.9367.5基站端aN射頻器件規(guī)模（億元）13.66.59. 資料來(lái)源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究、國(guó)海證券研究所數(shù)據(jù)中心電源效率求升N的市場(chǎng)前景明著絡(luò)計(jì)的，新物網(wǎng)備邊計(jì)需求激數(shù)中要程逐凸顯受疫情影響，r 查200 數(shù)中基施支同下了03，約 60新數(shù)中心設(shè)建設(shè)受阻但疫導(dǎo)致遠(yuǎn)程工作例提，實(shí)上數(shù)據(jù)心理數(shù)量大幅源率功據(jù)度需持提。 N 技使得源積一步小從允許一機(jī)空中加更存儲(chǔ)和并數(shù)中的功密由0 瓦英寸至00 瓦寸甚至更高，即無(wú)需實(shí)際構(gòu)建更多的數(shù)據(jù)中心即可增加數(shù)據(jù)中心的容量。223年歐將高數(shù)中電源率要進(jìn)步進(jìn)N在據(jù)心的使r預(yù)計(jì)201年全最用數(shù)中基礎(chǔ)施出以

43、達(dá)到00美。圖：-1年全球數(shù)據(jù)中心礎(chǔ)設(shè)施支出額250200250200150100150100150219220221用戶數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施支出（億美元）資料來(lái)源：arte、國(guó)海證券研究所8%6%4%2%0%-2%-4%-6%-8%-1%-1%、消費(fèi)電子：aN快充市場(chǎng)迎來(lái)爆發(fā)期，音頻應(yīng)用為新亮點(diǎn)N電源市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)力足著端適器興EM廠將出多 N充器借備計(jì)要的高N充器足便攜快充等斷展客需逐轉(zhuǎn)為流從技角分采用N技術(shù)充器形寸比傳的于的電減少050體統(tǒng)率可提升至95在相同寸和相同出功的情下，充電外殼度將傳統(tǒng)充器低此N充電可使較的壓器較的械熱，因此體量少150%eDlmt測(cè)219年N電標(biāo)市場(chǎng)為900美021將

44、到16美，而在2022年增到4億美00 國(guó)S 展中參的N 電器量經(jīng)達(dá)66 涵了1WWW10W 功率N電市迎爆。圖：GN快充充電器圖：-2年GN電源市場(chǎng)營(yíng)收增速較快3.02.52.01.51.00.50.0219221222a電源市場(chǎng)規(guī)模（億美元）資料來(lái)源：財(cái)經(jīng)生活網(wǎng)、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所音頻設(shè)備為N器件應(yīng)新亮點(diǎn)頻一個(gè)有多細(xì)市的大市，從專音家音便攜響所細(xì)市中質(zhì)音頻為評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)入N D放器的頻統(tǒng)在需犧牲音量前下以更小輕設(shè)提更的功和多通滿消費(fèi)市對(duì)色質(zhì)追求220年NSsm發(fā)布一為音質(zhì)2V音頻統(tǒng)發(fā)參設(shè)，該參設(shè)有個(gè)道每通（8歐負(fù)ClsD音放器持20瓦功率允許1V源到

45、1V給頻統(tǒng)供并支持3V出N器件使保音的提下將款40 音產(chǎn)品成和率出力上做了好平Sicrit到221年頻會(huì)有更品配備N放大和套源對(duì)質(zhì)量頻需正推動(dòng)D類音放器場(chǎng)增。C Rh 數(shù)示，球D 音放市場(chǎng)從220年的24元增到05的35美元020205年AR為77。圖：高質(zhì)量音頻的需推動(dòng)全球D類音頻放大場(chǎng)4035302520151050220225全球類放大器市場(chǎng)規(guī)模（億美元手機(jī)類放大器市場(chǎng)規(guī)模（億美元車載音響設(shè)備類放大器市場(chǎng)規(guī)模（億美元）資料來(lái)源：BCCReseac、國(guó)海證券研究所、競(jìng)爭(zhēng)格局：美國(guó)、歐洲、日本三足鼎立N下游應(yīng)用行業(yè)擁有量的市場(chǎng)參與者司包恩浦英凌SsmEictPoCe等全球N市的要與過(guò)在銷、場(chǎng)

46、技術(shù)的密合顯出協(xié)應(yīng)。N 襯底應(yīng)也過(guò)與同以各研機(jī)建立略盟擴(kuò)規(guī)以建自在球場(chǎng)參與者位意半在2018與ALei功率N合要常關(guān)型鎵HET和鎵二管計(jì)研于00年3月購(gòu)國(guó)創(chuàng)新業(yè)Exn公多數(shù)權(quán)208年Ce收了飛的F部成為了球的N射器件應(yīng)；內(nèi)業(yè)泰技219以28成功購(gòu)業(yè)唯量交付戶NT品化合功半體司世半導(dǎo)，為內(nèi)家界級(jí)DM導(dǎo)公。圖：GN射頻器件市場(chǎng)格局圖：GN功率器件市場(chǎng)集中度較低US, 其他,5%5.20%Ratheon,5.70%Sumitom, 40%oro, 20%Cree, 24%其他EfficientPoer19%Conersion,14%oransphorNP, 19%m,10%Fujitsu,aN Ss

47、tems,9%9%Infineon,8%eas Instruments12%資料來(lái)源：新材料在、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：HF、國(guó)海證券研究所圖：GN產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三足鼎立局面資料來(lái)源：新材料在線、國(guó)海證券研究所、住友電工：全球aN射頻器件IDM龍頭廠商住友工團(tuán)世上著名通廠之其纖光產(chǎn)量年名世界前團(tuán)部于本大，于187 成，在球約40 國(guó)有大約28 名工住工自立來(lái)一以線、纜制技為礎(chǔ)，通過(guò)創(chuàng)的究發(fā)對(duì)新業(yè)不挑戰(zhàn)斷創(chuàng)新品新術(shù)擴(kuò)大事業(yè)前通車信通子境能產(chǎn)原料大事業(yè)領(lǐng)，全范內(nèi)展事。住友工史久公技術(shù)發(fā)跟代展早在200 ，眼于潛力公的術(shù)隊(duì)始著開(kāi)“N E，于005年現(xiàn)利出006 年始，207 該品采日本內(nèi)3G 基SDI在全

48、界圍率實(shí)“NE產(chǎn)并全推低，從而了N ET全世范內(nèi)廣應(yīng)。2017201 年住工營(yíng)收與利相穩(wěn)定201 公營(yíng)入為291580 日，利潤(rùn)為6344 日比均幅落住電毛利率穩(wěn)近5年終在18左021年利為236。圖：住友電工營(yíng)業(yè)收入和凈利潤(rùn)穩(wěn)中有升圖：住友電工毛利率和凈利率保持穩(wěn)定3,0003,0002,0002,0001,0001,0005,0002172182192202%1%1%5%0%217218219220221營(yíng)業(yè)總收入（億日元）凈利潤(rùn)（億日元）毛利率凈利率資料來(lái)源：in、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：in、國(guó)海證券研究所4、SiC：高溫大功率材料首選，能源汽車領(lǐng)域?yàn)樽畲篁?qū)動(dòng)力、iC是大勢(shì)所趨，市場(chǎng)前

49、景廣闊碳化（C硅素碳元組原的合體其理性決晶體中硅子排構(gòu)性差主取硅和原的對(duì)以及原子列不結(jié)。前已現(xiàn)的SC 質(zhì)晶體構(gòu)有00 種中六方構(gòu)的4H 型CHC具高界穿場(chǎng)、電遷率優(yōu)，是制高高抗照功半體件優(yōu)半導(dǎo)材也目合性能最商化度術(shù)為熟第半導(dǎo)材SC功件的研發(fā)于0 紀(jì)0 年，目已為型率導(dǎo)體件究發(fā)主，產(chǎn)業(yè)主包單材、外材、件模和應(yīng)這個(gè)節(jié)。圖：iC功率器件發(fā)展路徑圖：iC晶片產(chǎn)業(yè)鏈資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：天科合達(dá)招股說(shuō)明書(shū)、國(guó)海證券研究所SC 單晶材料主要分為通型襯底和半絕緣底種。SC 晶通底，可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積法（VD，在晶片上淀積一層單晶形成外延片。其中，在導(dǎo)型iC 襯上生長(zhǎng)SC

50、 延制的SC 延片可一制功器件，并應(yīng)于新源汽、光伏發(fā)、軌交通智能電網(wǎng)航空天等域在半型C底長(zhǎng)N延制的SC基N（N n C延片可一制微射頻件應(yīng)于5G訊、達(dá)領(lǐng)。與第一代半導(dǎo)體硅片似，第三代半導(dǎo)體SC 晶片向大尺寸方向不發(fā)，不斷提高下游對(duì)SC片利用率和生產(chǎn)效率。在8英寸iC晶尚實(shí)業(yè)化的況6寸C片將為場(chǎng)流品導(dǎo)通型SC襯底材料方，作為造SC功半器件基根據(jù)leDlmt統(tǒng)017年4英寸通型SC圓接近10片6寸型SC圓貨約15片；預(yù)到220 年，4 英通型SC 晶的場(chǎng)保在10 萬(wàn)左，價(jià)將降低25；6 寸型iC 晶的場(chǎng)求超過(guò)8 萬(wàn)半絕緣型SC襯底方面前流絕襯底產(chǎn)以4寸主leDmt計(jì)，到220年4英半襯底市保在4而

51、6英半緣底市場(chǎng)迅提至45；025030，4英半緣襯逐退市而6英寸圓增至0圖：全球?qū)ㄐ蚷C晶圓材料市場(chǎng)預(yù)估圖：全球半絕緣iC晶圓材料市場(chǎng)預(yù)估502540203015201010502172202252300217220225230英寸導(dǎo)通型英寸導(dǎo)通型英寸半絕緣英寸半絕緣資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所全球SC市場(chǎng)規(guī)模不斷大，美國(guó)企業(yè)處于頭位。根據(jù)S kit209年C 率件規(guī)約61美，能源車領(lǐng)較需的驅(qū)動(dòng)2025 年全球iC 功率件市規(guī)將到30 億元年復(fù)增速達(dá)到04。圖：iC電子電力器件產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)廠商襯底延計(jì)制造封測(cè)irstalNVA

52、 CUiteiCXab金B(yǎng)rceell安靠K itronETC臺(tái)灣瀚薪束臺(tái)灣嘉晶 國(guó)內(nèi)廠商國(guó)內(nèi)廠商商國(guó)內(nèi)廠商達(dá) 瀚天天成 瞻芯電子 三安集成 岳 東莞天域 陸芯科技 海威華芯 體oCrnng、II、工國(guó)內(nèi)廠商：Nrstel機(jī)iroemi、凌意法半導(dǎo)itleue東松下國(guó)內(nèi)廠商：泰科天潤(rùn)、中車時(shí)代半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、中科電/5所CreRHM商：世紀(jì)金光資料來(lái)源W、國(guó)海證券研究所圖：全球iC市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大35302520151050219220221222223224225全球Si市場(chǎng)規(guī)模（億美元）資料來(lái)源：IH、國(guó)海證券研究所國(guó)內(nèi)SC 產(chǎn)品主要依賴口，替代方向確國(guó)內(nèi)C 體晶領(lǐng)的研從0 世紀(jì)0 代開(kāi)

53、始步在業(yè)展期受技水和能模的限未入工化產(chǎn)進(jìn)入1紀(jì)來(lái)國(guó)家業(yè)策支和導(dǎo)下，內(nèi)SC 片業(yè)展大提。智咨數(shù)據(jù)示208年內(nèi)SC單晶行市規(guī)為3409 元，較207 年的315 億小下滑08。目前內(nèi)SC 品8右依進(jìn)，較。天合為表的第代導(dǎo)材制企業(yè)過(guò)余的主發(fā)現(xiàn)設(shè)備制原合成晶生晶切片洗測(cè)全流自可有為下游外器廠穩(wěn)提高質(zhì)SC 晶為C 下游商現(xiàn)口代供了條來(lái)內(nèi)能源車5G通發(fā)電軌交通智電、航空天行的速展，內(nèi)C 料業(yè)模和業(yè)術(shù)得進(jìn)步提升。圖：8年中國(guó)iC單晶片市場(chǎng)規(guī)模小幅下降圖：國(guó)內(nèi)iC產(chǎn)品左右依賴進(jìn)口403020100214215216217中國(guó)S單晶片市場(chǎng)規(guī)模（億元增長(zhǎng)率（）20%10%10%5%0%-5%30252015105

54、02172182192201-7進(jìn)出口額（億元）資料來(lái)源：智研咨詢、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：海關(guān)總署、國(guó)海證券研究所、新能源汽車新能源發(fā)電，打開(kāi)C市場(chǎng)空間、新能源汽車及充電樁：現(xiàn)階段SiC的主要應(yīng)用領(lǐng)域與N比C有高的導(dǎo)和成的術(shù)適于10V上高溫大力制于高高高抗輻的功器新能源汽新源電道交航航極環(huán)的用著不可替的據(jù)eDmt數(shù)217223年C率的 CAR將過(guò)0新源汽車和充電設(shè)施其增長(zhǎng)最快的兩個(gè)應(yīng)場(chǎng)。圖：iC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域圖：iC功率器件各應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模（億美元）20151050217218219220221222223鐵路交通 FCVHV充電設(shè)施 V汽車 其他資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研

55、究所資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所新能源汽車領(lǐng)域是 SC 功率器件應(yīng)用推廣的主要驅(qū)動(dòng)力。SC 大量運(yùn)用在 CC 轉(zhuǎn)牽逆器、載電等面隨著動(dòng)車場(chǎng)擴(kuò)， SC功半體場(chǎng)激據(jù)leDt數(shù)顯218年能源汽細(xì)領(lǐng)中SC場(chǎng)規(guī)為113億元預(yù)計(jì)04年SC市模達(dá)到946 美，均合增率到29。09 年，球能汽車SC二極和體市模260 美計(jì)221 年市規(guī)到500 元DTIS Rh 預(yù)計(jì)到025 年電汽車用SC 率導(dǎo)占 SC功半體市的7%上，于01的25%。圖：-4年新能源汽車iC市場(chǎng)規(guī)模圖：新能源汽車iC二極管、晶體管市場(chǎng)規(guī)模2520151050218224新能源汽車Si市場(chǎng)規(guī)模（億美元）其6,005,00

56、4,003,002,001,000219221Si二極管和晶體管市場(chǎng)規(guī)模（萬(wàn)美元）資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所資料來(lái)源：ole Deelpen、國(guó)海證券研究所新能源車市場(chǎng)增速高傳統(tǒng)燃油車帶動(dòng)SC功率器件用量快速提升據(jù)EV sals 的據(jù)示2019 年全新源車量為221 輛HS 計(jì)場(chǎng)銷到17輛全球達(dá)484到225年國(guó)能透率為20場(chǎng)模為58萬(wàn)輛其純占6%電混占，新能場(chǎng)增速遠(yuǎn)高傳燃車帶動(dòng)C功器用快提， le lmt預(yù)計(jì)025年C車場(chǎng)有38的均長(zhǎng)，場(chǎng)規(guī)模過(guò)15億元。圖：9中國(guó)市場(chǎng)銷量占全球比重達(dá)1,00,001,00,0080,0060,0040,0020,000212213214

57、21521621721830%30%20%20%10%10%5%0%中國(guó)新能源汽車銷量臺(tái)）增長(zhǎng)率（）資料來(lái)源：乘聯(lián)會(huì)、國(guó)海證券研究所未來(lái)使用SC器件的新能源汽車將更具有本勢(shì)目全球超20汽車商始用SC件姆助的i隊(duì)在06年FomlaE第三賽使了TC SD的率置傳統(tǒng)變相，逆器重量低kg尺小9017年第賽采用有SiSSCSD模塊逆其量低kg尺減小3目前特的l 3 采用了法導(dǎo)和飛的C逆器電系共搭了24個(gè)5V0A的C基FT模塊每模個(gè)片并組斯為第一家主變中全SC功模的也于220年式搭載C件電汽全C逆計(jì)從2023年始主豪品牌中產(chǎn)據(jù)Ce測(cè)使用SC逆器夠升510的航省0000美元電成Wh電池102美元W與新增00

58、 元的SC 成本消能實(shí)少20元單成降據(jù)姆到206年，幾乎有載0V電池車用C都將具本勢(shì)。表：中美日SC在新源汽車中的應(yīng)用進(jìn)展國(guó)家應(yīng)用進(jìn)展日本豐田中央研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和電裝公司從190年就開(kāi)始合作開(kāi)發(fā)iC半導(dǎo)體材料204年5月正式發(fā)布了基于iC半導(dǎo)體器件的零部件應(yīng)用于新能源汽車的功率控制單元(PC。美國(guó)福特汽車公司05年底宣布計(jì)劃為電動(dòng)汽車項(xiàng)目投資5億美元近年福特公司已經(jīng)就SiC/aN器件在混合動(dòng)力汽車上的應(yīng)用進(jìn)行了投資研究；特斯拉已在車型中應(yīng)用SC功率器件；SiC技術(shù)的著名企業(yè)美國(guó)Cee公司開(kāi)發(fā)了多款適合于新能源汽車使用的SiC功率模塊，并和合作伙伴合作推出使用iC功率模塊和二極管的電動(dòng)汽車充電樁整體

59、解決方案。中國(guó)在科技部發(fā)布的新能源汽車試點(diǎn)專項(xiàng)217 年度項(xiàng)目申報(bào)指南建議資料顯示，對(duì)SiC 第三代寬禁帶功率器有特別的要求，要求“寬禁帶電力電子模塊電流400，電壓75V；電機(jī)控制器峰值功率密度30WL，匹配電機(jī)額定功率40-8W，最高效985；產(chǎn)品裝車應(yīng)用不低于10套。”國(guó)內(nèi)的比亞迪在也已在C方面進(jìn)行布局比亞迪己投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SC目前比亞迪己經(jīng)成研發(fā)了iC SFE。預(yù)計(jì)到203年，比亞迪將在旗下的電動(dòng)車中，實(shí)現(xiàn)iC基車用功率半導(dǎo)體對(duì)硅基IUBT的全面替代。資料來(lái)源：CSARseac、國(guó)海證券研究所SC 功率器件在充模中的滲透率不斷增，車充電樁帶動(dòng)SC 市場(chǎng)模持續(xù)提升C件于新源

60、車電以減充樁積提充電速滿新源產(chǎn)業(yè)發(fā)需自21年能汽充就一直在速設(shè)階新源車充樁共充樁主前最多的經(jīng)體別中、盟和國(guó)截至209 底，國(guó)歐分約有75萬(wàn)和69 萬(wàn)公充樁。著內(nèi)能汽市場(chǎng)不擴(kuò)，電市場(chǎng)發(fā)展前也越越廣。根據(jù)中電動(dòng)車充基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)聯(lián)發(fā)布據(jù)截至020 年4 月聯(lián)內(nèi)成單總上公類充樁47 臺(tái)私充電樁4臺(tái)另汽車車充機(jī)場(chǎng)逐步用SCD集中在20V1、2A每臺(tái)載電要48顆C B。統(tǒng)的i率器體較SC 率器可實(shí)比Si 基率器更的關(guān)率具備高率度超體的特，此C 率件在電塊的透不斷提。圖：-0年中國(guó)充電基礎(chǔ)設(shè)施逐漸完善807060504030201002152162172182192201-4公共充電樁數(shù)量（萬(wàn)臺(tái)）私人充電樁數(shù)