變頻器主電路測試規(guī)范

變頻器主電路測試規(guī)范變頻器主電路測試規(guī)范25/25變頻器主電路測試規(guī)范測試規(guī)范規(guī)范編碼：RD-CRT-T00英威騰電氣股份有限企業(yè)版本：密級：機密測試部奏效日期：頁數(shù)：16頁變頻器主電路測試規(guī)范擬制：_______________日期：__________審核：_______________日期：__________批準：_______________日期：__________測試部測試規(guī)范改正信息登記表規(guī)范名稱:變頻器主電路測試規(guī)范規(guī)范編碼：RD-CRT-T00版本改正原由改正說明改正人改正時間擬制新規(guī)范代建軍規(guī)范升級改正部分查收準則韋啟圣評審會簽區(qū)：人員署名建議日期董瑞勇張科孟張波吳建安劉小兵1測試部測試規(guī)范目錄1、目的32、范圍33、定義34、引用標準和參照資料35、測試環(huán)境36、測試方法與判斷準則36.1整流二極管反向耐壓測試46.2整流模塊絕緣耐壓測試56.3IGBT柵-射極間漏電流測試（IGES）56.4IGBT斷態(tài)集-射極間漏電流測試（ICES）66.5IGBT模塊絕緣耐壓測試76.6IGBT驅(qū)動波形測試86.7IGBT開通、關(guān)斷時間測試106.8IGBT驅(qū)動電壓幅值測試106.9IGBT上下橋驅(qū)動死區(qū)時間測試11整流二極管電壓應(yīng)力測試12整流二極管穩(wěn)態(tài)電流應(yīng)力測試136.12IGBT瞬態(tài)電壓應(yīng)力測試136.13IGBT瞬態(tài)電流應(yīng)力測試146.14IGBT均流測試15附件1：IGBT模塊Ices測試數(shù)據(jù)記錄表15附件2：IGBT驅(qū)動波形及死區(qū)時間測試數(shù)據(jù)記錄表16附件3：變頻器輸出短路測試數(shù)據(jù)表162測試部測試規(guī)范變頻器主電路測試規(guī)范1、目的查驗我司變頻器產(chǎn)品的主電路設(shè)計能否合理，考證在正常使用環(huán)境和惡劣使用環(huán)境下，功率器件的電壓、電流應(yīng)力能否知足功率器件的電壓、電流應(yīng)力降額要求。2、范圍本規(guī)范規(guī)定了樣機的主電路測試方法，合用于英威騰電氣股份有限企業(yè)開發(fā)的所有變頻器產(chǎn)品。3、定義l變頻器主電路：是指包含功率半導體器件，如IGBT、整流二極管和IGBT的驅(qū)動、保護電路變頻器額定運轉(zhuǎn)：是指變頻器工作在額定輸入電壓和缺省載頻下，驅(qū)動適配電機50Hz運轉(zhuǎn)，輸出額定電流。適配電機：與變頻器同功率或許是大一功率，小一功率的電機，（不包含電機并聯(lián)）4、引用標準和參照資料1）西門康功率模塊應(yīng)用手冊2）三菱IGBT模塊應(yīng)用手冊3）富士IGBT模塊應(yīng)用手冊5、測試環(huán)境測試環(huán)境可分為常溫實驗室環(huán)境和環(huán)境試驗箱。受變頻器體積大小不一和沒法加載的限制，除小功率變頻器（A、B、C、E體積變頻器）外大多半變頻器不可以在環(huán)境試驗箱中進行。當前將變頻器整機測試環(huán)境一致為常溫實驗室環(huán)境。獨自模塊測試環(huán)境分常溫實驗室環(huán)境和環(huán)境試驗箱。6、測試方法與判斷準則3測試部測試規(guī)范6.1整流二極管反向耐壓測試測試說明：在變頻器使用過程中因為電網(wǎng)顛簸或負載回灌電壓過高會造成整流二極管反偏壓過高，此測試是為了考證整流二極管的耐壓能力。測試設(shè)施：CS9932B型程控安規(guī)綜合測試儀（南京長盛儀器有限企業(yè)）測試方法：整流模塊獨自測試；在常溫下測試。給二極管加上反偏電壓（陽極接負，陰極接正），測試電壓為VRRM，RepetitivePeakReverseVoltage反向重復峰值電壓）記錄此時的漏電流值。在85℃環(huán)境溫度下測試。可使用環(huán)境實驗室的可程式恒溫恒濕實驗箱來對整流模塊進行加熱，設(shè)定溫度為85℃，設(shè)定濕度為0%（不控制濕度）。先將整流橋的各接線端子用導線引出到實驗箱外。加溫至85℃并保持4小時以上，不冷卻測試。給二極管加上反向偏置電壓，測試電壓分別為：220V機種用整流模塊，從1/2VRRM開始，以100V為步長漸漸增添至VRRM;380V機種用整流模塊，從2/3VRRM開始，以100V為步長漸漸增添至VRRM，記錄各電壓點的漏電流大小。在120℃環(huán)境溫度下測試。繼85℃溫度下測試后直接升溫至120℃，保持4小時后，不冷卻測試。給二極管加上反偏電壓，測試電壓分別為：220V機種用整流模塊：從1/2VRRM開始，以100V為步長漸漸增添至VRRM;380V機種用整流模塊：從2/3VRRM開始，以100V為步長漸漸增添至VRRM，記錄各電壓點的漏電流大小。測試時，電壓上漲時間設(shè)定為10秒，電壓保持時間為60秒，電壓降落時間設(shè)定為秒，漏電流上限設(shè)定為10mA，漏電流下限設(shè)定為0。在電壓保持時間內(nèi)，如漏電流值基本保持不變，可再向上提升一個步長的電壓值進行測試，如漏電流急劇上漲，則可停止實驗，記錄此時的電壓值，最大漏電流值，此時電壓值即為最大耐受電壓。查收準則：若知足：常溫下，測試電壓≤VRRM，漏電流≤IRRM；85℃溫度下，測試電壓≤VRRM，漏電流≤3IRRM；120℃溫度下，測試電壓≤VRRM，漏電流≤5IRRM，判斷為合格，不然不合格。（如器件資猜中給定了85℃或120℃時的IRRM值，則依85℃或120℃時的IRRM值判斷；如器件資猜中未給定85℃或120℃時的IRRM值，則以上述標準判斷）注意事項：整流二極管耐壓測試時，耐壓儀的測試模式選擇為直流耐壓測試；依照儀器使用說明書正確接線，紅色測試線為正極，接整流二極管的陰極，黑紅色測試線為負極，接整流二極管的陽極。4測試部測試規(guī)范6.2整流模塊絕緣耐壓測試測試說明：三相整流模塊裝置在同一塊散熱器上，大多半狀況下，三相逆變模塊也裝置在同一塊散熱器上，并且散熱器和機箱外殼是連結(jié)在一同的。整流模塊絕緣性能不夠可能會造成功率單元之間短路或變頻器使用者發(fā)生觸電危險。此測試是為了考證整流模塊端子和模塊底板之間的絕緣能力。測試設(shè)施：CS9932B型程控安規(guī)綜合測試儀（南京長盛儀器有限企業(yè)）測試方法：整流模塊獨自測試；在常溫下測試。將整流模塊的主端子所有短接起來，在主端子的短接線和模塊基板間施加測試電壓，測試電壓值為器件數(shù)據(jù)表給定的VISO（IsolationBreakdownVoltage）或VISOL，記錄測試過程的最大漏電流。測試時，電壓上漲時間設(shè)定為10秒，電壓連續(xù)時間為60秒，電壓降落時間設(shè)定為10秒，漏電流上限設(shè)定為5mA，漏電流下限設(shè)定為0。查收準則：耐壓測試結(jié)束器件未擊穿破壞，且漏電流≤2mA，判斷為合格，不然不合格。注意事項：依照儀器使用說明書正確接線；在假如功率模塊集成了整流、逆變單元，整流模塊絕緣測試和逆變模塊絕緣測試可以歸并進行，但注意另個把IGBT的門極端子所有短接好，在主端子和基板之間施加測試電壓。6.3IGBT柵-射極間漏電流測試（IGES）測試說明：因為器件自己特色，電路寄生參數(shù)或器件間相互耦合的原由，會使IGBT柵-射極間有剎時大電壓，此測試是為了考證IGBT柵-射極耐壓能力測試設(shè)施：TH2686電解電容漏電流測試儀（常州同惠電子有限企業(yè)）測試方法：IGBT模塊獨自測試；常溫下測試。將IGBT集-射極短路，在柵-射極間加測試電壓，柵極接正，射極接負。測試電壓分別為15V、20V、25V，分三次測試漸漸提升電壓等級；測試時，充電時間設(shè)定為3S，測試時間為5S，最大贊同漏電流數(shù)值設(shè)定為2IGES。測試時間內(nèi)，如漏電流值基本保持不變，方可再向上提升一檔電壓等級進行測試，如漏電流急劇上漲，則可停止實驗，記錄此時的電壓值，最大漏電流值，此時電壓值即為最大耐受電壓。5測試部測試規(guī)范查收準則：當知足柵-射極間漏電流≤IGES，且最大耐受電壓≥20V時，判斷為合格，不然不合格。注意事項：在進行測試前，應(yīng)先將IGBT集-射極短路。關(guān)于兩串通IGBT模塊，測試上橋時，須將上橋的CE兩頭短接，測試下橋時，須將下橋的CE兩頭短接。關(guān)于三相IGBT模塊，不論是測試哪一相，也不論是測試上橋仍是下橋，都必然將所測試的IGBTCE兩頭短接，上橋的CE和下橋的CE應(yīng)分別短接；IGBT柵-射極耐壓測試時，測試模式選擇為直流耐壓測試；依照儀器使用說明書正確接線，紅色測試線為正極，接IGBT柵極，黑紅色測試線為負極，接IGBT發(fā)射極。6.4IGBT斷態(tài)集-射極間漏電流測試（ICES）測試說明：變頻器在換流過程中，因為di/dt及寄生參數(shù)的影響，會使IGBT的VCE過高。此測試是為了考證IGBT集-射極耐壓能力。測試設(shè)施：CS9932B型程控安規(guī)綜合測試儀（南京長盛儀器有限企業(yè)）測試方法：IGBT模塊獨自測試；在常溫下測試。第一將IGBT的柵-射極之間用銅導線焊接使其靠譜短路，再給IGBT加上正偏電壓（集電極接正，發(fā)射極接負），測試電壓為VCES（Collector-emittersaturationvoltage），記錄此時的漏電流，即為Ices（Collector-emittercut-offcurrent），并填寫《IGBT模塊斷態(tài)漏電流(Ices)測試數(shù)據(jù)表》；在85℃環(huán)境溫度下測試?？墒褂铆h(huán)境實驗室的可程式恒溫恒濕實驗箱來對IGBT模塊進行加熱，設(shè)定溫度為85℃，設(shè)定濕度為0%（不控制濕度）。先將IGBT的柵-射極短路，并從IGBT的C極、E極引出測試線到實驗箱外。加溫至85℃并保持4小時以上，不冷卻測試。給IGBT加上正偏電壓（集電極接正，發(fā)射極接負），測試電壓分別為：220V機種用逆變單元，從1/2VCES開始，以100V為步長漸漸增添至VCES；380V機種用逆變單元，從2/3VCES開始，以100V為步長漸漸增添至VCES，測試漏電流大小，并記錄。測試時漸漸提升電壓等級；在120℃環(huán)境溫度下測試。繼85℃溫度下測試后再升溫至120℃，保持4小時后，不冷卻測試。將IGBT柵-射極短路，給IGBT加上正偏電壓（集電極接正，發(fā)射極接負），測試電壓分別為：220V機種用逆變單元，從1/2VCES開始，以100V為步長漸漸增添至VCES；380V機種用逆變單元：從2/3VCES開始，以100V為步長漸漸增添至VCES，測試漏電流大小，并記錄。測試時漸漸提升電壓等級。冷卻至常溫后測試。繼120℃環(huán)境下測試后，自然冷卻至常溫（擱置12小時以上），再進行測試。將IGBT柵-射極短路，給IGBT加上正偏電壓（集電極接正，發(fā)射極接負），測試電壓為VCES，記錄此時的漏電流。6測試部測試規(guī)范查收準則：當知足：常溫下測試電壓≥VCES，漏電流≤ICES；85℃高溫下測試電壓≥VCES，漏電流≤3ICES；120℃高溫下測試電壓≥VCES，漏電流≤5ICES；判斷為合格，不然不合格。（如器件資猜中給定了85℃或120℃時的ICES值，則依85℃或120℃時的ICES值判斷；如器件資猜中未給定85℃或120℃時的ICES值，則以上述標準判斷）注意事項：在進行測試前，必要將IGBT柵-射極之間靠譜短路，介紹直接用銅導線經(jīng)過錫焊連接的方式來進行短接。關(guān)于兩串連IGBT模塊，不論是測試上橋仍是下橋，都必然將上下橋的門極分別短接起來（上下橋門極之間不可以短路）。關(guān)于三相IGBT模塊，不論是測試哪一相，也不論是測試上橋仍是下橋，都必然將每一相的上下橋的門極都短接起來，三相上橋的門極須獨立短接，三相下橋的門極可短接在一同；為了方便測試，在將IGBT模塊放入實驗箱以前可將模塊各個測試端子用導線引出到體外；假如是用螺釘連結(jié)的端子，要特別注意采用合適的螺釘長度，免得過長的螺釘破壞到IGBT內(nèi)部的晶圓。IGBT集-射極耐壓測試時，測試儀器的測試模式選擇為直流耐壓測試；依照儀器使用說明書正確接線，紅色測試線為正極，接IGBT集電極，黑色測試線為負極，接IGBT發(fā)射極。6.5IGBT模塊絕緣耐壓測試測試說明：三相逆變模塊裝置在同一塊散熱器上，大多半狀況下，也和三相整流模塊裝置在同一塊散熱器上，并且散熱器和機箱外殼是連結(jié)在一同的。逆變模塊絕緣性能不夠可能會造成功率單元之間短路或變頻器使用者發(fā)生觸電危險。此測試是為了考證逆變模塊端子和模塊底板之間的絕緣能力。測試設(shè)施：CS9932B型安規(guī)綜合測試儀（南京長盛儀器有限企業(yè)）測試方法：模塊獨自測試；在常溫下測試。將IGBT模塊的主端子和門極端子分別短接起來，在主端子和模塊基板之間施加測試電壓，測試電壓為器件數(shù)據(jù)表給定的VISO或VISOL，記錄測試過程的最大漏電流。測試時，電壓上漲時間設(shè)定為10秒，電壓連續(xù)時間為60秒，電壓降落時間設(shè)定為10秒，漏電流上限設(shè)定為10mA，漏電流下限設(shè)定為0。查收準則：耐壓測試結(jié)束，器件未擊穿破壞，且漏電流≤2mA，判斷為合格，不然不合格。注意事項：依照儀器使用說明書正確接線；假如功率模塊集成了整流、逆變單元，整流模塊絕緣測試和逆變模塊絕緣測試可以7測試部測試規(guī)范歸并進行，但注意其他把IGBT的門極端子所有短接好，在主端子和基板之間施加測試電壓。6.6IGBT驅(qū)動波形測試測試說明：測試變頻器在不一樣樣樣的運轉(zhuǎn)狀態(tài)下，IGBT驅(qū)動波形能否正常測試設(shè)施：數(shù)字示波器測試方法：在變頻器上測試；丈量IGBT門極引腳處的電壓波形。為了盡量減小波形失真，建議使用間隔電源給示波器供電，并使用以以下圖所示的兩種方法連結(jié)示波器探頭。（圖1使用帶短地線的探頭帽，2使用同軸轉(zhuǎn)接頭自制的小工具。）圖1圖2波形察看：察看1個SPWM周期和3~5個開關(guān)周期的波形，看能否有異樣。波形測試：丈量單次開通關(guān)斷門極電壓波形，同時也可丈量門極電流波形（利用示波器的邏輯運算功能，可丈量出門極驅(qū)動波形功率）。測試變頻器在正常運轉(zhuǎn)時載頻為缺省載頻，負載分別為電機空載、滿載狀態(tài)下的門極驅(qū)動電壓波形（包含開通和關(guān)斷波形），并記錄；變頻器載頻為缺省載頻，丈量變頻器處于限流、臨界過壓（過壓點設(shè)為最大值）、短路狀態(tài)下的門極驅(qū)動電壓波形（包含開通和關(guān)斷波形），并記錄；查收準則：如圖3、圖4中的開通波形圓滑無震蕩，或有少量震蕩，但震蕩峰值電壓不超出±20V，判斷為合格。8測試部測試規(guī)范圖3圖4如圖5中，開通波形中有段跌落，且跌至門檻電壓以下；圖6中開通波形有強烈震蕩，且震蕩峰值電壓超出20V，均判斷為不合格。圖5圖6如圖7，關(guān)斷波形中有強烈震蕩，且震蕩峰值電壓低于-20V，判斷為不合格7注意事項：焊接的IGBT應(yīng)依照如圖1所示的方法連結(jié)示波器探頭，插接的IGBT若不便于如圖1所示擱置探棒，可用標準探頭，但需將地線環(huán)繞在探棒上，盡量使探頭主信號線與地線組成的回路面積最小。為了盡量減小因為示波器各通道之間相互耦合造成測試波形失真的影響，六橋驅(qū)動波形獨自抓取。如需同時丈量上下橋驅(qū)動電壓波形，必然要將所使用的兩個通道間隔。即一個通道用一般探頭丈量，另一個通道用有源差分探頭丈量，并且注意把有源差分探頭的電9測試部測試規(guī)范源間隔或?qū)⒉罘痔筋^的電源適配器的地線端去掉，不然可能會破壞差分探頭。抓取波形時，示波器橫軸時間軸設(shè)為1μS/div,縱軸幅值軸設(shè)為5V/div。每種運轉(zhuǎn)狀態(tài)下，分以下兩種狀況記錄波形：IGBT經(jīng)過電流時的開通關(guān)斷波形和續(xù)流二極管經(jīng)過電流時的開通關(guān)斷波形。6.7IGBT開通、關(guān)斷時間測試測試說明：IGBT開關(guān)時間的快慢直接影響模塊的開關(guān)耗資、IGBT關(guān)斷時的VCE及硬件死區(qū)時間。測試設(shè)施：數(shù)字示波器測試方法：在整機上測試；IGBT開通、關(guān)斷時間測試可以在IGBT驅(qū)動波形測試的過程中進行，記錄波形的Risetime與Falltime，即為IGBT開通與關(guān)斷時間；丈量變頻器在正常運轉(zhuǎn)時載頻為缺省載頻，負載分別為電機空載、滿載、限流狀態(tài)下的IGBT開通、關(guān)斷時間，并填寫《驅(qū)動波形及驅(qū)動死區(qū)時間測試數(shù)據(jù)表》。查收準則：如μS≤開通時間≤μμS≤關(guān)斷時間≤μS，判斷為合格，不然不合格注意事項：用示波器丈量波形時，要使探棒回路面積盡量?。患賾n如時丈量上下橋驅(qū)動電壓波形，必然使兩個丈量通道之間相間隔。即一個通道用一般探頭丈量，另一個通道用高壓差分探頭丈量，并且注意把有源差分探頭的電源間隔或?qū)⒉罘痔筋^的電源適配器的地線端去掉，不然可能會燒壞差分探頭。抓取波形時，示波器橫軸時間軸設(shè)為1μS/div,縱軸幅值軸設(shè)為5V/div。6.8IGBT驅(qū)動電壓幅值測試測試說明：10測試部測試規(guī)范測試變頻器在不一樣樣樣的運轉(zhuǎn)狀態(tài)下，IGBT驅(qū)動電壓幅值能否正常。測試設(shè)施：數(shù)字示波器測試方法：在變頻器上測試；IGBT開通、關(guān)斷驅(qū)動電壓幅值測試可以在IGBT驅(qū)動波形測試的過程中進行，記錄波形的Top與Base，即為IGBT開通驅(qū)動電壓幅值與關(guān)斷驅(qū)動電壓幅值；丈量變頻器在正常運轉(zhuǎn)時載頻為缺省載頻，負載分別為電機空載、滿載、限流狀態(tài)下的IGBT開通、關(guān)斷驅(qū)動電壓幅值，并填寫《驅(qū)動波形及驅(qū)動死區(qū)時間測試數(shù)據(jù)表》。查收準則：13.0V≤開通驅(qū)動電壓幅值≤16.0V，-12V≤關(guān)斷驅(qū)動電壓幅值≤0V，判斷為合格，不然不合格注意事項：用示波器丈量波形時，要使探棒回路面積盡量??；假憂如時丈量上下橋驅(qū)動電壓幅值，必然使兩個丈量通道之間相間隔。抓取波形時，示波器橫軸時間軸設(shè)為1uS/div,縱軸幅值軸設(shè)為5V/div。6.9IGBT上下橋驅(qū)動死區(qū)時間測試測試說明：IGBT上下橋死區(qū)時間的長短直接影響變頻器工作的安全靠譜性和輸出電流諧波。測試設(shè)施：數(shù)字示波器測試方法：本測試規(guī)范中IGBT上下橋死區(qū)時間定義為：從上橋（下橋）IGBT柵-射極驅(qū)動電壓降至0V到下橋（上橋）IGBT柵-射極驅(qū)動電壓升至0V的時間，如圖8所示：811測試部測試規(guī)范在變頻器上測試；用示波器同時丈量同相的上下橋驅(qū)動電壓波形（注意把上下橋之間的測嘗試頭隔），在抓取的波形上用示波器的游標丈量功能丈量死區(qū)時間；測試變頻器在正常運轉(zhuǎn)時，載頻分別為缺省載頻和最高載頻，負載分別為電機空載、滿載、限流狀態(tài)下IGBT上下橋死區(qū)時間，并填寫《驅(qū)動波形及驅(qū)動死區(qū)時間測試數(shù)據(jù)表》。查收準則：220V、380V電壓等級變頻器的上下橋死區(qū)時間≥2.0μS，判斷為合格，不然不合格660V電壓等級變頻器的上下橋死區(qū)時間≥3.0μS，判斷為合格，不然不合格1140V電壓等級變頻器的上下橋死區(qū)時間≥4.0μS，判斷為合格，不然不合格高壓變頻器上下橋死區(qū)時間≥μS，判斷為合格，不然不合格注意事項：同時丈量上下橋驅(qū)動波形的死區(qū)時間，必然使兩個丈量通道之間相間隔。即一個通用一般探頭丈量，另一個通道用有源差分探頭丈量，并且注意把有源差分探頭的電源間隔或?qū)⒉罘痔筋^的電源適配器的地線端去掉，不然可能會燒壞差分探頭。用示波器丈量波形時，要使探棒回路面積盡量小。抓取波形時，示波器橫軸時間軸設(shè)為500nS/div,縱軸幅值軸設(shè)為10V/div。整流二極管電壓應(yīng)力測試測試說明：測試變頻器在正常運轉(zhuǎn)狀態(tài)下整流二極管電壓應(yīng)力降額使用范圍。測試設(shè)施：數(shù)字示波器、高壓間隔探頭測試方法：在變頻器上測試；測試臨界過壓（過壓點設(shè)為最大值）狀況下整流二極管電壓應(yīng)力。丈量整流二極管陰陽極之間的電壓波形，并記錄其最大值。查收準則：如最大值≤0.8VRRM，則判斷為合格；不然不合格注意事項：丈量整流二極管陰陽極之間的電壓波形時可用間隔高壓探棒12測試部測試規(guī)范整流二極管穩(wěn)態(tài)電流應(yīng)力測試測試說明：測試變頻器在各樣運轉(zhuǎn)狀態(tài)下整流二極管電流應(yīng)力降額使用范圍。測試設(shè)施：數(shù)字示波器、電流槍（柔性探頭）測試方法：在變頻器上測試；分別測試變頻器處于滿載輸出狀態(tài)和限流狀態(tài)時整流模塊的電流應(yīng)力。關(guān)于二管封裝的整流模塊，丈量其輸入電流有效值IIN_RSM；關(guān)于六管封裝的整流模塊，可以丈量其輸入電流有效值IIN_RSM，也丈量其直流側(cè)的電流有效值IDC_RSM。查收準則：關(guān)于二管封裝的整流模塊，當0.9IIN_RSM≤IFAV，則判斷為合格，不然不合格。關(guān)于六管封裝的整流模塊，當6IIN_RSM≤ID或IDC_RSM≤ID，則判斷為合格，不然不合格。以上查收準則中：IFAV為整流管正向均勻電流。ID為整流模塊直流輸出電流“OutputCurrent(D.C.)”。6.12IGBT瞬態(tài)電壓應(yīng)力測試測試說明：測試變頻器在極端嚴酷的狀況（如輸出短路）下，IGBT電壓應(yīng)力降額使用范圍。測試設(shè)施：數(shù)字示波器、高壓間隔探棒測試方法：本測試規(guī)范中，IGBT電壓應(yīng)力定義為IGBT關(guān)斷時的VCE最大值；IGBT電壓應(yīng)力測試可以在變頻器輸出相間短路測試中進行。短路測試時使用特制的短路測試工裝，小短路測試工裝規(guī)定導線長度1米，導線截面積162mm，合用30KW以下變頻器的短路測試；大短路測試工裝規(guī)定導線長度1米，導線截面積2以上變頻器的短路測試。50mm，合用37KW短路測試中，丈量上橋或下橋IGBT的集-射極電壓（VCE），并記錄其峰值，計算△U=VCE峰值-實驗中的變頻器的母線電壓值。測試中注意鑒別所丈量的Vce電壓能否正確，正確的IGBT發(fā)生短路關(guān)斷時的電壓波形應(yīng)如圖9中的綠色波形，在IGBT關(guān)斷時（電流開始降落時）Vce應(yīng)有顯然的沖高過程。記錄短路測試數(shù)據(jù)并填寫《變頻器輸出短路測試數(shù)據(jù)表》。13測試部測試規(guī)范圖9查收準則：1.15U+△U≤0.9VCES時判斷為合格，不然不合格式中U=變頻器的額定母線電壓，△U=VCE峰值-實驗中的變頻器母線電壓值，VCES=IGBT數(shù)據(jù)表給出的參數(shù)。注意事項：丈量VCE時注意采用量程足夠高的高壓探棒。6.13IGBT瞬態(tài)電流應(yīng)力測試測試說明：測試變頻器在極端嚴酷的狀況（如輸出短路）下，IGBT電流應(yīng)力降額使用范圍。測試設(shè)施：數(shù)字示波器DSO6014A（安捷倫企業(yè)）、電流槍（HALL）、短路測試工裝。測試方法：本測試規(guī)范中，IGBT電流應(yīng)力定義為流過單管IGBT的最大電流值；IGBT電流應(yīng)力測試可以在變頻器輸出相間短路測試中進行。短路測試時，丈量并記錄短路電流的最大值。查收準則：假如短路電流上漲時間≤10μS；并且短路電流峰值＜10倍IGBT額定電流，則判斷為合格，不然不合格。短路電流上漲時間是指從短路電流開始上漲到IGBT開始保護關(guān)斷的時間。如圖10、14測試部測試規(guī)范圖11中綠色波形為變頻器相間短路時的電流波形，它們的短路電流上漲時間以以以下圖。注意事項：短路測試時，變頻器有可能會炸機，人不要離變頻器太近。丈量短路電流上漲時間時，IGBT保護關(guān)斷是以短路電流降落為依照的，但應(yīng)注意劃分模塊短路自限流功能造成的短路電流降落、IGBT保護關(guān)斷造成的短路電流降落及IGBT在保護關(guān)斷以前恰遇到窄脈沖關(guān)斷造成的短路電流降落。6.14IGBT均流測試測試說明：大功率變頻器為了達到功率要求，一般會將多個IGBT模塊并聯(lián)使用，因為IGBT器件自己特色和布線等方面的原由，可能會使并聯(lián)的IGBT模塊經(jīng)過的電流表現(xiàn)不平衡性。測試設(shè)施：數(shù)字示波器、電流槍（柔性探頭）測試方法：同時丈量并聯(lián)模塊開通、關(guān)斷時門極電壓波形，并記錄；同時丈量并聯(lián)模塊的輸出電流波形，并記錄波形及有效值。查收準則：如并聯(lián)模塊輸出電流有效值之間的差值≤3%的模塊額定電流值，判斷為合格，不然不合格。注意事項：同時丈量并聯(lián)模塊開通、關(guān)斷門極電壓波形時，應(yīng)使通道之間相互間隔，以防范將各并聯(lián)模塊的門極電路短路。附件1：IGBT模塊Ices測試數(shù)據(jù)記錄表六單元IGBT模塊斷態(tài)漏電流(Ices)測試數(shù)15測試部測試規(guī)范附件2：IGBT驅(qū)動波形及死區(qū)時間測試數(shù)據(jù)記錄表變頻器輸出短路測試數(shù)據(jù)表.doc16測試部測試數(shù)據(jù)表二單元IGBT模塊斷態(tài)漏電流(Ices)測試數(shù)據(jù)表1、Ices型號：型號：型號：編號：編號：編號：條件上管下管上管下管上管下管常溫①85℃120℃常溫②備注：常溫①是指樣品未經(jīng)高溫條件下測試的測試條件；常溫②是指經(jīng)過高溫測試后溫度恢復到常溫再測試的測試條件。2、Ices型號：型號：型號：編號：編號：編號：條件上管下管上管下管上管下管常溫①85℃120℃常溫②備注：常溫①是指樣品未經(jīng)高溫條件下測試的測試條件；常溫②是指經(jīng)過高溫測試后溫度恢復到常溫再測試的測試條件。3、Ices型號：型號：型號：編號：編號：編號：條件上管下管上管下管上管下管常溫①85℃120℃常溫②備注：常溫①是指樣品未經(jīng)高溫條件下測試的測試條件；常溫②是指經(jīng)過高溫測試后溫度恢復到常溫再測試的測試條件。測試部測試數(shù)據(jù)表六單元IGBT模塊斷態(tài)漏電流(Ices)測試數(shù)據(jù)表1、模塊型號：

模塊編號：Ices

IGBT

斷態(tài)漏電流

(單位：mA)條件

U

上橋

V

上橋

W

上橋

U

下橋

V

下橋

W

下橋常溫①85℃120℃常溫②備注：常溫①是指樣品未經(jīng)高溫條件下測試的測試條件；常溫②是指經(jīng)過高溫測試后溫度恢復到常溫再測試的測試條件。2、模塊型號