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CMOS硅晶圓(Silicon單晶生柱狀晶體:直徑75~300mm,長度1m在晶體生長時參切割成硅晶
1015/0.5~0.7mm厚,厚度由物理強度~在硅表面形成二氧化硅(SiO2)用氧化物在硅表面生長生長方干法(薄氧100~1000濕法(厚氧生長的溫度:700~1100兩種擴散機在高溫下進參雜的精確在低溫下進需要退火處~用氮化氧化金不同的技術(shù)蒸濺化學(xué)刻蝕~去除 選擇性和各向兩種基本的刻蝕~基本單掩模:和版圖數(shù)據(jù)相對應(yīng),使光刻膠部分區(qū) 光刻。正膠 在紫外光下的區(qū)域?qū)コ撃z— 在紫外光下的區(qū)域?qū)コ纬蓤D形的材料:如二氧化方式:接觸式、接近式、投影式(掃描和步進光源:UV步驟涂膠→預(yù)烘 (光刻版)→顯影→堅膜→刻蝕→去膠N阱CMOS閾值電壓“自對準”LDD輕參雜N阱CMOSP
PPnN阱CMOSN型場注PnPnPnN阱CMOSnP
nPN阱CMOSPPn
nS/DFFnPnN阱CMOS
nS/DLDDFnPnLDD擴LDD擴Pn形成n溝道LDD晶體管和p溝道LDD晶體N阱CMOS
nPnCVD氧CVD氧PnN阱CMOSPolysideSilicide減小電阻率:TiSi2、WSi2、N阱CMOSN阱CMOSnnPWWLN 最小寬度最小間距最小間距最小包圍最小延展 限制和柵極相連的大每一個電阻層的矩形RLRR L
,W=20um,L=2R=(20/2)×10=100N擴散電阻P+擴散電阻N阱夾斷多晶-擴散多晶
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