西安郵電學(xué)院新型顯示技術(shù)概述

新型顯示技術(shù)

NewDisplayTechnologyPDP工藝流程PDP工藝流程Sputtering：ITO涂布Photoresistcoating：光阻膜涂覆（感光保護(hù)膜）Etching：刻蝕ResistStripping：抗剝落處理Photopaste：感光膠Pasteprinting:膠印Agpaste：銀膠Exposing：曝光Developing:顯影Dielectric：電介質(zhì)Magnet：磁體Beam：束Focusingcoil：聚焦線圈ScreenPrinting：絲網(wǎng)印刷（絲?。㏒queegee：刮漿刀Mesh：絲網(wǎng)Paste：膠料Emulsion：感光乳劑RIBPasteCoating：障壁材料粘附Exposing：曝光Mask：光刻掩模Developing：顯影Sand-Blasting：吹砂-Nozzle：噴嘴Cuttingpellet：砂粒BarrierRIB：障壁間隔Sealing：封接Dispenser：給料器Fritdispensing：燒料分配Dryingprebaking：干燥預(yù)烤Assembly：總裝Fixedclip：固定夾Tubeconnect：接管Exhausting：抽氣（抽真空）Gauge：計量儀Tipoff：封嘴數(shù)據(jù)來源：中華映管新型顯示技術(shù)4數(shù)據(jù)來源：中華映管新型顯示技術(shù)5PDP工藝流程不論是上板工藝流程或下板工藝流程，一定由空白的平面透明玻璃基板開始玻璃基板要能承受熱處理溫度(450至600oC)，不會有收縮或彎曲變形過大的問題發(fā)生產(chǎn)生收縮或彎曲變形過大時，將使得上、下板中的對位記號(AligmentMark)，及其他各層電路圖案位置產(chǎn)生位移量產(chǎn)玻璃基板是采用高應(yīng)力點的玻璃基板來解決熱處理應(yīng)力要求AsahiPD200有直接提供鍍有ITO薄膜的玻璃基板新型顯示技術(shù)6數(shù)據(jù)來源：中華映管新型顯示技術(shù)71、透明電極制作透明電極功能，是作為表面放電維持電極使用透明目的，是為了避免螢光粉被紫外線激發(fā)出之可見光被阻擋，使面板的亮度降低目前量產(chǎn)上所使用的透明電極材料，包括氧化銦錫(ITO，Tin-DopedIndiumOxide)氧化錫(SnO2，TinOxide)兩種ITO膜的導(dǎo)電率與透光率較SnO2膜為佳新型顯示技術(shù)8數(shù)據(jù)來源：中華映管新型顯示技術(shù)92、金屬輔助電極制作透明電極的電阻值仍然過高，為避免在放電時電壓下降過大，導(dǎo)致應(yīng)用在大尺寸PDP時，無法產(chǎn)生均勻放電，故在其上方制作較窄的金屬輔助電極(BusElectrode)，以增加其導(dǎo)電率目前量產(chǎn)上所使用的導(dǎo)電電極，包括有鉻/銅/鉻銅導(dǎo)電率高，但工藝流程中亦被氧化增加電阻，且容易被封合膠浸蝕產(chǎn)生斷線鉻抗氧化及耐蝕性均較銅佳以濺鍍及濕式蝕刻制作，精密度佳銀-可用直接圖案印刷，成本低新型顯示技術(shù)10數(shù)據(jù)來來源：：中華華映管管新型顯顯示技技術(shù)113、黑色色對比比層制制作黑色對對比層層功能能，是是增加加面板板影像像的對對比，，減少少外界界光的的反射射影響響此層是是形成成於每每個放放電單單元中中，兩兩條透明電電極的的兩側(cè)黑色對對比層層制作作方式式有兩兩種直接圖圖案印印刷黃光濕濕式蝕蝕刻法法新型顯顯示技技術(shù)124、透明明介電電層制制作透明介介電層層功能能，是是在使使用AC時作為為儲存存電荷荷的電容，，及在在驅(qū)動動面板板時提提供壁壁電荷荷，以以降低低驅(qū)動動電壓壓透明介介電層層材料料主要要成份份是玻玻璃粉粉，是是以厚厚膜工工藝流流程中中的平平面印印刷法法為主主平面印印刷是是網(wǎng)版上沒沒有圖圖案(Pattern)，印刷上較較有圖案的的印刷簡單新型顯示技技術(shù)13數(shù)據(jù)來源：：中華映管管新型顯示技技術(shù)145、保護(hù)層制制作保護(hù)層目的的，包括有有在等離子體體環(huán)境中耐耐離子撞擊擊，以保護(hù)護(hù)其下部的的各層材料料較高的二次次電子發(fā)射射效率，以以降低產(chǎn)生生氣體放電電的最低啟啟動電壓保護(hù)層材料料以氧化鎂鎂(MgO)為主MgO保護(hù)層制作作方法，包包括有漿料涂布法法濺鍍法電子束蒸鍍鍍法離子電鍍法法等新型顯示技技術(shù)15數(shù)據(jù)來源：：中華映管管新型顯示技技術(shù)161、數(shù)據(jù)電極極制作數(shù)據(jù)(Data)電極功能，，是作為寫寫入數(shù)據(jù)用用，亦稱尋址電極(AddressElectrode)數(shù)據(jù)電極層層所使用材材料，與上板的金屬輔助電電極一樣的，包括有有銀電極、、銀感光性性膠膜或鉻鉻/銅/鉻電極，目目前主要以以直接印刷刷銀電極為主要要工藝流程程新型顯示技技術(shù)17數(shù)據(jù)來源：：中華映管管新型顯示技技術(shù)182、白色反射射層制作增加白色反反射層目的的，包括有有提供一平坦坦表面，使使得後續(xù)阻阻隔壁工藝藝流程容易易制作保護(hù)數(shù)據(jù)電電極免受到到後續(xù)工藝藝流程的損損傷增加螢光反反射，以提提高面板亮亮度工藝流程有有兩種方式式直接以平面面印刷法涂涂布介電層層漿料壓合介電層層膠膜新型顯示技技術(shù)193、阻隔壁制制作(1)阻隔壁(Rib)功能主要有有二：當(dāng)做上、下下玻璃板間間的支撐物物或間隔物物(Spacer防止螢光粉粉的混色隨著對PDP對比與亮度度要求，目目前阻隔壁壁已分為上上、下層兩兩種顏色上層為黑色色，目的是是增加畫面面之對比下層為白色色可反射可可見光，以以增加畫面面之亮度新型顯示技技術(shù)203、阻隔壁制制作(2)量產(chǎn)方式，，以噴砂法法為主流先在白色反反射層上，，以厚膜工工藝流程方方式，各別別地依序涂涂布一定厚厚度的白色色層與黑色色層乾燥後進(jìn)行行噴砂最後進(jìn)行燒燒結(jié)新型顯示技技術(shù)21數(shù)據(jù)來源：：中華映管管新型顯示技技術(shù)224、螢光層制制作螢光層是涂涂布在阻隔隔壁的兩側(cè)側(cè)與各阻隔隔壁之間，，且相鄰兩兩色間不可可有混色現(xiàn)現(xiàn)象一般多采用用印刷方式式，將不同同色之螢光光粉漿料分分別地填入入各阻隔壁壁之間，因因此RGB三色需要印刷刷三次新型顯示技術(shù)術(shù)23數(shù)據(jù)來源：中中華映管新型顯示技術(shù)術(shù)245、封合層制作作封合層目的，，是為了將兩兩片玻璃貼合合在一起，且且要能防止填填充氣體的漏漏氣若有漏氣現(xiàn)象象則放電氣體體會有污染問問題發(fā)生，且且造成每個胞胞的啟動電壓壓有很大變化化目前封合層涂涂布方式，以以點膠涂布機(jī)機(jī)制作，當(dāng)涂涂布完成後要要先進(jìn)行預(yù)熔熔步驟，將有有機(jī)物質(zhì)去除除新型顯示技術(shù)術(shù)25數(shù)據(jù)來源：中中華映管新型顯示技術(shù)術(shù)26數(shù)據(jù)來源：中中華映管新型顯示技術(shù)術(shù)27封合和組裝工工藝流程當(dāng)上板工藝流流程與下板工工藝流程分別別完成後，必必須進(jìn)行上、、下兩片玻璃璃基板貼合工工作上板與下板工工藝流程中，，分別已有設(shè)設(shè)計對位記號號，利用自動動對位貼合機(jī)機(jī)將玻璃貼合合在一起將玻璃抽氣管管固定貼合在在背板的抽氣氣口上，再將將此組合面板板同時進(jìn)行烘烘烤與抽氣工工藝流程此工藝流程是是將面板中的的空氣與烘烤烤中所產(chǎn)生的的有機(jī)廢氣排排除，以避免免影響後續(xù)所所填充惰性氣氣體的純度，，而導(dǎo)致各胞胞的啟動電壓壓變高，並降降低面板壽命命新型顯示技術(shù)術(shù)28數(shù)據(jù)來源：中中華映管新型顯示技術(shù)術(shù)29PDP制造流程及其其技術(shù)發(fā)展1.玻璃璃基板技術(shù)要求:表面平坦，應(yīng)變點溫度高高，熱膨脹系數(shù)與與電極材料和和介質(zhì)材料匹匹配。實用材料：（1）普通平平板鈉鈣玻璃璃優(yōu)點：價格便宜，與與已開發(fā)出的的彩色PDP所用的其它材材料相匹配。。缺點：應(yīng)變點低（一一般為500℃左右），熱穩(wěn)定性差差。（一）彩色AC-PDP的主要部件及及其制作材料料彩色AC-PDP主要部件

前基板后基板排氣管玻璃封接透明電極匯流電極介質(zhì)層MgO膜熒光粉氣體放電空間障壁介質(zhì)層尋址電極新型顯示技術(shù)術(shù)31玻璃的幾個特特征溫度轉(zhuǎn)換溫度指玻璃成塑性性體與彈性體體之間的分界界溫度。它相相當(dāng)于玻璃粘粘度為1013Pa.s時的溫度。在在此溫度下，，玻璃體內(nèi)的的應(yīng)力大約需需保溫4h才可基本消除除。退火溫度它相當(dāng)于玻璃璃粘度為1012Pa.s時的溫度。在在該溫度時，，玻璃處于塑塑性狀態(tài)，玻玻璃體內(nèi)應(yīng)力力只需保溫4min就可基本消除除。軟化溫度玻璃由塑性狀狀態(tài)變?yōu)榫哂杏辛鲃有阅軙r時的溫度，稱稱為軟化溫度度。它相當(dāng)于于粘度為105Pa.s時的溫度。新型顯示技術(shù)術(shù)32鈉鈣玻璃由于于冷卻速度不不同造成熱處處理后的變形形鈉鈣玻璃在電電極漿料燒結(jié)結(jié)后的產(chǎn)生的的彎曲新型顯示技術(shù)術(shù)33（2）PDP專用基板玻璃璃優(yōu)點：高應(yīng)變點，如PD200（（應(yīng)變點570℃）、CS25（應(yīng)變點610℃），熱穩(wěn)定性好。。缺點：價格昂貴新型顯示技術(shù)術(shù)34PDP用玻璃基板生生產(chǎn)廠家日本：主要有旭硝子子、Central硝子、日本板板硝子等公司司。旭硝子于1991年前后后與PDP廠家簽訂共同同開發(fā)合司；；1992年制制成PDP用玻璃板；l995年夏購入PDP用玻璃基板的的浮法生產(chǎn)設(shè)設(shè)備，同年開開始出售小批量產(chǎn)品品；1996年7月發(fā)表關(guān)于于PDP高應(yīng)變溫度玻玻璃的信息。。其他：美國Corning公司和法國SaintGobain公司聯(lián)合進(jìn)行行PDP用玻璃基板的的生產(chǎn)。新型顯示技術(shù)術(shù)35（二）透明電電極作用：透明電極僅設(shè)設(shè)置在AC-PDP的前基板上，，減少對可見見光的阻擋，，并與同一基基板上設(shè)置的的匯流電極成成對構(gòu)成放電電用的電極，，即顯示電極極。技術(shù)要求:可見光透過率率高，電導(dǎo)率率高，刻蝕性性能優(yōu)良。新型顯示技術(shù)術(shù)36實用材料：氧化銦錫（ITO）薄膜、SnO2薄膜。ITO膜采用氧化銦銦與氧化錫比比值大致為9：1的混合合物靶通過濺濺射法制?。泳哂袃?yōu)優(yōu)良的光透射射率及導(dǎo)電性性。PDP用ITO膜的表面電阻阻從20—30／(每單位面積電電阻，膜厚1500A)到1000／(膜厚500A)。新型顯示技術(shù)術(shù)37ITO薄膜特點：ITO工藝成熟，刻刻蝕性能良好好，但在PDP工藝中經(jīng)過高高溫處理時，，阻值變化較較大。SnO2薄膜特點：成膜工藝簡單單，成本低，，且熱穩(wěn)定性性好，但其刻刻蝕性能不易易掌握。新型顯示技術(shù)術(shù)38（三）匯流電電極和尋址電電極匯流電極:?作用:減小顯示電極極電阻?要求:導(dǎo)電性能好，，與透明導(dǎo)電電薄膜附著力力強(qiáng)?制作材料和方方法:Cr-Cu-Cr薄膜磁控濺射法制制備薄膜，刻刻蝕成形Ag漿料絲網(wǎng)印刷圖形形，燒結(jié)制成成光敏Ag漿料絲網(wǎng)印刷，光光刻成形，燒燒結(jié)制成新型顯示技術(shù)術(shù)39尋址電極:?要求:導(dǎo)電性能好，，與基板玻璃璃附著力強(qiáng)。。?制作材料和方方法:Ag漿料絲絲網(wǎng)印刷圖圖形，燒結(jié)制制成。光敏Ag漿料絲絲網(wǎng)印刷，，光刻成形，，燒結(jié)制成。。新型顯顯示技技術(shù)40（四））介質(zhì)質(zhì)層?作用:把電極極與放放電等等離子子體分分隔開開，限限制了了放電電電流流的無無限增增長，，保護(hù)護(hù)了電電極；；使AC-PDP工作在在存儲儲模式式,有利于于降低低放電電的維維持電電壓。。?材料:介質(zhì)漿漿料主主要由由玻璃璃粉、、樹脂脂粘結(jié)結(jié)劑、、溶劑劑等組組成。。新型顯顯示技技術(shù)41介質(zhì)漿漿料種種類:(1)流流動型型介質(zhì)燒燒結(jié)溫溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于于介質(zhì)質(zhì)的軟軟化點點。特點：：透過過率高高，表表面平平滑性性好，，但與與電極極反應(yīng)應(yīng)大，，絕緣緣性能能不如如軟化化型漿漿料。。(2)軟化化型介質(zhì)的的燒結(jié)結(jié)溫度度在介介質(zhì)的的軟化化點附附近。。特點：：絕緣緣性能能良好好，與與電極極反應(yīng)應(yīng)小，，但表表面平平滑性性差、、透過過率低低。新型顯顯示技技術(shù)42兩種介介質(zhì)層層材料料性能能的比比較新型顯顯示技技術(shù)43（五））介質(zhì)質(zhì)保護(hù)護(hù)膜?作用:延長顯顯示器器的壽壽命；；增加工工作電電壓的的穩(wěn)定定性；；降低器器件的的著火火電壓壓；減小放放電的的時間間延遲遲。新型顯顯示技技術(shù)44?技術(shù)要要求:①二次次電子子發(fā)射射系數(shù)數(shù)高；；②表面面電阻阻率及及體電電阻率率高：：s>1012Ω/□□，v>1011Ω.m；③耐離子子轟擊擊；④擊穿穿強(qiáng)度度高：：E>(8-10)×106v/m；⑤與介介質(zhì)層層的膨膨脹系系數(shù)相相近；；⑥放電電延遲遲?。?；⑦易于于制備備。新型顯顯示技技術(shù)45?材料:可供選選擇的的保護(hù)護(hù)膜材材料有有：（1））堿金金屬氧氧化物物（CsO）：：優(yōu)點是是使PDP工作電電壓低低，缺缺點是是CsO在空氣氣中極極不穩(wěn)穩(wěn)定，，難以以制備備保護(hù)護(hù)膜。。（2））堿土土金屬屬（ⅡⅡA族）氧氧化物物：BaO，MgO，CaO，SrO工作電電壓低低，且且提高高了PDP的工作作穩(wěn)定定性，，但它它們在在空氣氣中的的穩(wěn)定定性也也較差差。（3））ⅢB及Ⅳ族族氧化化物：：Al2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，HfO2等，，工工作作穩(wěn)穩(wěn)定定性性好好，，但但工工作作電電壓壓高高。。新型型顯顯示示技技術(shù)術(shù)46（4））La系金金屬屬氧氧化化物物：：La2O3、CeO2等，，工工作作電電壓壓低低，，工工作作穩(wěn)穩(wěn)定定，，但但放放電電延延時時大大。。以上上材材料料中中，，MgO薄膜膜不不僅僅具具有有很很強(qiáng)強(qiáng)的的抗抗濺濺射射能能力力，，而而且且有有很很高高的的二二次次電電子子發(fā)發(fā)射射系系數(shù)數(shù)，，有有利利于于提提高高PDP的壽壽命命和和降降低低PDP的工工作作電電壓壓；；MgO薄膜膜最最適適合合作作為為PDP的介介質(zhì)質(zhì)保保護(hù)護(hù)薄薄膜膜。。新型型顯顯示示技技術(shù)術(shù)47MgO晶體體的的性性質(zhì)質(zhì)MgO是一一種種面面心心立立方方晶晶體體，，其其晶晶格格常常數(shù)數(shù)為為4.213?，，主要要以以(111)、、(200)、、(220)三三種種晶晶面面取取向向存存在在。。MgO的禁禁帶帶寬寬度度為為6-7.8eV，，逸出出功功為為6.85eV-8.65eV。。(1)物物理理特特性性：：熔點點為為2827℃℃，，折折射射率率為為1.7，，對對紫紫外外區(qū)區(qū)強(qiáng)強(qiáng)烈烈的的吸吸收收，，對對可可見見光光區(qū)區(qū)透透明明，，介電電常常數(shù)數(shù)為為9~10，，表表面面電電阻阻率率ρs>1012Ω/口，，體電電阻阻率率高高ρv=1011~1013Ω.m新型型顯顯示示技技術(shù)術(shù)48(2)化學(xué)學(xué)性性質(zhì)質(zhì)在室室溫溫下下空空氣氣中中發(fā)發(fā)生生以以下下反反應(yīng)應(yīng)：：在高高溫溫下下將將發(fā)發(fā)生生以以下下反反應(yīng)應(yīng)：：新型型顯顯示示技技術(shù)術(shù)49（六六））障障壁壁?作用用:①保保證證兩兩塊塊基基板板間間的的放放電電間間隙隙，，確確保保一一定定的的放放電電空空間間；；②防防止止相相鄰鄰單單元元間間的的光光電電串串?dāng)_擾。。?技術(shù)要求求:對障壁的的要求是是高度一一致(偏偏差在5m以內(nèi))，，形狀均均勻。障壁寬度度應(yīng)盡可可能窄，，以增大大單元的的開口率率，提高高器件亮亮度。新型顯示示技術(shù)50?障壁材料料:低熔點玻玻璃漿料料（七）熒熒光粉層層將VUV轉(zhuǎn)變?yōu)榭煽梢姽猓?，實現(xiàn)彩彩色顯示示。要求:發(fā)光效率率高，色色彩飽和和度高，，厚度均均勻.（八）放放電氣體體用于產(chǎn)生生真空紫紫外輻射射（VUV）。新型顯示示技術(shù)51彩色AC-PDP制作工藝藝前基板制作工序后基板制作工序基板玻璃檢查、清洗透明電極（ITO）制作匯流電極制作透明介質(zhì)層制作封接邊制作介質(zhì)保護(hù)膜制作基板玻璃檢查、打孔基板玻璃檢查、清洗尋址電極制作介質(zhì)層制作障壁制作熒光粉層制作總裝工序前后基板對位、封接排氣、充充氣老練練驅(qū)動線路路裝配絲網(wǎng)印刷刷原理示示意圖1.絲絲網(wǎng)印版版（a.網(wǎng)框,b.絲網(wǎng)上非非圖文部部分(簡簡稱版膜膜),c.絲網(wǎng)上圖圖文部分分）,2.刮刮板,3.漿漿料,4.基板板絲網(wǎng)印刷刷的工藝藝流程：：絲印制版版絲網(wǎng)印刷刷漿料烘干干漿料燒結(jié)結(jié)用絲網(wǎng)印印刷法制制作PDP的各個部部件，其其質(zhì)量取取決于多多種因素素：（1）漿漿料方面面漿料的性性質(zhì)、成成分、顆顆粒度及及均勻性性、載體體材料、、粘度及及觸變性性等。abc1234新型顯示示技術(shù)53（2）基基板方面面基板材料料、尺寸寸精度、、平整度度和光潔潔度等。。（3）刮刮板方面面刮板材料料的種類類、硬度度、形狀狀等。（4）絲絲網(wǎng)方面面絲網(wǎng)材料料的種類類、性質(zhì)質(zhì)、絲網(wǎng)網(wǎng)目數(shù)、、絲網(wǎng)線線徑、絲絲網(wǎng)張力力、版膜膜的種類類、框架架平整度度、框架架與網(wǎng)線線夾角等等。（5）印印刷方式式方面印刷接觸觸角、印印刷壓力力、印刷刷速度、、印刷間間隙等；；在印刷刷環(huán)境條條件方面面，有溫溫度、濕濕度和清清潔度等等。（6）其其他方面面干燥時間間和溫度度以及燒燒結(jié)工藝藝等。新型顯示示技術(shù)54印刷工藝藝的優(yōu)點點：具有設(shè)備備低價，，工藝簡簡易，生生產(chǎn)率高高、成本本低等優(yōu)優(yōu)點。主主要用來來制造匯匯流電極極、尋址址電極、、介質(zhì)層層、熒光光粉層、、障壁、、封接層層等部件件。缺點：與光刻技技術(shù)相比比，印刷刷工藝的的缺點是是精度較較差，分分辨率不不易做高高。新型顯示示技術(shù)55光刻工藝藝：掩模板的的制造、、圖形從從掩模板板至待刻刻蝕材料料的轉(zhuǎn)移移。基板前處處理抗蝕劑涂覆覆待刻蝕材材料涂覆掩模對準(zhǔn)曝光顯影、堅堅膜刻蝕去膠掩模制作作掩模圖形形設(shè)計掩模原圖圖主掩模模工作掩模模新型顯示示技術(shù)56影響圖形形加工精精度主要要因素：：掩模板的的質(zhì)量和和精度、、抗蝕劑劑的性能能、圖形形的形成成方法及及裝置精精度、位位置的對對準(zhǔn)方法法及精度度、刻蝕蝕方法等等。光刻工藝藝的特點點：能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)大面積積、高精精度的圖圖形，且且工藝成成熟。如如用來制制作PDP絲網(wǎng)印刷刷漏印版版，以及及PDP的ITO電極、Cr-Cu-Cr電極等部部件。新型顯示示技術(shù)57浮法工藝藝過程：：玻璃板制制造工藝藝新型顯示示技術(shù)58前基板的的關(guān)鍵制制造工藝藝(一)透透明電極極的制作作ITO連續(xù)薄膜膜的形成成：磁控濺射鍍ITO膜的特點:高速（沉積速速度高）、低低溫（靶和基基板的溫度都都較低）、低低損傷（基板板表面受高能能電子轟擊損損傷小）。新型顯示技術(shù)術(shù)59光刻出ITO電極圖形：新型顯示技術(shù)術(shù)60(二)匯流電電極的制作富士通公司采采用Cr-Cu-Cr薄膜材料制作作匯流電極。。底層Cr用來增加電極極和玻璃基板板的附著力，，頂層Cr用來防止Cu的氧化，Cu是電極導(dǎo)電的的主體。Cr和Cu薄膜用濺射法法制作。特點：圖形精細(xì)準(zhǔn)確確，邊緣整齊齊導(dǎo)電性能優(yōu)良良，但其制作工藝藝復(fù)雜，成本本較高。新型顯示技術(shù)術(shù)61采用厚膜技術(shù)術(shù)制作匯流電電極的方法：：（1）絲網(wǎng)印印刷法把金屬漿料印印刷在透明ITO膜的邊緣上，，再經(jīng)高溫?zé)裏Y(jié)而成。這這是厚膜技術(shù)術(shù)中普遍采用用的制作方法法，最常用的的金屬漿料是是Ag漿料。（2）厚膜光光刻技術(shù)使用的材料是是光敏Ag漿料（主要由由顆粒極細(xì)的的Ag粉和感光樹脂脂構(gòu)成），用用絲網(wǎng)印刷的的方法形成幾幾微米厚的連連續(xù)膜層，然然后用光刻法法形成電極，，最后經(jīng)燒結(jié)結(jié)而成。新型顯示技術(shù)術(shù)62(三)上基板板介質(zhì)層的制制作要求:(1)透過過率高。(2)燒成成膜表面光滑滑、致密、無無絲網(wǎng)印刷痕痕跡。(3)絕緣緣性要求比下下板更高。(4)與電極極反應(yīng)小。(5)與玻玻璃附著牢固固。新型顯示技術(shù)術(shù)63介質(zhì)層的缺陷陷：厚度均勻性性差介質(zhì)層表面粗粗糙度大針孔、氣泡由于異物而造造成的下陷和和突起等新型顯示技術(shù)術(shù)64印刷壓力刮刀角度介質(zhì)漿料絲網(wǎng)厚度絲網(wǎng)開口率絲網(wǎng)與基板之之間的間隙影響介質(zhì)層厚厚度的因素：：新型顯示技術(shù)術(shù)65影響介質(zhì)層表表面粗糙度的的因素：介質(zhì)層表面有有粗糙度，這這是由于介質(zhì)質(zhì)膜是通過絲絲網(wǎng)形成的，因此印刷刷完畢后，在在介質(zhì)表面會會產(chǎn)生絲網(wǎng)痕痕跡。由于介質(zhì)層下下面有電極，，也會導(dǎo)致介介質(zhì)表面起伏伏不平。為了克服這一一點，有必要要在介質(zhì)印完完以后室溫下下放置10分分鐘，使?jié){料料自行流平。。新型顯示技術(shù)術(shù)66造成針孔的原原因：絲網(wǎng)堵孔玻板表面有突突起有污染物等氣泡的產(chǎn)生原原因：電極或玻璃表表面不平整有灰塵和異物克服由于異物物而造成的下下陷和突起的的措施：提高環(huán)境潔凈凈度克服針孔和氣氣泡的方法：：多層印刷。新型顯示技術(shù)術(shù)67對介質(zhì)層漿料料的烘干及燒燒結(jié)工藝烘干目的：使?jié){料中的溶溶劑揮發(fā)的過過程。烘干工藝：溫度為100～150℃℃，時間為6～12分鐘鐘。燒結(jié)目的：去除有機(jī)樹脂脂成份，而對對上板介質(zhì)，，還要保證一一定的透明度度和表面平滑滑性。燒結(jié)工藝：介質(zhì)漿料有軟軟化點不同以以及其他相關(guān)關(guān)性能的不同同，因此燒結(jié)結(jié)溫度也要根根據(jù)所使用的的漿料來選定定。新型顯示技術(shù)術(shù)68燒結(jié)時升溫速速率與介質(zhì)表表面狀態(tài)和介介質(zhì)缺陷的關(guān)關(guān)系：介質(zhì)燒結(jié)時會會產(chǎn)生以下反反應(yīng):CxHyOz+O2CO2+H2O若升溫速率太太慢，則燒結(jié)結(jié)時間太長，，不利于生產(chǎn)產(chǎn)；若升溫度速太太快，介質(zhì)里里邊的氣體會會沖出介質(zhì)表表面形成空洞洞，也可能由由于介質(zhì)表面面有機(jī)樹脂揮揮發(fā)太快而使使表面過早固固化，包住了了介質(zhì)里邊的的氣體使介質(zhì)質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生氣氣泡；使介質(zhì)里邊的的樹脂因缺少少氧氣而無法法氧化、分解解成氣體，造造成介質(zhì)層絕絕緣性能下降降，在放電時時易產(chǎn)生打火火。新型顯示技術(shù)術(shù)69(四)封接層層的制作對封接層的涂涂覆要求：四條邊的厚度度和寬度均勻勻一致，以保保證密封質(zhì)量量。一般采用用絲網(wǎng)印刷法法或噴涂法制制作，然后進(jìn)進(jìn)行預(yù)燒結(jié)。。新型顯示技技術(shù)70由膜材料和和對膜特性性的要求所所決定，要要選擇適于于制取高熔熔點介質(zhì)膜膜的方法；；經(jīng)濟(jì)性；各工藝參數(shù)數(shù)是否簡單單、可控；；設(shè)備的體積積、成本等等。PDP對保護(hù)膜特特性的要求求為：大面積均勻勻；二次電子發(fā)發(fā)射系數(shù)高高；膜層致密；；潔凈。選擇PDP介質(zhì)保護(hù)膜膜制備方法法時考慮的的因素：(五)介質(zhì)質(zhì)保護(hù)膜的的制作新型顯示技技術(shù)71電子束蒸發(fā)發(fā)成膜技術(shù)術(shù)中，影響響薄膜特性性的主要因因素：蒸發(fā)速率基片溫度蒸發(fā)原子入入射方向基片表面狀狀態(tài)真空度等新型顯示技技術(shù)72主要制作材材料：純氧化鎂膜膜料蒸發(fā)前的本本底真空度度：10-4Pa。蒸發(fā)過程中中通入氧氣氣。薄膜厚度的的不均勻度度要求：±10%以以內(nèi)。電子束蒸發(fā)發(fā)鍍膜裝置置示意圖電子束蒸發(fā)發(fā)制備的MgO薄膜的結(jié)構(gòu)構(gòu)呈現(xiàn)出明明顯的<111>結(jié)晶面擇優(yōu)優(yōu)取向。由由于相對于于其它結(jié)晶晶取向來說說，<111>結(jié)晶面擇優(yōu)優(yōu)取向的MgO薄膜最能降降低PDP的著火電壓壓。加熱裝置基片夾具膜料坩堝電子槍鐘罩抽氣系統(tǒng)充氧系統(tǒng)基片旋轉(zhuǎn)新型顯示技技術(shù)73后基板的關(guān)關(guān)鍵制造工工藝(一)尋址址電極的制制作一般采用絲絲網(wǎng)印刷法法或厚膜光光刻技術(shù)制制作。(二)介質(zhì)質(zhì)層的制作作(1)反反射率高,它可以以將熒光粉粉發(fā)出的光光全部反射射到屏前面面來。(2)燒燒成膜平滑滑,以利利于障壁的的印刷。(3)絕絕緣性好,滿足足尋址要求求。(4)抗磨磨損,與與玻璃附著著牢固。(5)與電電極反應(yīng)小小。采用絲網(wǎng)印印刷法制作作。新型顯示技技術(shù)74(三)障壁壁的制作障壁高度一一般在100200m的范圍。主主要制作技技術(shù)有：1．絲網(wǎng)印印刷優(yōu)點：材料浪費少少，材料成成本低。缺點：工藝步驟多多，制作時時間長，對對位要求嚴(yán)嚴(yán)格，而且且要求操作作人員有熟熟練的技術(shù)術(shù)，以及對對印刷設(shè)備備的性能、、漿料性能能、環(huán)境對對絲網(wǎng)的影影響等有全全面的了解解，所以制制作工藝復(fù)復(fù)雜。黑頂白色主體基板玻璃新型顯示技技術(shù)75Photographofthetopshapeoftheprintingribbeforepolishing新型顯示技技術(shù)762．噴砂法法由于采用光光刻中的曝曝光技術(shù)，，障壁尺寸寸一致性好好，目前障障壁的寬度度實驗室可可做到30m，生產(chǎn)上做到到70m，有利于器件件開口率的的提高。噴砂法僅需需和尋址電電極對準(zhǔn)一一次，制作作大面積器器件時失配配的問題較較小。噴砂砂法的生產(chǎn)產(chǎn)率高，只只需數(shù)分鐘鐘就可完成成噴砂刻蝕蝕。噴砂法法是一種適適合于大生生產(chǎn)的工藝藝技術(shù)。噴砂法的缺缺點是材料料利用率低低，并且被被噴砂刻蝕蝕的材料中中含有