金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)本章內(nèi)容§1、MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、工作原理和類型§2、MOSFET的閾值電壓§3、MOSFET的直流特性§4、MOSFET的動(dòng)態(tài)特性§5、小尺寸效應(yīng)1、MOSFET的物理結(jié)構(gòu)MOSFET由一個(gè)MOS電容和靠近MOS柵控區(qū)域的兩個(gè)PN結(jié)組成。NMOSFET的三維結(jié)構(gòu)圖柵氧化層硅襯底源區(qū)－溝道區(qū)－漏區(qū)P-Sigaten+n+SourceDrainwLbody金屬Al（Al柵）重?fù)诫s的多晶硅（硅柵，Polycide（多晶硅/難融金屬硅化物）MOSFET的三維結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化圖剖面圖結(jié)構(gòu)參數(shù)：溝道長(zhǎng)度L、溝道寬度W

、柵氧化層厚度源漏PN結(jié)結(jié)深材料參數(shù)：襯底摻雜濃度、載流子遷移率版圖SDGWL多晶硅有源區(qū)金屬SiO2SiO2Si襯底器件版圖和結(jié)構(gòu)參數(shù)MOSFET是一個(gè)四端器件：柵G（Gate），電壓VG源S（Source），電壓VS漏D（Drain），電壓VD襯底B（Body），電壓VB以源端為電壓參考點(diǎn)，端電壓定義為:漏源電壓VDS=VD-VS柵源電壓VGS=VG-VS體源電壓VBS=VB-VS端電壓的定義MOSFET正常工作時(shí)，D、B和S端所加的電壓要保證兩個(gè)PN結(jié)處于反偏。在直流工作下的器件，通常假設(shè)器件只有漏－源電流*或簡(jiǎn)稱漏電流IDS，并將流向漏極方向的電流定義為正。MOSFET各端電壓對(duì)漏電流都有影響，電流－電壓的一般關(guān)系為：端電流的定義SiO2P-Si襯底坐標(biāo)系的定義不作特別聲明時(shí)，一般假設(shè)源和體短接（接地）基本假定長(zhǎng)溝和寬溝MOSFET：W>>L>>Tox>>Xc襯底均勻摻雜氧化層中的各種電荷用薄層電荷等效，并假定其位于Si-SiO2界面強(qiáng)反型近似成立基本假定（1）強(qiáng)反型近似強(qiáng)反型時(shí)：耗盡層寬度>>反型層厚度*，耗盡層兩端電壓>>反型層兩端的電壓，耗盡層電荷>>反型層電荷強(qiáng)反型后，柵壓再增加，將導(dǎo)致溝道載流子數(shù)目增加，但表面耗盡層寬度不變，耗盡層電荷不變，耗盡層兩端電壓不變。*通常我們假設(shè)反型層無限薄，載流子在硅表面形成面電荷層，并且在反型層中沒有能帶彎曲?；炯俣ǎ?）在柵壓為零時(shí)，從源電極和漏電極被兩個(gè)背靠背的PN結(jié)隔離，這時(shí)即使在源漏之間加上電壓，也沒有明顯的漏源電流（忽略PN結(jié)的反向漏電流）VGS=0

n+n+VDS>0

p-substrateSBIDS=0直流特性的定性描述：工作原理當(dāng)在柵上加有足夠大的電壓時(shí)，MOS結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)就會(huì)形成反型層，它可以把源區(qū)和漏區(qū)連通，形成導(dǎo)電溝道，這時(shí)如果在漏源間加有一定的偏壓，就會(huì)有明顯的電流流過。直流特性的定性描述：工作原理VGS>VTAcceptorsDeplRegn+n+VDS>0

p-substrateChannelSBIDS假設(shè)柵電壓VGS>VT，漏電壓VDS開始以較小的步長(zhǎng)增加IDSVDSVDS（Small）VGS>VTn+n+

p-substrateChannelSBIDS當(dāng)VDS很小時(shí)，它對(duì)反型層影響很小，表面溝道類似于一個(gè)簡(jiǎn)單電阻，漏電流與VDS成正比。直流特性的定性描述：輸出特性VGS>VTn+n+VDS=VDSat

p-substrateChannelSBIDSIDVDSVDsatIDsatPinch-off隨著VDS的增加，它對(duì)柵的反型作用開始起負(fù)面影響，使反型層從源到漏逐漸變窄，反型載流子數(shù)目也相應(yīng)減小，使IDS-VDS曲線的斜率減小。溝道載流子數(shù)目在靠近漏端降低最多，在漏端附件的反型層將最終消失（稱為溝道被夾斷）。使溝道開始夾斷的漏源電壓稱為漏源飽和電壓，相應(yīng)的電流稱為飽和電流。IDVDSVDsatIDsatohmicsaturatedVGS>VTn+n+VDS>VDSat

p-substrateChannelSBIDS夾斷區(qū)當(dāng)漏源電壓超過飽和電壓后，夾斷區(qū)變寬，夾斷點(diǎn)從漏到源移動(dòng)。夾斷區(qū)是耗盡區(qū)，因而超過VDsat的電壓主要降落在夾斷區(qū)。對(duì)于長(zhǎng)溝道（L>>△L）器件，夾斷后漏電流基本保持不變，因?yàn)?，夾斷點(diǎn)P點(diǎn)的電壓VDsat保持不變，從源到P點(diǎn)的載流子數(shù)目不變，因而從漏到源的電流也不變化。一般長(zhǎng)溝道器件的IDS~VDS特性VDSIDSVGS>VTVGS增加VGS<VTOhmicSaturated直流特性的定性描述：轉(zhuǎn)移特性MOSFET的電流由器件內(nèi)部的電場(chǎng)控制（柵壓引起的縱向電場(chǎng)和漏電壓引起的橫向電場(chǎng)）,因而稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MOSFET的分類（2）VGSn+n+VDS>0

p-substrateSp+VGSp+p+