GB/T 20228-2006砷化鎵單晶

標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 20228-2006《砷化鎵單晶》是中國關(guān)于砷化鎵（GaAs）單晶材料的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。這一標(biāo)準(zhǔn)詳細規(guī)定了砷化鎵單晶的分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運輸、儲存等要求，旨在確保砷化鎵單晶產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，適用于半導(dǎo)體器件制造等領(lǐng)域。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽：

1. 范圍：明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的砷化鎵單晶類型，包括未摻雜、摻雜以及特定用途的砷化鎵單晶。

2. 規(guī)范性引用文件：列出了執(zhí)行該標(biāo)準(zhǔn)時需要參考的其他相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

3. 術(shù)語和定義：對標(biāo)準(zhǔn)中使用的專業(yè)術(shù)語進行了界定，幫助讀者準(zhǔn)確理解各項要求。

4. 分類：根據(jù)砷化鎵單晶的直徑、導(dǎo)電類型（如N型、P型）、摻雜元素及濃度等進行分類。

5. 技術(shù)要求：

   • 外觀：規(guī)定了砷化鎵單晶表面應(yīng)無明顯缺陷，如裂紋、夾雜等。
   • 尺寸和形狀：詳細說明了單晶直徑、長度及其允許偏差，以及端面平整度等要求。
   • 晶體質(zhì)量：涉及位錯密度、微缺陷分布等，以確保材料的電學(xué)性能和機械強度。
   • 化學(xué)成分：規(guī)定了砷和鎵的比例以及可能的雜質(zhì)元素含量上限，確保材料純度。
   • 導(dǎo)電性能：包括電阻率、霍爾系數(shù)等電學(xué)參數(shù)的指標(biāo)范圍。

6. 試驗方法：介紹了如何通過各種物理、化學(xué)測試手段來驗證單晶的尺寸、純度、電學(xué)性能等是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

7. 檢驗規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品出廠前的檢驗項目、抽樣方案及合格判定準(zhǔn)則，確保每批產(chǎn)品的質(zhì)量一致性。

8. 標(biāo)志、包裝、運輸、儲存：詳細說明了砷化鎵單晶在標(biāo)識、包裝材料選擇、運輸防護措施及儲存條件等方面的要求，以防止損壞和污染。

實施意義：

該標(biāo)準(zhǔn)為砷化鎵單晶的生產(chǎn)、檢驗和應(yīng)用提供了統(tǒng)一的技術(shù)依據(jù)，有助于提升國內(nèi)砷化鎵材料的標(biāo)準(zhǔn)化水平，促進半導(dǎo)體行業(yè)的健康發(fā)展，同時也有利于國際貿(mào)易中的產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)可與交流。

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