標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 20228-2021 砷化鎵單晶》相比《GB/T 20228-2006 砷化鎵單晶》, 主要涉及以下幾個(gè)方面的更新與調(diào)整：

  1. 技術(shù)指標(biāo)優(yōu)化：新版標(biāo)準(zhǔn)對砷化鎵單晶的純度、晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能等方面提出了更嚴(yán)格或更明確的要求，以適應(yīng)近年來半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用需求的提升。

  2. 檢測方法改進(jìn)：為了提高檢測精度和效率，2021版標(biāo)準(zhǔn)引入了新的檢測技術(shù)和分析方法，對原有的一些檢測項(xiàng)目進(jìn)行了方法上的更新，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  3. 分類與分級細(xì)化：根據(jù)砷化鎵單晶的不同用途和性能要求，新標(biāo)準(zhǔn)對產(chǎn)品進(jìn)行了更為細(xì)致的分類與分級，有助于用戶更精確地選擇符合特定應(yīng)用場景需求的產(chǎn)品。

  4. 生產(chǎn)與質(zhì)量控制規(guī)范加強(qiáng)：增加了關(guān)于生產(chǎn)過程控制、質(zhì)量管理體系以及環(huán)保要求的內(nèi)容，強(qiáng)調(diào)了從原材料選取到成品出廠的全過程管理，以保證產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)可持續(xù)性。

  5. 標(biāo)準(zhǔn)適用范圍擴(kuò)展：可能對砷化鎵單晶的應(yīng)用領(lǐng)域或規(guī)格范圍進(jìn)行了拓展，以覆蓋更廣泛的半導(dǎo)體器件和技術(shù)需求。

  6. 術(shù)語和定義更新：根據(jù)行業(yè)發(fā)展趨勢，對部分專業(yè)術(shù)語和定義進(jìn)行了修訂或新增，以更好地反映當(dāng)前技術(shù)現(xiàn)狀和未來發(fā)展方向。

  7. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)與表述優(yōu)化：為增強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的可讀性和操作性，新版標(biāo)準(zhǔn)在結(jié)構(gòu)布局、條款表述上進(jìn)行了優(yōu)化，使其更加清晰、易于理解和執(zhí)行。

這些變動旨在提升砷化鎵單晶產(chǎn)品的整體質(zhì)量和國際競爭力，促進(jìn)我國半導(dǎo)體材料行業(yè)的健康發(fā)展。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2021-05-21 頒布
  • 2021-12-01 實(shí)施
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GB/T 20228-2021砷化鎵單晶_第1頁
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GB/T 20228-2021砷化鎵單晶-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T20228—2021

代替GB/T20228—2006

砷化鎵單晶

Galliumarsenidesinglecrystal

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T20228—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替砷化鎵單晶與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性

GB/T20228—2006《》,GB/T20228—2006,

改動外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20061);

增加了規(guī)范性引用文件見第章

b)GB/T13388(2);

刪除了術(shù)語和定義中的單晶晶錠的定義見年版的第章

c)“”、(20063);

刪除了按生長方法的分類見年版的增加了按直徑的分類見

d)(20064.1.2),(4.2.2);

刪除了單晶錠的表示方法見年版的

e)(20064.3);

原文件中的單晶單晶錠統(tǒng)一為砷化鎵單晶見第章年版的第章

f)“”“”“”(5,20065);

更改了尺寸的要求見年版的

g)(5.1,20065.3.2);

更改了表面質(zhì)量的要求見年版的

h)(5.2,20065.3.3);

更改了參考面的要求見年版的并增加了試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則中相應(yīng)的內(nèi)容

i)(5.3,20065.3.1),、

見第章

(6.3、7);

增加了晶向偏離度的要求見

j)(5.4);

更改了非摻半絕緣砷化鎵單晶的霍爾遷移率電阻率的要求見年版的

k)、(5.5,20065.1.2);

增加了截面電阻率不均勻性的要求見及其計(jì)算方法見

l)(5.5)(6.5);

增加了摻半絕緣砷化鎵單晶的電學(xué)性能要求見

m)C(5.5);

更改了位錯(cuò)密度的要求見年版的

n)(5.6,20065.2);

更改了組批檢驗(yàn)項(xiàng)目取樣檢驗(yàn)結(jié)果判定的內(nèi)容見年版的

o)、、、(7.2~7.4,20067.3~7.5);

更改了隨行文件的內(nèi)容見年版的

p)(8.5,20068.3);

增加了訂貨單內(nèi)容見第章

q)“”(9)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位云南中科鑫圓晶體材料有限公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司有色金屬技

:、、

術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司有研光電新材料有限責(zé)任公司義烏力

、、、

邁新材料有限公司

。

本文件主要起草人惠峰林作亮普世坤李素青尹國文陳維迪周鐵軍董汝昆羅愛斌林泉

:、、、、、、、、、、

馬英俊賓啟雄皮坤林

、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2006,。

Ⅰ

GB/T20228—2021

砷化鎵單晶

1范圍

本文件規(guī)定了砷化鎵單晶的技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存隨行文件及訂

、、、、、、、

貨單內(nèi)容

。

本文件適用于液封直拉法垂直梯度凝固法垂直布里奇曼法生長的用于制備

(LEC)、(VGF)、(VB),

光電子微電子等器件的砷化鎵單晶不適用于水平布里奇曼法生長的砷化鎵單晶

、,(HB)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測試方法

GB/T8760

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測試方法

GB/T13388X

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號表示方法

GB/T14844

半絕緣砷化鎵電阻率霍爾系數(shù)和遷移率測試方法

SJ/T11488、

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

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