第01章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)歡迎學(xué)習(xí)康少棟343574504@課程性質(zhì)考試課，3學(xué)分，48學(xué)時(shí)，1~12周*平時(shí)成績(jī)（作業(yè)，考勤）30%，

期末成績(jī)70%實(shí)驗(yàn)0.5學(xué)分（公共課部負(fù)責(zé)），7~15or8-16周硬件：模電、數(shù)電、微機(jī)原理

軟件：OS，網(wǎng)絡(luò)……目錄第一章二極管第二章三極管第三章場(chǎng)效應(yīng)管第四章功放第五章集成運(yùn)放第六章反饋第七章集成運(yùn)放的應(yīng)用第八章直流穩(wěn)壓電源

第一章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)PN結(jié)半導(dǎo)體二極管

1.導(dǎo)體：電阻率

<10-4

·cm的物質(zhì)。如銅、銀、鋁等金屬材料。

2.絕緣體：電阻率

>109·

cm物質(zhì)。如橡膠、塑料等。

3.半導(dǎo)體：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間的物質(zhì)。大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用的主要材料是硅(Si)和鍺(Ge)。半導(dǎo)體導(dǎo)電性能是由其原子結(jié)構(gòu)決定的。

§1-1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)

半導(dǎo)體的特性本征半導(dǎo)體：純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的鍺、硅、硒下一節(jié)上一頁(yè)下一頁(yè)返回半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：(可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻)。摻雜性：純凈的半導(dǎo)體中摻入微量某些雜質(zhì)，導(dǎo)電能力明顯改變(可做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。

當(dāng)受到光照時(shí)，導(dǎo)電能力明顯變化(可做成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。熱、光敏性：當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)(4價(jià)元素)。GeSi硅原子鍺原子硅和鍺最外層軌道上的四個(gè)電子稱為價(jià)電子。硅原子結(jié)構(gòu)圖硅原子結(jié)構(gòu)(a)硅的原子結(jié)構(gòu)圖最外層電子稱價(jià)電子

價(jià)電子鍺原子也是4價(jià)元素

4價(jià)元素的原子常常用+4電荷的正離子和周圍4個(gè)價(jià)電子表示。+4(b)簡(jiǎn)化模型硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子。硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共用電子對(duì)+4+4+4+4離子核

本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)束縛電子在絕對(duì)溫度T=0K時(shí)，所有的價(jià)電子都被共價(jià)鍵緊緊束縛在共價(jià)鍵中，不會(huì)成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，接近絕緣體。本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體。制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%，常稱為“九個(gè)9”。本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體

這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)。

當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，束縛電子能量增高，有的電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為自由電子。自由電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴

自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，稱為空穴。

可見(jiàn)本征激發(fā)同時(shí)產(chǎn)生電子空穴對(duì)。外加能量越高（溫度越高），產(chǎn)生的電子空穴對(duì)越多。與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象—復(fù)合在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。電子空穴對(duì)的濃度一定。常溫300K時(shí)：電子空穴對(duì)的濃度硅：鍺：自由電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴電子空穴對(duì)1.當(dāng)半導(dǎo)體處于熱力學(xué)溫度0K時(shí)，半導(dǎo)體中沒(méi)有自由電子,所有的價(jià)電子都被共價(jià)鍵緊緊束縛在共價(jià)鍵中，不會(huì)成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，接近絕緣體。

2.當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，價(jià)電子能量增高，有極少數(shù)的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為自由電子。3.自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，原子的電中性被破壞，呈現(xiàn)出正電性，其正電量與電子的負(fù)電量相等，人們常稱呈現(xiàn)正電性的這個(gè)空位為空穴?？昭ㄟ\(yùn)動(dòng)相當(dāng)于正電荷的運(yùn)動(dòng)

這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理+4+4+4+4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理自由電子空穴束縛電子

可見(jiàn)因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)的，稱為電子空穴對(duì)。游離的部分自由電子也可能回到空穴中去，稱為復(fù)合，如圖所示。激發(fā)復(fù)合本征激發(fā)和復(fù)合的過(guò)程本征激發(fā)與復(fù)合

在半導(dǎo)體中，同時(shí)存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體導(dǎo)電方式的最大特點(diǎn)，也是半導(dǎo)體和金屬在導(dǎo)電原理上的本質(zhì)差別。

當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí),半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流:1、自由電子作定向運(yùn)動(dòng)所形成的電子電流,2、應(yīng)被原子核束縛的價(jià)電子(注意,不是自由電子）遞補(bǔ)空穴所形成的空穴電流。

自由電子和空穴都成為載流子。

本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)的，同時(shí)又不斷地復(fù)合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，于是半導(dǎo)體中的載流子（自由電子和空穴）邊維持一定數(shù)目。溫度越高，載流子數(shù)目越多，導(dǎo)電性能也就越好。所以，溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響很大。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理

Si

Si

Si

Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)電子變?yōu)檎x子

Si

Si

Si

SiB–硼原子接受一個(gè)電子變?yōu)樨?fù)離子空穴雜質(zhì)半導(dǎo)體：摻入少量雜質(zhì)的半導(dǎo)體下一節(jié)上一頁(yè)下一頁(yè)返回多余電子磷原子硅原子多數(shù)載流子——自由電子少數(shù)載流子——空穴++++++++++++N型半導(dǎo)體施主離子自由電子電子空穴對(duì)1.N型半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵等?？昭ㄅ鹪庸柙佣鄶?shù)載流子——空穴少數(shù)載流子——自由電子－－－－－－－－－－－－P型半導(dǎo)體受主離子空穴電子空穴對(duì)2.P型半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖++++++++++++N型半導(dǎo)體多子—電子少子—空穴－－－－－－－－－－－－P型半導(dǎo)體多子—空穴少子—電子少子濃度——與溫度有關(guān)多子濃度——與溫度無(wú)關(guān)總結(jié)1、N型半導(dǎo)體中電子是多子，其中大部分是摻雜提供的電子，本征半導(dǎo)體中受激發(fā)產(chǎn)生的電子只占少數(shù)。N型半導(dǎo)體中空穴是少子，少子的移動(dòng)也能形成電流，由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。2、P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。內(nèi)電場(chǎng)E因多子濃度差形成內(nèi)電場(chǎng)多子的擴(kuò)散空間電荷區(qū)

阻止多子擴(kuò)散，促使少子漂移。PN結(jié)合空間電荷區(qū)多子擴(kuò)散電流少子漂移電流耗盡層

1.PN結(jié)的形成

§1-2PN結(jié)少子飄移補(bǔ)充耗盡層失去的多子，耗盡層窄，E多子擴(kuò)散

又失去多子，耗盡層寬，E內(nèi)電場(chǎng)E多子擴(kuò)散電流少子漂移電流耗盡層動(dòng)態(tài)平衡：擴(kuò)散電流＝漂移電流總電流＝0勢(shì)壘UO硅0.5V鍺0.1V

因濃度差

多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)

空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)

內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移

內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散

PN結(jié)的形成過(guò)程當(dāng)漂移運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，空間電荷區(qū)便穩(wěn)定下來(lái)，PN結(jié)形成。1、空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子，所以電阻率很高?！昂谋M層”2、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)阻礙P中的空穴、N中的電子（都是多子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)）?！白钃鯇印?、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)推動(dòng)P中的電子和N中的空穴（都是少子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（漂移運(yùn)動(dòng)）。請(qǐng)注意2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦?1)加正向電壓（正偏）——電源正極接P區(qū)，負(fù)極接N區(qū)

外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反。

外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)→耗盡層變窄→擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)＞漂移運(yùn)動(dòng)→多子擴(kuò)散形成正向電流IF正向電流(2)加反向電壓——電源正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū)

外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同。

外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)→耗盡層變寬→漂移運(yùn)動(dòng)＞擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)→少子漂移形成反向電流IRPN

在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故IR基本上與外加反壓的大小無(wú)關(guān)，所以稱為反向飽和電流。但I(xiàn)R與溫度有關(guān)。

PN結(jié)加正向電壓時(shí)，具有較大的正向擴(kuò)散電流，呈現(xiàn)低電阻，PN結(jié)導(dǎo)通；

PN結(jié)加反向電壓時(shí)，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，PN結(jié)截止。

由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?.PN結(jié)的伏安特性曲線及表達(dá)式

根據(jù)理論推導(dǎo)，PN結(jié)的伏安特性曲線如圖正偏I(xiàn)F（多子擴(kuò)散）IR（少子漂移）反偏反向飽和電流反向擊穿電壓反向擊穿熱擊穿——燒壞PN結(jié)電擊穿——可逆

根據(jù)理論分析：u為PN結(jié)兩端的電壓降i為流過(guò)PN結(jié)的電流IS為反向飽和電流UT=kT/q

，稱為溫度的電壓當(dāng)量其中k為玻耳茲曼常數(shù)

1.38×10－23q

為電子電荷量1.6×10－9T為熱力學(xué)溫度，對(duì)于室溫（相當(dāng)T=300K）則有UT=26mV。當(dāng)u>0u>>UT時(shí)當(dāng)u<0|u|>>|UT

|時(shí)4.PN結(jié)的電容效應(yīng)

當(dāng)外加電壓發(fā)生變化時(shí)，耗盡層的寬度要相應(yīng)地隨之改變，即PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量要隨之變化，就像電容充放電一樣。

(1)勢(shì)壘電容CB(2)擴(kuò)散電容CD

當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)，PN結(jié)兩側(cè)堆積的少子的數(shù)量及濃度梯度也不同，這就相當(dāng)電容的充放電過(guò)程。電容效應(yīng)在交流信號(hào)作用下才會(huì)明顯表現(xiàn)出來(lái)極間電容（結(jié)電容）

1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子的數(shù)量與

（a.摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。

2.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中少子的數(shù)量與（a.摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。

3.當(dāng)溫度升高時(shí)，少子的數(shù)量（a.減少、b.不變、c.增多）。abc

4.在外加電壓(電場(chǎng))的作用下，P型半導(dǎo)體中的電流主要是

，N型半導(dǎo)體中的電流主要是。（a.電子電流、b.空穴電流）ba5、PN結(jié)的形成過(guò)程、主要特性、主要特性的描述方式

二極管=PN結(jié)+管殼+引線NP結(jié)構(gòu)符號(hào)陽(yáng)極+陰極-

§1-3半導(dǎo)體二極管

二極管=一個(gè)PN結(jié)+管殼+引線NP結(jié)構(gòu)符號(hào)陽(yáng)極+陰極-半導(dǎo)體二極管

的幾種常用結(jié)構(gòu)二極管的一般符號(hào)

二極管的符號(hào)發(fā)光二極管

穩(wěn)壓二極管

光電二極管

變?nèi)荻O管

隧道二極管

溫度效應(yīng)二極管

to雙向擊穿二極管

磁敏二極管

體效應(yīng)二極管

雙向二極管

交流開(kāi)關(guān)二極管

二極管按結(jié)構(gòu)分三大類：(1)點(diǎn)接觸型二極管PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。(2)面接觸型二極管

PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。半導(dǎo)體二極管的型號(hào)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：2AP9用數(shù)字代表同類器件的不同規(guī)格。代表器件的類型，P為普通管，Z為整流管，K為開(kāi)關(guān)管。代表器件的材料，A為N型Ge，B為P型G，C為N型Si，D為P型Si。2代表二極管，3代表三極管。半導(dǎo)體二極管圖片

半導(dǎo)體二極管的V—A特性曲線

硅：0.5V

鍺：

0.1V(1)正向特性導(dǎo)通壓降反向飽和電流(2)反向特性死區(qū)電壓擊穿電壓UBR實(shí)驗(yàn)曲線：uEiVmAuEiVuA鍺硅：0.7V鍺：0.3V伏安特性(與PN結(jié)一樣，具有單向?qū)щ娦?UI死區(qū)（開(kāi)啟UON）電壓硅管0.5V,鍺管0.1V。導(dǎo)通電壓降:硅管0.6~0.8V,鍺管0.1~0.3V。反向擊穿電壓U(BR)

死區(qū)電壓正向反向外電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng),電流很小外電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng),電流很小(1)正向特性u(píng)EiVmA(2)反向特性u(píng)EiVuA特點(diǎn)：非線性PN–+PN+–UI死區(qū)電壓硅管0.5V,鍺管0.1V。導(dǎo)通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.1~0.3V。反向擊穿電壓U(BR)

死區(qū)電壓正向反向當(dāng)外加電壓大于死區(qū)電壓內(nèi)電場(chǎng)被大大減削弱,電流增加很快。UI死區(qū)電壓硅管0.5V,鍺管0.1V。導(dǎo)通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓U(BR)

死區(qū)電壓反向

由于少子的漂移運(yùn)動(dòng)形成很小的反向電流,且U<U(BR)在內(nèi),其大小基恒定,稱反向飽和電流,其隨溫度變化很大。

二極管的主要參數(shù)

(1)最大整流電流IF——二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過(guò)二極管的最大整流電流的平均值。(2)反向擊穿電壓UBR———

二極管反向電流急劇增加時(shí)對(duì)應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓UBR。

(3)反向電流IR——

在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級(jí)；鍺二極管在微安(A)級(jí)。主要參數(shù)1）最大整流電流IF二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。2）最高反向工作電壓UR3）反向電流IR指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電流。反向電流大，說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。4)最高工作頻率fM

在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)根據(jù)管子所用的場(chǎng)合，按其所承受的最高反向電壓、最大正向平均電流、工作頻率、環(huán)境溫度等條件，選擇滿足要求的二極管。二極管的單向?qū)щ娦?.二極管加正向電壓（正向偏置，陽(yáng)極接正、陰極接負(fù)）時(shí)，二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正向電阻較小，正向電流較大。2.二極管加反向電壓（反向偏置，陽(yáng)極接負(fù)、陰極接正）時(shí)，二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，二極管反向電阻較大，反向電流很小。

3.外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴?.二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大。PN–+PN+–總結(jié)

二極管的等效電路

1.

將伏安特性折線化理想二極管近似分析中最常用理想開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)UD＝0截止時(shí)IS＝0導(dǎo)通時(shí)UD＝Uon截止時(shí)IS＝0導(dǎo)通時(shí)i與u成線性關(guān)系應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！理想模型恒壓降模型折線模型Q越高，rd越小。

當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動(dòng)態(tài)信號(hào)作用時(shí)，則可將二極管等效為一個(gè)電阻，稱為動(dòng)態(tài)電阻，也就是微變等效電路。ui=0時(shí)直流電源作用小信號(hào)作用靜態(tài)電流2.

微變等效電路(低頻交流小信號(hào)作用下的等效電路)

二極管電路分析舉例定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通截止否則，正向管壓降硅0.6~0.8V鍺0.1~0.3V

分析方法：將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓UD的正負(fù)極性。若V陽(yáng)

>V陰或UD為正(正向偏置)，二極管導(dǎo)通若V陽(yáng)

<V陰或UD為負(fù)(反向偏置)，二極管截止

若二極管是理想的，正向?qū)〞r(shí)正向管壓降為零，反向截止時(shí)二極管相當(dāng)于斷開(kāi)。電路如圖，求：UAB

解：V陽(yáng)

=－6V，例1：

取B點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。

在這里，二極管起鉗位作用。D6V12V3kBAUAB+–

二極管的鉗位作用是指利用二極管正向?qū)▔航迪鄬?duì)穩(wěn)定，且數(shù)值較小(有時(shí)可近似為零)的特點(diǎn)，來(lái)限制電路中某點(diǎn)的電位。V陽(yáng)>V陰，二極管導(dǎo)通。1、若忽略二極管壓降，二極管可看作短路，UAB=－6V。2、若考慮二極管壓降，UAB低于－6V一個(gè)管壓降，為－6.3Ｖ或－6.7V。V陰=－12V，兩個(gè)二極管的陰極接在一起取B點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。解：1、V1陽(yáng)

=－6V，V2陽(yáng)=0V，V1陰

=V2陰=－12VUD1=？V，UD2=？V.二極管都導(dǎo)通？截止？，UAB=?例2:D1承受反向電壓為－6V流過(guò)D2

的電流為求：UAB

在這里，D2起鉗位作用，D1起隔離作用。

BD16V12V3kAD2UAB+–2、∵

UD2>UD1

∴D2優(yōu)先導(dǎo)通，D1截止。解：理想模型：

，加在二極管陽(yáng)極的電位高于加在二極管陰極的電位，二極管導(dǎo)通。例3電路如圖所示，，。試分別用理想模型和恒壓降模型，求解電路的和的值。

，加在二極管陽(yáng)極的電位高于加在二極管陰極的電位，二極管導(dǎo)通。解：恒壓降模型：例4電路如圖所示，假設(shè)圖中的二極管是理想的，試判斷二極管是否導(dǎo)通，并求出相應(yīng)的輸出電壓。解：①二極管D導(dǎo)通，輸出電壓。②二極管D截止，輸出電壓。b.V＝5V時(shí)，判斷出二極管D導(dǎo)通,直流電流為c.V=10V時(shí)，1.V＝2V、5V、10V時(shí)二極管中的直流電流各為多少？a.V＝2V時(shí)，判斷出二極管D導(dǎo)通,直流電流為二極管導(dǎo)通電壓UD

為0.6V,UT=26mV二極管基本應(yīng)用電路二極管在低頻和高頻以及數(shù)字電路均有廣泛的應(yīng)用。以下主要介紹二極管在低頻電路的幾種應(yīng)用。二極管幾種基本應(yīng)用整流電路限幅電路電平選擇電路（1）工作原理u2的正半周，D導(dǎo)通，A→D→RL→B，uO=u2

。u2的負(fù)半周，D截止，承受反向電壓，為u2；uO=0?；緫?yīng)用電路1、整流電路

整流電路是利用二極管的單向?qū)щ娮饔茫瑢⒔涣麟娮兂芍绷麟姷碾娐?。半波整流電路改變電路及二極管的接入方式,可得不同波形?；緫?yīng)用電路全波整流電路

牢記全波整流電路下列2個(gè)電路特征：（1）一組全波整流電路中使用兩只整流二極管；（2）電源變壓器次級(jí)線圈必須有中心抽頭。⒉二極管限幅電路又稱為：“削波電路”,能夠把輸入電壓變化范圍加以限制，常用于波形變換和整形。例：二極管構(gòu)成的限幅電路如圖所示，R＝1kΩ，UREF=2V，輸入信號(hào)為ui。

(1)若ui為4V的直流信號(hào)，分別采用理想二極管模型、理想二極管串聯(lián)電壓源模型計(jì)算電流I和輸出電壓uo解：（1）采用理想模型分析。

采用理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析。（2）如果ui為幅度±4V的交流三角波，波形如圖（b）所示，分別采用理想二極管模型和理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析電路并畫(huà)出相應(yīng)的輸出電壓波形。解：①采用理想二極管模型分析。波形如圖所示。0-4V4Vuit2V2Vuot02.7Vuot0-4V4Vuit2.7V

②采用理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析，波形如圖所示。(二極管陽(yáng)極電位)ui<8V，已知：二極管是理想的，試畫(huà)出uo

波形。8V例：二極管的用途：

整流、檢波、限幅、鉗位、開(kāi)關(guān)、元件保護(hù)、溫度補(bǔ)償?shù)取i18V參考點(diǎn)二極管陰極電位為8VD8VRuoui++––二極管D截止，可看作開(kāi)路,uo=ui.(二極管陽(yáng)極電位)u