• 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2021-12-31 頒布
  • 2022-07-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 24370-2021納米技術(shù)鎘硫族化物膠體量子點(diǎn)表征紫外-可見吸收光譜法_第1頁
GB/T 24370-2021納米技術(shù)鎘硫族化物膠體量子點(diǎn)表征紫外-可見吸收光譜法_第2頁
GB/T 24370-2021納米技術(shù)鎘硫族化物膠體量子點(diǎn)表征紫外-可見吸收光譜法_第3頁
GB/T 24370-2021納米技術(shù)鎘硫族化物膠體量子點(diǎn)表征紫外-可見吸收光譜法_第4頁
GB/T 24370-2021納米技術(shù)鎘硫族化物膠體量子點(diǎn)表征紫外-可見吸收光譜法_第5頁
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文檔簡介

ICS7104050

CCSG.30.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T24370—2021

代替GB/T24370—2009

納米技術(shù)鎘硫族化物膠體量子點(diǎn)表征

紫外-可見吸收光譜法

Nanotechnologies—Characterizationofcadmiumchalcogenidecolloidalquantum

dot—UV-Visabsorptionspectroscopy

ISO/TS174662015UseofUV-Visabsortionsectroscointhe

(:,pppy

characterizationofcadmiumchalcoenidecolloidaluantumdotsMOD

gq,)

2021-12-31發(fā)布2022-07-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T24370—2021

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

縮略語和符號

4……………1

原理

5………………………2

樣品制備

6…………………4

測試步驟

7…………………4

數(shù)據(jù)分析及結(jié)果表達(dá)

8……………………5

測量不確定度

9……………5

測試報(bào)告

10…………………5

附錄資料性利用吸收光譜測定量子點(diǎn)的直徑舉例

A()UV-VisCdSe………………7

附錄資料性測定分散液中量子點(diǎn)的顆粒濃度舉例

B()CdSe………14

參考文獻(xiàn)

……………………17

GB/T24370—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體表征紫外可見吸收光譜方法與

GB/T24370—2009《-》。

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下

GB/T24370—2009,,:

擴(kuò)展了適用范圍由量子點(diǎn)擴(kuò)展為鎘硫族化物和量子點(diǎn)并明確了適

———:CdSe(CdTe、CdSeCdS),

用的量子點(diǎn)的直徑范圍見第章年版的第章

CdSe(1,20091);

全文增加了和

———CdTe、CdSeCdS;

增加了量子限域的術(shù)語和定義見

———“”(3.2);

增加了縮略語和符號見第章

———(4);

修正了量子點(diǎn)的直徑與第一激子吸收峰關(guān)系式中的系數(shù)ABCD和E的值見

———CdSe,,,(5.4,

年版的

20094.3);

增加了和量子點(diǎn)的直徑與第一激子吸收峰關(guān)系式見

———CdTeCdS(5.4);

增加了寬尺寸分布樣品吸光度校正的內(nèi)容見

———(5.5.2);

增加了第章測量不確定度的內(nèi)容

———9;

更改了附錄的內(nèi)容由硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體的紫外可見吸收譜線分析改為利用

———A,“-”“UV-Vis

吸收光譜測定量子點(diǎn)的直徑舉例

CdSe”;

更改了附錄的內(nèi)容由高溫油相熱分解法合成硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體改為測定分散液

———B,“”“

中量子點(diǎn)的顆粒濃度舉例

CdSe”;

刪除了年版的附錄檢測報(bào)告

———2009C。

本文件修改采用紫外可見吸收光譜法表征鎘的硫族化合物膠體量子點(diǎn)文

ISO/TS17466:2015《-》,

件類型由的技術(shù)規(guī)范調(diào)整為我國的國家標(biāo)準(zhǔn)

ISO。

本文件增加了規(guī)范性引用文件一章

。

本文件與相比做了下列結(jié)構(gòu)調(diào)整

ISO/TS17466:2015:

第章術(shù)語和定義及縮略語改為第章術(shù)語和定義及第章縮略語和

———ISO/TS17466:2015334

符號

;

的增加了總則見

———ISO/TS17466:20153.5“”(5.5.1);

第章第一句移入量子點(diǎn)尺寸估算中見

———ISO/TS17466:20156“”(8.1)。

本文件與的技術(shù)差異及其原因如下

ISO/TS17466:2015:

修改了量子限域的定義并增加注以適合我國具體情況

———“”,2,;

刪去了和的最后一段以避免與第章測試報(bào)告重復(fù)

———“5.4”“5.5”,10。

本文件做了下列編輯性改動

:

將文件名稱改為納米技術(shù)鎘硫族化物膠體量子點(diǎn)表征紫外可見吸收光譜法

———《-》;

對第章樣品制備部分內(nèi)容的順序做了調(diào)整

———6;

增加了縮略語刪除了正文未引用的

———HRTEM,FWHM;

修改了公式公式和公式后面的系數(shù)形式

———(1)、(2)(3);

為應(yīng)用方便改變了公式的形式

———,(4);

將資料性引用的和納入?yún)⒖嘉墨I(xiàn)

———GB/T32269—2015ISO13322-1:2004。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

GB/T24370—2021

本文件由中國科學(xué)院提出

。

本文件由全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC279)。

本文件起草單位國家納米科學(xué)中心北京中教金源科技有限公司武漢珈源量子點(diǎn)技術(shù)開發(fā)有限

:、、

責(zé)任公司南開大學(xué)北京北達(dá)聚邦科技有限公司北京理工大學(xué)納晶科技股份有限公司天美儀拓實(shí)

、、、、、

驗(yàn)室設(shè)備上海有限公司上海交通大學(xué)深圳市祥根生物醫(yī)藥有限公司內(nèi)蒙古新雨稀土功能材料有

()、、、

限公司

。

本文件主要起草人葛廣路張東慧蔡春水王新偉龐代文朱東亮郭海清鐘海政康永印

:、、、、、、、、、

趙治強(qiáng)張海蓉王瑞斌黃生宏冀代雨劉忍肖張軒

、、、、、、。

本文件及其歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布

———2009;

本次為第一次修訂

———。

GB/T24370—2021

引言

當(dāng)半導(dǎo)體納米晶的半徑與其激子玻爾半徑相當(dāng)時(shí)其能級分布發(fā)生量子化這些尺寸較小的納米晶

,,

被稱為量子點(diǎn)量子點(diǎn)的電子結(jié)構(gòu)特性介于本體半導(dǎo)體和離散分子之間表現(xiàn)出尺寸依賴的吸收和發(fā)

。,

射光譜高量子產(chǎn)率多激子等獨(dú)特的光學(xué)特性量子點(diǎn)的帶隙價(jià)帶頂與導(dǎo)帶底之間的能量間隙吸

、、。()、

收峰的起始波長和第一激子躍遷本文件中是指第一激子吸收峰處都與其尺寸相關(guān)[1]

()。

量子點(diǎn)通常通過化學(xué)法合成其尺寸形狀組成和結(jié)構(gòu)可以通過反應(yīng)物的前驅(qū)體種類溫度反應(yīng)

,、、、、

時(shí)間等進(jìn)行調(diào)控所制備的量子點(diǎn)一般由無機(jī)晶核和有機(jī)配體組成本文件關(guān)注的量子點(diǎn)主要是鎘的

。。

硫族化合物和其具有尺寸依賴的發(fā)射波長窄發(fā)射峰寬和優(yōu)異的光穩(wěn)定性在生物

(CdTe、CdSeCdS),、,

標(biāo)記醫(yī)學(xué)檢測光電顯示智能傳感等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力[2]

、、、。

前期研究已經(jīng)建立了利用吸收光譜研究鎘硫族化物和膠體量子點(diǎn)的分析方法

(CdTe、CdSeCdS),

例如量子點(diǎn)尺寸與其第一激子吸收峰之間的關(guān)系量子點(diǎn)粒度分布與第一激子吸收峰的譜峰半高半寬

、

的關(guān)聯(lián)以及量子點(diǎn)的顆粒濃度和吸光度的關(guān)系本文件希望通過規(guī)范利用吸收光譜表征量子

。UV-Vis

點(diǎn)的方法提供膠體量子點(diǎn)材料分析和表征的重要參數(shù)

,。

GB/T24370—2021

納米技術(shù)鎘硫族化物膠體量子點(diǎn)表征

紫外-可見吸收光譜法

1范圍

本文件給出了利用紫外可見吸收光譜評估單分散鎘硫族化物和膠體

-(UV-Vis)(CdTe、CdSeCdS)

量子點(diǎn)的直徑和顆粒濃度的方法

。

本文件適用于分析直徑為的的和的

3.5nm~9nmCdTe、1nm~8nmCdSe1nm~5.5nmCdS

單分散球形量子點(diǎn)

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

31

.

量子點(diǎn)quantumdotQD

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