第05章場效應管放大電路(康華光)-1

第五章場效應管放大電路重點：1.掌握場效應管的工作原理、特性曲線；2.學會判斷場效應管的工作狀態(tài)；

3.掌握場效應管放大電路(特別是結(jié)型場效應管JFET放大電路)的分析方法。1FET分類:

絕緣柵場效應管結(jié)型場效應管增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道場效應管簡介——場效應管(FieldEffectTransistor，簡稱FET)BJT(三極管)是一種電流控制元件(iB~iC)。工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，所以能耗大，溫度特性差。FET是一種電壓控制器件(vGS~iD)。它的輸出電流決定于輸入電壓的大小，基本上不需要信號源提供電流，所以它能耗小，輸入電阻高，且溫度穩(wěn)定性好。2§5.1金屬-氧化物-半導體場效應管——MOS場效應管、絕緣柵場效應管:MetalOxide

SemiconductorFET,簡稱MOSFET一.增強型N溝道絕緣柵場效應管1.結(jié)構SiO2絕緣層金屬電極P型硅襯底高摻雜N區(qū)耗盡層(PN結(jié))2、符號gsdb33.增強型N溝道MOSFET的放大原理

共源極接法的接線：gsd+vGS-igiD+VCC-+vDS-經(jīng)實驗證明:(1)柵極電流ig≈0由于柵極是絕緣的,GS之間輸入電阻很高,最高可達1014,因此柵極電流ig≈0

。(2)當柵源電壓vGS變化,漏源電壓vDS

=constant>0時若vGS

≤VT(開啟電壓)

:漏極電流iD=0若vGS

>VT:vGS越大,iD越大——互導放大作用(3)當漏源電壓VDS變化,柵源電壓vGS=constant>VT時若vDS=0:iD=0若0<vDS

<(vGS-VT)

:vDS越大,iD越大若vDS

>(vGS-VT):vDS越大,iD基本不變,且iD=Kn(vGS-VT)24gsd+vGS-igiD+VCC-+vDS-4.增強型N溝道MOSFET的內(nèi)部微觀原理(1)當vGS變化,漏源電壓vDS=常數(shù)>0時若柵源電壓vGS≤0：sgdvGS+–VCC+–b由圖可見,漏極d和源極s之間是兩個背靠背的PN結(jié),總有一個PN結(jié)反向偏置,d~s之間不通,iD=0

。5vGS+–VCC+–b

柵極g與P區(qū)之間產(chǎn)生電場,但d~s之間仍是兩個背靠背的PN結(jié),總有一個PN結(jié)截止,即使d~s間加正向電壓,仍然沒有電流產(chǎn)生,iD=0。若0≤vGS≤VT(開啟電壓):若vGS>VT:縱向電場足夠大→將P區(qū)少子電子聚集到P區(qū)表面→形成導電溝道。

vGS愈高，導電溝道愈寬，相同vDS條件下id越大。N型導電溝道當d~s間加電壓后,將有漏極電流id產(chǎn)生。6(2)當vDS變化,柵源電壓vGS=constant>VT時vGS+–VCC+–b若vDS溝道產(chǎn)生電位梯度靠近漏極d處的電位高,

電場強度小,

溝道薄?？拷礃Os處的電位低,

電場強度大,

溝道厚。整個溝道呈楔形分布。此時,vDS

iD當vDS增加到使vDS

=(vGS-VT)時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預夾斷。在預夾斷處：vDS

=(vGS-VT)預夾斷后，vDS夾斷區(qū)延長溝道電阻iD基本不變(3)由于柵極G與D、B、S是絕緣的，柵極電流ig≈0輸入電阻：ri＝vGS/ig，很高，最高可達1014。75、特性曲線VDSVGS/開啟電壓VTgsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RD有導電溝道無導電溝道(1)轉(zhuǎn)移特性曲線(iDvGS/vDS=constant)——低頻跨導,參數(shù)之一曲線上某點的斜率：類似三極管的,表示在恒流區(qū)工作時vGS對iD的控制能力8ID/mAVDS/VVGS=4V可變電阻區(qū)截止區(qū)(2)漏極特性曲線(iDvDS/vGS=constant>VT)(類似輸出特性曲線)

VGS=6VVGS=5VVGS=3VVGS=2VVGS=VT恒流區(qū)飽和區(qū)vDS=vGS-VT預夾斷軌跡gsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RD開啟電壓VT——增強型MOS管的固定參數(shù)注意：VT>096.工作區(qū)域的特點及其工作區(qū)域判斷gsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RDID/mAVDS/VVGS=4V截止區(qū)VGS=6VVGS=5VVGS=3VVGS=2VVGS=VT(1)截止區(qū)(vGS＜VT區(qū)域)判斷：vGS＜VT特點：iD＝0這時場效應管D、S端相當于:一個斷開的開關。10(2)可變電阻區(qū)(vDS≤vGS-VT區(qū)域)判斷:vDS≤vGS-VT且vGS

>VT

特點:rds是一個受vGS控制的可變電阻vGS越大,rds越小。當VGS足夠大(如:vGS

＝vCC)時場效應管D~S端相當于:一個接通的開關。gsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RDID/mAVDS/VVGS=4V可變電阻區(qū)VGS=6VVGS=5VVGS=3VVGS=2VVGS=VT11(3)恒流區(qū)(飽和區(qū),相當于BJT放大區(qū))判斷:VDS≥vGS-VT且VGS＞VT特點:vDS＝vCC-iDRD

iD=Kn(vGS-VT)2

可見:若vGS恒定,則iD恒定——恒流源特點這時場效應管D~S端相當于:一個受vGS控制的恒流源

ID/mAVDS/VVGS=4VVGS=6VVGS=5VVGS=3VVGS=2VVGS=VT恒流區(qū)飽和區(qū)gsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RD12N型襯底P+P+GSD2、符號二.增強型P溝道絕緣柵場效應管1.結(jié)構3.增強型P溝道MOSFET的放大原理分析方法與增強型N溝道相同，只不過須將所有的電壓電流方向、大于小于號方向反過來。其特性曲線如P237所示。13GSD2.符號三.耗盡型N溝道絕緣柵場效應管如果MOS管在制造時導電溝道就已形成，稱為耗盡型場效應管。1.結(jié)構SiO2絕緣層中摻有正離子感應出N型導電溝道14經(jīng)實驗證明:(1)柵極電流ig≈0(2)當柵源電壓vGS變化,漏源電壓vDS

=constant>0時:vGS

≤VP(夾斷電壓,VP＜0)

:漏極電流iD=0vGS

>VP:vGS越大,iD越大——互導放大作用(3)當漏源電壓VDS變化,柵源電壓vGS=constant>VP時:0<vDS

<(vGS-VP)

:vDS越大,iD越大vDS>(vGS-VP):vDS越大,iD恒定,且iD=IDSS(1-vGS/VP)23.耗盡型N溝道MOSFET的放大原理共源極接法的接線：gsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RD154.耗盡型N溝道MOSFET的內(nèi)部微觀原理(1)當vGS變化,vDS

=constant>0時由于制造時已經(jīng)形成了溝道，所以在vGS=0時,若漏–源之間加上一定的電壓vDS,也會有漏極電流ID產(chǎn)生。

當VGS>0時,導電溝道變寬,ID增大;當VGS<0時,使導電溝道變窄,ID減小;VGS負值愈高,溝道愈窄,ID就愈小。當VGS(=夾斷電壓VP)

達到一定負值時,N型導電溝道消失,ID=0,稱為場效應管截止。(2)當vDS變化,vGS

=constant>VP時若vDS整個溝道呈楔形分布。此時若vDSiD當vDS增加到使vDS

=(vGS-VP)時,在緊靠D處出現(xiàn)預夾斷。預夾斷后,vDS夾斷區(qū)延長溝道電阻ID基本不變。16(1)轉(zhuǎn)移特性曲線(iDvGS/vDS=constant)耗盡型的MOS管VGS=0時就有導電溝道，加反向電壓到一定值時才能夾斷。gsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RD夾斷電壓VPIDSSID/mAVGS/V481216-3–2–1012飽和漏極電流5、特性曲線——低頻跨導,參數(shù)之一曲線上某點的斜率：17VGS=4VVGS=2VVGS=-2VVGS=-4VVGS=VP0VDS/VID/mA16128448121620(2)漏極特性曲線(iDvDS/vGS=constant>VP)(輸出特性曲線)VGS=0可變電阻區(qū)截止區(qū)恒流區(qū)飽和區(qū)預夾斷軌跡:vDS=vGS-VPgsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RD夾斷電壓VP——結(jié)型和耗盡型MOS管的固定參數(shù)注意：VP＜0由于柵極G與D、B、S是絕緣的，柵極電流ig≈018(1)截止區(qū)判斷：VGS＜VP特點：iD＝0這時場效應管D、S端相當于:一個斷開的開關。VGS=4VVGS=2VVGS=-2VVGS=-4VVGS=VP0VDS/VID/mA16128448121620VGS=0截止區(qū)gsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RD6.工作區(qū)域的特點及其工作區(qū)域判斷19(2)可變電阻區(qū)判斷：VGS≥VP,

VDS≤vGS-VP特點:rds是一個受vGS控制的可變電阻vGS越大,rds越小。當VGS足夠大(如:vGS＝0~vCC)時場效應管D~S端相當于:一個接通的開關。VGS=4VVGS=2VVGS=-2VVGS=-4VVGS=VP0VDS/VID/mA16128448121620VGS=0可變電阻區(qū)gsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RD20(3)恒流區(qū)(飽和區(qū)、放大區(qū))判斷:VGS≥VP,VDS≥vGS-VP特點:vDS＝vCC-iDRDiD=IDSS(1-vGS/VP)2可見：若vGS恒定,則iD恒定——恒流源特點這時場效應管D~S端相當于:一個受vGS控制的恒流源VGS=4VVGS=2VVGS=-2VVGS=-4VVGS=VP0VDS/VID/mA16128448121620VGS=0恒流區(qū)飽和區(qū)gsd+vGS-+vDS-igiD+vCC-RD21四.耗盡型P溝道絕緣柵場效應管GSD感應出P型導電溝道SiO2絕緣層中摻有負離子分析方法與N溝道耗盡型相同，只不過須將所有的電壓電流方向、大于小于號方向反過來。其特性曲線如P237所示。2、符號1、結(jié)構22耗盡型GSDGSD增強型N溝道P溝道GSDGSDN溝道P溝道G、S之間加一定電壓才形成導電溝道在制造時就具有原始導電溝道絕緣柵場效應管總結(jié)23——結(jié)型和耗盡型MOS管的參數(shù)五、絕緣柵場效應管的主要參數(shù)1、直流參數(shù)(1)直流輸入電阻RGS——柵源間的等效電阻。由于MOS管柵源間有sio2絕緣層，輸入電阻可達109～1015。(2)開啟電壓VT

：——增強型MOS管的參數(shù)(3)夾斷電壓VP

：(4)飽和漏電流IDSS:2、交流參數(shù)(1)輸出電阻rds

iD——靜態(tài)時的漏極電流——溝道長度調(diào)制參數(shù)當不考慮溝道調(diào)制效應時:＝0，rds→∞定義：24(2)低頻跨導gm:——表示柵源電壓對漏極電流的控制能力——類似三極管的3、極限參數(shù)(1)最大漏極電流IDM

;(2)耗散功率PDM;(3)最大漏源電壓V（BR）DS

;(4)最大柵源電壓V（BR）GS

。增強型：根據(jù)iD=Kn(vGS-VT)2求出:=2Kn(vGS-VT)耗盡型、結(jié)型：根據(jù)iD=IDSS(1-vGS/VP)2求出:=-IDSS(1-vGS/VP)/VP25場效應管與晶體管的比較電流控制電壓控制控制方式電子和空穴兩種載流子同時參與導電載流子電子或空穴中一種載流子參與導電類型

NPN和PNPN溝道和P溝道放大參數(shù)

rce很高

rds很高輸出電阻輸入電阻較低較高雙極型三極管單極型場效應管熱穩(wěn)定性差好制造工藝較復雜簡單，成本低對應電極

B—E—CG—S—D26Rg1Rg2RdRVDD-VSS§5.2MOSFET放大電路MOSFET放大電路也有3種接法:共源極,共漏極,共柵極。一.共源極放大電路(帶源極電阻的)1.電路2.靜態(tài)分析——求vi=0時(直流電源單獨作用時)VGS,ID

,VDS直流通道：+VGS–ID+VDS–27Rg1Rg2RdRVDD-VSS+VGS–ID+VDS–ID=Kn(VGS-VT)2——根據(jù)上兩式解出VGS、IDVDS=VDD+VSS-ID(Rd+R

)由上面計算結(jié)果可判斷出：當VDS

>(VGS-VT)時，MOSFET處在飽和區(qū)(放大區(qū))。這時：=2Kn(VGS-VT)-IDR283.動態(tài)分析————求vS單獨作用時Av,ri,ro(1)MOSFET的小信號模型①分析動態(tài)②信號很?、僦械皖l①分析動態(tài)②信號很?、俑哳l+vgs-+vds-gmvgsrdsiddgs其中:rds＝1/ID(幾十k~幾百k)+vgs-+vds-gsdid+vgs-+vds-gsdid+vgs-+vds-gmvgsrdsiddgsCgs+CgbCgdCds29(2)帶源極電阻共源極放大電路的小信號模型+vgs-rdsidgmvgsRRg2Rg1RS+

vS-ii+vi-RdRL+

vo-30+vgs-rdsidgmvgsRRg2Rg1RS+

vS-ii+vi-RdRL+

vo-(3)電壓增益Avvi=vgs+vsordsid-gmvgs·rds+ds31當rds≈時：(4)輸入電阻Ri=Rg1//Rg2(5)純電壓增益Avs+vgs-rdsidgmvgsRRg2Rg1RS+

vS-ii+vi-RdRL+

vo-32(6)輸出電阻求輸出電阻的圖:vso=-vgs當rds≈時：Ro≈Rd+vgs-Rg1rdsRSgmvgsRRg2Rdi+

v

-vgs+vso=0+vgs-rdsidgmvgsRRg2Rg1RS+

vS-ii+vi-RdRL+

vo-33二.共漏極放大電路1.電路Rg1Rg2RVDD2.靜態(tài)分析直流通道：+VGS–ID+VDS–VGS=VDD·Rg2/(Rg1+Rg2)-IDRID=Kn(VGS-VT)2VDS=VDD-IDR

=2Kn(VGS-VT)343.動態(tài)分析(1)共漏極放大電路的小信號模型RLRg1+

vo-+vgs-rdsidgmvgsR+

vS-RS+vi-iiRg235(2)電壓增益Avvo=gmvgs·(rds//R//RL)vi=vgs+

gmvgs·(rds//R//RL)](3)輸入電阻Ri=Rg1//Rg2RLRg1+

vo-+vgs-rdsidgmvgsR+

vS-RS+vi-iiRg236(4)輸出電阻求輸出電阻的圖:+vgs-Rg1rdsRLRS+

vS-+vi-iiid+

vo-gmvgsRRg2+vgs-Rg1rdsRSgmvgsRRg2+

v-ivgs+v=0vgs=-v求Ro圖37三.耗盡型N溝道場效應管放大電路

1.自給偏壓式偏置電路(1)電路組成+VDD

RSCSC2C1RdRGT+vi_+vo_(2)靜態(tài)分析VGS

=–RSIS

=–RSIDID=IDSS(1-VGS/VP)2根據(jù)上兩式解出VGS、ID。VDS=

VDD–ID(Rd+RS)直流通路+VDS-+VDD

RSRdRGIS

+VGS-由于靜態(tài)時柵源電壓VGS是由場效應管自身的電流提供的:VGS

=–RSIS=–RSID——故稱自給偏壓。注意:增強型MOS管因VGS=0時,ID0,故不能采用自給偏壓式電路。38(3)動態(tài)分析+VDD

RSCSC2C1RdRGT+vi_+vo_小信號電路電壓增益Avvo=-gmvgs·(rds//Rd//RL)vi=vgsAv=vo/vi=-

gm·(rds//Rd//RL)輸入電阻Ri=RG輸出電阻Ro=rds//Rd+vgs-RLRS+

vS-+vi-iiid+

vo-gmvgsRGRdrds39已知VDD=20V、RD=3k、RS=1k、RG=500k、VP=–4V、IDSS=8mA，確定靜態(tài)工作點。解：VGS

=–RSID

=–1IDID=IDSS(1-VGS/VP)2=8[1-VGS/(–4)]2解出VGS1=

–2V、VGS2=

–8V、ID1=2mA、ID2=8mA因VGS2<VP,故舍去，所求靜態(tài)解為:VGS=

–2V,ID=2mAVDS=20

–2(3+1)=12V+VDD

RSCSC2C1RDRGT+vi_+vo_例1402.分壓式偏置電路(1)靜態(tài)分析+VDD

RCSC2C1RG1RdRG2RGRL+vi–+vo–VDS=

VDD–ID(Rd+R)流過

RG的電流為零+VDD

RRG1RdRG2RG+VGS–ID+VDS–41(2)動態(tài)分析小信號電路電壓增益Avvo=-gmvgs·(rds//Rd//RL)vi=vgsAv=vo/vi=-

gm·(rds//Rd//RL)輸入電阻Ri=RG+RG1//RG2輸出電阻Ro=rds//RdRG是為了提高輸入電阻ri而設置的。+VDD

RCSC2C1RG1RdRG2RGRL+vi–+vo–+vgs-RLRS+

vS-+vi-iiid+

vo

-gmvgsRdRG1RG2RGrds423.源極輸出器+VDD

RC2C1RG1RG2RGRL+vi–+vo–+(1)靜態(tài)分析VDS=

VDD–IDR流過

RG的電流為零+VDD

RRG1RG2RG直流通路43(2)動態(tài)分析小信號電路+VDD

RC2C1RG1RG2RGRL+vi–+vo–+電壓增益Avvo=gmvgs·(rds//R//RL)vi=vgs+

gmvgs·(rds//R//RL)]輸入電阻Ri=RG+RG1//RG2+vgs-RLRS+

vS-+vi-iiid+

vo-gmvgsRRG1RG2Rg3rds44輸出電阻求輸出電阻的圖:vgs+v=0vgs=-v求Ro圖+vgs-RLRS+

vS-+vi-iiid+

vo-gmvgsRRG1RG2Rg3rds+vgs-RSidgmvgsRRG1RG2Rg3rds+

v-i45場效應管放大電路MOS管部分結(jié)束46第五章場效應管放大電路(JFET部分)重點：1.掌握場效應管的工作原理、特性曲線；2.學會判斷場效應管的工作狀態(tài)；

3.掌握場效應管放大電路(特別是結(jié)型場效應管JFET放大電路)的分析方法。472、符號gsdp+p+漏極d源極s柵極gN§5.3結(jié)型場效應管JFET一.N溝道結(jié)型場效應管(N溝道JFET)1、結(jié)構——兩個PN結(jié)夾著一個N型溝道。3.N溝道JFET的放大原理(以共源極接法為例)

N溝道JFET共源極接法的接線：+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD經(jīng)實驗證明:(1)VP<vGS≤0時,柵極電流ig≈0vGS>0:非工作區(qū)域,此時ig>0(2)當柵源電壓vGS變化,漏源電壓vDS

=constant>0時:vGS

≤VP(夾斷電壓,VP＜0)

:漏極電流iD=0VP<vGS≤0:vGS越大,iD越大——互導放大作用(3)當漏源電壓VDS變化,柵源電壓VP<vGS=constant<0時:0<vDS

<(vGS-VP)

:vDS增大,iD線性越大vDS>(vGS-VP):vDS越大,iD恒定;且iD=IDSS(1-vGS/VP)2494.N溝道JFET的內(nèi)部微觀原理(1)當柵源電壓vGS變化,漏源電壓vDS≥0時當vGS＜0時當vGS≤VP時(固定參數(shù))溝道夾斷PN結(jié)反偏耗盡層加厚溝道變窄當vGS>0時PN結(jié)正偏,耗盡層變薄當vGS=0時N溝道最寬ig>0,非工作區(qū)域這時若vDS≥0,則iD≥0同樣的vDS情況

iDiD=050(2)當柵源電壓vGS=constant＞VP,漏源電壓vDS變化時由于vGS＞VP,所以導電溝道未夾斷。a.當vDS=0時,iD=0。b.當vDS→iD→溝道產(chǎn)生電位梯度,靠近漏極d處的耗盡層加寬,溝道變窄,呈楔形分布。c.當vDS再,使vDS=vGS-VP時,在靠漏極處夾斷——預夾斷。即:預夾斷前,vDS→iD

;預夾斷后,vDS→iD幾乎不變。d.當vDS再→預夾斷點下移→夾斷區(qū)延長→溝道電阻→

iD基本不變(3)由于VP<vGS≤0時,g與d、s之間是兩個反向偏置的二極管,所以柵極電流ig≈0。515、N溝道結(jié)型場效應管的特性曲線(1)轉(zhuǎn)移特性曲線(iDvGS/vDS=constant)夾斷電壓VPIDSSID/mAVGS/V1234-3–2–10飽和漏極電流IDSS、VP——結(jié)型和耗盡型MOS管的固定參數(shù)注意：VP＜0,正常工作電壓vGS≤0,柵極電流ig≈0+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD——低頻跨導,參數(shù)之一曲線上某點的斜率：52(2)輸出特性曲線(iDvDS/vGS=constant)(漏極特性曲線)VGS=-1VVGS=-2VVGS=VP0VDS/VID/mA432148121620VGS=0預夾斷軌跡:vDS=vGS-VP可變電阻區(qū)恒流區(qū)截止區(qū)+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD536.工作區(qū)域的特點及其工作區(qū)域判斷(1)截止區(qū)判斷：VGS＜VP特點：iD＝0這時場效應管D、S端相當于:一個斷開的開關。VGS=-1VVGS=-2VVGS=VP0VDS/VID/mA432148121620VGS=0截止區(qū)+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD54(2)可變電阻區(qū)(線性區(qū))判斷：vGS＞VP,

vDS≤vGS-VP特點:rds是一個受vGS控制的可變電阻vGS越大,rds越小。當VGS足夠大(如:vGS＝0)時場效應管D~S端相當于:一個接通的開關。VGS=-1VVGS=-2VVGS=VP0VDS/VID/mA432148121620VGS=0可變電阻區(qū)+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD55(3)恒流區(qū)(飽和區(qū)、放大區(qū))判斷:VGS＞VP,vDS＞vGS-VP特點:vDS＝vCC-iDRDVGS=-1VVGS=-2VVGS=VP0VDS/VID/mA432148121620VGS=0恒流區(qū)若vGS恒定,則iD恒定——恒流源特點這時場效應管D、S端相當于:一個受電壓控制的恒流源+vGS-gsd+vDS-igiD+VCC-RD56gds二.結(jié)型P溝道場效應管1.符號3.分析方法P溝道分析方法與N溝道耗盡型相同，只不過須將所有的電壓電流方向、大于小于號方向反過來。三.JFET的參數(shù)——與耗盡型MOS管的參數(shù)相同。漏極源極柵極N+N+漏極d源極s柵極gP2.結(jié)構57四.共源極JFET放大電路1.電路2.靜態(tài)分析直流通道：VGS=VDD·Rg2/(Rg1+Rg2)-IDRID=IDSS(1-VGS/Vp)2VDS=VDD-ID(Rd+R)gm=-2IDSS(1-VGS/Vp)/VpRg1Rg2RVDDRd+VGS–ID+VDS–583.動態(tài)分析(1)JFET的小信號模型等效+vgs-+vds-gmvgsrdsiddgsgsd+vgs-+vds-id其中:rds＝1/ID但JFET的rds=幾百k,很大+vgs-+vds-gmvgsiddgs①分析動態(tài)②信號很?、壑械皖l等效①分析動態(tài)②信號很?、鄹哳l等效+vgs-+vds-gmvgsrdsiddgsCgs+CgbCgdCds59(2)JFET共源極放大電路的小信號模型RL+

vo-RRg1Rg2Rg3Rd+vgs-idgmvgs+vi-iiRS+

vS-60+vgs-Rg1RLRS+

vS-+vi-iiid+

vo-gmvgsRRg2RdRg3(3)電壓增益Avvo=-gmvgs·(Rd//RL)vi=vgs+

gmvgs·R(5)輸入電阻Ri=Rg3+Rg1//Rg2(4)純電壓增益Avs61(6)輸出電阻求輸出電阻的圖:vso=gmvgsRRo≈Rdvgs+vso=0+vgs-Rg1RLRS+

vS-+