標準解讀

《YS/T 24-2016 外延釘缺陷的檢驗方法》相較于《YS/T 24-1992》,在內容上進行了多方面的更新與調整,主要體現(xiàn)在以下幾個方面:

首先,在術語和定義部分,《YS/T 24-2016》對一些專業(yè)術語給出了更明確、詳細的定義,以減少理解和應用中的歧義。例如,“外延釘”、“缺陷”等關鍵概念被賦予了更加準確的描述。

其次,對于檢驗方法,《YS/T 24-2016》增加了新的檢測手段和技術要求,包括但不限于使用更先進的光學顯微鏡技術來觀察樣品表面細節(jié);同時,還引入了電子探針分析等現(xiàn)代物理化學測試方法,旨在提高檢測精度及可靠性。

再者,《YS/T 24-2016》細化了樣品制備流程,明確了從取樣到最終測試前處理的具體步驟,確保不同實驗室之間結果的一致性。此外,標準還特別強調了環(huán)境條件(如溫度、濕度)對外延釘缺陷檢測的影響,并提出了相應的控制措施。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2016-04-05 頒布
  • 2016-09-01 實施
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文檔簡介

ICS77.040

H21

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YST24—2016

代替

YS/T24—1992

外延釘缺陷的檢驗方法

Testmethodsforspikeofepitaxiallayers

2016-04-05發(fā)布2016-09-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YST24—2016

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替外延釘缺陷的檢驗方法與相比本標準主要變化

YS/T24—1992《》。YS/T24—1992,

如下

:

增加了規(guī)范性引用文件和術語和定義

———“”“”;

增加了方法無損測試

———“2”。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位南京國盛電子有限公司有研半導體材料有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標準主要起草人馬林寶楊帆孫燕徐新華

:、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T24—1992。

YST24—2016

外延釘缺陷的檢驗方法

1范圍

本標準規(guī)定了外延釘缺陷的檢驗方法

本標準適用于判斷硅外延片上是否存在高度不小于m的釘缺陷如果釘缺陷數(shù)量比較少且彼

4m。

此不相連可對釘缺陷進行計數(shù)本標準不能測量釘缺陷的高度

,。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

3.1

釘缺陷spikes

外延生長過程中形成的表面突起物通常是由于襯底表面顆粒導致外延后的硅突起物

,。

4方法1有損測試

4.1方法提要

有損測試是將一片聚酯塑料薄膜沿三個不同方向推過試驗表面在兩個或兩個以上方向碰到的表

,

面突起物被判定為釘缺陷

。

4.2材料

4.2.1真空吸片裝置或鑷子

4.2.2聚酯塑料薄膜厚度為m面積為

,25m,50mm×50mm。

4.3測試步驟

4.3.1用真空吸片裝置吸住試樣背面或用鑷子夾持住試樣對于仲裁檢測也可將試驗外延面朝上置

,,,

于清潔表面上

。

4.3.2拇指和食指夾住聚酯塑料薄膜使薄膜在拇指下延伸約并與試樣表面成傾斜

,25mm,45°。

4.3.3在主參考面對面將聚酯塑料薄膜與試樣接

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