串聯(lián)諧振電路原理分析

串聯(lián)諧振電路原理分析第一頁，共十七頁，2022年，8月28日內(nèi)容第一部分概述；基本工作原理；拓撲第二部分分析：假定；輸入阻抗；電壓電流和功率；電壓和電流應力分析；第三部分分析：開路和短路運行；電壓傳遞函數(shù)；效率（導通/開通/關(guān)斷損耗計算）；設計實例和討論第二頁，共十七頁，2022年，8月28日概述ClassDdc-ac諧振逆變電路1959年由Baxandall發(fā)明應用于：dc-dc變換器，無線發(fā)射器，電子鎮(zhèn)流器，高頻電焊機，等等可分為兩類Voltage-sourceinverter電壓型逆變電路前級由電壓源輸入Current-sourceinverter電流型逆變電路前級由電流源輸入第三頁，共十七頁，2022年，8月28日串聯(lián)諧振逆變（SRI）基本電路第四頁，共十七頁，2022年，8月28日SRI基本電路第五頁，共十七頁，2022年，8月28日SRI基本電路第六頁，共十七頁，2022年，8月28日SRI基本電路第七頁，共十七頁，2022年，8月28日SRI基本電路MOSFET導通電阻rDS=(rDS1+rDS2)/2總寄生電阻r=rDS+rL+rC線路總電阻R=Ri+r=Ri+rDS+rL+rC第八頁，共十七頁，2022年，8月28日工作原理第九頁，共十七頁，2022年，8月28日工作原理第十頁，共十七頁，2022年，8月28日工作原理第十一頁，共十七頁，2022年，8月28日共通問題Ipk=VI/(rDS1+rDS2)假定：VI=200V,rDS1=rDS2=0.5Ω,Ipk=200A第十二頁，共十七頁，2022年，8月28日SRI工作原理-f<f0工作于容性負載，輸出電流的相位角超前于輸出電壓導通順序：Q1–D1–Q2–D2MOSFET零電壓關(guān)斷MOSFET導通時的三種不利情況：相對的MOSFET的反并聯(lián)二極管的反向恢復MOSFET等效輸出電容的放電密勒效應第十三頁，共十七頁，2022年，8月28日SRI工作原理-f<f0當電路由D1導通換到Q2導通時，D1的反向恢復特性導致很大的瞬間電流，是穩(wěn)態(tài)電流的數(shù)倍（甚至10倍）二極管的電壓由-1V升至Vi，電流又很大，造成很大的反向恢復損耗MOSFET寄生三極管的二次擊穿，會導致MOSFET在關(guān)斷時失效第十四頁，共十七頁，2022年，8月28日f>f0工作于感性負載，輸出電流的相位角滯后于輸出電壓導通順序：D1–Q1–D2–Q2MOSFET零電壓開通第十五頁，共十七頁，2022年，8月28日電壓型逆變器拓撲SRIPRICLLSPRI第十六頁，共十七頁，2022年，8月28日第一部分結(jié)束語串聯(lián)諧振電路的歷史串聯(lián)諧振電