![《電學元件伏安特性測量》實驗報告附_第1頁](http://file4.renrendoc.com/view/acc82f35a18b660675b36a5666ae2088/acc82f35a18b660675b36a5666ae20881.gif)
![《電學元件伏安特性測量》實驗報告附_第2頁](http://file4.renrendoc.com/view/acc82f35a18b660675b36a5666ae2088/acc82f35a18b660675b36a5666ae20882.gif)
![《電學元件伏安特性測量》實驗報告附_第3頁](http://file4.renrendoc.com/view/acc82f35a18b660675b36a5666ae2088/acc82f35a18b660675b36a5666ae20883.gif)
![《電學元件伏安特性測量》實驗報告附_第4頁](http://file4.renrendoc.com/view/acc82f35a18b660675b36a5666ae2088/acc82f35a18b660675b36a5666ae20884.gif)
![《電學元件伏安特性測量》實驗報告附_第5頁](http://file4.renrendoc.com/view/acc82f35a18b660675b36a5666ae2088/acc82f35a18b660675b36a5666ae20885.gif)
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《電學元件伏安特征的丈量》實驗報告(數(shù)據(jù)附頁)一、半定量察看分壓電路的調(diào)理特色變阻器R=470ΩU/V00.53751.131.722.342.9000.46250.941.422.062.9000.27250.46000.518750.962.90二、用兩種線路測電阻的對照研究電流表正確度等級,量程Im=5mA,RI=±Ω電壓表正確度等級,量程Um=,RV=±Ω;量程Um=3V,RV=±Ω被測電阻約數(shù)12kΩkΩ電壓表量程3Um/V電流表內(nèi)接電壓讀數(shù)U/V記錄電流讀數(shù)I/mA電壓表量程電流表外U/V3m接電壓讀數(shù)U/V電流讀數(shù)I/mAR
kΩ
Ω電流表內(nèi)R/R接計算
簡化計算偏差R
1.04kkΩ
Ω
ΩΩ電流表外R/R接簡化計算偏差
kΩ
Ω比較簡化計算偏差,說明簡內(nèi)接
外接化辦理時哪一種方法好議論比較
R/R,說明應用哪一種接外接
內(nèi)接法好三、
測定半導體二極管正反向伏安特征外接法U/V
I/mA
U/V
I/mA0內(nèi)接法U/VI/mAU/VI/mA0因為正向二極管的電阻很小,采納外接法的數(shù)據(jù);反向電阻很大,采納內(nèi)接法的數(shù)據(jù)。四、戴維南定理的實驗考證將9V電源的輸出端接到四端網(wǎng)絡的輸入端上,構成一個有源二端網(wǎng)絡,求出等效電動勢Ee和等效內(nèi)阻Re。(外接法)序號1234567U/VI/mA修正后的結果:序號1234567U/V0.7610.7380.7130.6850.6540.6250.591I/mA4.314.404.504.594.684.774.88取第二組和第七組數(shù)據(jù)計算獲得:Ee=Re=Ω由作圖可得:Ee=Re=Ω用原電路和等效電路分別加在同樣負載上,丈量外電路的電壓和電流值。200Ω1kΩ負載U/VI/mAU/VI/mA原電路等效電路相對誤17.3%16.3%8.7%5.7%差理論計算。4.議論。等效電動勢的偏差不是很大,而等效電阻卻很大。原由是多方面的。但我以為最大的原由應當是作圖自己。全部數(shù)據(jù)的點都集中在一個很小的地區(qū),點很難描精準,直線的繪制也顯得過于粗拙,人為的偏差很大。假如對數(shù)據(jù)進行擬合,能夠獲得I=+,于是獲得Ee=,Re=Ω,前者偏差為%,后者偏差為%,成效比直接讀圖好,因為除去了讀圖時人為的偏差。此外一點,儀表讀數(shù)也是造成偏差大的一個原由。比方電流表沒有完整
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